JPS6120356A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6120356A
JPS6120356A JP14065884A JP14065884A JPS6120356A JP S6120356 A JPS6120356 A JP S6120356A JP 14065884 A JP14065884 A JP 14065884A JP 14065884 A JP14065884 A JP 14065884A JP S6120356 A JPS6120356 A JP S6120356A
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semiconductor
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chip
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Kazuhide Kiuchi
木内 一秀
Mamoru Kondo
衛 近藤
Michiyuki Harada
宙幸 原田
Hideaki Takeuchi
秀明 竹内
Masakatsu Kimizuka
君塚 正勝
Hiroo Kinoshita
博雄 木下
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は複数個の累子を同一チップ上に形成した半導体
集積(ロ)路等の半導体チップを、更に複数ナッグ組み
合せることにエフ大きな機能を有する半導体装置におい
て、これらの複数の半導体チップを同一ケース内に立体
的に組み込んだ半導体装置に関するものである。
(従来技術及び発明が解決しようとする問題点)従来、
この種の半導体装li[に51つの半導体チップを1つ
のケースに封入した集積回路を、配線用基板上に平面的
に配列していたため、実装密度か上らず、また、チップ
間の配線による16号の伝播遅延の問題があった。また
、1つのケース内に複数のチップを同時に封入する方法
についてもこれまで幾つかの方法が提案されてきた。第
8図はその実施例でろ茗。図において101〜104は
半導体チップ、105はケースであり、各チップ間の電
気的接続は通常のワイヤーボンティングffi’に用い
ている。このワイヤーボンティング法のほか、フエイン
ダウンボンデイング法を用いる方法もある。いずれの方
法においても、半導体チップを平面的に配列しているた
め、実装密度、テッグ間配線長共に、個々の半導体チッ
プをケースに封入後、配線基板上に配列して接続する方
法とあ筐り変らない。また、1枚のウェハに種々の機能
をMする複数の集積回路を同時VC製造し、それぞれを
チップに裁断せず、製造工程における配線技術で各集積
回路を継ぐ方法もあるが、この方法も平面的な配列で、
かつ集績回路間の配線が複雑で、比較的面積を必要とす
ると共に、同時に製造したウエノ・上の集積回路が丁べ
て正常に動作する必要があるため、歩留りが悪い欠点が
あった。これらの欠点を解決するため、半導体チップを
配線基板上に立体的に配列し、実装密度を向上させる提
案が棒れている。第9図は、その実施例である。
図において201〜207は半導体集積回路装置、21
5は配線用基板、208〜214は半導体集積回路fi
装ソケットである。第9囚に示す工うに半導体チップを
立体的に配置することに工り、第8図のような平面配置
にくらべて、実装密度を高めることができる。しかし、
第9図の例でも判わる工うに、半導体チップを配線用基
板に実装するためソケットを必要とし、実装密度をあけ
る上でこれが障害となっている。丁なわち、半導体チッ
プは半導体集積−路のみ真食刻技術で加工されるのに対
して、ソケットは従来の機械加工技術を用いて製造する
ため、実装密度の向上に限度があり、又チップ間の配線
も長くなるという欠点力5らった。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、これらの欠点を除去するために提案されたも
ので、半導体チップの端部に端子を設け、これを別の半
導体チップに複数個同時に配置することにエフ実装密度
を高め、かつ配線長を短くすることを目的とする。
上記の目的を達成するため、不発8AはgtA部に接続
端子を設けた、集積回路を含む複数の半導体チップが、
前記の半導体チップの接続端子を設けた側に、多層配線
を有し、かつ内部の配線と接続された接続用パッド金偏
えた配線用半導体チップと一体に結合され、さらに前記
の沙数の半導体チップ本体は互に平行に配列され、夫夫
の半導体チップの接続端子が、前記の配線用半導体チッ
プの接続パッドと電気的に接続され、前記の半導体チッ
プ及びこれと一体に結合された配線用半導体チップが共
にケース内に収納されていることを特徴とする半導体装
置を発明の要旨とするものである。
次に本発明の詳細な説明する。なお実施例は一つの例示
であって、不発明の精神全逸脱しない範囲で、種々の変
更あるいは改良全行いうることVi百うまでもない。
第1図は本発明の半導体装置の実施例の概念図を示すも
のであり、(a)図は半導体チップと配服用半導体チッ
プとの結合状態を示す斜視図、(b)図は半導体装置の
縦断面白を示す。
(a)図において301〜304は夫々半導体チップを
示すもので、このチップは配線用半導体チップ305に
対して、はぼ垂直に固定されている。
図ボの場合は夫々の半導体チップの一力の端面に取付用
の突起a、b’2設け、この突起を配線用半導体チップ
に設けられた凹部に押入して両者ヲ固冗するものである
。この状態において半導体チップ301〜304は互に
平行に配列される。
しかしながら、半導体ナツツと配線用半導体チップとの
結合力法はこれに駆足されるものでない。
(b)図は(IILJ図の半導体、チップ及び配線用半
導体チップをケース307 K収納し7を状態を示すも
ので、ケースの内部には半導体チップ301〜304の
外形と相似の9306が形成され、半導体チップ301
は、この溝に挿入きれ、接宥剤をもって、溝内部に固定
される。またケースの上部にはキャップ308が装着さ
れ、ケース内部を密閉する。
ケース307の上部の側面にFi接続用端子311が設
けられてお!7.この接続用端子rri図示の場合り字
形に折ジ曲けられており、この折曲部はケース内部に収
納されておp、配N用fッ7305に設けられたフェイ
スダウンボンティング312を介して配線用チップ30
5の内部配線と接続され、また配線用チップ305 K
設けられた接続用パッド309ヲ介して、半導体チップ
301がらのリード端子310と接続されている。31
3はケース307に形成された窓を示す。
集積回路を含む半導体チップ301〜304は、夫々別
の機能1F1:Mする集積回路であり、これらを組合せ
ることにより、工9大きな機能を実現する工う構成され
ている。これらの半導体ナツツ301〜304は外形寸
法が相互FC合っていること及びチップ#部に接続端子
があること以外は通常の半導体集積回路と変らない。t
、た配縁用チップ305は多層配線を主体とした集積回
路である。
以上のように構成するCとにより、集積回路を含む複数
の半導体チップ301〜304ヲ立体的に組み@せてケ
ースに封入することができ、実装@度か平面に配置した
場合に比べて、1桁以上向上すると共に、半導体チップ
靭1〜304ヲ直接、配線用の半導体チップ305に接
続することりこより配線長を短くてることが可能となる
第2図は半導体チップ301〜304と配崖用の半導体
チップ305の電気的接続部分を示す実施例である。図
において430は集積回路を含む半導体ナラ1301〜
304の端部、431はその端部430に設けられた接
続端子で、この端子は半導体チップ430の内部の回路
と接続されている。
432は配線用の半導体ナツツ3050表面部、433
はその表面部432に設けられfc接続パッドで、この
接続パッドは半導体チップ305の内部の回路と接続さ
れている。434は接続端子431と接続パッド433
とを電気的に接続するための半導体チップの構成材料工
り溶点の低い材料(例えはハンダ)である。このように
溶点の低い接続材料434ヲ使用する仁とにエリ、半導
体チップ間t−直接接続することが可能となる。また、
集積回路を含む半導体チップ301〜304をその半導
体チップのp4でと同程度の寸法で相互に配線が可能と
なる。半導体チップの厚さ#St機械的強度の許容する
範囲内で、チップをケースに組み込む前にチップの厚さ
全エツチングVこより薄くしておくことも可能である。
第3図は接続材料434を作る工程を示した実施例であ
り、図において540は半導体基板、541は絶縁膜、
542は接続パッド用金属材料、543は接続材料であ
る。第3図(a)は接続拐料543を全面に形成した所
の断面図であり、第3図(b)は、接続材料543 ′
!il−パターニングした後の断面図である。この工う
に1接続材料543を接続パッド用金桐材料5420面
積より充分に大きくしておくことにLり、第3図(eJ
 Kボアようにその後の熱処理で、接続材料543を熔
かせは、&血張力に工り接続材料543は接続パッド用
金縞材料542のまわりVc集まる。このようにして、
最初に形成する接続材料543を比較的薄く作っておき
、最後の熱処理にLジ厚くすることが可能となる。
第4図は、集積回路を含む半導体ナツツ301〜304
の端部に設ける接続端子310の構造に関する実施例で
あり、図において651は半導体基板、652は半導体
基板を支持する絶縁材料、653は接続端子で、図示さ
れていないが、半導体基板651の引出線は絶縁材料6
520表面に形成されており、この引出線と接続端子6
53とが接続はれるものである。接続端子の形状として
は第4図(a)〜CC)に示すように、絶縁材料中に埋
め込1t′Lだ形状(a)、側面から突起した形状(b
l、側面から表面に連続した形状(C)のいずれによっ
ても接続端子を実現することは可能である。
第5凶は乗積(ロ)路を含む半導体ナツツ全正確な突起
をMする形状で作り出アための方法を示した実施例であ
り、760は半導体基板、761はチップの支持板、7
62はレジストマスクである。
集積回路を含む半導体チップの端すとして第5図(a)
を用いる場合は760′はウェハの表面、760”はウ
ェハの裏面でなければならない。基板をハ■望の形にす
るためには、基板760にレジスト762を塗布し、つ
いでレジスト762にリングラフィを用いて所望のパタ
ーンを作!11(第5図b)、ついでこのレジスト全マ
スクにしてエツチングにエフ半導体基板760 全エツ
チングし、エツチング終了後、レジス) 762 ’!
に除去する(第5図C)。
次に半導体チップに突起を形成する方法及び配線用半導
体チップに凹部を形成する方法tLついて述べる。
集積回路を含む半導体チップのシリコン基板として11
0面のものを用いれは、第6凶(a)に示す↓うなマス
ク801を用いて、KOH等による異方性エツチングに
エフ第5図に示した方法により第6図(b)に示すよう
なチップ802を収り出丁ことかできる。第7図にボア
ようVC’lた配線用半導体チップ901には100面
全使用し、KOH等による異方性エツチングを用いるこ
とにより、第7図Pこ示す形状を有する溝902を形成
することができる。以上の方法を用いることにエフ、相
互の位置合せが容易な集積回路を含む半導体ナツツと配
線用半導体チップ全作ジ出丁ことができる。また、第5
図〜第7図に示す方法以外にも、方向性の強い、たとえ
は、アルゴンイオンエツチング法郷と等方性のエツチン
グ、たとえば、反応性イオンエツチング(RI E )
 ’cmみ合せて用いても上記のような半導体チップを
得ることができる。以上のような方法で形状の揃った突
起や′m全肩する半導体チップを用いることに工9、半
導体チップ301〜304を梢度良くケース307に固
定することかできる。
なお、耐融用の半導体チップには、チップ間の配線のみ
k l′)−り込むたけでなく、トランジスタ、集積回
路、電僚回路、クロック回路等の累+を搭載することが
可能であり、これVcニジ、共通の電源、クロックを作
ることができる。
(発明の効果) 以上示したような*aK工り、不発明によれば集積回路
を含む半導体チップを複数個同時にケース内に組込むこ
とにエフ、実装密度か飛緬的に同上し、非常に高機能な
半導体装li!全1つのケース内に収めることが可能と
なる。また、半導体ナツツ間の配線がチップの厚み程度
となることにより、Oi@の伝播遅延が非常に短くなり
、高速で処理できる半導体装rjijtが実現できる等
の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の概念図、第2図は東ftk[g
l路全含む半導体チップと配線用半導体チップの電気的
接続部分の実施例、第3図は接続拐料を作る工8を示し
た実施例、第4図#′i集槓回路全含む半導体ナツツの
端部に設ける接続端子の構造に関する実施例、第5図は
集積回路を含む半導体ナツツ全正確な突起全有する形状
で敗り出すための製法を示した実施例、第6図はナッグ
全取り出すために用いるマスクと叡ジ出したチップの形
状、第7囚は配線用半導体チップの表面に形成された、
集積回路を含む半導体チップの位置決めをする溝の形状
、第8図お工び第9凶は従来技術の例を示す。 101〜104・・半導体チップ 105・・・・・・・・ケース 201〜207・半導体チップ 208〜214・・ソケット 215  ・・・・・・・配線用基板 :(01〜304・・・集81.励路を含む半導体チッ
プ305 ・・・・・・・配線用半導体チップ306・
 ・・・半導体チップ301〜304のおおまかな位置
決め全する溝 307・ ・・・ケース不休 、308・・・・・・・ケースのキャップ309・  
・・・・接続用パッド 310  ・・・・端子 311・・・・・・・外部との接続端子312・・・・
・・・外部との接続用パッド430・・・・・・・・・
集積回路を含む半導体チップの端部431・・・・・・
・・・・・・接続端子432・・・・・・・・・・・・
配線用半導体チップ表面433・・・・・・・・・接続
パッド 434・・・・・・・・・・・低溶点接続材料541・
・・・・・・・・・・絶縁膜 542・・・・・・・・・・・・接続パッド用金槁材料
543・・・・・・・・・接続材料 651・・・・・・・・半導体チップ 652・・・・・・ ・・・絶縁材料 653・・・・・・・・接続端子 760・・・・・・・・・・半導体チップ760’、 
760“・半導体チップの面761・・・・・・・・・
・チップの支持材762・・・・・・・・・・ レジス
トマスク特許出願人 日本軍4g m話公社 第1EI (a) 313  匙 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)端部に接続端子を設けた、集積回路を含む複数の
    半導体チップが、前記の半導体チップの接続端子を設け
    た側に、多層配線を有し、かつ内部の配線と接続された
    接続用パッドを備えた配線用半導体チップと一体に結合
    され、さらに前記の複数の半導体チップ本体は互に平行
    に配列され、夫々の半導体チップの接続端子が、前記の
    配線用半導体チップの接続パッドと電気的に接続され、
    前記の半導体チップ及びこれと一体に結合された配線用
    半導体チップが共にケース内に収納されていることを特
    徴とする半導体装置。
  2. (2)ケース本体内部に半導体チップの形状と相似の溝
    が形成され、前記の溝の内部に前記の半導体チップが装
    置され、かつケースの側部に設けられた外部への接続用
    の接続端子と、前記の半導体チップと一体に結合された
    配線用半導体チップの配線と接続された接続用パッドと
    が接続されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の半導体装置。
  3. (3)半導体チップに設けた接続端子と、配線用半導体
    チップに設けた接続パッドとの間に、半導体チップの構
    成材料より融点の低い接続材料を挾んだことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
  4. (4)半導体チップに設けた接続端子を、前記の半導体
    チップの側断面に設けたことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の半導体装置。
  5. (5)半導体チップに設けた接続端子を、前記の半導体
    チップの側面から外方に突出して設けたことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
  6. (6)半導体チップに設けた接続端子を、前記の半導体
    チップの表面および側面に連続して設けたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
  7. (7)集積回路を含む半導体チップに110面、前記の
    半導体チップと結合される配線用チップに100面を用
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導
    体装置。
  8. (8)配線用チップ内に電源クロック等の回路を同時に
    搭載したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    半導体装置。
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