JPS6119294B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6119294B2 JPS6119294B2 JP55116478A JP11647880A JPS6119294B2 JP S6119294 B2 JPS6119294 B2 JP S6119294B2 JP 55116478 A JP55116478 A JP 55116478A JP 11647880 A JP11647880 A JP 11647880A JP S6119294 B2 JPS6119294 B2 JP S6119294B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum processing
- exhaust valve
- vacuum
- chamber
- processing chamber
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は真空処理装置に関し、詳述すれば、
真空処理室、真空処理室気密ゲートを介して連結
される予備室、および真空処理室に主排気弁を介
して連結されかつ予備室に副排気弁を介して連結
される排気系を有し、それで気密ゲートを閉じた
状態で主排気弁を閉じ副排気弁を開くことによつ
て予備室が排気でき、予備室が排気されたのちに
気密ゲートを開くことによつて真空処理室と予備
室の間で真空処理室の雰囲気を実質上変化させる
ことなしに被処理物の出入が達成でき、また予備
室が排気されたのちに主排気弁を開くことによつ
て真空処理室の排気が再開始できる真空処理装置
に関する。
真空処理室、真空処理室気密ゲートを介して連結
される予備室、および真空処理室に主排気弁を介
して連結されかつ予備室に副排気弁を介して連結
される排気系を有し、それで気密ゲートを閉じた
状態で主排気弁を閉じ副排気弁を開くことによつ
て予備室が排気でき、予備室が排気されたのちに
気密ゲートを開くことによつて真空処理室と予備
室の間で真空処理室の雰囲気を実質上変化させる
ことなしに被処理物の出入が達成でき、また予備
室が排気されたのちに主排気弁を開くことによつ
て真空処理室の排気が再開始できる真空処理装置
に関する。
このような真空処理装置は真空処理室を各種気
体の真空雰囲気に維持しながらこの真空処理室へ
被処理物を出入させるに適し、略述すれば、被処
理物を装置外から真空処理室へ搬入する場合に
は、気密ゲートを閉じた状態で装置外から予備室
の中へ被処理物が搬入され、次いで外気と予備室
の間を気密遮断したのちに上述したようにして予
備室が排気され、その後に被処理物が予備室から
真空処理室へ搬入される。被処理物の搬出の際に
は、予備室が排気されたのちに上述したようにし
て被処理物が真空処理装置から予備室へ搬出さ
れ、気密ゲートを閉じ予備室と外気の間の気密遮
断を開放したのちに被処理物が予備室から装置外
へ搬出される。
体の真空雰囲気に維持しながらこの真空処理室へ
被処理物を出入させるに適し、略述すれば、被処
理物を装置外から真空処理室へ搬入する場合に
は、気密ゲートを閉じた状態で装置外から予備室
の中へ被処理物が搬入され、次いで外気と予備室
の間を気密遮断したのちに上述したようにして予
備室が排気され、その後に被処理物が予備室から
真空処理室へ搬入される。被処理物の搬出の際に
は、予備室が排気されたのちに上述したようにし
て被処理物が真空処理装置から予備室へ搬出さ
れ、気密ゲートを閉じ予備室と外気の間の気密遮
断を開放したのちに被処理物が予備室から装置外
へ搬出される。
このような搬入搬出の際には予備室が排気され
たのちに真空処理室の排気を再開始するため主排
気弁が開かれるが、従来の真空処理装置はこの主
排気弁の開き作動に欠点が存した。この点につい
て述べると、従来は主排気弁の開き作動が単なる
勘で行なわれていたために、主排気弁の真空処理
室側の絶対圧力がこれの排気系側の絶対圧力より
低い状態で主排気弁が開かれてしまうおそれがあ
る。このような場合には排気系によつて予備室か
ら排気系の方へ排出される予備室の残留ガスが真
空処理室側と排気系側の圧力差によつて真空処理
室へ逆流し、これによつて真空処理室の雰囲気が
汚染される。
たのちに真空処理室の排気を再開始するため主排
気弁が開かれるが、従来の真空処理装置はこの主
排気弁の開き作動に欠点が存した。この点につい
て述べると、従来は主排気弁の開き作動が単なる
勘で行なわれていたために、主排気弁の真空処理
室側の絶対圧力がこれの排気系側の絶対圧力より
低い状態で主排気弁が開かれてしまうおそれがあ
る。このような場合には排気系によつて予備室か
ら排気系の方へ排出される予備室の残留ガスが真
空処理室側と排気系側の圧力差によつて真空処理
室へ逆流し、これによつて真空処理室の雰囲気が
汚染される。
このような汚染は特に、スパツタリング、活性
化反応蒸着、ドライプレーテイングなどのような
アルゴンのような希ガスまたは反応ガスを雰囲気
に使用する成膜処理において、形成される膜の性
質に有害な影響を与える。例えばアルミニウムま
たはアルミニウム合金のスパツタリングの際に膜
の鏡面反射率の著しい低下が生じる。
化反応蒸着、ドライプレーテイングなどのような
アルゴンのような希ガスまたは反応ガスを雰囲気
に使用する成膜処理において、形成される膜の性
質に有害な影響を与える。例えばアルミニウムま
たはアルミニウム合金のスパツタリングの際に膜
の鏡面反射率の著しい低下が生じる。
よつてこの発明は上述した従来の欠点を除去す
ることを目的とする。この目的の達成のためこの
発明による装置は、主排気弁の真空処理室側およ
び排気系側の絶対圧力をそれぞれ検出する第1真
空計および第2真空計、並びに予備室の排気後に
第2真空計で検出される絶対圧力が第1真空計で
検出される絶対圧力より低くなつたときに主排気
弁を開く制御装置を有することを特徴とする。
ることを目的とする。この目的の達成のためこの
発明による装置は、主排気弁の真空処理室側およ
び排気系側の絶対圧力をそれぞれ検出する第1真
空計および第2真空計、並びに予備室の排気後に
第2真空計で検出される絶対圧力が第1真空計で
検出される絶対圧力より低くなつたときに主排気
弁を開く制御装置を有することを特徴とする。
この特徴によれば真空処理室側の絶対圧力が排
気系側の絶体圧力より低い状態で主排気弁が開か
れることはないから、予備室の残留ガスが真空処
理室へ逆流してこれの雰囲気を汚染するおそれは
ない。
気系側の絶体圧力より低い状態で主排気弁が開か
れることはないから、予備室の残留ガスが真空処
理室へ逆流してこれの雰囲気を汚染するおそれは
ない。
以下、図面を参照しながらこの発明の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
図面において、真空処理室1を気密包囲する真
空槽2と予備室3を気密包囲する予備槽4とは隔
壁5を共有し、この隔壁5を介して真空処理室1
と予備室3は隣接する。隔壁5に設けられる気密
ゲート6は開いたときに被処理物7を通過させる
ことができる開口(図示なし)を形成し閉じたと
きに真空処理室1と予備室3を気密遮断するよう
に構成される。隔壁5に対向する予備槽4の部分
には第2気密ゲート8が設けられ、これは開いた
ときに被処理物7を通過させることができる開口
(図示なし)を形成し閉じたときに予備室3と外
気を気密遮断するように構成される。真空処理室
1の中には被処理物7に処理を加えるために使用
される部材例えばスパツタリング用ターゲツト
(図示なし)が配置され、真空処理室1は通常流
量調節弁9を介して気体源10に連結される。
空槽2と予備室3を気密包囲する予備槽4とは隔
壁5を共有し、この隔壁5を介して真空処理室1
と予備室3は隣接する。隔壁5に設けられる気密
ゲート6は開いたときに被処理物7を通過させる
ことができる開口(図示なし)を形成し閉じたと
きに真空処理室1と予備室3を気密遮断するよう
に構成される。隔壁5に対向する予備槽4の部分
には第2気密ゲート8が設けられ、これは開いた
ときに被処理物7を通過させることができる開口
(図示なし)を形成し閉じたときに予備室3と外
気を気密遮断するように構成される。真空処理室
1の中には被処理物7に処理を加えるために使用
される部材例えばスパツタリング用ターゲツト
(図示なし)が配置され、真空処理室1は通常流
量調節弁9を介して気体源10に連結される。
符号11によつて示される排気系は、主配管1
2の中の通路によつて真空処理室1に連通しかつ
主配管12から分岐する副配管13の中の通路に
よつて予備室3に連通する。主配管12はこれの
中の通路を遮断するための主排気弁14を有し、
副配管13はこれの中の通路を遮断するための副
排気弁15を有する。
2の中の通路によつて真空処理室1に連通しかつ
主配管12から分岐する副配管13の中の通路に
よつて予備室3に連通する。主配管12はこれの
中の通路を遮断するための主排気弁14を有し、
副配管13はこれの中の通路を遮断するための副
排気弁15を有する。
主排気弁14の真空処理室側例えば主排気弁1
4と真空処理室1の間の主配管12の途中には第
1真空計の測定子16が配置され、主排気弁14
の排気系側例えば排気系11のポンプ室には第2
真空計の測定子17が配置される。第1真空計と
第2真空計は通常同じ仕様のものであつて、例え
ば10-3から10-7トールの絶対圧力を検出すなわち
測定できて絶対圧力に対応して変化する電流信号
が測定子16,17から発せられるような電離真
空計からなる。
4と真空処理室1の間の主配管12の途中には第
1真空計の測定子16が配置され、主排気弁14
の排気系側例えば排気系11のポンプ室には第2
真空計の測定子17が配置される。第1真空計と
第2真空計は通常同じ仕様のものであつて、例え
ば10-3から10-7トールの絶対圧力を検出すなわち
測定できて絶対圧力に対応して変化する電流信号
が測定子16,17から発せられるような電離真
空計からなる。
符号18で示され両真空計のコントロール部を
包含する制御装置は、例えば、第1真空計測定子
16および第2真空計測定子17から電路19お
よび20をそれぞれ介して受取つた電流値の差を
ブリツジ回路で検出し、これを増幅器で増幅し、
前記差の正負に応じて第2真空計で検出される絶
対圧力が第1真空計で検出される絶対圧力より低
くなつたときに継電器を作動させ、この継電器が
作動されたときに電路21を介して主排気弁14
に電流を流すように構成される。主排気弁14は
手動以外に電磁的または電動的にも作動できるよ
うに構成され、その際には電路21に電流が流れ
たときに閉から開になるように駆動される。この
ようにして制御装置18は第2真空計17で検出
される絶対圧力が第1真空計16で検出される絶
対圧力より低くなつたときに(勿論、これら真空
計の作動範囲内で)主排気弁14を開くように働
く。
包含する制御装置は、例えば、第1真空計測定子
16および第2真空計測定子17から電路19お
よび20をそれぞれ介して受取つた電流値の差を
ブリツジ回路で検出し、これを増幅器で増幅し、
前記差の正負に応じて第2真空計で検出される絶
対圧力が第1真空計で検出される絶対圧力より低
くなつたときに継電器を作動させ、この継電器が
作動されたときに電路21を介して主排気弁14
に電流を流すように構成される。主排気弁14は
手動以外に電磁的または電動的にも作動できるよ
うに構成され、その際には電路21に電流が流れ
たときに閉から開になるように駆動される。この
ようにして制御装置18は第2真空計17で検出
される絶対圧力が第1真空計16で検出される絶
対圧力より低くなつたときに(勿論、これら真空
計の作動範囲内で)主排気弁14を開くように働
く。
上述した真空処理装置において被処理物7を真
空処理室1の中へ搬入する際には、最初に第2気
密ゲート8が開かれ(この際に気密ゲート6およ
び副排気弁15は閉じている)、これを通して被
処理物7が装置外から予備室3に搬入される。次
いで第2気密ゲート8および主排気弁14が閉じ
られて(この時点以前には真空処理室1の排気の
ために主排気弁14は開かれている)副排気弁1
5が開かれ、これによつて予備室3は真空に排気
される。この際に真空計および制御装置16,1
7,18は作動状態に置かれる。予備室3の排気
後に主排気弁の排気系側の絶対圧力がこれの真空
処理室側の絶対圧力より低くなると制御装置18
の作用によつて主排気弁14が開き、残留ガスの
逆流なしに真空処理室1の排気か再開始される。
気密ゲート6は予備室3の排気後に開かれ、これ
を通して被処理物7は真空処理室1の雰囲気を実
質上損うことなしに真空処理室1に搬入される。
その後に気密ゲート6および副排気弁15が閉じ
らられる。
空処理室1の中へ搬入する際には、最初に第2気
密ゲート8が開かれ(この際に気密ゲート6およ
び副排気弁15は閉じている)、これを通して被
処理物7が装置外から予備室3に搬入される。次
いで第2気密ゲート8および主排気弁14が閉じ
られて(この時点以前には真空処理室1の排気の
ために主排気弁14は開かれている)副排気弁1
5が開かれ、これによつて予備室3は真空に排気
される。この際に真空計および制御装置16,1
7,18は作動状態に置かれる。予備室3の排気
後に主排気弁の排気系側の絶対圧力がこれの真空
処理室側の絶対圧力より低くなると制御装置18
の作用によつて主排気弁14が開き、残留ガスの
逆流なしに真空処理室1の排気か再開始される。
気密ゲート6は予備室3の排気後に開かれ、これ
を通して被処理物7は真空処理室1の雰囲気を実
質上損うことなしに真空処理室1に搬入される。
その後に気密ゲート6および副排気弁15が閉じ
らられる。
被処理物7の搬出の際には、予備室3が排気さ
れたのちに気密ゲート6が開かれて被処理物7が
真空処理室1から予備室3へ搬出され、気密ゲー
ト6および副排気弁15が閉じられたのちに第2
気密ゲート8が開かれて被処理物7が予備室3か
ら装置外へ搬出される。この際にも主排気弁14
の開き作動は制御装置18によつて達成される。
れたのちに気密ゲート6が開かれて被処理物7が
真空処理室1から予備室3へ搬出され、気密ゲー
ト6および副排気弁15が閉じられたのちに第2
気密ゲート8が開かれて被処理物7が予備室3か
ら装置外へ搬出される。この際にも主排気弁14
の開き作動は制御装置18によつて達成される。
この発明は上述した実施例は種種に変型でき
る。例えば制御装置18は電気的に作動する代り
に電気流体的に作動するように構成されてもよ
く、真空処理室に多くの予備室が隣接配置されて
もよく、また多くの予備室を直列配置で順次隣接
するように配備することも可能である。
る。例えば制御装置18は電気的に作動する代り
に電気流体的に作動するように構成されてもよ
く、真空処理室に多くの予備室が隣接配置されて
もよく、また多くの予備室を直列配置で順次隣接
するように配備することも可能である。
図面はこの発明による真空処理装置の1実施例
の図解図である。 図面において、1は真空処理室、3は予備室、
7は被処理物、11は排気系、14は主排気弁、
15は副排気弁、16は第1真空計の測定子、1
7は第2真空計の測定子、18は制御装置を示
す。
の図解図である。 図面において、1は真空処理室、3は予備室、
7は被処理物、11は排気系、14は主排気弁、
15は副排気弁、16は第1真空計の測定子、1
7は第2真空計の測定子、18は制御装置を示
す。
Claims (1)
- 1 真空処理室、真空処理室に気密ゲートを介し
て連結される予備室、および真空処理室に主排気
弁を介して連結されかつ予備室に副排気弁を介し
て連結される排気系を有し、それで気密ゲートを
閉じた状態で主排気弁を閉じ副排気弁を開くこと
によつて予備室が排気でき、予備室が排気された
のちに気密ゲートを開くことによつて真空処理室
と予備室の間で真空処理室の雰囲気を実質上変化
させることなしに被処理物の出入が達成でき、ま
た予備室が排気されたのちに主排気弁を開くこと
によつて真空処理室の排気が再開始できる真空処
理装置において、主排気弁の真空処理室側および
排気系側の絶対圧力をそれぞれ検出する第1真空
計および第2真空計、並びに予備室の排気後に第
2真空計で検出される絶対圧力が第1真空計で検
出される絶体圧力より低くなつたときに主排気弁
を開く制御装置を有することを特徴とする排気弁
制御装置を有する真空処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11647880A JPS5742329A (en) | 1980-08-26 | 1980-08-26 | Vacuum treatment device with exhaust valve controller |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11647880A JPS5742329A (en) | 1980-08-26 | 1980-08-26 | Vacuum treatment device with exhaust valve controller |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5742329A JPS5742329A (en) | 1982-03-09 |
JPS6119294B2 true JPS6119294B2 (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=14688093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11647880A Granted JPS5742329A (en) | 1980-08-26 | 1980-08-26 | Vacuum treatment device with exhaust valve controller |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5742329A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102974588B (zh) * | 2012-09-27 | 2015-11-18 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种工艺腔室排风系统及排风方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS517531A (ja) * | 1974-07-08 | 1976-01-21 | Murata Manufacturing Co | Atsuryokusaoryoshita jidokaiheisochi |
-
1980
- 1980-08-26 JP JP11647880A patent/JPS5742329A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS517531A (ja) * | 1974-07-08 | 1976-01-21 | Murata Manufacturing Co | Atsuryokusaoryoshita jidokaiheisochi |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5742329A (en) | 1982-03-09 |
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