JPS61199650A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61199650A JPS61199650A JP4086985A JP4086985A JPS61199650A JP S61199650 A JPS61199650 A JP S61199650A JP 4086985 A JP4086985 A JP 4086985A JP 4086985 A JP4086985 A JP 4086985A JP S61199650 A JPS61199650 A JP S61199650A
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- semiconductor device
- molded resin
- mold resin
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49568—Lead-frames or other flat leads specifically adapted to facilitate heat dissipation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野〕
本発明は半導体装置、特に放熱用フィンを有するモール
ド樹脂封止型半導体装置に関する。
ド樹脂封止型半導体装置に関する。
第３図は従来用いられる一般的なモールド樹脂封止型半
導体装置の構成説明図である。同図（ａ）はモールド樹
脂封止前の構造を示し、同図（ｂ）は封止襲の構造を示
している。半導体ペレット１はフレームベッド２の上に
マウントされる。半導体ペレット１上の各ポンディング
パッドは内部リード４にボンディングワイヤによって電
気的に接続されている。第３図（ｂ）に示すようにこれ
らの各部材はモールド樹脂によって封止され、モールド
樹脂体３を媒介として一体構造を形成する。
導体装置の構成説明図である。同図（ａ）はモールド樹
脂封止前の構造を示し、同図（ｂ）は封止襲の構造を示
している。半導体ペレット１はフレームベッド２の上に
マウントされる。半導体ペレット１上の各ポンディング
パッドは内部リード４にボンディングワイヤによって電
気的に接続されている。第３図（ｂ）に示すようにこれ
らの各部材はモールド樹脂によって封止され、モールド
樹脂体３を媒介として一体構造を形成する。
内部リード４は、モールド樹脂体３の外部におい、では
外部リード５となり、実装時の配線に用いられる。
外部リード５となり、実装時の配線に用いられる。
第４図（ａ）に前述した従来のＤＩＰ型半導体装置の外
観図、同図（ｂ）にこれをフラットパッケージ（ＦＰ）
型にした装置の外観図を示す。これらの半導体装置は消
費電力が大きくなると使用できなくなるという欠点があ
る。これは消費電力が数Ｗ程度になると、熱の大部分を
熱伝導の悪い樹脂表面から外部へ放出する構造であるた
め放熱が十分行えず、半導体ペレットが熱により損傷を
受けてしまうためである。そこで従来は、消費型、−力
の大きな半導体装置には放熱用フィンを設けていた。第
５図（ａ）はこの放熱用フィンを有するＤＩＰ型半導体
装置の外観図を示し、同図（ｂ）はこれをＦＰ型にした
装置の外観図を示す。いずれも放熱用フィン６はモール
ド樹脂体３の内部でフレームベッド２と−・体になって
おり、半導体ペレット１で発生した熱を外部へ発散させ
る働きをする。
観図、同図（ｂ）にこれをフラットパッケージ（ＦＰ）
型にした装置の外観図を示す。これらの半導体装置は消
費電力が大きくなると使用できなくなるという欠点があ
る。これは消費電力が数Ｗ程度になると、熱の大部分を
熱伝導の悪い樹脂表面から外部へ放出する構造であるた
め放熱が十分行えず、半導体ペレットが熱により損傷を
受けてしまうためである。そこで従来は、消費型、−力
の大きな半導体装置には放熱用フィンを設けていた。第
５図（ａ）はこの放熱用フィンを有するＤＩＰ型半導体
装置の外観図を示し、同図（ｂ）はこれをＦＰ型にした
装置の外観図を示す。いずれも放熱用フィン６はモール
ド樹脂体３の内部でフレームベッド２と−・体になって
おり、半導体ペレット１で発生した熱を外部へ発散させ
る働きをする。
しかしながら、このような放熱用フィンを設けた従来の
半導体装置は、これを通常の手段で回路基板に実装した
場合、放熱効果の改善があまり見られない。この様子を
次の表に示す。
半導体装置は、これを通常の手段で回路基板に実装した
場合、放熱効果の改善があまり見られない。この様子を
次の表に示す。
く表〉
この表は厚み０．２５ａｍ＋のＣＵ製フレームを用いた
半導体装置の熱抵抗、即ち、該装置を駆動したときの消
！２電力１Ｗあたりの素子温度を示す。通常の手段で実
装した場合、放熱用フィンのない従来装置の熱抵抗は１
２０℃／Ｗ、これに放熱用フィンを付けると１１０℃／
Ｗといくらか改善はみられるが、顕著な放熱効果は得ら
れない。ところが放熱用フィンを付けたＨ置では、実装
基板に厚み４０μｍ程度のＣｕ放熱層を設けると、６０
℃／Ｗ１更に金ａ基板を用いると４０℃／Ｗとかなりの
改善がみられる。しかしながら基板上に放熱層を設けた
り、金Ｂ基板を用いることは、装置の実装工程を複雑に
し、実装密度を低減させるという欠点がある。
半導体装置の熱抵抗、即ち、該装置を駆動したときの消
！２電力１Ｗあたりの素子温度を示す。通常の手段で実
装した場合、放熱用フィンのない従来装置の熱抵抗は１
２０℃／Ｗ、これに放熱用フィンを付けると１１０℃／
Ｗといくらか改善はみられるが、顕著な放熱効果は得ら
れない。ところが放熱用フィンを付けたＨ置では、実装
基板に厚み４０μｍ程度のＣｕ放熱層を設けると、６０
℃／Ｗ１更に金ａ基板を用いると４０℃／Ｗとかなりの
改善がみられる。しかしながら基板上に放熱層を設けた
り、金Ｂ基板を用いることは、装置の実装工程を複雑に
し、実装密度を低減させるという欠点がある。
そこで本発明は特別な実装基板を用いることなしに熱抵
抗の低減を図ることのできる半導体装置を提供すること
を目的とする。
抗の低減を図ることのできる半導体装置を提供すること
を目的とする。
（発明の概要）
本発明の特徴は半導体ペレット、フレームベッド、外部
リード、および半導体ペレットで発生した熱を外部へ導
く放熱用フィンがモールド樹脂体によって封止されてい
る半導体装置において、放熱用フィンと物理的に接触を
保ち、半導体ペレットで発生した熱を外部に発散させる
ための金属放熱板をモールド樹脂体の上部に設け、半導
体ペレットで発生した熱を金属放熱板によって外部へ効
渠内に散逸させ、特別な実装基板を用いることなしに熱
抵抗の低減を図った点にある。
リード、および半導体ペレットで発生した熱を外部へ導
く放熱用フィンがモールド樹脂体によって封止されてい
る半導体装置において、放熱用フィンと物理的に接触を
保ち、半導体ペレットで発生した熱を外部に発散させる
ための金属放熱板をモールド樹脂体の上部に設け、半導
体ペレットで発生した熱を金属放熱板によって外部へ効
渠内に散逸させ、特別な実装基板を用いることなしに熱
抵抗の低減を図った点にある。
以下、本発明を図示する実施例に基づいて説明する。第
１図は本発明の一実施例に係る半導体装置を示す図で、
同図（ａ）は正面図、同図（、ｂ）は斜視図である。モ
ールド樹脂体３からは外部リード５の他に放熱用フィン
６が導出されている。
１図は本発明の一実施例に係る半導体装置を示す図で、
同図（ａ）は正面図、同図（、ｂ）は斜視図である。モ
ールド樹脂体３からは外部リード５の他に放熱用フィン
６が導出されている。
また、モールド樹脂体３の上部には金属放熱板７が設け
られている。放熱用フィン６はモールド樹脂体３の外部
で上方へ曲げられ、金属放熱板７に設けられた孔部８を
口通し更に内側へ曲げられる。
られている。放熱用フィン６はモールド樹脂体３の外部
で上方へ曲げられ、金属放熱板７に設けられた孔部８を
口通し更に内側へ曲げられる。
この内側へ曲げられた部分は、金属放熱板７をモールド
樹脂体３に固着する機能を果たすとともに、金属放熱板
と物理的接触を保ちモールド樹脂体３内部の熱を外部へ
散逸させる機能をも果す。即ち、半導体ペレットで発生
した熱はフレームベッドから放熱用フィン６へと伝導し
、更に金属放熱板７へと伝わり外部へ散逸する。
樹脂体３に固着する機能を果たすとともに、金属放熱板
と物理的接触を保ちモールド樹脂体３内部の熱を外部へ
散逸させる機能をも果す。即ち、半導体ペレットで発生
した熱はフレームベッドから放熱用フィン６へと伝導し
、更に金属放熱板７へと伝わり外部へ散逸する。
第２図は本発明の別な一実施例に係る半導体装置を示す
図で、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は斜視図、同図
（Ｃ）はこの装置の一１！Ｊ造工程を示す図である。第
１図に示した実施例との相違は、一方の放熱用フィン６
と金属放熱板７とが一体構造となっている点である。こ
のような構造とすることにより製造が容易となる。即ち
、第２図（Ｃ）に示すように、外部リード５、放熱用フ
ィン６゜６′および金属放熱板７を一枚の金属板から打
ち抜き、これをモールド樹脂体３で封止した模、放熱用
フィン６．６′を上方へ曲げ、更に金属放熱板７をモー
ルド樹脂体の上面へ曲げ、放熱用フィン６′の先端を孔
部８に負通させ、半田９によって固定すればよい。
図で、同図（ａ）は正面図、同図（ｂ）は斜視図、同図
（Ｃ）はこの装置の一１！Ｊ造工程を示す図である。第
１図に示した実施例との相違は、一方の放熱用フィン６
と金属放熱板７とが一体構造となっている点である。こ
のような構造とすることにより製造が容易となる。即ち
、第２図（Ｃ）に示すように、外部リード５、放熱用フ
ィン６゜６′および金属放熱板７を一枚の金属板から打
ち抜き、これをモールド樹脂体３で封止した模、放熱用
フィン６．６′を上方へ曲げ、更に金属放熱板７をモー
ルド樹脂体の上面へ曲げ、放熱用フィン６′の先端を孔
部８に負通させ、半田９によって固定すればよい。
この他、モールド樹脂体の上面に金ＢＨを形成し、この
金属膜を金属放熱板として用いることもできる。こうす
ることにより装置全体の厚みを小° さくすることがで
きる。なお、上述の実施例で、装置全体の小型化を図る
意味で、金属放熱板の板面積をモールド樹脂体の上面の
面積と同程度にするのが好ましい。
金属膜を金属放熱板として用いることもできる。こうす
ることにより装置全体の厚みを小° さくすることがで
きる。なお、上述の実施例で、装置全体の小型化を図る
意味で、金属放熱板の板面積をモールド樹脂体の上面の
面積と同程度にするのが好ましい。
厚み０．２５ａｍのＣｕ・製の金属放熱板を用いて第１
図に示す装置を製作した結果、通常の手段で実装したと
きの熱抵抗は５５℃／Ｗとなった。この値は、前掲の表
の８値と比較した場合、従来装置を金属基板に実装した
ときの値よりは高いが、従来装置を通常の手段で実装し
たときの値よりはかなり低い値である。
図に示す装置を製作した結果、通常の手段で実装したと
きの熱抵抗は５５℃／Ｗとなった。この値は、前掲の表
の８値と比較した場合、従来装置を金属基板に実装した
ときの値よりは高いが、従来装置を通常の手段で実装し
たときの値よりはかなり低い値である。
即ち、通常の手段で実装した場合、本発明に係る装置の
熱抵抗は従来装置に比べて著しく低減するといえる。
熱抵抗は従来装置に比べて著しく低減するといえる。
以上のとおり本発明によれば、モールド樹脂型半導体装
置において、上部に金属放熱板を設けるようにしたため
、半導体ペレットで発生した熱を外部へ効果的に散逸さ
せることができ、特別な実装基板を用いることなしに熱
抵抗の低減を図ることができる。
置において、上部に金属放熱板を設けるようにしたため
、半導体ペレットで発生した熱を外部へ効果的に散逸さ
せることができ、特別な実装基板を用いることなしに熱
抵抗の低減を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体装置の説明図で
、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。第２図は本
発明の別な実施例に係る半導体装置の説明図で、（ａ）
は正面図、（ｂ）は斜視図、（Ｃ）は−製造工程図であ
る。第３図は従来の半導体装置の構造説明図で、（ａ）
はモールド封止前の構造を、（ｂ）は封止後の構造を、
それぞれ示す。第４図は従来の半導体装置の外観図で、
（ａ）はＤＩＰ型、（ｂ）はＦＰ型の装置を示す。 第５図は従来の放熱用フィン付半導体装置の外観図で、
（ａ）はＤＩＰ型、（ｂ）はＦＰ型の装置を示す。 １・・・半導体ペレット、２・・・フレームベッド、３
・・・モールド樹脂体、４・・・内部リード、５・・・
外部リード、６．６′・・・放熱用フィン、７・・・金
属放熱板、８・・・孔部、９・・・半田。 出願人代理人 猪 股 清 第１ 第２図 （ｂ） （Ｃ）
、（ａ）は正面図、（ｂ）は斜視図である。第２図は本
発明の別な実施例に係る半導体装置の説明図で、（ａ）
は正面図、（ｂ）は斜視図、（Ｃ）は−製造工程図であ
る。第３図は従来の半導体装置の構造説明図で、（ａ）
はモールド封止前の構造を、（ｂ）は封止後の構造を、
それぞれ示す。第４図は従来の半導体装置の外観図で、
（ａ）はＤＩＰ型、（ｂ）はＦＰ型の装置を示す。 第５図は従来の放熱用フィン付半導体装置の外観図で、
（ａ）はＤＩＰ型、（ｂ）はＦＰ型の装置を示す。 １・・・半導体ペレット、２・・・フレームベッド、３
・・・モールド樹脂体、４・・・内部リード、５・・・
外部リード、６．６′・・・放熱用フィン、７・・・金
属放熱板、８・・・孔部、９・・・半田。 出願人代理人 猪 股 清 第１ 第２図 （ｂ） （Ｃ）
Claims (5)
- １．半導体ペレットと、この半導体ペレットを載せるフ
レームベッドと、前記半導体ペレットに電気的に接続さ
れた複数の外部リードと、前記フレームベッドに物理的
に接続され、前記半導体ペレットで発生した熱を外部へ
導く放熱用フィンと、前記半導体ペレット、前記フレー
ムベッド、前記外部リード、および前記放熱用フィンを
一体として封止するモールド樹脂体と、前記モールド樹
脂体の上部に設けられ、前記放熱用フィンと物理的に接
触を保ち前記半導体ペレットで発生した熱を外部に放散
する金属放熱板と、を備えることを特徴とする半導体装
置。 - ２．金属放熱板がモールド樹脂体の上面の面積と同程度
の板面積を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置。 - ３．放熱用フィンがモールド樹脂体の外部で、前記モー
ルド樹脂体の表面に沿つて曲げられ、前記モールド樹脂
体の上部で金属放熱板と接触していることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体装置。 - ４．放熱用フィンと金属放熱板とが一体構造となってい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項の
いずれかに記載の半導体装置。 - ５．金属放熱板がモールド樹脂体の上面に被覆された金
属膜より成ることを特徴とする特許請求の範囲１項乃至
第３項のいずれかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086985A JPS61199650A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086985A JPS61199650A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199650A true JPS61199650A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12592524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4086985A Pending JPS61199650A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199650A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8149082B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-04-03 | Koa Corporation | Resistor device |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP4086985A patent/JPS61199650A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8149082B2 (en) | 2007-06-29 | 2012-04-03 | Koa Corporation | Resistor device |
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