JPS61200527A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPS61200527A
JPS61200527A JP4003685A JP4003685A JPS61200527A JP S61200527 A JPS61200527 A JP S61200527A JP 4003685 A JP4003685 A JP 4003685A JP 4003685 A JP4003685 A JP 4003685A JP S61200527 A JPS61200527 A JP S61200527A
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南沢 寛
Toshiaki Fukushima
利明 福島
Takashi Morinaga
森永 喬
Hisashi Takagame
高亀 寿
Toshihide Yamane
山根 敏英
Toyoji Oshima
大島 外代次
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上互肌里豆立 本発明は、特定な配向制御膜を用いた液晶表示素子に関
する。
丈来夏技血 液晶表示素子用透明導電体には、従来より、ガラスの表
面を透明導電化したものが用いられている。しかし、液
晶表示素子は益々軽量、薄型化される方向にある。この
ような要求に対し、ガラスの表面を透明導電化したもの
は、ガラスの機械的強度及び製造上の制約からガラス板
をある程度以上に薄くすることができず、0,3龍が限
界といわれている。したがって、上記のような目的に適
用するには、自ずから限界があり、更に、衝撃に対する
脆弱さにより、素子の製造工程において破損するという
問題がある。これらの欠点を克服する方法として、従来
のガラスの代わりに樹脂を用いることが考えられる。と
ころが、前述のように、液晶の配向を均一にするため、
配向を制御するための層が必要である。この配向を制御
するだめの層を得る方法としては、従来のガラスの場合
、二酸化ケイ素等の無機化合物からなる薄膜を斜方蒸着
する方法及びポリイミド等の有機化合物からなる薄膜を
ラビング処理する(布等で一定の方向にこする)方法等
が知られている。
(n°゛  。占 しかし、上記方法は、いずれも成膜の際、恒温処理を必
要とする。これらは従来のガラス基板においては特に問
題ないが、樹脂基板の場合には、基板が上記処理温度に
耐えることができず、変形してしまい、正常な液晶表示
素子を得ることができない。
例えば、酸化インジウムの透明電極を設けた樹脂フィル
ムを用いて、電極側にボリシミド系の樹脂を塗布した場
合、高温度で長時間の熱処理により樹脂フィルム基板が
熱変形を起こし、正常な液晶素子を得ることができない
。そこで、樹脂フィルム基板の熱変形温度より低い温度
(I00℃)でポリイミドの熱処理を行った場合、ポリ
イミドの熱硬化反応が不充分なため、ラビング過程で傷
の発生又は膜の剥離が生ずるという問題がある。
そこで、樹脂フィルムに塗布した後、硬化反応を必要と
しない熱可塑性樹脂、即ち、ポリスチレン、ポリメタク
リレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン及びポ
リカーボネート等の有機溶剤溶液を樹脂フィルムに塗布
乾燥し、その後所定のラビングを施して液晶素子の形成
を試みたところ、液晶表示素子を配向させることができ
ず、これらの樹脂はいずれも液晶の配向制御膜として使
用し得ないものであった。この原因について調べた結果
、これらの樹脂は、液晶に溶解し、ラビングした表面の
効果が消失するためであることが判明した。
そこで、液晶に不溶性の樹脂として、ポリビニルアルコ
ール及び各種セルロース類につき検討した。即ち、これ
らの樹脂を水に溶解し、その水溶液を前記樹脂フィルム
に塗布乾燥し、ラビングした後、素子を組み立てた。そ
の結果、液晶分子は良好に配向した液晶の配向制御膜と
なることが判明した。しかし、詳細に調べたところ、素
子の耐湿信頼性に乏しく、湿気による配向不良が生じた
即ち、樹脂フィルムはガラス板に比べて透湿性が大きい
ため、素子内に水分が入る。ところが、これらの配向制
御膜は水溶性の樹脂であるため、水による溶解あるいは
膨潤が起こり、液晶を配向させる能力が消失したものと
考えられる。
又、特開昭55−9518号公報には、配向処理膜とし
てアミド結合を有する高分子物質(ナイロン等)を用い
る液晶表示パネルが示されているが、この方式は配向制
御膜材料溶液の調製、作業をかなり高温で行う必要があ
り、必ずしも満足できるものではない。
従って、本発明は、前記のような問題点を解決し、樹脂
基板を用いても、その樹脂が熱変形しない低温で処理す
ることができ、水及び液晶に不溶性又は難溶性で、特定
の溶剤にのみ熔解する配向制御膜を有する液晶表示素子
を提供することを目的としてなされたものである。
口 占を ゞ るための   びその 本発明は、液晶表示素子の配向制御膜が一般式〔式中R
+ 、R2、R3及びR4はそれぞれ独立に水素、低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲンを表し、R
9及びR6はそれぞれ独立に水素、低級アルキル基、ト
リフルオロメチル基又はトリクロロメチル基を表し、A
rはp−フェニレン基、m−フェニレン基、ジフェニレ
ン基、ナフチレン基又は II (式中Yは一〇−1−SO2−1−C−1−S−1式(
■): 〔式中R,は二価の炭化水素基を表し、R8は一価の炭
化水素基を表し、mは1以上の整数を表し、Arは前記
のものを表す〕で表される繰り返し単位を有する芳香族
ポリエーテルアミドシリコン重合体を含有してなる液晶
表示素子に関する。
上記芳香族ポリエーテルアミドシリコン重合体は、液晶
及び水に不溶性又は難溶性であり、この重合体を特定の
溶剤に熔解し、これを酸化インジウム等の透明導電性膜
を有する基板に塗布し、低温(I00〜120℃)で加
熱乾燥した後、ラビングすることにより配向制御膜を得
る。このようにして作成した2枚の基板の配向制御膜を
対向させて平行に配置し、その間に液晶を封入させるこ
とにより、満足した特性を有する樹脂基板液晶表示素子
を完成することができる。
本発明の液晶表示素子は、一般に液晶の配向性はもちろ
ん良好で、耐湿性も良好である。それ故、基板材料には
、従来公知のもののいずれを用いてもよい。例えば、エ
ポキシアクリレート系樹脂及びポリエチレンテレフタレ
ート等の市販のフィルム又はシートに透明導電膜を有す
るものを通用することができ、これ以外にも液晶に不溶
性あるいは、表面に液晶によって熔解されないような処
理を施したフィルム又はシートであれば適用可能であり
、特に限定されない。なお、本発明においては、もちろ
んガラス基板を使用してもよい。
本発明においては、基板に特定の芳香族ポリエーテルア
ミドシリコン重合体溶液を塗布した後、単に溶剤を蒸発
乾燥させればよいために、低温且つ短時間で配向制御膜
が得られる。例えば、形成、 する膜厚は200〜30
000人、好ましくは500〜2000人程度で、非常
に薄いので、沸点以下でも充分に乾燥可能である。従っ
て、従来の、基板(主にガラス板)に二酸化ケイ素等か
らなる薄膜を斜方蒸着する方式又はポリイミド膜を形成
する方式に比べて、極めて容易に安価な液晶表示素子を
得ることができる。
本発明における前記の一般式(I)及び(II)で表さ
れる繰り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミドシ
リコン樹脂は、一般式(■):は、前記一般式(I)に
おけるものと同じ意味を有する〕で表されるエーテル結
合を有する芳香族ジアミンと一般式(■): 〔式中R7、R@及びmは前記一般式(If)における
ものと同じ意味を有する〕で表されるジアミノシロキサ
ン化合物及び更に、必要に応じて他のジアミン及び芳香
族ジカルボン酸又はその反応性誘導体とを、溶液重合、
溶融重合又は特開昭52−23198号公報に示された
方法等の既知の芳香族ポリアミドの製造方法を通用して
縮重合させて得ることができる。
上記ジアミンは、一般式(■)で表される化合物15〜
99.9モル%、上記一般式(mV)で表される化合物
0.1〜30モル%及び他のジアミノ0〜フ5 合するのが好ましい。ここで、他のジアミン成分が多す
ぎると、本発明の芳香族ポリエーテルアミドシリコン重
合体としての特徴が発揮されない。
他のジアミンは0〜30モル%使用されるのが特に好ま
しい。また、一般式(III)の化合物と一般式(IV
)の化合物とを70/30〜99.9 / 0.1のモ
ル比で配合するのが好ましく、特に、85715〜99
.8 / 0.2のモル比で配合するのが好ましい。こ
の比が小さすぎると、耐熱性が低下しやすく、大きすぎ
ると、接着性が低下しやすくなる。
また、上記のジアミンの合計量に対して、芳香族ジカル
ボン酸又はその反応性酸誘導体を90〜130モル%使
用するのが好ましく、特に約100モル%使用するのが
好ましい。
前記の一般式(III)で表されるエーテル結合を有す
る芳香族ジアミンとしては、2.2−ビス(4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2.2−ビス
〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕プロパン、2.2−ビス〔3−クロロ−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2.2−ビス〔
3−ブロモー4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕
プロパン、2,2−ビス〔3−エチル−4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2.2−ビス〔3
−プロピル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕
プロパン、2,2−ビス〔3−イソプロピル−4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビ
ス〔3−ブチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン、2.2−ビス(3−sec−ブチル−4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2.
2−ビス〔3−メトキシ−4−(4−アミノフェノキシ
)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−エトキシ−
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2
.2−ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、2.2−ビス〔3,5−
ジクロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プ
ロパン、2.2−ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス
〔3゜5−ジメトキシ−4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔3−クロロ−4−
(4−アミノフェノキシ)−5−メチルフェニル〕プロ
パン、1.1−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕エタン、1.1−ビス〔3−メチル−4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1.1−ビス
〔3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル
〕エタン、1.1−ビス〔3−ブロモ−4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕エタン、1.l−ビス〔3−
エチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタ
ン、1.1−ビス〔3−プロピル−4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕エタン、1゜1−ビス〔3−イソ
プロピル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エ
タン、1,1−ビス〔3−ブチル−4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニル〕エタン、1.1−ビス(3−se
c−ブチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕
エタン、1.1−ビス〔3−メトキシ−4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕エタン、1.1−ビス〔3−
エトキシ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エ
タン、1,1−ビス(3,5−ジメチル−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1. 1−ビス〔
3,5−ジクロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル〕エタン、1.1−ビス〔3,5−ジブロモ−4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1.1−
ビス〔3,5−ジメトキシ−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕エタン、■、1−ビス〔3−クロロ−4
−(4−アミノフェノキシ)−5−メチルフェニル〕エ
タン、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコ
メタン、ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニルコメタン、ビス〔3−クロロ−4−(4−
アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−ブロ
モ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、
ビス〔3−エチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニルコメタン、ビス〔3−プロピル−4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−イソプロピ
ル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、
ビス〔3−ブチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニルコメタン、ビス(3−sec−ブチル−4−(4−
アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3−メト
キシ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン
、ビス〔3−エトキシ−4−(4−アミノフェノキシ)
フェニルコメタン、ビス〔3,5−ジメチル−4−(4
−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3,5
−ジクロロ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコ
メタン、ビス〔3゜5−ジブロモ−4−(4−アミノフ
ェノキシ)フェニルコメタン、ビス〔3,5−ジメトキ
シ−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコメタン、
ビス〔3−クロロ−4−(4−アミノフェノキシ)−5
−メチルフェニルコメタン、1.1.1.3゜3.3−
へキサフルオロ−2,2−ビス〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、1.1,1.3,3.3
−へキサクロロ−2,2−ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパン、3.3−ビスC4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕ペンタン、1.1−ビ
ス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン
、1.1,1,3,3.3−へキサフルオロ−2゜2−
ビス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ
)フェニル〕プロパン、1.1.1゜3.3.3−へキ
サクロロ−2,2−ビス〔3゜5−ジメチル−4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、3,3−ビ
ス〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕ペンタン、1.1−ビス〔3,5−ジメチル
−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、
1.1.1,3,3.3−へキサフルオロ−2゜2−ビ
ス〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕プロパン、1.1,1゜3.3.3−へキサ
クロロ−2,2−ビス〔3゜5−ジブロモ−4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、3.3−ビス
〔3,5−ジブロモ−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕ペンタン、1.1−ビス〔3,5−ジブロモ−
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2
.2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコ
ブタン、2.2−ビス〔3−メチル−4−(4−アミノ
フェノキシ)フェニルコブタン、2.2−ビス〔3,5
−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェニルコ
ブタン、2.2−ビス〔3,5−ジブロモ−4−(4−
アミノフェノキシ)フェニルコブタン、1,1.1.3
,3゜3−へキサフルオロ−2,2−ビス〔3−メチル
−4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン等
がある。これらのうちでは、2.2−ビス(4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンが代表的である
。必要に応じて、上記のジアミンの混合物を用いること
もできる。
一般式(IV)で表される化合物としては、一般式(I
V)中のmが100以下のものが好ましく、特に、50
以下のものが好ましい。mが大きすぎると、芳香族ポリ
エーテルアミドシリコン重合体中のアミド結合の割合が
低下し、耐溶剤性が低下しやすくなる。一般式(IV)
で表される化合物の例としては、 等の化合物が挙げられる。ただし、上記式中m′は1〜
100の範囲の数である。また、ジアミノシロキサンの
うち、上記式(a)中、m′が1のもの、平均20のも
の及び平均50のものは、各々、LP−7100,X−
22−161A及びX−22−161c (いずれも信
越化学工業■商品名)として市販されている。これらの
ジアミノシロキサンを1種又は2種以上用いることがで
きる。
一般式(EV)で表される化合物を共重合させることに
より、基材との接着を改良することが期待できる。
更に、他のジアミンとしては、一般式(In)で表され
る以外の既知の芳香族ジアミン、例えば4゜41−ジア
ミノジフェニルエーテル、4.4’−ジアミノジフェニ
ルメタン、4.4′−ジアミノジフェニルスルホン、メ
タフェニレンジアミン、4.4g−ジ(4−アミノフェ
ノキシ)フェニルスルホン、パラフェニレンジアミン、
4.4”−ジ(3−アミノフェノキシ)フェニルスルホ
ン、3.31−ジアミノジフェニルスルホン等があり、
その他、脂肪族ジアミンがある。脂肪族ジアミンは、ジ
アミンの全体に対して0〜30モル%の範囲で使用され
るのが好ましい。また、ジアミン成分の一部をビスフェ
ノールA等のビスフェノールで0〜30モル%置換する
ことができる。ビスフェノールの使用は密着性改良のた
め好ましい。
本発明における芳香族ジカルボン酸としては、例えばテ
レフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカル
ボン酸−4,4’、ジフェニルスルホンジカルボン酸−
4,4’、ジフェニルジカルボン酸−4,4’、及びナ
フタレンジカルボン酸酸−1,5等を挙げることができ
るが、テレフタル酸及びイソフタル酸が一般に製造され
ているので好適に使用することができる。特に、テレフ
タル酸とイソフタル酸との混合物は、生成する重合体の
熔解性の点から望ましい。なお、本発明における芳香族
ジカルボン酸の反応性誘導体とは、前記芳香族ジカルボ
ン酸のジクロライド、ジクロライド、ジエステル等を意
味する。また、上記のように、テレフタル酸とイソフタ
ル酸との混合物を使用する場合には、ベンゼン核のメタ
位にカルボキシル基を有するイソフタル酸とベンゼン核
のパラ位にカルボキシル基を有するテレフタル酸の配合
割合は、前者20〜80%に対し、後者80〜20%の
範囲内とすることが、特に溶解性の点で望ましい。
本発明の芳香族ポリエーテルアミドシリコン重合体は、
ジメチルホルムアミド0.2 ii量%溶液における3
0℃での還元粘度が0.5〜2.0a/gであるのが好
ましい。この還元粘度が小さすぎると、耐溶剤性が低下
し、大きすぎると、極性溶剤への溶解性が低下しやすく
なる。
配向制御膜用の溶剤としては、ジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メ
チル−2−ピロリドン及びシクロヘキサノン等の単独又
はこれらの混合溶剤、更に、前記芳香族ポリエーテルア
ミドシリコン縮重合体を溶解可能な範囲で混合したもの
を用いることができる0例えば上記溶剤を単独で用いる
よりも、セロソルブ類、トルエン及びキシレン等を通量
混合した混合溶剤の方が良好な膜を得る場合があり、上
記以外でも芳香族ポリエーテルアミドシリコン重合体を
溶解可能なものであれば特に限定されない。
なお、本発明においては、成膜性等の改良のために、他
の重合体を共存させてもよい。
裏隻孤 次に、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は
これらによりなんら限定されるものではない。
なお、液晶表示素子の配向性の評価は、液晶分子の長軸
方向と基板表面との角、即ち、基板と液晶分子の長軸と
の傾き(チルト角θ)により行った。良好な配向性はチ
ルト角1.5〜3.0が望ましく、それによりコントラ
スト比の絶対値を大きくすることができる。〔チルト角
及びその測定方法は、ジャーナル・オブ・アプライド・
フィジックスUournal of^pp目ed Ph
ysics) 、第19巻(I980)、11hlO,
第2013〜4頁に記載されている〕。
実施例1 1000mlのフラスコに撹拌棒、温度計及び滴下ロー
トをセットし、水酸化ナトリウム17.2 gを水80
m1に溶解してフラスコに入れる。次に、2.2−ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン6
3.5 gと1.3−ビス(アミノプロピル)テトラメ
チルジシロキサン2.0gをシクロヘキサノン340g
に溶解し、上記フラスコ中に注入し、−2℃まで冷却し
た。一方、テレフタル酸ジクロライド18.2 g及び
イソフタル酸ジクロライド18.2 gをシクロへキサ
ノン240gに溶解し、この酸クロライド溶液を滴下ロ
ートからフラスコ中に注入し、この際反応温度が10℃
を越えないようにして3時間反応させた。
反応液をメタノール中に投入して重合体を単離させた。
これを乾燥した後、再びジメチルホルムアミドに溶解し
、これをメタノール中に投入して芳香族ポリエーテルア
ミドシリコン重合体を精製した。
この重合体の還元粘度(ηsp/c)(ジメチルホルム
アミド0.2重量%溶液、30℃で測定、以下同様)は
、1.0aJ/gであった。
この重合体3gをN−メチルピロリドンとブチルセロソ
ルブアセテートとの4:6混合物97gに溶解し・3重
量%ワニスを作製した。
こうして得た重合体ワニスを、十分に洗浄した透明導電
膜を有するポリエチレンテレフタレートフィルム上にス
ピンナーを用いて2000rpm”t?均一に塗布した
後、120℃で30分間乾燥して溶剤を蒸発させ、膜厚
1050人の配向制御膜を形成した。この膜をフェルト
で一定方向にラビングし、配向制御膜を有する基板フィ
ルムを作製した。
このようにして作製した2枚のフィルムの配向制御膜を
対向させて配置し、これらのフィルムをポリエステル系
接着剤よりなる封着剤で接着して液晶表示素子を作製し
た。なお、封着剤は120℃で5分間硬化させた。この
素子の配向制御膜間に、フェニルシクロヘキサン系の液
晶(メルク社製、ZLI−1132)を配置し、2枚の
直交偏光板間で液晶の配向性を調べたところ、良好な配
向性を示した(チルト角2.2度)。
実施例2 実施例1における1、3−ビス(アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサン2.0gの代わりに1.3−ビス
(アミノプロピル)テトラフェニルジシロキサン4.0
gを使用する以外は、実施例1と同様に操作し、還元粘
度(ηsp/c ) 1.3 a/gの重合体を得た。
この重合体3gをN−メチルピロリドンとブチルセロソ
ルブアセテートとの4:6混合物97gに溶解し、3重
量%ワニスを作製した。
こうして得た重合体ワニスを用い、実施例1と同様のフ
ィルム基板に配向制御膜を形成して液晶素子を作製し、
液晶の配向性を調べたところ、良好な配向性を示した(
チルト角2.3度)。
実施例3 実施例1における1、3−ビス(アミノプロピル)−テ
トラメチルジシロキサン2.0gの代わりに1.3−ビ
ス(アミノプロピル)へキサメチルトリシロキサン2.
6gを使用した以外は、実施例1と同様に操作し、還元
粘度(ηsp/c ) 1.2 a/gの重合体を得た
この重合体3gをN−メチルピロリドンとブチルセロソ
ルブアセテートとの4:6混合物97gに熔解し、3重
量%重合体ワニスを作製した。
この重合体ワニスを用い、実施例1と同様のフィルム基
板に配向制御膜を形成して液晶表示素子を作製し、液晶
の配向性を調べたところ、良好な配向性を示した(チル
ト角2.3度)。
実施例4 実施例1における1、3−ビス(アミノプロピル)テト
ラメチルジシロキサン2.0gの代わりにジアミノシロ
キサン(X−22−161C,平均分子量3880)1
3.5gを使用する以外は、実施例1と同様に操作して
重合体を得た。この重合体の還元粘度(7731)/C
) 1.6 dl/ gの重合体を得た。
この重合体のワニスを実施例1と同様にして作製し、更
に液晶素子を作製した。上記重合体は良好な配向性を示
した(チルト角2.4度)。
比較例 実施例1における2、2−ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕プロパンヲ73.9g使用し、1.
3−ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
を省いた以外は、実施例1と同様に操作し、還元粘度(
77sp/c ) 1.3 dl/ gの重合体を得た
この重合体3gをN−メチルピロリドンとブチルセロソ
ルブアセテートとの4:6混合物97gに溶解し、3重
量%重合体ワニスを作製した。
この重合体ワニスを用い、実施例1と同様のフィルム基
板に配向制御膜を形成して液晶表示素子を作製し、液晶
の配向性を調べたところ、良好な配向性を示した(チル
ト角2.4度)。
試験例 ポリエチレンテレフタレートフィルムとの接着性を下記
の方法で評価した。即ち、実施例及び比較例で得られた
ワニスをポリエチレンテレフタレートフィルムにスピン
ナーで塗布(2000rpm、30秒)し、120℃で
1時間乾燥した後、該フィルムを繰り返し折り曲げ、実
施例1で述べたのと同じ方法で液晶を封入し、折り曲げ
部分のチルト角を測定した。
第1表 測定結果 次に、ガラス板との接着性を下記の方法で評価した。即
ち、実施例及び比較例で得られたワニスを5C11角の
ガラス板上にスピンナーで塗布(2000rpm s 
30秒)し、120℃で30分間乾燥した後、該ガラス
板をJISDO202のごばん目試験方法に準拠してセ
ロハン粘着テープによるビールテストを行った結果を第
2表に示す。
第2表 ごばん目試験結果 数値はサンプル個数n=10の平均値を示す。
発亙夏班果 本発明により、特定の芳香族ポリエーテルアミドシリコ
ン重合体を配向制御膜材料として使用することにより、
(I)基板に樹脂フィルム又は樹脂板を用い、且つこれ
らの樹脂が熱変形しない低温(I00〜120℃)で処
理可能な配向制御膜、即ち特定の芳香族ポリエーテルア
ミドシリコン重合体の膜を通用することができ、(2)
配向制御膜材料が、水及び液晶に不溶性又は難溶性の樹
脂で、特定の溶剤にのみ溶解するものであるから、耐湿
性に優れた液晶表示素子が得られ、又、(3)単に溶剤
を蒸発させるだけで成膜が完了するため、低温且つ短時
間で容易に配向膜を得ることができる。これにより、軽
量、薄型化された液晶表示素子を提供することができる
又、ガラス基板の場合にも、従来法より安価な液晶表示
素子を容易に得ることができる。更に、本発明の配向制
御膜は、ガラス、ポリエチレンテレフタレート等の基板
への接着性において優れており、又、透明性においても
優れている。
なお、本発明の素子は、ゲストホスト型の液晶を配置し
て、カラー表示も可能である。また、本発明の素子は、
TPTを用いたものであってもよい。
更に、本発明の液晶表示素子の耐久性は、実用上、特に
問題はない。
、頁の続き 5 明 者  山 根   畝 英  市原市五井南海
岸14番対内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、液晶表示素子の配向制御膜が一般式( I )▲数式
    、化学式、表等があります▼( I ) 〔式中R_1、R_2、R_3及びR_4はそれぞれ独
    立に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロ
    ゲンを表し、R_5及びR_6はそれぞれ独立に水素、
    低級アルキル基、トリフルオロメチル基又はトリクロロ
    メチル基を表し、Arはp−フェニレン基、m−フェニ
    レン基、ジフェニレン基、ナフチレン基又は ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中Yは−O−、−SO_2−、−C−、一S−、▲
    数式、化学式、表等があります▼ 又は−CH_2−を
    表す)を表す〕及び一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中R_7は二価の炭化水素基を表し、R_8は一価
    の炭化水素基を表し、mは1以上の整数を表し、Arは
    前記のものを表す〕で表される繰り返し単位を有する芳
    香族ポリエーテルアミドシリコン重合体を含有してなる
    液晶表示素子。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63205639A (ja) * 1987-02-20 1988-08-25 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示素子
JPH06148645A (ja) * 1992-11-10 1994-05-27 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液晶表示素子
US5518782A (en) * 1992-12-14 1996-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device

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US5518782A (en) * 1992-12-14 1996-05-21 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device

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