JPS61205186A - 情報記録媒体および記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、情報記録媒体、特にヒートモード情報記録媒
体および記録方法に関する。

先行技術 ヒートモードの情報記録媒体は、媒体と書き込みないし
読み出しヘッドが非接触であるので、記録媒体が摩耗劣
化しないという特徴をもち、このため１種々のヒートモ
ードの記録媒体の開発研究が行われている。

このヒートモードの情報記録媒体には、大別して、ピッ
ト形成タイプと、いわゆる相転移タイプのものがある。

相転移タイプのものは、レーザー等の記録光により、照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移等を生起させて
情報を記録し、読み出し光で反射率の変化等を検出して
読み出しを行うものである。

このような相転移を利用する記録媒体としては、Ｔｅを
主体とする材料を記録層とするものが大半を占めている
。

しかし、近年、Ｔｅ系材料が人体に有害であることから
、これにかわる他の材料を用いての研究、開発が行われ
ている。

そこで本発明者らは、Ｔｅ系にかわり、より低毒性のＧ
ｅ−３ｎ系物質を用いる旨の提案（特願昭５９−２７５
３７３号）を行っている。　このＧｅ−５ｌ系の記録層
は、記録光により、相転移ないし結晶状態の変化を良好
に行うことができるものである。　ただ、Ｇｅ−５ｎ系
は、情報記録が安定して行えるＧｅ−Ｓｎ組成比領域が
比較的狭い。

１１　　発明の目的 本発明の目的は、記録層を従来のＴｅ系の有害物質の系
から、新規な低毒性物質の系で形成し、しかもこの記録
層に例えば記録光を照射して、照射部の記録層に非晶質
−結晶質の相転移ないし結晶の状態の変化を生起させて
、情報の記録を安定に行うことができる情報記録媒体お
よび記録方法を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち第１の発明は。

ＳｉおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）の原子比
が０．９５以下の記録層を基体上に有することを特徴と
する情報記録媒体である。

また、第２の発明は。

ＳｔおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）の原子比
が０．９５以下の記録層を基体上に有する情報記録媒体
に非晶質−結晶質相転移または結晶状態の変化を生起さ
せて記録を行うことを特徴とする情報記録方法である。

■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。

本発明の情報記録媒体は、基体の上に記録層を設層する
ことによって形成される。

また、このようなものを２つ用い、互いの記録層を対向
させて一体化することによって構成してもよい。

ここで、基体上しては、ガラス、樹脂等からなる平板状
のものである。　記録手段として光を用いる場合は、光
透過率の良いガラスまたは樹脂を用いるのが好ましい。

これにより、基体裏面側からの書き込み、読み出しなど
が可能となる。

また、基体の記録層形成面には、トラッキング用の溝が
形成されていることが好ましい。

基体上には記録層が設層される。

記録層は、ｓｉおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｓｉ十Ｓｎ
）の原子比は０．９５以下であり、より好ましくは０．
０５〜０．９５である。

Ｓ　ｎ／　（Ｓ　ｉ　＋Ｓ　ｎ）の原子比が０．９５を
こえると、５ｉ−５ｎからなる記録層は非晶質化しにく
い、　そのため、例えば光照射などによって記録層に熱
を加えても、非晶質−結晶質の相転移や粒径変化等の結
晶状態の変化による記録を行うことができない。

また、Ｓｎ／（Ｓｆ＋５ｎ）ｃ７）原子比が０．０５よ
り小さくなると、結晶化温度が高く、記録に際し、多く
のエネルギーが必要となる。

つまり、０．０５以上となると、結晶化温度が低くなり
、記録に際し、より少ない熱エネルギーで相転移状態変
化が生じ、実用上好ましい、　さらに好ましくは、０．
１５〜０．７となると、結晶化温度と安定性の両者が好
ましいものとなる。

このような記録層は、蒸着法、スパッタ法、イオンブレ
ーティング法等のドライコーティング方式等を用いて設
層すればよい。

記録層の厚さは２０　ｎｓ”　ｉ　ｐ、ｒａ程度である
。

また、必要に応じて基体上記録層の間および／または記
録層上に、公知の種々の安定化層や熱吸収層等を設層し
てもよい。

これにより、記録層の劣化を防止でき、さらに記録のた
めの熱効率を向とさせることができる。

また、基体の他面上には、各種保護層を設けてもよい。

このような記録層を基体上に有する情報記録媒体に記録
を行うには、光ないし熱エネルギーを付与する。

一般的には、記録光としては、半導体レーザー等を用い
ればよい。

記録光の照射により、照射部の記録層に非晶質−結晶質
の相転移を生起させ、記録が行われる。　すなわち、非
晶質から結晶質への相転移、あるいは結晶質から非晶質
への相転移を利用して記録を行う。

さらに、このような相転移の他、記録は、結晶状態の変
化によってもよい、　結晶状態の変化としては、微結晶
の粒径の変化、結晶形の種類、配向性や結晶化率の変化
などがある。

記録後の読みとりは、読みとり光を照射するなどして、
記録層の反射率の変化等を利用して検出すればよい。

このような場合、８３０ｎｍの波長においては、非晶質
状態にて約４０％程度の反射率が、結晶化することによ
り、５〜４０％程度変化する。

このように、比較的、大きな反射率の変化が得られるた
め、書き込み、読み出し等の記録特性の品質は安定する
。

■　発明の具体的効果 本発明の情報記録媒体は、５ｉ−５ｎ系の物質から形成
される。

この記録層は、記録光などを照射することによって、照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移や結晶状態の変
化が生起する。　従って、この現象を利用することによ
って、情報を記録することができる。

このため、従来のＴｅ系の有害物質系に比べ、低毒性で
同等の記録特性をもつ媒体が実現する。　また、本発明
の媒体はＴｅに比べ耐候性も良好である。

しかも、情報記録が安定して行える５ｉ−３ｎ組成比の
領域が比較的広く、読み出しのＳ／Ｎ比も高く、品質の
安定性に優れた効果を有する。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ１本発明をさらに詳細に説
明する。

実施例 ガラス基板上に、５ｔ−３ｎからなる薄膜層をスパッタ
法により膜厚１８０ｎ厘に設層し、記録層とした。

記録層（１）Ｓ　ｎ／　（Ｓ　ｉ　＋　Ｓ　ｎ）の原子
比は、ｘＰＳで測定した結果、０．３２であった。

また、この５ｉ−３ｎ記録層を設層後、および２００℃
、１０分の７ニール後にＸ線回折を行って、５ｉ−５ｎ
の非晶質−結晶質の相転移を確認した。

設層直後のＸ線回析の結果を第１図に、アニール後のも
のを第２図に示した。

さらに、第３図には、波長８３０ｎｓにおけるアニール
温度と反射率の関係が示される。

第３図から、８３０ｎｍの反射°率は設層直後の状態か
ら相転移により約４０％変化していることがわかる。

これとは別に、比較として、上記と同様に、Ｓｎ／（Ｓ
ｉ＋５ｎ）の原子比が０．９９の組成で設層したところ
、５ｉ−３ｎは非晶質化しておらず、すでに結晶化して
おり、相転移は生じなかった。

さらに、上記と同様に、Ｓｎ／（Ｓｆ＋Ｓｎ）の原子比
が０．０１で設層したところ、この組成では、設層直後
も３００℃のアニール後も非晶質であることが確認され
た。

なお、上記に準じ、各組成のサンプルを設層し、その結
晶化温度を測定した。　結果を第４図に示す。

第４図から、Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）が０．９５をこえる
と非晶質化せず、また０、０５未満となると４００℃の
７ニール後も非晶質のままであることがわかる。

また、上記本発明のサンプルにつき、８３０ｎｔａの半
導体レーザーで記録を行い、８３０ｎ■の半導体レーザ
ーマ再生を行ったｉころ、良好な記録再生を行うことが
できた。

なお、Ｓｎ／　（Ｓｉ＋５ｎ）＝ｏ、ｏｔおよび０．９
９のものでは記録再生はできなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、それぞれ本発明の５ｔ−３ｎ記
録層の設層直後およびアニール後のＸ線回折のチャート
である。 第３図は、この本発明の５ｉ−Ｓｎ記録層の設層直後お
よびアニール温度による反射率の変化を示すグラフであ
る。 第４図は、Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）と結晶化温度との関係
を示すグラフである。 ＦＩＧ、１ ２θ（’） ＦＩＧ、２ ２θ（０） ＦＩＧ、３ ７　二　−ル　温　ｙ　　Ｔａ（’Ｃ）ＦＩＧ、４ Ｓｎ　／　（Ｓｉ＋Ｓｎ）

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＳｉおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）の
   原子比が０．９５以下の記録層を基体上に有することを
   特徴とする情報記録媒体。
2. （２）Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）の原子比が０． ０５〜０．９５である特許請求の範囲第１項に記載の情
   報記録媒体。
3. （３）ＳｉおよびＳｎを含み、Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）の
   原子比が０．９５以下の記録層を基体上に有する情報記
   録媒体に非晶質−結晶質相転移または結晶状態の変化を
   生起させて記録を行うことを特徴とする情報記録方法。
4. （４）Ｓｎ／（Ｓｉ＋Ｓｎ）の原子比が０． ０５〜０．９５である特許請求の範囲第３項に記載の情
   報記録方法。