JPH01219718A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、特定の配向制御膜を含有してなる液晶表示素
子に関する。

（従来の技術） 従来、液晶の電気光学的な特性を利用した液晶表示素子
としては、誘電異方性を持つネマチック液晶を使用し、
電場をかけて動的散乱効果を利用したＤＳ型液晶表示素
子が使用されていた。しかし、最近では、より作動電圧
が低く、表示機能向上が容易なツイストネマチック（Ｔ
Ｎ）液晶表示素子に置換されて来ている。このＴＮ液晶
表示素子においては、表面に透明導電膜を有するガラス
板が用いられ、その上層には、作動原理上、液晶分子を
平行に均一に配向させるための層（配向制御膜）が必要
である。

配向制御膜としては、基板に二酸化ケイ素等の無機化合
物からなる薄膜を斜方蒸着する方法、基板に界面活性剤
あるいは有機高分子の膜を形成した後、これをラビング
処理（綿布、ナイロン植毛４、ポリエステル植毛布等で
一定の方向にこする）する方法等が知られている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記した、二酸化ケイ素等を斜方蒸着す
る方法は、信頼性に優れた液晶表示素子が得られるもの
の、バッチ処理が必要となり、設備、時間的に製造コス
トが高くなり、製品としては現実的ではない。更に、こ
の方法では、最近の傾向である大型化、カラー化に適さ
ない。また、特開昭５１−６５９６０号公報に記載され
ているポリイミド樹脂を使用した配向制御膜は、溶剤に
不溶で、高い耐熱性を有し、信頼性に優れた液晶表示素
子が得られるものの、樹脂そのものが黄褐色のために表
示品質が落ちる。また、イミド環の閉環縮合を完了させ
るために３００°Ｃ以上で３０分以上の熱処理を伴うの
で、カラーフィルターを内蔵している場合には、変色が
起こり、用途が限定されるばかりでなく、透明導電膜の
抵抗値も上げてしまい、駆動特性にも影響を及ぼす。

特開昭５８−３７６２１号公報には、配向制御膜として
芳香族ポリエーテルアミド樹脂を用いる液晶表示素子が
示されているが、この方式は作業性に優れ、熱処理温度
も２００°Ｃ以下と低いために、前記したカラーフィル
ター上にも使用可能であるとともに、透明導電膜の抵抗
値の変化も防ぐことが可能である。さらに、透明性が良
好なことより、液晶表示素子のコントラストの向上に優
れている。

しかし、この方式は初期の信頼性は良好なものの、使用
している樹脂のガラス転移温度が低いことにより、長期
間の熱処理ラストを行うことにより、配向制御能力が低
下し、配向部れが生じるという欠点があり、より高度な
信頼性、特に熱に対する信頼性が要求される分野では、
使用が不可能である。

従って、本発明は前記のような問題点を解決し、より高
度な信頼性テストに耐えうる液晶表示素子を提供するこ
とを目的としてなされたものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、配向制御膜が一般式（Ｉ）：〔式中Ｒ，，Ｒ
，，Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ，、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ
独立に水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハ
ロゲンを表し、Ｘは一〇−１−Ｓ−１−Ｃ−１−ＳＯ，
−１−Ｓ−１（式中Ｒ９及びＲ１゜はそれぞれ独立して
水素、低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリク
ロロメチル基又はフェニル基を表す）を表し、Ａｒはｐ
−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ジフェニレン基、
ナフチレン基又は ＯＣＨ３ ＩＩ　　　　　　　　　　　１ 一５Ｏ２−１−Ｃ−１−Ｓ−１−〇−又はＣＨ３ −ＣＨ，−を表す）を表す。］で表される繰り返し単位
を有する芳香族ポリアミド重合体を含有してなる液晶表
示素子に関する。

本発明における芳香族ポリアミド重合体は液晶及び水に
不溶性であり、この重合体を特定の溶剤に溶解し、これ
を酸化インジウム等の透明導電膜を有する基板に塗布し
、１００〜２５０°Ｃで加熱乾燥した後、ラビングして
配向制御膜を得る。このようにして作成した２枚の基板
の配向制御膜を対向させて平行に配置し、その間に液晶
を封入させることにより、満足な特性を有する液晶表示
素子を完成することができる。

本発明の液晶表示素子は、一般に液晶の配向性が良好で
、膜の屈折率が高いことより透明導電膜のパターンが無
点灯時でも見える（ネサ見え）現象が低く、また、膜自
体の着色もほとんどないことから、コントラストの良好
な明るい素子を完成することができる。

本発明においては、基板に特定の芳香族ポリアミド重合
体を塗布した後、単に溶剤を蒸発乾燥させ、ラビング処
理を行えばよいので、斜方莫着法等に比べ短時間で配向
制御膜が得られる。例えば形成する膜厚は１００〜３０
０００人、好ましくは２００〜２０００人程度で、非常
に薄膜のために溶剤の沸点以下でも充分乾燥可能で、１
００〜２００°Ｃで５〜３０分程度で成膜可能であり、
ポリイミド膜を形成する方法に比べ、低温、短時間でよ
い。

前記基板としては、ガラス板、ポリエーテルスルホン、
ポリスルホン、ポリエチレンテレフタレート等からなる
フィルム上に酸化インジウム及び酸化錫からなる合金等
を蒸着し、透明導伝膜を形成したものを用いることがで
きる。

本発明において用いられる芳香族ポリアミド重合体は、
例えば次のようにして製造される。

−形式（１） 〔式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ７及び
Ｒ８はそれぞれ前記した一般式（１）と同じものを表す
〕で表される芳香族ジアミン及び−形式（■）： ＺＯＣ−Ａｒ−ＣＯＺ・・・・・　（■）〔式中Ａｒは
前記した一般式（１）と同じものを表し、Ｚはハロゲン
を表す〕で表される芳香族ジカルボン酸ハライドを公知
の方法、例えば溶液重合法や特開昭５２−２３１９８号
公報に示されている方法によって反応させて得られる。

−形式（Ｉ［［）で表される芳香族ジアミンとしては、
３．４′−ジアミノジフェニルメタン、１゜１−ジアミ
ノジフェニルエタン、３．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル、３．４′−ジアミノジフェニルスルホン、２．
２−　（３，４’　−ジアミノジフェニル）プロパン、
３，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３．４′−
ジアミノベンズアニリド、３，４′−ジアミノヘンシフ
エノン、１、ｌ−（３，４’−ジアミノジフェニル）シ
クロヘキサン、１．１−（３，４’　−ジアミノジフェ
ニル）シクロペンクン、３．４’　−ジアミノジフェニ
ルジフルオロメタン、２．２−　（３，４’−ジアミノ
ジフェニル）へキサフルオロプロパン、２．５．２’　
、５’−テトラメチル−３，４’　−ジアミノジフェニ
ルメタン、２，５．２’　、５’−テトラメチル−３，
４′−ジアミノジフェニルエーテル、２．５．２’　、
５’　−テトラメチル−３，４′−ジアミノジフェニル
スルホン、２，５゜２’、５’−テトラメチル−３，４
′−ジアミノジフェニルスルフィド、２，５．２’　、
５’　−テトラメチル−３，４′−ジアミノベンズアニ
リド、２．５．２’　、５’−テトラメチル−３，４’
　−ジアミノベンゾフェノン、２．２′−ジクロロ−３
，４′−ジアミノジフェニルメタン、２，２′−ジクロ
ロ−３，４′−ジアミノジシエニルエーチル、２．２′
〜ジブロモ−３，４′−ジアミノジフェニルスルホン、
２．２’　−ジフルオロ−３゜４′−ジアミノベンゾフ
ェノン等がある。これらのうちでは、３．４′−ジアミ
ノジフェニルメタン、３．４’−ジアミノジフェニルエ
タン、３゜４′−ジアミノジフェニルエーテル、３．４
’　−ジアミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミ
ノジフェニルスルフィド、３．４’　−ジアミノベンゾ
フェノンが代表的である。必要に応じて上記のジアミン
の混合物を用いることもできる。

本発明に用いられる一般式（ＩＶ）で表される芳香族ジ
カルボン酸シバライドとしては、例えば、テレフタル酸
ジクロリド、テレフタル酸ジブロミド、イソフタル酸ジ
クロリド、イソフタル酸ジブロミド、４，４′−ジフェ
ニルエーテルジカルボン酸ジクロリド、４．４’　−ジ
フェニルエーテルジカルボン酸ジブロミド、４．４′−
ジフェニルスルホンジカルボン酸ジクロリド、４．４′
−ジフェニルスルホンジカルボン酸ジブロミド、４゜４
′−ジフェニルジカルボン酸ジクロリド、４゜４′−ジ
フェニルジカルボン酸プロミド、１．５−ナフタリンジ
カルボン酸ジクロリド、或いは１゜５−ナフタリンジカ
ルボン酸ジブロミド等があり、必要に応じて２種以上が
用いられる。

前記芳香族ジアミンと芳香族ジカルボン酸シバライドの
配向割合は前者１当量に対し、後者０．９〜１．２当量
の範囲に設定されるのが好ましい。上記範囲を外れると
、高分子量のものが得られにくく、樹脂状を呈さないオ
リゴマー程度のものしか得られなくなる傾向にある。前
者の芳香族ジアミン１当量に対して後者の芳香族ジカル
ボン酸シバライドが０．９７〜１．０３当量の範囲であ
るのがより好ましい。等当量の場合には、目的芳香族ポ
リアミド重合体の分子量が最大のものが得られるので特
に好ましい。

前記芳香族ジアミンの一部を他の公知の芳香族ジアミン
で８５モル％まで置き換えることができる。その量は耐
溶剤性、着色性の点からは、好ましくは５０モル％、特
に好ましくは３０モル％（芳香族ジアミン量を基準とす
る）を上限とすべきである。他の芳香族ジアミンとして
は、例えばｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジ
アミン、４．４′−ジアミノジフェニルメタン、４゜４
′−ジアミノジフェニルエーテル、４．４’　−ジアミ
ノジフェニルスルホン、２．２−（４，４’−ジアミノ
ジフェニル）プロパン、４．４’　−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、１．５−ジアミノナフタリン、４．４−
ジアミノジフェニルエタン、ｍ−）ルエンジアミン、ｐ
−トルエンジアミン、３．４′−ジアミノベンズアニリ
ド、１，４−ジアミノナフタリン、３，３′−ジクロロ
−４，４′−ジアミノジフェニル、ベンチジン、４．４
’　−ジアミノジフェニルアミン、４．４′−ジアミノ
ジフェニル−Ｎ−メチルアミン、４．４’　−ジアミノ
ジフェニル−Ｎ−フェニルアミン、３．３′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、４．４’　−ジアミノジフェニル
ジエチルシラン、４．４’　−ジアミノジフェニルシラ
ン、２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン等があり、これらの少なくとも１種類が
用いられる。

また、公知の脂肪族ジアミン、例えば、ピペラジン、ヘ
キサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン、オク
タメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、デカメチ
レンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、ｍ−キシリレ
ンジアミン、テトラメチレンジアミン、ドデカメチレン
ジアミン、４゜４′−ジメチルへブタメチレンジアミン
、３−メチルへブタメチレンジアミン、２．１．１−ジ
アミノドデカン、１．１．２−ジアミノオクタデカン等
を上記芳香族ジアミンと併用することもできる。

また、基板との接着性を向上するために、芳香族ポリア
ミド重合体が一般式（ＩＩ）：〔式中Ｒ１は二価の炭化
水素基を表し、Ｒ１□はそれぞれ独立に一価の炭化水素
基を表し、Ａｒは一般式（１）と同じ意味を表し、ｍは
１以上の整数を表す〕で表される繰り返し単位を、芳香
族ポリアミド中の全ジアミン残基に対して０．２〜４０
モル％有することが好ましい。これは、ジアミノシロキ
サンをジアミンの総量に対して０．２〜４０モル％の範
囲で用いることにより行うことができる。

ジアミノシロキサンは、−形式（■）：Ｌｘ　　　ＲＩ
２ ＨＪ−Ｒｚ−（Ｓｉ　　Ｏ）ｍ−Ｓｉ−Ｒ＋＋−ＮＨｚ
　　　　（Ｖ）Ｒ１！　　　！？＋ｚ 〔式中Ｒ１、Ｒ１□及びｍは前記した一般式（庄）と同
じ意味を表す］で表される化合物である。

Ｒ１は、好ましくは炭素原子数１〜５のアルキレン基、
フェニレン基、アルキル置換フェニレン基であり、Ｒ，
□は好ましくは炭素原子数１〜５のアルキル基若しくは
アルコキシ基、フェニル基又はアルキル置換フェニル基
である。−形式（ＩＩ）中、ｍは１００以下が好ましい
。ｍが大きすぎると、得られる重合体中のアミド結合が
低下し、耐熱性が低下しやすくなる。

一般式（Ｖ）の化合物としては、例えば、等の化合物が
挙げられる。ただし、上記式中ｍ′は１〜１００の範囲
の数である。ジアミノシロキサンのうち上記式（ａ）中
、ｍ′が１のもの、平均２０のもの及び平均５０のもの
は、各々、ＬＰ−７１００、Ｘ−２２−１６１Ａ及びＸ
−２２−１６１Ｃ（いずれも信越化学工業■商品名）と
して市販されている。これらのジアミノシロキサンを１
種又は２種以上用いることができる。

前述の各種ジアミンを併用する場合、全ジアミン成分と
芳香族ジカルボン酸シバライドとの配合割合は前述と全
く同じ基準で設定することができる。

本発明において、反応に際しては既に公知のアミンと酸
との反応に用いられる方法をそのまま採用することがで
き、諸条件等についても、特に限定されるものではない
。例えば界面重縮合法、溶液重縮合法、溶融重縮合法等
によって達成することができる。

界面重縮合反応に際しては後述の公知の水溶性中和剤が
用いられる。また、溶液重合法の場合には、トリエチル
アミン、ピリジン、トリブチルアミン、酸化プロピレン
等の公知の中和剤が使用される。

界面重縮合法及び溶液重合法においては反応溶媒が用い
られるが、この溶媒としては、芳香族ジアミン又は芳香
族ジカルボン酸シバライドのうち、少なくともいずれか
一方を、なるべくは両方を溶解しうるちのでなければな
らない。界面重縮合法において使用する特に有効な反応
溶媒の代表例としては、シクロヘキサノンがある。その
他に使用しうる溶媒を幾つか例示すると、塩化メチレン
、トリクレン、パークレン、二塩化エタン、ニトロベン
ゼン、クロロホルム、四塩化炭素、ジイソブチルケトン
、アセトフェノン、Ｐ−メチルアセトフェノン等がある
。

溶液重合法において使用する反応溶媒としては、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチル
アセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチメトキシアセトアミド、
ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
ピリジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルア
ミド、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレ
ンスルホン、１．３−ジメチルイミダゾリジノン等が好
ましい。

反応溶媒は溶解操作を容易にする等、必要に応じて２種
以上混合して用いることもできる。また、可及的に高分
子量のものを得る場合には、芳香族ジカルボン酸シバラ
イドを溶解する溶媒はより高度に脱水したものを用いる
とよい。特に、Ｎ、　Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン等の極性溶媒を用いて溶液重縮合する場合、助溶剤と
して、２〜１０重量％の塩化リチウム、塩化カルシウム
、ロダンカルシウム等を加えて合成すると、著しく溶解
性が増し、好都合である。

本発明の芳香族ポリエーテルアミド重合体は、Ｎ−メチ
ルピロリドン０．２重量％溶液として３０°Ｃでの還元
粘度が０．３〜２．Ｏａ／ｇであるものが好ましい。こ
の還元粘度が小さすぎると、耐溶剤性が低下し、大きす
ぎると、−極性溶剤への溶解が低下しやすくなる。

配向制御膜用の溶剤としては、ジメチルスルホキシド、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン及び
シクロヘキサノン等の単独又はこれらの混合溶剤、更に
、前記芳香族ポリアミド重合体を溶解可能な範囲で混合
したものを用いることができる。例えば、上記溶剤を単
独で用いるよりも、セロソルブ類、トルエン及びキシレ
ン等を適量混合した混合溶剤の方が良好な膜を得る場合
があり、上記以外でも芳香族ポリアミド重合体を溶解可
能なものであれば特に限定されない。

なお、本発明においては、成膜性等の改良のために、他
の重合体を共有させてもよい。また、基板との密着性を
強めるために、市販のカップリング剤、例えば、シラン
系、チタネート系等を使用してもよい。

（実施例） 次に、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
らによりなんら制限されるものではない。

なお、液晶表示素子の配向性の評価には、ギャップが１
０μｍのＴＮセル（８５°ツイスト）を使用し、偏光顕
微鏡による目視判定（倍率５０倍）を行った。また、配
向膜材のＴｇ（ガラス移転温度）の測定には、動的粘弾
性スペクトル（岩本製作所■ＶＥＳ−Ｆ型、測定周波数
１０七）を用いた。

実施例１ ３．４′−ジアミノジフェニルメタン９５重量％と１，
３−ビス（アミノプロピル）テトラメチレンジシロキサ
ン５重量％からなるジアミン混合物の１５重量％Ｎ−メ
チルピロリドン溶液とテレフタル酸ジクロリドを酸クロ
リド成分とジアミン成分が等モルになるような割合で酸
化プロピレンの存在下に混合して酸クロリドとジアミン
を反応させ、得られた芳香族ポリアミド重合体を単離し
た。こ屯を再びＮ−メチルピロリドンに溶解し、これを
メタノール中に投入して芳香族ポリアミド重合体を単離
する精製法を３回行った。この重合体の還元粘度（η、
ｐ／ｃ）（Ｎ−メチルピロリドン０．２重量％溶液、３
０°Ｃで測定、以下同様）は０．７ｄｆＬ／ｇであった
。また、この重合体のＴｇは２５５°Ｃであった。この
重合体３ｇをＮ−メチルピロリドンとブチルセロソルブ
アセテートの６：４混合物９７ｇに溶解し、３重量％フ
ェスを作成した。

こうして得た重合体ワニスを十分に洗浄した透明導電膜
を有するガラス板上にスピンナーを用いて２５００ｒｐ
１１で均一に塗布した後、１８０°Ｃで３０分間乾燥し
て溶剤を蒸発させ、膜厚８００人の配向制御膜を形成し
た。この膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制
御膜を有するガラス基板を作製した。この基板を用いて
液晶セルを作製（封入液晶はメルク社製ＺＬＩ−１１３
２を使用）し、これをそのまま１２０°Ｃで所定時間熱
処理した後、配向特性を偏光顕微鏡により目視観察した
ところ、第１表のように良好な配向特性が得られた。

注）偏光顕微鏡（Ｘ５０）でエツジドメイン、マイクロ
ドメインの発生の有無を評価した。

○ニドメインの発生なし ×ニドメインの発生あり 実施例２ ３．４゛−ジアミノジフェニルエーテル９５重量％と１
．３−ビス（アミノプロピル）テトラメチレンジシロキ
サン５重量％からなるジアミン混合物の１５重量％Ｎ−
メチルピロリドン溶液とテレフタル酸ジクロリドを酸ク
ロリド成分とジアミン成分が等モルになるような割合で
酸化プロピレンの存在下に混合して酸クロリドとジアミ
ンを反応させ、得られた芳香族ポリアミド重合体を単離
した。これを再びＮ−メチルピロリドンに溶解し、これ
をメタノール中に投入して芳香族ポリアミド重合体を単
離する精製法を３回行った。この重合体の還元粘度（η
、、／　Ｃ）は０．９ｄ１／ｇであった。

また、この重合体のＴｇは２５７℃であった。この重合
体３ｇをＮ−メチルピロリドンとブチルセロソルブアセ
テートの６：４混合Ｔ！＃９７ｇに溶解し、３重量％ワ
ニスを作成した。

こうして得た重合体ワニスを十分に洗浄した透明導電膜
を有するガラス板上にスピンナーを用いて２５００ｒｐ
鵠で均一に塗布した後、１８０　”Ｃで３０分間乾燥し
て溶剤を蒸発させ、膜厚９００人の配向制御膜を形成し
た。この膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制
御膜を有するガラス基板を作製した。この基板を用いて
液晶セルを作製（封入液晶はメルク社製ＺＬＩ−１１３
２を使用）し、これをそのまま１２０℃で所定時間熱処
理した後、配向特性を偏光顕微鏡により目視観察したと
ころ、第２表のように良好な配向特性を示した。

第２表　素子評価結果 マイクロドメインの発生の有無を評価した。

○ニドメインの発生なし ×ニドメインの発生あり 実施例３ ３．４′−ジアミノジフヱニルスルホン９５重量％と１
．３−ビス（アミノプロピル）テトラメチレンジシロキ
サン５重量％からなるジアミン混合物の１５重量％Ｎ−
メチルピロリドン溶液とテレフタル酸ジクロリド７０重
量％とイソフタル酸ジクロリド３０重量％からなる酸ク
ロリド混合物を酸クロリド成分とジアミン成分が等モル
になるような割合で酸化プロピレンの存在下に混合して
酸クロリドとジアミンを反応させ、得られた芳香族ポリ
アミド重合体を単離した。これを再びＮ−メチルピロリ
ドンに）容解し、これをメタノール中に投入して芳香族
ポリアミド重合体を単離する精製法を３回行った。この
重合体の還元粘度（ηＳ。

／Ｃ）は０．６ｄｌ／ｇであった。また、この重合体の
Ｔｇは２５０°Ｃであった。この重合体３ｇをＮ−メチ
ルピロリドンとブチルセロソルブアセテートの６：４混
合物９７ｇに溶解し、３重量％ワニスを作製した。

こうして得た重合体ワニスを十分に洗浄した透明導電膜
を有するガラス板上にスピンナーを用いて２５００ｒｐ
ｍで均一に塗布した後、１８０°Ｃで３０分間乾燥して
溶剤を蒸発させ、膜厚７５０人の配向制御膜を形成した
。この膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制御
膜を有するガラス基板を作製した。この基板を用いて液
晶セルを作製（封入液晶はメルク社製ＺＬＩ−１１３２
を使用）し、これをそのまま１２０°Ｃで所定時間熱処
理した後、配向特性を偏光顕微鏡により目視観察したと
ころ、第３表のように良好な配向特性を示した。

第３表　素子評価結果 注）偏光顕微鏡（Ｘ５０）でエツジドメイン、マイクロ
ドメインの発生の有無を評価した。

○ニドメインの発生なし ×ニドメインの発生あり 実施例４ ３．４′−ジアミノベンゾフェノン８０重量％とビス（
４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン１５
重量％と１．３−ビス（アミノプロピル）テトラメチレ
ンジシロキサン５重量％からなるジアミン混合物の１５
重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液とテレフタル酸ジクロ
リド６０重量％とイソフタル酸ジクロリド４０重量％か
らなる酸クロリド混合物を酸クロリド成分とジアミン成
分が等モルになるような割合で酸化プロピレンの存在下
に混合して酸クロリドとジアミンを反応させ、得られた
芳香族ポリアミド重合体を単離した。これを再びＮ−メ
チルピロリドンに溶解し、これをメタノール中に投入し
て芳香族ポリアミド重合体を単離する精製法を３回行っ
た。この重合体の還元粘度（η、、／ｃ）は０．７ｄ１
／ｇであった。また、この重合体のＴｇは２５０°Ｃで
あった。この重合体３ｇをＮ−メチルピロリドンとブチ
ルセロソルブアセテートの６：４混合物９７ｇに溶解し
、３重量％ワニスを作製した。

こうして得た重合体ワニスを十分に洗浄した透明導電膜
を有するガラス板上にスピンナーを用いて２５０Ｏｒｐ
ｍで均一に塗布した後、１８０°Ｃで３０分間乾燥して
溶剤を蒸発させ、膜厚８００人の配向制御膜を形成した
。この膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制御
膜を有するガラス基板を作製した。この基板を用いて液
晶セルを作製（封入液晶はメルク社製ＺＬＩ−１１３２
を使用）し、これをそのまま１２０°Ｃで所定時間熱処
理した後、配向特性を偏光顕微鏡により目視観察したと
ころ、第４表のように良好な配向特性を示した。

注）偏光顕微鏡（Ｘ５０）でエツジドメイン、マイクロ
ドメインの発生の有無を評価した。

Ｏニドメインの発生なし ×ニドメインの発生あり 比較例 ２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕プロパン９５重量％と１．３−ビス（アミノプロピル
）テトラメチレンジシロキサン５重量％からなるジアミ
ン混合物の１５重量％Ｎ−メチルピロリドン溶液とテレ
フタル酸ジクロリドを酸クロリド成分とジアミン成分が
等モルになるような割合で酸化プロピレンの存在下に混
合して酸クロリドとジアミンを反応させ、得られた芳香
族ポリアミド重合体を単離した。これを再びＮ−メチル
ピロリドンに溶解し、これをメタノール中に投入して芳
香族ポリアミド重合体を単離する精製法を３回行った。

この重合体の還元粘度（７７ｓｐ／　ｃ　）は０．８ｄ
ｉ／ｇであった。また、この重合体のＴｇは２１５°Ｃ
であった。この重合体３ｇをＮ−メチルピロリドンとブ
チルセロソルブアセテートの６：４混合物９７ｇに溶解
し、３重量％ワニスを作製した。

こうして得た重合体ワニスを十分に洗浄した透明導電膜
を有するガラス板上にスピンナーを用いて２５００ｒｐ
ｎ＋で均一に塗布した後、１８０°Ｃで３０分間乾燥し
て溶剤を蒸発させ、膜厚８００人の配向制御膜を形成し
た。この膜をフェルトで一定方向にラビングし、配向制
御膜を有するガラス基板を作製した。この基板を用いて
液晶セルを作製（封入液晶はメルク社製ＺＬＩ−１１３
２を使用）し、これをそのまま１２０°Ｃで所定時間熱
処理した後、配向特性を偏光顕微鏡により目視観察した
ところ、第５表の゛ように熱処理に伴って配向不良部分
（ドメイン発生）が表れた。

第５表　素子評価結果 注）偏光顕微鏡（Ｘ５０）でエツジドメイン、マイクロ
ドメインの発生の有無を評価した。

○ニドメインの発生なし ×ニドメインの発生あり （発明の効果） 本発明になる液晶表示素子は、熱的な信頼性の向上した
、高温にさらされる場所での使用等に耐えられる液晶表
示素子である。

なお、本発明の素子は、ゲストホスト型の液晶を配して
カラー表示も可能であるし、駆動装置としてＴＰＴを用
いたものでもよい。

また、強誘電液晶用としても優れた特性を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、配向制御膜が一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４、Ｒ＿５、Ｒ＿
   ６、Ｒ＿７及びＲ＿８はそれぞれ独立に水素、低級アル
   キル基、低級アルコキシ基又はハロゲンを表し、Ｘは−
   Ｏ−、−Ｓ−、▲数式、化学式、表等があります▼、−
   ＳＯ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼又は▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＿９及びＲ＿１＿０はそれぞれ独立して水素、
   低級アルキル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメ
   チル基又はフェニル基を表す）を表し、Ａｒはｐ−フェ
   ニレン基、ｍ−フェニレン基、ジフェニレン基、ナフチ
   レン基又は ▲数式、化学式、表等があります▼（式中Ｙは−Ｏ−、 −ＳＯ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼、−
   Ｓ−、▲数式、化学式、表等があります▼又は−ＣＨ＿
   ２−を表す）を表す。〕で表される繰り返し単位を有す
   る芳香族ポリアミド重合体を含有してなる液晶表示素子
   。 ２、芳香族ポリアミド重合体が一般式（II）：▲数式、
   化学式、表等があります▼（II） 〔式中Ｒ＿１＿１は二価の炭化水素基を表し、Ｒ＿１＿
   ２はそれぞれ独立に一価の炭化水素基を表し、Ａｒは一
   般式（ I ）と同じ意味を表し、ｍは１以上の整数を表
   す〕で表される繰り返し単位を、芳香族ポリアミド中の
   全ジアミン残基に対して０．２〜４０モル％有する芳香
   族ポリアミド重合体である請求項１記載の液晶表示素子
   。