JPS61205694A - 硫化亜鉛膜の作製方法 - Google Patents
硫化亜鉛膜の作製方法Info
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- JPS61205694A JPS61205694A JP4467585A JP4467585A JPS61205694A JP S61205694 A JPS61205694 A JP S61205694A JP 4467585 A JP4467585 A JP 4467585A JP 4467585 A JP4467585 A JP 4467585A JP S61205694 A JPS61205694 A JP S61205694A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
この発明は、安価で大面積の基板上に純度の高い硫化亜
鉛（以下、「ｚｎＳ」で或わす０）単結龍裏を迅速に形
成できるＺｎＳ膜の作製方法に関する。
鉛（以下、「ｚｎＳ」で或わす０）単結龍裏を迅速に形
成できるＺｎＳ膜の作製方法に関する。
く従来の技術〉
ＺｎＳはバンドギャップが３．６ｅＶと大きく、青色発
光材料として実用化されることを期待されているが、そ
の発光は結晶性に敏感に影響し、伝導性の制御も困難と
されていた。
光材料として実用化されることを期待されているが、そ
の発光は結晶性に敏感に影響し、伝導性の制御も困難と
されていた。
ＺｎＳ膜の作製は、従来真空蒸着、スパッタ蒸着、気相
成長などの方法によって基板上にＺｎＳ膜を成長させる
手法が採用されてき几。
成長などの方法によって基板上にＺｎＳ膜を成長させる
手法が採用されてき几。
しかし、この方法では上述し友ように伝導性の制御が困
難であり、青色発光ダイオードは実用に至っていなかつ
几。
難であり、青色発光ダイオードは実用に至っていなかつ
几。
ところが、最近になり有機金属成長法（Ｏｒ−ｇａｎｌ
ｃ Ｍｅｔａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ’Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下「ＭＯＣＶＤ法」という。
ｃ Ｍｅｔａｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ’Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下「ＭＯＣＶＤ法」という。
）や分子線エビタ千シャル法（Ｍｏ１ｅｃｕｌａｒ Ｂ
ｅ＠Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｍｅｔｈｏｄ、以下、ｒＭＢ
Ｅ法」という。）がＺｎＳの導電性制御の可能性がある
として注目されている。ＭＯＣＶＤ法は、ＺｎＳと近似
した性質および結晶構造をもつＺｎ５ｅに適用し九もの
について、例えば米国物理学協会発行の学術雑誌「アプ
ライド。
ｅ＠Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｍｅｔｈｏｄ、以下、ｒＭＢ
Ｅ法」という。）がＺｎＳの導電性制御の可能性がある
として注目されている。ＭＯＣＶＤ法は、ＺｎＳと近似
した性質および結晶構造をもつＺｎ５ｅに適用し九もの
について、例えば米国物理学協会発行の学術雑誌「アプ
ライド。
フィジックス・レターズ誌（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙａ
ｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ ） Ｊ第３８巻第５号（１９８
１年）３５２頁に、ダブリュ・ステユティアス氏（Ｗ、
５ＴＵＴＩ−ＵＳ）カｒ７’リハレイション・オフ・
ロー・レジスティビティ・Ｎ−タイプ−ジンク・サルフ
ァイド瞼バイ＊ ＯＭＶＴＥ （Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏ
ｎ ｏｆＬＧＩＦ Ｒｅ５ｉｓｔｌｖｉｔｙ Ｎ−ｔｙ
ｐｅ Ｚｉｎｃ ５ｅｌｅｎ ｂｙ ＯＭＶＴＥ ）
Ｊにおいて、ＭＯＣ’ＶＤ法によυＧａＡｓ基板に電気
ＭＯＣＶＤ法により ＺｎＳ Ｍ ｔ−成長させること
ができる基板として’ＧａＡｓ ％ ＧａＰに限られて
いた。
ｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ ） Ｊ第３８巻第５号（１９８
１年）３５２頁に、ダブリュ・ステユティアス氏（Ｗ、
５ＴＵＴＩ−ＵＳ）カｒ７’リハレイション・オフ・
ロー・レジスティビティ・Ｎ−タイプ−ジンク・サルフ
ァイド瞼バイ＊ ＯＭＶＴＥ （Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏ
ｎ ｏｆＬＧＩＦ Ｒｅ５ｉｓｔｌｖｉｔｙ Ｎ−ｔｙ
ｐｅ Ｚｉｎｃ ５ｅｌｅｎ ｂｙ ＯＭＶＴＥ ）
Ｊにおいて、ＭＯＣ’ＶＤ法によυＧａＡｓ基板に電気
ＭＯＣＶＤ法により ＺｎＳ Ｍ ｔ−成長させること
ができる基板として’ＧａＡｓ ％ ＧａＰに限られて
いた。
しかし、ＺｎＳ単結晶が成長可能なＧａＰ５ＧａＡｓ基
板は高価であり、大面積の基板を入手することも不可能
である。
板は高価であり、大面積の基板を入手することも不可能
である。
本発明者らはＳｌがＺｎＳと格子定数が非常に近＜ （
ＺｎＳおよびｓｌの格子定数はそれぞれ５．４０ ｅ
Ｘ、５，４３１ Ｘ テ、１） ル。）、安価テ大面積
の基板が入手しやすいことに着目し、ｓｌ基板を用いて
ＺｎＳ膜を成長することｔ−試みたが、ＭＯＣＶＤ法に
よって、ｓｉ基板上にＺｎＳ膜成長停止まで同一条件で
成膜しても、多結晶のＺｎＳ膜しか得られなかった。
ＺｎＳおよびｓｌの格子定数はそれぞれ５．４０ ｅ
Ｘ、５，４３１ Ｘ テ、１） ル。）、安価テ大面積
の基板が入手しやすいことに着目し、ｓｌ基板を用いて
ＺｎＳ膜を成長することｔ−試みたが、ＭＯＣＶＤ法に
よって、ｓｉ基板上にＺｎＳ膜成長停止まで同一条件で
成膜しても、多結晶のＺｎＳ膜しか得られなかった。
そこで、このような欠点を解消するため〈。
本発明者らは、特願昭５９−２３１８０９号においてＳ
ｉ （Ｉｌｌ ）基板上に、バッファ層として一旦真
空蒸着でＺｎＳ［を形成することにより、５ｆ（ＩＩＩ
）基板上においてＭＯＣＶＤ法でＺｎＳ単結晶膜を作製
できることを示した。
ｉ （Ｉｌｌ ）基板上に、バッファ層として一旦真
空蒸着でＺｎＳ［を形成することにより、５ｆ（ＩＩＩ
）基板上においてＭＯＣＶＤ法でＺｎＳ単結晶膜を作製
できることを示した。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかし、上述した特願昭５９−２３１８０９号のＺｎＳ
単結晶膜の作製方法は、ＭＯＣＶＤ法という真空蒸着法
とは異なる工程を必要すること、および真空蒸着によっ
て形成したＺｎＳ膜から、ＭＯＣＶＩ）法によって形成
したＺｎＳ層へ不純物が拡散する欠点があった。
単結晶膜の作製方法は、ＭＯＣＶＤ法という真空蒸着法
とは異なる工程を必要すること、および真空蒸着によっ
て形成したＺｎＳ膜から、ＭＯＣＶＩ）法によって形成
したＺｎＳ層へ不純物が拡散する欠点があった。
この発明は、特願昭５９−２３１８０９号のＺｎＳ単結
晶膜作製方法における上述した欠点を除くためになされ
たものであって、５ｔ（ＩＩＩ）板を基板として真空蒸
着法に代えてＭＯＣＶＤ法によって形成したＺｎＳ膜を
バッファ層とじてＭＯＣＶＤ法によりＺｎＳ単結晶膜を
成長させるＺｎＳ膜の作製方法を提供しようとするもの
である。
晶膜作製方法における上述した欠点を除くためになされ
たものであって、５ｔ（ＩＩＩ）板を基板として真空蒸
着法に代えてＭＯＣＶＤ法によって形成したＺｎＳ膜を
バッファ層とじてＭＯＣＶＤ法によりＺｎＳ単結晶膜を
成長させるＺｎＳ膜の作製方法を提供しようとするもの
である。
く問題点を解決するための手段〉
上述し九目的を達成するため、この発明は、ジメチルジ
ンク（以下、「ＤＭｚ」という。）又はジエチルジンク
（以下、「ＤＥｚ」という。）とＺｎＳの気相反応によ
り基板上にＺｎＳ膜を成長させるＺｎＳ膜の作製方法に
おいて、基板として８１（ＩＩＩ）板を使用するととも
に、一旦基板温度５００度Ｃ以上で厚さ５０〜５００Ｘ
のＺｎＳ膜を成長させてから、さらに基板温度２５０〜
３００度Ｃにおいて前記ＺｎＳ膜上にＺｎＳ膜を成長さ
せることを特徴とする。
ンク（以下、「ＤＭｚ」という。）又はジエチルジンク
（以下、「ＤＥｚ」という。）とＺｎＳの気相反応によ
り基板上にＺｎＳ膜を成長させるＺｎＳ膜の作製方法に
おいて、基板として８１（ＩＩＩ）板を使用するととも
に、一旦基板温度５００度Ｃ以上で厚さ５０〜５００Ｘ
のＺｎＳ膜を成長させてから、さらに基板温度２５０〜
３００度Ｃにおいて前記ＺｎＳ膜上にＺｎＳ膜を成長さ
せることを特徴とする。
く作 用〉
以上のように、この発明のＺｎＳ膜の作製方法は、バッ
フ７層として５ｔ（ＩＩＩ）板上に形成するＺｎＳ Ｗ
Ｘ ’ｋ ＭＯＣＶＤ法で形成してから、さらにＭＯＣ
ＶＤ法でＺｎＳ Ｍを成長させるため、−頁してＭＯＣ
ＶＤ法でＺｎＳ膜を形成させることができ、特願昭５９
−２３１８０９号のＺｎＳ膜作製方法と異なり、真空蒸
着のための真空僧門での操作と、ＭＯＣＶＤ法にょるＺ
ｎＳ膜の作製のための操作という二度手間を必要とする
ことがない。
フ７層として５ｔ（ＩＩＩ）板上に形成するＺｎＳ Ｗ
Ｘ ’ｋ ＭＯＣＶＤ法で形成してから、さらにＭＯＣ
ＶＤ法でＺｎＳ Ｍを成長させるため、−頁してＭＯＣ
ＶＤ法でＺｎＳ膜を形成させることができ、特願昭５９
−２３１８０９号のＺｎＳ膜作製方法と異なり、真空蒸
着のための真空僧門での操作と、ＭＯＣＶＤ法にょるＺ
ｎＳ膜の作製のための操作という二度手間を必要とする
ことがない。
さらに、バッファ層も成長ＺｎＳ膜もともにＭＯＣＶＤ
法で成長させたＺｎＳであるのみならず、最終ＺｎＳ成
長層形成時の基板温度はバッファ層形成時の基板温度よ
りも低温度に保持されているから、バッファ層から最終
ＺｎＳ成長層へ不純物拡散が拡散するようなことがない
。
法で成長させたＺｎＳであるのみならず、最終ＺｎＳ成
長層形成時の基板温度はバッファ層形成時の基板温度よ
りも低温度に保持されているから、バッファ層から最終
ＺｎＳ成長層へ不純物拡散が拡散するようなことがない
。
〈実施例〉
以下、この発明の実施例について、具体的に説明する。
（Ａ）装置
第１図の２は電力源（非図示）からコイル３に送られる
高周波電力によって加熱される反応管であって、内径１
ｏ３、長さ４゜画の開放型反応管である。反応管２の閉
鎖端側には、図示外のガス源から反応管２内へ送る＆Ｓ
ガスおよびＤＭＺガスの導入管４゜５が設けられ、反応
管２内の加熱温度は熱電対６によって側温可能にセット
されている０ （Ｂ） 製造方法 ８１図のＭＯＣＶＤ装置１を作動する場合は、ＺｎＳ膜
を形成しようとする念とえば１．５ｃｒｎＸ１．５３の
大きさの５ｉ（Ｉｌｌ）基板７の表面を希フッ酸でエツ
チングし表面のＳｔｏｗ膜を取り除いてから純水で充分
洗滌しｔ後反応管２内へ入れセツティングする。
高周波電力によって加熱される反応管であって、内径１
ｏ３、長さ４゜画の開放型反応管である。反応管２の閉
鎖端側には、図示外のガス源から反応管２内へ送る＆Ｓ
ガスおよびＤＭＺガスの導入管４゜５が設けられ、反応
管２内の加熱温度は熱電対６によって側温可能にセット
されている０ （Ｂ） 製造方法 ８１図のＭＯＣＶＤ装置１を作動する場合は、ＺｎＳ膜
を形成しようとする念とえば１．５ｃｒｎＸ１．５３の
大きさの５ｉ（Ｉｌｌ）基板７の表面を希フッ酸でエツ
チングし表面のＳｔｏｗ膜を取り除いてから純水で充分
洗滌しｔ後反応管２内へ入れセツティングする。
ついで、導入管４，５上通して反応管２内へＨｘＳガス
およびＤＭＺガスを、 ＤＭＺ：Ｈ！Ｓ冨１：３．３５ ＤＭＺ カスｆｉ 速、２ Ｘ １０−’ ｍｓｌ、
７ ｍｉｎ、ＤＭＺガス ｌ １約２１／雇ユ 真空度 ６０ Ｔｏｒｒ の条件で導入すると共に、高周波電力源からコイル３に
高周波電力を供給し、基板温度５００度Ｃで、５ｉ（Ｉ
ｌｌ）基板７上に約１００Ｘの厚さのＺｎＳ膜８ｔ−形
成させ念。
およびＤＭＺガスを、 ＤＭＺ：Ｈ！Ｓ冨１：３．３５ ＤＭＺ カスｆｉ 速、２ Ｘ １０−’ ｍｓｌ、
７ ｍｉｎ、ＤＭＺガス ｌ １約２１／雇ユ 真空度 ６０ Ｔｏｒｒ の条件で導入すると共に、高周波電力源からコイル３に
高周波電力を供給し、基板温度５００度Ｃで、５ｉ（Ｉ
ｌｌ）基板７上に約１００Ｘの厚さのＺｎＳ膜８ｔ−形
成させ念。
その後、一旦成長を止め、基板温度が３００度Ｃになる
のを待ち、この温度で、再びＨａｓガスおよびＨ２Ｓガ
スのＭＯＣｖＤ反応によって膜厚５．ｏｏｏＡのＺｎＳ
膜９を成長させた。
のを待ち、この温度で、再びＨａｓガスおよびＨ２Ｓガ
スのＭＯＣｖＤ反応によって膜厚５．ｏｏｏＡのＺｎＳ
膜９を成長させた。
かくして得られ＆ＺｎＳ膜の断面は第２図のごとき構造
になっている。このＺｎＳ膜の反射電子線回折（１００
ＫｅＶ ）パターンを示せば第３図のごとくなる。第２
図の反射電子線回折パターン図中、 。
になっている。このＺｎＳ膜の反射電子線回折（１００
ＫｅＶ ）パターンを示せば第３図のごとくなる。第２
図の反射電子線回折パターン図中、 。
一ストリーク状のスポット
ａは、ＺｎＳ膜が単結晶であることを示す反射電子線回
折パターンで６９、同心円状のスボツ）ｂはＺｎＳ膜が
多結晶であることを示す反射電子線回折パターンである
。
折パターンで６９、同心円状のスボツ）ｂはＺｎＳ膜が
多結晶であることを示す反射電子線回折パターンである
。
この反射電子線回折パターンでは、ストリーク状のスポ
ット像が鮮明に表われ、同心円状のスポットはわずかに
確認できる程度に表われているにすぎないから、得られ
たＺｎＳ膜は良好な単結晶であることが確認できＯ。
ット像が鮮明に表われ、同心円状のスポットはわずかに
確認できる程度に表われているにすぎないから、得られ
たＺｎＳ膜は良好な単結晶であることが確認できＯ。
この発明において、８１（Ｉｌｌ）基板７上にバッファ
層８ｔ−形成する基板温度は５００度Ｃ以上が適当であ
り、これ以下だと多結晶しか得られない。ま几バッファ
層の厚みは５０〜ＳＯＯ！が適当で１）す、これ以上に
なると、双晶しか得られない。
層８ｔ−形成する基板温度は５００度Ｃ以上が適当であ
り、これ以下だと多結晶しか得られない。ま几バッファ
層の厚みは５０〜ＳＯＯ！が適当で１）す、これ以上に
なると、双晶しか得られない。
ｉ ｆｔ ＺｎＳの成長温度は、２５０〜３５０℃が適
当であり、これ以下だと多結晶が、またこれ以上だと、
多結晶や双晶しか得られない。
当であり、これ以下だと多結晶が、またこれ以上だと、
多結晶や双晶しか得られない。
まｔ、得らＺｎＳ単結晶膜の元素分析結果においても、
不純物の混入は殆んと認められなかった。
不純物の混入は殆んと認められなかった。
〈発明の効果〉
以上の説明から明らかなように、この発明にかかるＺｎ
Ｓ膜の作製方法は、 ■ 安価で大面積の５ｔ（ｉｔ）板を基板とじてＺｎＳ
単結晶膜を作製できる。
Ｓ膜の作製方法は、 ■ 安価で大面積の５ｔ（ｉｔ）板を基板とじてＺｎＳ
単結晶膜を作製できる。
■ ま７ｔ、ＭＯＣＶＤ法によりＺｎＳ膜を成長させて
いるから、形成するＺｎＳ膜の導電性の制御を容易に行
うことができる。
いるから、形成するＺｎＳ膜の導電性の制御を容易に行
うことができる。
■ ま７’ｔ、５Ｌ（Ｉｌｌ）板を基板にし、バッファ
層を真空蒸着法で形成してからＭＯＣＶＤ法でＺｎＳ膜
を形成する特願昭５９−２３１８０９号のＺｎＳｎ単膜
晶作製方法と異なり、バッファ層も最終ＺｎＳ膜も一貫
してＭＯ，ＣＶＤ法で成長させているから、工程が単純
で、迅速かつ容易にＺｎＳ単結晶膜を作製できる。
層を真空蒸着法で形成してからＭＯＣＶＤ法でＺｎＳ膜
を形成する特願昭５９−２３１８０９号のＺｎＳｎ単膜
晶作製方法と異なり、バッファ層も最終ＺｎＳ膜も一貫
してＭＯ，ＣＶＤ法で成長させているから、工程が単純
で、迅速かつ容易にＺｎＳ単結晶膜を作製できる。
■ また、バッファ層も最終ＺｎＳ膜も一貫してＭＯＣ
ＶＤ法で作製するだけでなく、バッファ層を基板温度の
高い状態形成し、それよりも低い基板温度で最１Ｚｎｓ
成長層を形成させるから、バッファ層から最終ＺｎＳ成
長層へ不純物が拡散することがなく、結晶性のすぐれた
ＺｎＳ膜を作製できる０
ＶＤ法で作製するだけでなく、バッファ層を基板温度の
高い状態形成し、それよりも低い基板温度で最１Ｚｎｓ
成長層を形成させるから、バッファ層から最終ＺｎＳ成
長層へ不純物が拡散することがなく、結晶性のすぐれた
ＺｎＳ膜を作製できる０
第１図は実施例のＺｎＳ膜作製に使用するＭＯＣＶＤ装
置の概略構成を示す要部断面図、第２図はこの発明のＺ
ｎＳ膜の作製方法により得られたＺｎＳ膜の構造を示す
断面図、第３図は第２図のＺｎＳ膜の反射電子回折パタ
ーン図である。 図中、 １ ・・ＭＯＣＶＤ装置、 ２・・・反応管、 ３・・・高周波コイル、 ４・・・Ｈ２Ｓガス導入管 ５・・・ＤＭＺガス導入管、 ７・・・Ｓ ｉ （ＩＩ＋ ）基板、 ８・・・バッファ層、 ９・・・最終ＺｎＳ成長層。
置の概略構成を示す要部断面図、第２図はこの発明のＺ
ｎＳ膜の作製方法により得られたＺｎＳ膜の構造を示す
断面図、第３図は第２図のＺｎＳ膜の反射電子回折パタ
ーン図である。 図中、 １ ・・ＭＯＣＶＤ装置、 ２・・・反応管、 ３・・・高周波コイル、 ４・・・Ｈ２Ｓガス導入管 ５・・・ＤＭＺガス導入管、 ７・・・Ｓ ｉ （ＩＩ＋ ）基板、 ８・・・バッファ層、 ９・・・最終ＺｎＳ成長層。
Claims (1)
- ジメチルジンク又はジエチルジンクと硫化亜鉛の気相反
応により基板上に硫化亜鉛膜を成長させる硫化亜鉛膜の
作製方法において、基板としてＳｉ（III）板を使用す
るとともに、一旦基板温度５００度Ｃ以上で厚さ５０〜
５００Åの硫化亜鉛膜を成長させてから、さらに基板温
度２５０〜３００度Ｃにおいて前記硫化亜鉛膜上に硫化
亜鉛膜を成長させることを特徴とする硫化亜鉛膜の作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4467585A JPH0613438B2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 硫化亜鉛膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4467585A JPH0613438B2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 硫化亜鉛膜の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205694A true JPS61205694A (ja) | 1986-09-11 |
| JPH0613438B2 JPH0613438B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=12698018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4467585A Expired - Lifetime JPH0613438B2 (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 硫化亜鉛膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613438B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181536A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Seiko Epson Corp | ２−６族化合物半導体薄膜の選択成長方法 |
| US5077092A (en) * | 1989-06-30 | 1991-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for deposition of zinc sulfide films |
| US6045614A (en) * | 1996-03-14 | 2000-04-04 | Raytheon Company | Method for epitaxial growth of twin-free, (111)-oriented II-VI alloy films on silicon substrates |
| CN115961350A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-14 | 安徽光智科技有限公司 | 一种高均匀性多晶硒化锌红外材料的生长方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07248113A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Mitsui Sekiyu Kk | 燃焼排ガス供給装置 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4467585A patent/JPH0613438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181536A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Seiko Epson Corp | ２−６族化合物半導体薄膜の選択成長方法 |
| US5077092A (en) * | 1989-06-30 | 1991-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for deposition of zinc sulfide films |
| US6045614A (en) * | 1996-03-14 | 2000-04-04 | Raytheon Company | Method for epitaxial growth of twin-free, (111)-oriented II-VI alloy films on silicon substrates |
| CN115961350A (zh) * | 2022-12-29 | 2023-04-14 | 安徽光智科技有限公司 | 一种高均匀性多晶硒化锌红外材料的生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0613438B2 (ja) | 1994-02-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |