JPS61200953A - イミン類及びその製造方法 - Google Patents

イミン類及びその製造方法

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JPS61200953A
JPS61200953A JP60042494A JP4249485A JPS61200953A JP S61200953 A JPS61200953 A JP S61200953A JP 60042494 A JP60042494 A JP 60042494A JP 4249485 A JP4249485 A JP 4249485A JP S61200953 A JPS61200953 A JP S61200953A
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JP
Japan
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palladium
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aryl
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JP60042494A
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JPH0572375B2 (ja
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Masato Tanaka
正人 田中
Toshiaki Kobayashi
敏明 小林
Toshiyasu Sakakura
俊康 坂倉
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
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    • Y02P20/52Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

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  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なイミン化合物及びその製造法に関するも
のである。
イミン化合物はその窒素原子上の孤立電子対及び炭素−
窒素二重結合によって示される生理活性及び電気化学的
性質にもとづいて種々の有用医・農薬や電子材料の製造
原料となる重要な一群の化合物である。イミン化合物は
一般に対応ケトンとアミンの縮合反応により容易に製造
することが出来るが、特定の場合を除き原料ケトンの製
造には高反応性試薬を用いる煩雑な工程を要するため一
般に高価である。
本発明者らは糧々の複素環化合物や電子材料等の製造原
料として重要性の増大の予測されるイミン化合物をケト
ン類を経ることなく製造する方法につき鋭意研究の結果
、アミド類を塩化チオニルや五塩化リンで処理すること
により容易に合成しうる塩化イミドイル類を、パラジウ
ム含有触媒の存在下有機スズ化合物と反応させると高収
率にイミノ類が得られる新規なイミン類の生成反応を見
出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によれば、第2アミドから容易に誘導
される塩化イミドイルの塩素原子を有機スズ化合物の有
機基で置換することからなる新規なイミン化合物の製造
方法が提供される。
本発明で得られるイミン化合物は、新規化合物であり、
次の一般式で表わされるっ RI R2C= N R3 前記式中、R1及びR2は、アルキル基、アラルキル基
、アリール基、アルケニル基、アルキニル基又は複素環
基を示し、l(,3はアルキル基、アリール基、アラル
キル基又は複素環基を示す。前記置換基を更に具体的に
例示すると、アルキル基については、メチル、エチル、
プロピル、ヘキシル、オクチル等、アラルキル基につい
ては、ベンジル、フェネチル等、アリール基については
、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル等、アルケニ
ル基にツイテは、ビニル、プロペニル、フチニル、β−
スチリル等、アルキニルについては、アセチル、メチル
アセチル等、複素環基については、フリル、チアゾリル
、チェニル、ピリジル等が挙げられる。
本発明の新規反応は第(1)式の一般式で示すことがで
きる。
R’C(Cl ) =N R3+ R”S n R4R
5R’R’R”C=N R”+ CIS nR4R5R
’     (1)前記式中、R1、R2、R3は前記
と同じであり、R4、R5、R6はアルキル又はアリー
ル基を示す。
塩化イミドイルの塩素原子を有機基で置換する方法とし
て、従来、グリニヤール試薬や有機リチウム試薬を用い
る方法が提案されている。しかしこれらの方法は、−担
生成したイミンとグリニヤール試薬又は有機リチウム試
薬との2次反応により副生成物が不可避的に生成すると
いう重大な欠点を内包するものである。これに対し本発
明の方法によればこのような副生成物は全く検出されな
いことが判明した。
本発明の方法に用いる塩化イミドイルの種類には全く制
限はなく、置換基R1、R2がアルキル、アリール、ア
ラルキル、アルケニル、アル゛キニル又ハ複素環基であ
り、R3はアルキル、アリール、アラルキル又は複素環
基であるあらゆる組合せの塩化イミドイル類が好適に用
いられる。
本発明に用いられる有機スズ化合物R”13nR’R,
5R’の種類にも制限はなく R2、R4、R5、R6
の置換基がアルキル、アリール、アラルキル、アルケニ
ル、アルキニル又は複素環基であるあらゆる有機スズ・
  同一であるか、もしくは塩化イミドイルの塩喬嘲u
子と置換しようとする基R2とスズとの結合の反応性が
それ以外の基R4〜R6とスズとの反応性よりも高いよ
うにR4−R6を選択する必要があり、後者に於てはR
4−R6としてアルキル基を選択することが有利である
が、これ以外の晧R4〜R6の組合せの場合であっても
イミン生成反応の進行そのものの[”となるものではな
い。これら有機スズ化合物の使用葉は一般的には塩化イ
ミドイルと当量もしくはその2倍ていどまでの小過剰の
範囲であるが、これ以下又はこれ以上であっても反応の
生起を妨げるものではない。
本発明の反応は各種パラジウム含有触媒の存在下で円滑
に進行する。この場合の触媒としてはシアノ基の如き配
位子を含む難還元性パラジウム化合物を除き零価又は2
価のパラジウムを含有する触媒が用いられる。これらの
例としては、パラジウムブラック、活性炭担持パラジウ
ムなどの金属状パラジウム含有触媒、塩化パラジウム、
酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナートなど
のパラジウム塩類、ビスジベンジリデンアセトンパラジ
ウム、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム、テ
トラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジク
ロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジク
ロロビス(トリブチルホスフィン)パラジウム、ジクロ
ロ(1,4−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン〕パ
ラジウム、ジクロロ(1,1’ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)フェロセン〕パラジウム、ショートビス(トリフ
ェニルホスフィン)パラジウム、ヨードフェニルピ不(
トリフェニルホスフィン)パラジウム、(π−アリル)
パラジウムクロリドダイマーなどを挙げることが出来、
これらの触媒にホスフィン、アミン、イソニトリルなど
の配位子を添加して反応を実施することも出来る。これ
らパラジウム含有触媒の使用量は、塩化イミドイル又は
有機スズ化合物の反応性及び反応温度などを考慮して決
定されるが、一般的には塩化イミドイルに対し10モル
チ以下で十分目的を達することが可能である。
本発明の反応は無溶媒でも進行するが、触媒の溶解度が
低い場合には溶媒中で実施することが好ましい。この場
合の溶媒としては水、アルコール類、フェノール類、カ
ルボン酸類、第1級又は第2級アミン類など活性なプロ
トン源となるものを除き、通常のあらゆる溶媒を用いる
ことが出来る。
これらの溶媒を例示すると、ヘキサン、ベンゼン、トル
エン、エチルベンゼン、キシレン、テトラヒドロフラン
、ジブチルエーテル、)IMPA、DMF。
アセトニトリルなどが挙げられる。
本発明の反応は塩化イミドイル及び有機スズ化合物の構
造によっては室温でも進行するが、好ましい反応速度を
達するために250℃までの範囲で加熱することが出来
る。しかし高温になるほど副反応のため選択率が低下す
るため、好ましい反応温度は通常30℃〜200℃の範
囲から選定される。
本発明の反応により得られた反応溶液からの目的のイミ
ン化合物の分離精製は、まず蒸留又は水洗等により溶媒
を除外し、必要に応じて有機スズ塩化物を蒸留、口過、
フラン含有塩水溶液により有機スズフッ化物に変換した
後の口過、又はへキサンなど目的イミンに対し貧溶媒で
かつ有機スズ塩化物の良溶媒である溶媒で洗って除去し
た後、蒸留、再結晶、クロマトグラフィーなどにより実
施することができる。
本発明の方法に於ては、用いられる塩化イミドイル、有
機スズ化合物の種類は広く、種々のイミン化合物を容易
な操作で好収率に得ることが出来る。次に実施例に基づ
き本発明を更に詳細に説明する。
実施例1゜ 内容積IQffilのフラスコに触媒としてテトラキス
(トリフェニルホスフィン)パラジウム(Q、Q 4 
mmol ) 、有機錫化合物としてテトラフェニル錫
(1,05mmol)、塩化イミドイルとしてN−p−
メF−ルフェニルベンツイミドイルクロリド(1、Q 
Q mmol)を仕込み、溶媒としてエチルベンゼン2
 at ′t−加えて窒素雰囲気下に密栓をして130
℃で15時間加熱した。シリコン0V−17を充填剤に
用いてGLC分析した結果ジフェニルメチリデン−1)
−)ルイジンがQ、599 mmol生成していること
が分った。
実施例2〜11゜ 実施例1と同様の処方に準じ、種々の触媒又は溶媒を用
いて反応させた結果を第1表にまとめて示した。
実施例12〜18 実施例1と同様の処方に準じ、種々の塩化イミドイルと
有機錫化合物を反応させた結果を第2表にまとめて示し
た。
第1表 2   PdC/2(PPh、)2    エチルベン
ゼン  1303  PaCl2 (PBu3)2 4  PdC4’2(dppb) 5   PaCzz(appf)2 6  PhPdI (PPh3)2 7PdC12(PhCN)2 8  Pd/C 9(−Pd−C1’ + PPh3 10  PhPdI(PPh3)2HMPA   12
011  PdC12(PPh3)2   (n−C4
Hg)20  130旧dppb =l 、 4−ビス
(ジフェニルホスフィノ)ブタン、szl、l’−ビス
(ジフェニルホスフィノ)フェロセン15      
        62.235.4 13.0 23.6 31.7 10.8 3.3 58.3 7              42.015    
          50.0第2表 実施例  塩化イミドイル      有機錫化合物+
 3(C41jl)3Sn−C==CPh14    
            (C4Hg)38n−CH=
CHPh15                an(
CH2C肚CH2)416  CzHsC(C6)=N
−Ph(C4Hs)3Sn−C三cph17  PhC
((4)=N−C4H,5nPh4反応温度 (”C) 15  Ph1C=NeCOOC1H5B 015Ph
2C=N合C170

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一般式 R^1R^2C=NR^3(式中R^1
    、R^2は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、
    アルケニル基、アルキニル基又は複素環基を示し、R^
    3はアルキル基、アリール基、アラルキル基又は複素環
    基を示す。)で表わされるイミン化合物。
  2. (2)一般式 R^1C(Cl)=NR^3(式中、R
    ^1はアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルケ
    ニル基、アルキニル基又は複素環基を示し、R^3はア
    ルキル基、アリール基、アラルキル基又は複素環基を示
    す)で表わされる塩化イミドイルを、パラジウム含有触
    媒の存在下、一般式R^2SnR^4R^SR^6(式
    中、R^2はアルキル基、アラルキル基、アリール基、
    アルケニル基、アルキニル基又は複素環基を示し、R^
    4、R^5、R^6はアルキル基又はアリール基を示す
    )で表わされる有機スズ化合物と反応させることを特徴
    とする一般式R^1R^2C=NR^3(式中R^1、
    R^2、R^3は前記と同じ)で表わされるイミン化合
    物の製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4834837A (ja) * 1971-09-10 1973-05-22
JPS5239027A (en) * 1975-09-22 1977-03-26 Hitachi Ltd A feedback controlled exhaust purification device
JPS5422309A (en) * 1977-07-19 1979-02-20 Ciba Geigy Ag 22azaa1*33dieme and process for preparing same
JPS55100350A (en) * 1979-01-18 1980-07-31 Bayer Ag Manufacture of schiff*s base

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