JPS61198679A - Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ - Google Patents
Ｍｏｓ型電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS61198679A JPS61198679A JP3781785A JP3781785A JPS61198679A JP S61198679 A JPS61198679 A JP S61198679A JP 3781785 A JP3781785 A JP 3781785A JP 3781785 A JP3781785 A JP 3781785A JP S61198679 A JPS61198679 A JP S61198679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- polycrystalline silicon
- gate
- field effect
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910008814 WSi2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4916—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen
- H01L29/4925—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement
- H01L29/4933—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a silicon layer, e.g. polysilicon doped with boron, phosphorus or nitrogen with a multiple layer structure, e.g. several silicon layers with different crystal structure or grain arrangement with a silicide layer contacting the silicon layer, e.g. Polycide gate
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ＭＯ８Ｏ８型電界効果トランジスタし、もっ
と詳しくは多結晶シリコン層と、シリサイド層とのポリ
サイドゲート構造を有するＭＯ８型電界効果トランジス
タに関する。
と詳しくは多結晶シリコン層と、シリサイド層とのポリ
サイドゲート構造を有するＭＯ８型電界効果トランジス
タに関する。
背景技術
従来からのシリコンゲートによって構成されるＭ ＯＳ
（Ｍ ｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓ ｅｍｉｅｏｎｄ
ｕｅＬｏｒ）型電界効果トランノスタ（Ｆ Ｅ Ｔ ）
では、ゲート電極の材料としてＭＯＳ界面持性特性好で
ある多結晶シリコンが用いられており、この多結晶シリ
コンは、スレシフす−ルド電圧が低くかつ動作速度が早
いという特性を有している。
（Ｍ ｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓ ｅｍｉｅｏｎｄ
ｕｅＬｏｒ）型電界効果トランノスタ（Ｆ Ｅ Ｔ ）
では、ゲート電極の材料としてＭＯＳ界面持性特性好で
ある多結晶シリコンが用いられており、この多結晶シリ
コンは、スレシフす−ルド電圧が低くかつ動作速度が早
いという特性を有している。
発明が解決しようとする問題点
しかしながらこのような多結晶シリコンゲートは、その
シート抵抗が大きいため、ＬＳＩ（大規模集積回路）の
大容量化および商運化に対する制限があり、したがって
ＬＳＩのゲート電極として有効に用いることができない
。
シート抵抗が大きいため、ＬＳＩ（大規模集積回路）の
大容量化および商運化に対する制限があり、したがって
ＬＳＩのゲート電極として有効に用いることができない
。
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、シート抵
抗が低くしかもＭＯ８界面特性が良好であるゲート電極
を有するＭＯ８Ｏ８型電界効果トランジスタ供すること
である。
抗が低くしかもＭＯ８界面特性が良好であるゲート電極
を有するＭＯ８Ｏ８型電界効果トランジスタ供すること
である。
問題点を解決するための手段
本発明は、ゲート酸化膜上に形成した多結晶シリコン層
と、多結晶シリコン層上に形成したシリサイド層とによ
ってゲート電極を形成するようにしたことを特徴とする
ＭＯ８Ｏ８型電界効果トランジスタる。
と、多結晶シリコン層上に形成したシリサイド層とによ
ってゲート電極を形成するようにしたことを特徴とする
ＭＯ８Ｏ８型電界効果トランジスタる。
作 用
本発明に従えば、ゲート酸化膜上の多結晶シリコン層と
シリサイド層とを含むＭＯＳ多層構造によってゲート電
極を形成するようにしたことによって、シート抵抗が低
くしかもＭＯＳ界面特性が良好なゲート電極を有するＭ
Ｏ８型電界効果トランジスタを得ることができる。
シリサイド層とを含むＭＯＳ多層構造によってゲート電
極を形成するようにしたことによって、シート抵抗が低
くしかもＭＯＳ界面特性が良好なゲート電極を有するＭ
Ｏ８型電界効果トランジスタを得ることができる。
実施例
＃１図は、本発明の一実施例の製造工程を示す断面図で
ある。まず、ｐｌＳｉ図（１）に示されるように、シリ
コンなどのＰ型半導体基板１上に５ｉＯｚなどから成る
ゲート酸化ＩＩ！Ｉ２を形成し、その両端部に素子間分
離領域（アイソレージａン）３．４を形成する。７’−
１酸化Ｉｌ！２上に多結晶シリコンから成る多結晶シリ
コン層５を堆積した後、多結晶シリコン層５にリン（Ｐ
）の拡散を行なう、このリン濃度は、多結晶シリコン層
５のシート抵抗がたとえば３０Ω／口以上となるように
選ばれる０次に第１図（２）に示されるように、リンを
含む多結晶シリコン層５上に全表面にわたってＬＰＧＶ
Ｄ（減圧による化学気相成長ン法によって高融点の金属
たとえばタングステン（Ｗ）と、シリコン（Ｓ ｉ）と
の化合吻（ＷＳｉｚ）から成るシリサイド層６をたとえ
ば２５０ｎ−堆積する。これによって多結晶シリコン層
５とシリサイド層６とのいわゆるポリサイドゲート構造
であるポリサイドゲート電極７が形成される。次にマス
ク材としての７オトレノスト層８をポリサイドデー）１
極７上にフォト技術を用いて選択的に形成した後、エツ
チングによってポリサイドゲート電極７の中央部分を残
して除去し、その後第１図（３）に示されるようにＰ型
半導体基板１上からｎ＋型不純物たとえば砒素（Ａ ｓ
）の注入を行う。
ある。まず、ｐｌＳｉ図（１）に示されるように、シリ
コンなどのＰ型半導体基板１上に５ｉＯｚなどから成る
ゲート酸化ＩＩ！Ｉ２を形成し、その両端部に素子間分
離領域（アイソレージａン）３．４を形成する。７’−
１酸化Ｉｌ！２上に多結晶シリコンから成る多結晶シリ
コン層５を堆積した後、多結晶シリコン層５にリン（Ｐ
）の拡散を行なう、このリン濃度は、多結晶シリコン層
５のシート抵抗がたとえば３０Ω／口以上となるように
選ばれる０次に第１図（２）に示されるように、リンを
含む多結晶シリコン層５上に全表面にわたってＬＰＧＶ
Ｄ（減圧による化学気相成長ン法によって高融点の金属
たとえばタングステン（Ｗ）と、シリコン（Ｓ ｉ）と
の化合吻（ＷＳｉｚ）から成るシリサイド層６をたとえ
ば２５０ｎ−堆積する。これによって多結晶シリコン層
５とシリサイド層６とのいわゆるポリサイドゲート構造
であるポリサイドゲート電極７が形成される。次にマス
ク材としての７オトレノスト層８をポリサイドデー）１
極７上にフォト技術を用いて選択的に形成した後、エツ
チングによってポリサイドゲート電極７の中央部分を残
して除去し、その後第１図（３）に示されるようにＰ型
半導体基板１上からｎ＋型不純物たとえば砒素（Ａ ｓ
）の注入を行う。
次に高温７二−ルを行ないつつ、＃４１図（４）に示さ
れるように、熱酸化膜９およびｎ１型不純物拡散領域１
０．１１を形成する９次に熱酸化Ｉ！９の全表面にわた
って眉間絶縁膜１２を形成し、第１図（５）に示される
ようにｎ＋型不純物拡散領域ｉｏ、ｉｔ上のゲート酸化
ｌＩ２、および眉間絶縁３１１２のパターニングを行な
ってコンタクトホール１３，１４を形成する。その後、
蒸着などによりてアルミニツム電極１５．１５ｍを形成
するとともにポリサイドゲート電極７上にアルミニウム
電極１６を形成し、こうしてＮチャネルＭＯＳ型電界効
果トランジスタＴｒが完成する。
れるように、熱酸化膜９およびｎ１型不純物拡散領域１
０．１１を形成する９次に熱酸化Ｉ！９の全表面にわた
って眉間絶縁膜１２を形成し、第１図（５）に示される
ようにｎ＋型不純物拡散領域ｉｏ、ｉｔ上のゲート酸化
ｌＩ２、および眉間絶縁３１１２のパターニングを行な
ってコンタクトホール１３，１４を形成する。その後、
蒸着などによりてアルミニツム電極１５．１５ｍを形成
するとともにポリサイドゲート電極７上にアルミニウム
電極１６を形成し、こうしてＮチャネルＭＯＳ型電界効
果トランジスタＴｒが完成する。
このようにＭＯ８型電界効果トランジスタ Ｔｒのポリ
サイドゲート電１１７を、ゲート酸化！Ｉ２上のリンを
含む多結晶シリコン層５と、ＷＳｉ、などから成るシリ
サイド層６との多層ポリサイド構造によって構成したこ
とによって、第２図に示す実験結果を得ることがでさた
。 第２図は、本発明に従うＭＯ８型電界効果トランジ
スタＴ「のリーク電流Ｉ Ｘ １０−１１Ａ 流れると
きのゲート電圧Ｖｇに対するポリサイドゲート電極７を
構成する多結晶シリコン屑５のシート抵抗の依存特性を
示すグラフである。第２図から明らかなように、ポリサ
イドゲート電極７ではその多結晶シリコン屑５のシート
抵抗が３０Ω／口以上であることが必要である。また本
発明者の実験によれば、ポリサイドゲート電極７のＭＯ
６Ｏ６界面特性従来技術における多結晶シリコンゲート
とほぼ同等で良好であることが確認された。これによっ
て本件ＭＯＳ型電界効果トランジスタＴｒは、ＬＳＩに
好″１ＦＬ＆、：用いられることが確認される。＊た従
来の多結晶シリコンゲートよりもそのシート抵抗が１／
２０程度低（、したがってＬＳＩのゲート電極として極
めて有効である。
サイドゲート電１１７を、ゲート酸化！Ｉ２上のリンを
含む多結晶シリコン層５と、ＷＳｉ、などから成るシリ
サイド層６との多層ポリサイド構造によって構成したこ
とによって、第２図に示す実験結果を得ることがでさた
。 第２図は、本発明に従うＭＯ８型電界効果トランジ
スタＴ「のリーク電流Ｉ Ｘ １０−１１Ａ 流れると
きのゲート電圧Ｖｇに対するポリサイドゲート電極７を
構成する多結晶シリコン屑５のシート抵抗の依存特性を
示すグラフである。第２図から明らかなように、ポリサ
イドゲート電極７ではその多結晶シリコン屑５のシート
抵抗が３０Ω／口以上であることが必要である。また本
発明者の実験によれば、ポリサイドゲート電極７のＭＯ
６Ｏ６界面特性従来技術における多結晶シリコンゲート
とほぼ同等で良好であることが確認された。これによっ
て本件ＭＯＳ型電界効果トランジスタＴｒは、ＬＳＩに
好″１ＦＬ＆、：用いられることが確認される。＊た従
来の多結晶シリコンゲートよりもそのシート抵抗が１／
２０程度低（、したがってＬＳＩのゲート電極として極
めて有効である。
なお参考のために述べると、シリサイド層６をゲート電
極として用いる場合が想定されるが、そのような単層シ
リサイドゲートでは、従来の多結晶シリコンゲートと比
べ仕事関数が違うために多結晶シリコンゲートとの互換
性がなく、しかも高温アニールによりゲート酸化膜が劣
化するなどの間層がある。従って前述の実施例のように
、リンを含む多結晶シリコン層５とシリサイド層６との
ポリサイド構造によって、ゲート電極７を構成するよう
にしたことによって、本件電界効果トランツスタＴ「の
特性は、多結晶シリコンのみから成るシリコンゲートを
有するＭＯ８型電界効果トランジスタの特性と同様に良
好であり、またそのポリサイドゲート電極７のシート抵
抗は単層シリサイドゲートと同等であり、多結晶シリコ
ンゲートよりも約１７２０程度小さくすることが可能と
な＆ノｔ’、ＬＳＩのゲート電極としての使用が最適に
実現されることとなるのである。
極として用いる場合が想定されるが、そのような単層シ
リサイドゲートでは、従来の多結晶シリコンゲートと比
べ仕事関数が違うために多結晶シリコンゲートとの互換
性がなく、しかも高温アニールによりゲート酸化膜が劣
化するなどの間層がある。従って前述の実施例のように
、リンを含む多結晶シリコン層５とシリサイド層６との
ポリサイド構造によって、ゲート電極７を構成するよう
にしたことによって、本件電界効果トランツスタＴ「の
特性は、多結晶シリコンのみから成るシリコンゲートを
有するＭＯ８型電界効果トランジスタの特性と同様に良
好であり、またそのポリサイドゲート電極７のシート抵
抗は単層シリサイドゲートと同等であり、多結晶シリコ
ンゲートよりも約１７２０程度小さくすることが可能と
な＆ノｔ’、ＬＳＩのゲート電極としての使用が最適に
実現されることとなるのである。
前記実施例では、シリサイド層６の材料としてタングス
テン（Ｗ＞を用いたけれども、たとえばモリブデン（Ｍ
ｏ）、タンタル（Ｔ ｉ）、チタン（Ｔｉ）など高融、
αの金属を用いるような構成であってもよい、またＮチ
ャネル・ゲート・ＭＯＳだけでなくＰチャネル・ゲート
・ＭＯＳに関連しても同様に実施されることができる。
テン（Ｗ＞を用いたけれども、たとえばモリブデン（Ｍ
ｏ）、タンタル（Ｔ ｉ）、チタン（Ｔｉ）など高融、
αの金属を用いるような構成であってもよい、またＮチ
ャネル・ゲート・ＭＯＳだけでなくＰチャネル・ゲート
・ＭＯＳに関連しても同様に実施されることができる。
効 果
以上のよ）に本発明によれば、ゲート酸化膜上に形成し
た多結晶シリコン層と、多結晶シリコン層上に形成した
シリサイド層とによってゲート電極を形成するようにし
たことによって、シート抵抗が小さくしかもＭＯＳ界面
特性が良好なゲート電極を有するＭＯ８型電界効果トラ
ンジスタを得ることができる。
た多結晶シリコン層と、多結晶シリコン層上に形成した
シリサイド層とによってゲート電極を形成するようにし
たことによって、シート抵抗が小さくしかもＭＯＳ界面
特性が良好なゲート電極を有するＭＯ８型電界効果トラ
ンジスタを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例の製造工程を説明するだめの
断面図、ｔＪｉ２図はリーク電流が１×１０−”Ａ
流れるときのゲート電圧Ｖｇに対する多結晶シリコン層
５のシート抵抗の依存特性を示すグラフである。 １・・・半導体基板、２・・・ゲート酸化膜、５・・・
多結晶シリコン層、６・・・シリサイド層、８・・・ポ
リサイドゲート電極 代理人 弁理士 画数 圭一部 第１図 第１図
断面図、ｔＪｉ２図はリーク電流が１×１０−”Ａ
流れるときのゲート電圧Ｖｇに対する多結晶シリコン層
５のシート抵抗の依存特性を示すグラフである。 １・・・半導体基板、２・・・ゲート酸化膜、５・・・
多結晶シリコン層、６・・・シリサイド層、８・・・ポ
リサイドゲート電極 代理人 弁理士 画数 圭一部 第１図 第１図
Claims (1)
- ゲート酸化膜上に形成した多結晶シリコン層と、多結晶
シリコン層上に形成したシリサイド層とによってゲート
電極を形成するようにしたことを特徴とするＭＯＳ型電
界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3781785A JPS61198679A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3781785A JPS61198679A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198679A true JPS61198679A (ja) | 1986-09-03 |
Family
ID=12508075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3781785A Pending JPS61198679A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198679A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143051A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5825270A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3781785A patent/JPS61198679A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143051A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5825270A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5373192A (en) | Electromigration resistance metal interconnect | |
| JPH0470779B2 (ja) | ||
| JPS62162362A (ja) | Ｍｏｓ型集積回路及びその製造方法 | |
| KR930011800B1 (ko) | Mos형 반도체장치 | |
| JPS6056293B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS60132353A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61198679A (ja) | Ｍｏｓ型電界効果トランジスタ | |
| JPH0351313B2 (ja) | ||
| JPS59195870A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS597231B2 (ja) | 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製方法 | |
| JPH065852A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔ及びその製造方法 | |
| JPH0763060B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0529622A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS6243552B2 (ja) | ||
| JPS62154784A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04170066A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS61198680A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59112641A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS61194764A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59161072A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6254960A (ja) | Ｍｉｓ形電界効果トランジスタ | |
| JPS59136973A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5814750B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61245552A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6057974A (ja) | 半導体装置の製造方法 |