JPS6118851A - 磁気読取り／書込み装置 - Google Patents

磁気読取り／書込み装置

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JPS6118851A
JPS6118851A JP60101694A JP10169485A JPS6118851A JP S6118851 A JPS6118851 A JP S6118851A JP 60101694 A JP60101694 A JP 60101694A JP 10169485 A JP10169485 A JP 10169485A JP S6118851 A JPS6118851 A JP S6118851A
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capacitive
head
thin film
circuit
coupled
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ロバート・アラン・スクラントン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ　産業上の利用分野 本発明は、シリコンの微小機械構造で使用する場合と、
オーディオ、ディジタルおよびビデオディスク、テープ
等において容量性データの検出に使用する場合に、位置
検出、非破壊検査、機械的振動の監視に特に有用な微小
容量変化を検知する装置に係る。
Ｂ６”開示の概要 容量性変量センサは薄膜コイルの形状で誘導性リアクタ
ンスを生じる少なくとも１つの要素を含む。これは容量
性変量センサを薄膜磁気読取／書込ヘッドとともに基板
上に集積することを可能にする。容量性変量センサの１
つはセンス電極である。本発明の実施例によっては、薄
膜磁気読取／書込ヘッドの磁極端をセンス電極として使
用することにより、専用のセンス電極を除去することが
できるものがある。
Ｃ０従来の技術 微小な容量性変量を検出する能力は、例えば米国特許第
５７８５１９６号、同第４０８０６２５号、同第４１５
２６４１号では、ビデオディスクおよびビデオ再生装置
における微小な容量性変量検知器に使用することが開示
されているが、容量検知は、例えばトムソン他、”フロ
ッピーディスクの打出しサーボ手法（′ＸＥｍｂｏｓｓ
ｅｄ　　５ｅｒｖ。
Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ　　ｆｏｒ　　Ｆｌｏｐｐｙ　　
Ｄｉｓ、ｋｓ　“　ｂｙＴｈｏｍｐｓｏｎ　　ｅｔ　　
ａｌ）、　Ｉ　ＥＲＥコン７アレンく議事録（ロンドン
）、第４６号、ろ２１頁以下（１９７９年）のレポート
に記載されているように、ビデオディスク以外にも応用
することができる。前記レポートでは、フロッピーディ
スクシステムのサーボ機構に追尾するトラックに打出さ
れたパターンの容量を検知できる可能性についての評価
が報告されている。
例えば、ビデオディスクおよび（または）磁気フロッピ
ーディスクで使用する（放射状または円周上の）位置信
号を得るＳつの方式として：（１）容量に対比する情報
を回転部材に置く方法、（２）パターンまたはコードを
刻印して位置情報を、対比する機構に入れる方法、 （！５）パターンまたはコードを用いて実際の位置信号
を得る方法 がある◇最初の２つの方法に関しては多くの手法が示唆
されている。項目（１）については米国特許出願第４９
４７４３号（１９８３年５月１６日出願）、項目（２）
については、ワークマン、１磁気デイスク記録の光学サ
ーボ機構“、（’　　Ａｎ　　０ｐｔｉｃａｌＳｅｒｖ
ｏ　　Ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ　　ｆｏｒ　Ｍａｇｎｅ
ｔｉｃＤｉｓｋ　Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ　ｂｙ　Ｗｏｒｋ
ｍａｎ）Ｉ　ＢＭＴＤＢ第２５巻第５号、１２００頁以
下（１９８０年８月）に記載されている。
Ｄ９発明が解決しようとする問題点 本発明は項目（５）の要求の、例えば、容量性変量に基
づいて有効な位置信号を得る装置に係る。従来の技術の
容量検知回路は誘導子を用いている。
前記米国特許第４０８’０６２５号、同第４１５２６４
１号では、無線周波数の搬送波および共振ストリップラ
インまたはマイクロ波共振空洞（キャビティ）を利用す
る極めて高感度の容量検知機構を開示している。容量変
化により前記搬送波の出力に振幅変調が生じるので、そ
れを検出することにより該容量変化を測定することがで
きる。例えば、ＲＣＡビデオディスクプレーヤは、９１
５ＭＨｚのストップラインを用いて１Ｏ−１６Ｆの容量
変イビを検出する。これは、磁気記録の応用分野で検出
しなければならない大きさの信号と同じオーダである。
しかしながら、従来の技術を用いたこれらの手法の特に
不利な点は、ストリップラインおよび（まだは）マイク
ロ波共振空洞が１０ｃｍ程度と極めて長いことである。
例えば、前記米国特許第４０８０６２５号では、伝送線
は印刷回路の導体として形成され、その長さは、適切な
周波数で、関連する容量とほぼ共振するのに十分なもの
でなければならない。前記米国特許第５７８３１９６号
も、誘導子を使用するという点で前述の特許に似ている
が、該特定の誘導子の実現については提案されていない
・前記米国特許第４１５２６４１号は、第２Ａ図に示す
ように、印刷回路形式の伝送線（素子２７）使用を提案
している。
ホワイト、１デイスク記憶装置技術′、サイエンティフ
ィックアメリカン、（’　Ｄ　１ｓｋｓ　−３ｔｏｒｅ
ｇｅＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　’　ｂｙ　Ｗｈｉｔｅ、ｉ
ｎ　　ＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＡｍｅｒｉｃａｎ）、１９
８０年８月、１１５８頁以下の論文には、代表的な磁気
読取／書込記４憶システムが記載されている。このよう
なシステムの１つにおける薄膜ヘッドの使用が１４２〜
１４３頁に図示され、その説明がＴ’ＢＭモデルろろ７
０デイスク記憶装置に関連して１４５頁に記載されてい
る。
これについては更に、ゝＩＢＭディスク記憶装置技術“
（’ＩＢＭ　Ｄｉｓｋ　　Ｓｔｏｒａｇｅ　　Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ’）１９８０年、ＩＢＭ刊行物に記載され
ている。前記トムソン外のレポートで提案しているよう
に、容量検知方式はトラック追跡システムで利用するこ
とができるが、利用するのがビデオディスク技術捷たは
磁気読取／書込システム技術のどちらであっても、重大
な不利点は、誘導子、印刷回路伝送線または共振空洞の
」法が大きいことである。
従って、本発明の目的は、容量センサにおいて、極めて
小型の誘導性素子を提供することである。
誘導性素子の大きさを縮小するだけでもビデオディスク
技術の利点は明白であるが、それ以外に、磁気読取／書
込システムではかなりの利点が生じる。前述の薄膜ヘッ
ドは、基板上に平版印刷で作成されたパターンとして実
現される。本発明のも５１つの目的は、容量センサで、
平版印刷で作成された伝導性パターンの形状の中に誘導
性の素子を設けることにより、薄膜ヘッドおよび容量セ
ンサの誘導性素子はどちらも、共通の手法により共通の
基板」二に平版印刷で作成することができ、ヘッドおよ
び関連回路をモソリシックにすることができる。
Ｅ１問題点を解決するだめの手段 このように、本発明は、容量性変量を検知するために設
けられたセンス電極を含む容量センサを提供する。この
センイ電極には、容量性変量に従って変調された出力信
号を生成する回路手段が結合される。この回路手段は、
薄膜技術を用いて生成される誘導性リアクアンスを表わ
す少なくとも１つの受動的な素子を含む。
容量性変量センサは、センス電極および誘導性リアクタ
ンスを与える素子に加えて、容量センサに発振器を結合
する入力素子、ならびに振幅変調出力信号を結合する出
力素子を含む。画素子は薄膜技術を用いて実現された追
加の誘導子を含む。
更に本発明に従って、磁気読取／書込ヘッドをサポート
する磁気スライダテセンブリを含む磁気読取／書込シス
テムに示すように、容量性変量センサは磁気スライダア
センブリに取付けられ、誘導性リアクタンスを表わす少
なくとも１つの素子を含み、少なくともこの１つの素子
が薄膜技術により実現される。容量性変量センサは、誘
導性リアクタンスを与える薄膜伝導性パターンもサポー
トする基板上に形成されるセンス電極を含む。磁気読取
／書込システムでは、磁気スライダアセンブリは、誘導
性リアクタンスを与える素子の外に、更に誘導リアクタ
ンスを与える別の素子を含み、発振器を容量性変量ギン
サに結合するとともに、振幅変調出力信号を他の回路に
結合する。これらの画素子は共通の基板にサポートされ
た追加の薄膜伝導性パターンである。
更に本発明に従って、薄膜磁気読取／書込ヘッドをサポ
ートする磁気スライダアセンブリを含む磁気読取／書込
システムに示すように、容量性変量センサは磁気スライ
ダアセンブリに取付けられ、誘導性リアクタンスを表わ
す少なくとも１つの素子を含む・前記少なくとも１つの
素子は薄膜技術によシ実現するこ吉ができる。従って、
薄膜磁気読取／書込ヘッドの磁極端は容量性変量センス
電極として使用される。これは、薄膜伝導性パターンを
、磁気読取／書込ヘッドの磁極端から、同様に基板にサ
ポートされているポンディングパッドにわたって設ける
ことにより実現される。従って、薄膜磁気読取／書込ヘ
ッドの磁極端をセンス電極そのものとして使用すること
により、専用のセンス電極の必要性が取除かれているこ
とが、当業者には明白であろう。
Ｆ　実施例（第１Ａ図〜第７図） 第２Ａ図は適切な容量性変量センサ（センサ１５）に等
価なひと塊りの回路、第２Ｂ図はその周波数特性および
波形の一部分を示す。第２Ａ図では、回路２５はセンス
電極を含み、ｌＩＣとして示されている可変容量（検知
すべき情報）を検知する。関連する浮遊容量はＣで示さ
れ、誘導子（素子２６）が並列接続されている。素子２
６は誘導子（素子２７）を介して発振器２０に結合され
る。
出力素子はピーク検出器に結合されている誘導子（素子
２８）を含む。第２Ｂ図では、回路の応答が周波数の関
数として示される。ｖ＋ｏは発振器２０の共振凋波数で
あるハ。Ｈ−ｕ、容量性変量△ＣがＯの場合の回路２５
の共振周波数である。容量性変量がある場合、例えば、
ｔｔＣが非Ｑのとき回路２５の共振周波数は第２Ｂ図の
点線のカーブで示すように変化する。従って、搬送波は
振幅変調されて素子２８に誘導される。ピーク検出器の
出力波形は第２Ｂ図に示すようになる。このように、容
量性変量は振幅変調に変換される。第２Ａ図のひと塊り
の素子はＲＣＡビデオディスクのスｒリップラインの回
路と等価である（前記米国特許第３７８３１９６号、同
第４０８０６２５号、同第４１５２６４１号ならびに引
用したＲＣＡレビューの論文参照）。
第３Ａ図および第３Ｂ図は磁気読取／＠込システムで用
いる代表的なスライダアセンブリを示す。
第３Ａ図で、スライダ５０は上下反対に図示されている
、すなわち、スライダ’５０の面３１は磁気記録面に向
かい合って使用される。スライダ２１０は記録面に対し
て図示のように入方向に移動し、トラックを変更する場
合には、Ａ方向と直角にＲ方向に移動することができる
。スライダ３Ｇの後面、すなわち面３２Ｂには、薄膜技
術により形成された少なくとも１つの磁気読取／書込ヘ
ッド（ヘッドろ５）がある。ヘッド３５°は磁心とコイ
ルから成り、コイルは、実際には薄膜技術を用いて平版
印刷で形成された伝導性のパターンとして実現される。
コイルの端はポンディングパッド（パッド３６．３７）
で終端され、外部回路に接続される。第’５Ａ図に示す
スライダろ０は更にヘッド４０とそのポンディングパッ
ド（パッド４６．４７）を含む。厳密に定義すれば、薄
膜素子は数百〜数千オングストロームのオーダの厚を有
し、基板に真空蒸着されるが、本発明では、薄膜素子の
それぞれの層は約５ミクロン以下の厚さを有することが
あシ、電気めっきのような、他の被覆方法が含まれる。
第３　Ｂ図は１つのヘッドろ５および関連する薄膜コイ
ル（素子ろ８）の詳細を示す。ヘッド５５０幅はデータ
トラック４１の幅を規定する。ヘッドキャンプは参照番
号４２で示されている。
本発明に従って、薄膜に実現された容量性変量センサは
スライダ３０の面５２Ａにも形成される。
第１Ａ図は容量性変量センサおよびそのヘッド３５との
関係を詳細に示す。
第１Ａ図はスライダ３０の面５２Ａの平面図である。第
１Ａ図において、ヘッドろ５は平版印刷で形成された伝
導性のパターン（素子３８）を含む・素子ろ８はコイル
を形成し、パッド３６および３７を介して外部回路に接
続される。ちなみに、薄膜ヘッドとその関連素子は従来
技術のものと同じ形状をとることがある。面５５はスラ
イダ５０の空気ベアリングの面を形成する。面５２Ａに
サポートされているのは、伝導性のパターン（素子２４
Ａ）を介して誘導性リアクタンスを与える素子２６に伝
導結合されている電極２４を含む容量性変量センサであ
る。第１Ａ図に示すように、素子２６は標線コイルの形
状を′有し、その一端は電極２４に、他端は信号接地パ
ッド（バット２ろ）に接続されている。素子２６に誘導
結合されているのは、パッド２７Ａおよび２７Ｂに結合
された伝導性の素子２７であるｏ−１だ、伝導性の素子
２８は素子２６に誘導結合され、パッド２８Ａおよび２
８Ｂを終端する。容量性変量センサのひと塊まりの等価
回路は第１Ｂ図に示されている。容量性変量△Ｃは直列
接続された容量Ｃ１およびＣ２に並列に結合されている
。Ｃ１の両端にはコイルが結合されている。Ｃ１は巻線
間容量と接地浮遊容量の和である。Ｃ２はパッド２５と
アースの間の容量で、基板５２に対する容量を含む。素
７２６はこれらのひと塊まりの等価容量に並列に結合で
れている。パッド２７Ａおよび２７Ｂで終端される素子
２７は素子２６と相互に誘導結合される・パッド２８Ａ
および２８Ｂで終端する素子２８も素子２６と相互に誘
導結合される。第２Ａ図では、発振器２０は素子２７に
結合され、振幅を検知する回路２５は素子２８に結合さ
れるはずである。
従って、第１Ａ図の平版印刷のパターンを用いて第２Ａ
図まだは第１Ｂ図の等価回路を実現することができる。
本発明による重要な利点は、誘導性の素子２６．２７．
２８はそれぞれ、既存のヘッド３５および関連する素子
５８を形成している同じ基板３゛２に形成することがで
きる。素子２６〜２８はヘッド３５の場合と同じ薄膜技
術を用いて形成されるので、ヘッドろ５と素子２６〜２
Ｂはモノリシックである。
当業者には、素子ろ８および２６の異なった伝導性部分
が他の導体を横切るから、絶縁体（図示せず）により分
離された異なった伝導層が必要であるととを十分に理解
されるであろう。
第１Ａ図に示すスライダは、而５２Ａが絶縁体でカバー
される伝導性のスライダの場合がある、。
代りに、絶縁スライダも使用することができる。
第１Ａ図に示す回路を吊り線の口金で近接する電子モジ
ュールに接続し、捷たはスライダに接合されたシリコン
集積回路（集積回路を有するシリコンスライダ）に接続
するのを容易にするために、第１Ａ図の基板には複数の
パッドのパターンが形　′成されている。
実際に考慮すべき重要々誘導パラメータは、インダクタ
ンス、直流抵抗、うず電流積および寄生容量である・リ
ード線のない既存の薄膜ヘッドは約５ＤｎＨと５ｒＬの
直流抵抗（Ｒ）を有する、すなわち、１６ＭＨｚでＷＬ
−Ｒとなる。一定直径の標線コイル（直径が巻数に無関
係のコイル）の場合、一定の厚さと固有抵抗により、Ｌ
／Ｒ比は１次近似では巻線数と無関係である。もし、導
体の抵抗が主な損失原因であった々ら、ＩＧＨｚの場合
、コイルのＱは約６０という極めて満足な結果が得られ
る。しかしながら、パーマロイのうず電流積は、１００
　Ｍｌ（ｚ　〜Ｉ　Ｇ　Ｈｚでは、空心コイル捷たはラ
ミネートされたパーマロイが必要であることを示唆する
・ 現在の薄膜ヘッドと同じ大きさの（パーマロイなしの）
空心コイルのインダクタンスの概、算値は約１０ｎＨで
ある。直径を大きくすると２５ｎＨを得ることができる
が、銅の厚さを（現在の２ミクロンから）６ミク１７ン
にすると、ラミネートされたパーマロイを使用せずに、
ＩＧＨｚでコイルのＱは約２０になる。コイルと伝導性
の基板の間の寄生容量は僅かに増加して共振周波数をＩ
ＧＨｙ。
にする必要がある。
ヘッド３５を形成するのに用いた同じ薄膜技術を用いて
誘導性の素子２６〜２８を形成することにより、容量性
変量センサ全体をモノリシックにする、例えば、単一の
基板でサポートし、実際に同時に形成することができる
。更に、誘導性素子の大きさを極めて小さくすることに
よる利点が得られる。従来技術による容量性変量センサ
は長さがセン千メートル単位で測定される印刷回路の誘
導性素子を使用するが、本発明に従って形成される実際
の誘導性素子に用いる標線の直径はミリ、ツートルの単
位で測定することができる。本発明の良好な実施例では
、誘導性素子の直径は０．’５ｍｍにすることができる
。当業者には、［］、５ｍｒｎの寸法の素子を使用する
ことは、センチメートル単位の寸法の素子と比較して有
利であることが容易に理解されるであろう。
第１Ａ図および第１Ｂ図は素子２６を含む発振回路およ
び素子２７を含む検知回路が誘導結合されていることを
示すが、誘導結合の代シに容量結合を使用できることも
明らかである。第４Ａ図および第４Ｂ図は、これらの図
面に示すセンサの場合に、そ牡ぞれの回路の素子が誘導
性の素子２６に容量結合される点を除き、第１Ａ図の場
合に類似の容量性変量センサを示す。図示のように、入
力ボンディングパッド（パッド６０Ａおよび６０Ｂ）は
素子２６に容量結合され、同様に出力ボンディングバン
ド（パッド６１Ａおよび６１Ｂ）も素子２６に容量結合
される。第４Ｂ図は第４Ａ図の主要な部分の断面図で、
誘導性の素子２６の容量結合を示す。第４Ｂ図に示すよ
うに、基板ろ２の上に誘電体重たはスペーサの層ｚ２が
置かれる。層６２は基板３２が伝導性の場合は不可欠で
あるが、基板６２が絶縁体の場合は省略することができ
る。
層６２の上に容量結合する電極が置かれる。これは、実
際には誘導性の素子２６の伝導性パターンの部分を含む
。
“更に、素子２６の上に誘電体の層６５が置かれる。層
６３の上に別の電極（パッド６ＯＡ、６０Ｂ、６１Ａま
たは６１Ｂ）が置かれる。素子２６を流れる電流は入力
または出力のパッド６０’Ａ、６０Ｂ、６１Ａ寸たは６
１Ｂに容量結合される。
第４Ａ図および第４Ｂ図は入出力はどちらも容量結合さ
れることを示すが、第１Ａ図は入出力が誘導結合される
ことを示す。当業者には、容量結合お、よび誘導結合は
同時に使用できる。例えば、誘導結合を入力または出力
に使用し、容量結合を出力まだは入力に使用できること
が分っている。
容量性入力と誘導性出力の組合せ、捷たは誘導性入力と
容量性出力の組合せは、入出力間の寄生結合を減少する
という利点を有する。更に、第１Ａ図の場合のように、
第４Ａ図に示すそれぞれの素子は薄膜技術により実現す
ることができるので、容量性変量センサ全体をモノリシ
ックにする、例えは基板３２上に同時に形成・しサポー
トすることができる。
本発明は設計者に対し、より自由に設計し、可変誘導リ
アクタンスを実現する能力を与える。例えば、（コイル
（素子２６）、キャパシタＣ１、Ｃ２およびセンス容量
ＡＣからなる回路のような並列Ｌ　Ｃ回路の共振周波数
はサーボ機構により誘導リアクタンスを電子的に変化さ
せて、部分ごとの変化ならびにゆつくシ変化する寄生容
量を補正することができる。これは同一のまだは隣接す
る巻線に直流電流を流す方法で、磁束を通すパーマロイ
層の透磁率を変えることにより実現される。
換言すれば、制御可能な直醜電源を用いてコイル（素子
２６）またけ隣接の誘導結合されたコイルに電流を供給
する。
第５図は誘導子（素子２６）の代りに使用できる電子的
に可変の誘導子７５を示す・第５図で、入出力パッドと
の誘導結合および（または）容量結合は示されていない
が、当業者はこれらの素子を誘導子７５に結合させる方
法を推測できるであろう・誘導子７５は主要な標線７０
、制御ループ７１および磁心７２および７３（図示せず
）を含む。磁心７２が最初に蒸着され、以下、絶縁層（
図示せず）、標線７Ｇを形成するのに用いる伝導パター
ン、制御ループ７１の順に蒸着される。更に絶縁層（図
示せず）が蒸着され、最後に透磁性の層（磁心７３）が
蒸着され、パターン化される・動作上、標線７０は前述
のように共振回路の一部分である。そのインダクタンス
は、空心の誘導子から、磁心７２および７３から供給さ
れる鎖交磁束の存在により増加する。しかしながら、単
一巻線の制御ループを通る電流は狭い領域７４の透磁性
材料を飽和させるので、磁心から共給されるパーミアン
スを減少させ、標線７０のインダクタンスを減少させる
。このように、回路２６を可変容量チップをフライズに
取付けずに所望の共振周波数に同調させることができる
。
当業者は、狭い領域７４の使用は誘導子７５の電導制御
には必要ではないことを認識している。
制御ループ７１の電流を増加して、電流があるレベルに
なると、磁層（磁心７２および７３）の飽和が磁束密度
最大の領域から始捷る。これらの層は、パーマロイおよ
びラミネートされたパーマロイを含む磁気読取ヘッド（
ヘッド３５）を形成するのに用いるのと同じ磁層から形
成されることが望せしい。
第１Ａ図および第４Ａ図は別々のセンス電極（電極２４
）を使用する容量性変量センサを示すが、これは本発明
に絶対必要というものではない。む。
しろ、薄膜磁気読取／書込ヘッド（ヘッド３５）をセン
ス電極として使用することができる１・すなわち、単数
またけ複数の磁極端をセンス電極の代りに使用すること
ができる。第６図は、第３Ａ″図に示すヘッドに類似の
磁気読取／書込ヘッドを示すが、第６図では、第３Ａ図
に示すものの外に、更にボンディングパット（パッド５
５１）および薄膜伝導性パターン（素子ジ５２）が、パ
ッド５５１と磁気読取／書込ヘッド（ヘッド３５）の間
に結合される。素子５５２はヘッド３５゛の単数まだは
複数の磁極端５５５に伝導結合される。第６図の実施例
では、磁気ヘッド（ヘッド５５）は、パッド５６および
３７を介して該ヘッドを駆動し、パッド３５１を介して
容量性変量を感知する他の回路（図示せず）に結合され
る。
第６図は、ヘッドのコイルを形成し、パッド３６．３フ
の間に結合される第１の伝導性パターン、およびパッド
３５１を磁極端３５ろに結合する第２の伝導性パターン
（素子５５２）を示す・第６図で、これらの２つの異な
ったパターンは互いに交差している。もちろん、これら
の２つの異なったパターンの完全性を維持するのに絶縁
層が必要である。この絶縁層は第６図には図示されてい
ないけれども、その存在については当業者は理解してい
るであろう。
第１Ａ図に似た代替の実施例を第７図に示す。
第７図は、゛容量性のセンス電極が除去されている以外
は、第１Ａ図に同じである◇もつと正確にＬえげ（第１
Ａ図では電極２４に結合されていた）素子２４Ａが、第
７図では、ヘッド５５の磁極端に結合される。この伝導
結合は第６図の結合と同じである場合がある。
このように、第６図１たけ第７図に従って、磁気読取／
書込ヘッド（へ２ツド３５）の磁極端はセンス電極（電
極２４）の代りに使用して容量性変量を検知することが
できる・この機能を実行する回路は（第６図で示唆され
ているように）別個にザボートするか、あるいは第７図
に示すようにヘッドとともにモノリシックにする２とが
できる。
Ｇ１発明の効果 本発明により、はぼ平版印刷で形成される容量性変量セ
ンサを提供することができるほか、該センサのリード線
容量に対する感度を低下させることができる。センス電
極がストリップラインまたは空洞のどちらかの電子回路
に接続するボンデインクハツトに直接に結合された場合
、ポンディングパッドの寄生容量、ならびにボンディン
グ線またはリード線による付加容量（それ自体が機械的
振動により時間とともに変化することがある）は、容量
センサの感度を低下させ、その出力信号を振幅変調する
。これに対し、第１Ａ図では、前述の影響は同調回路Ｑ
によりほぼ補正きれ、ＬＣ回路は小信号容量を外部回路
（この場合はＡＭ検波器）にインピーダンス整合するよ
うに作用する。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図は適切な基板とその上に本発明に従って平版印
刷で形成されたパターンの平面図、第１Ｂ図は第１Ａ図
の基板のひと塊シの素子と等価の回路を示す図、第２Ａ
図は容量性変量センサのパターンを含む回路の一例（Ｒ
ＣＡレビュー（ＲＣｌＡ　　Ｒｅｖｉｅｗ）第ろ９巻５
８頁（１９７８年）より）を示す図、第２Ｂ図は代表的
な周波数特性および波形を示す図、第３Ａ図は薄膜ヘッ
ドを含む代表的な２重レールスライダを示す図、第３Ｂ
図は薄膜ヘッドの詳細図、第４Ａ図は本発明の他の実施
例の容量結合のパターンの平面図、第４Ｂ図は代表的な
容量結合を示す断面図、第５図は薄膜素子内の可変イン
ダクタンスを示す図、第６図は容量センス電極としでヘ
ッドの磁極端の使用を示す薄膜ヘッドの詳細図、第７図
は第１Ａ図のパターンからセンス電極２４を除去し、代
りにパターン２４Ａをヘッド３５に伝導性結合したパタ
ーンの基板の平面図である。 １５・・・・センサ、２０・・・・発振器、２３・・・
・パッド、２４・・・・電極、２４Ａ・・・・素子、２
５・・・・回路、２６．２７・・・・素子、２７Ａ、２
７Ｂ・・・・パッド、２８・・・・素子、２８Ａ、２８
Ｂ・・・・パッド、３０・・・・スライダ、ろ１・・・
・面、５２・・・・基板、５２Ａ、５２Ｂ、Ｓ５・・・
・面、３５・・・・ヘッド、３６、ろ７・・・・パ２ド
、３８・・・・素子、４０・・・・ヘッド、４１・・・
・データトラック、４２・・・・ヘッドギャップ、４６
．４７・トパッド、６ＯＡ。 ６０Ｂ、　　６１Ａ、　　６１Ｂ・・・・パッド、６２
．６３・・・・層、７０・・・・輝線、７１・・・・制
御ループ、７２・・・・磁心、７３・・・・層、５５１
・・・・パッド、３５２・・・・素子、７＋５５・ψ・
伊磁極端。 第］Ａ図 第１Ｂ図 （Ｃ）　　　　検’！＝０：！ｊｕ二ｔｉ　　　２．／
′−−゛＼＼、−一一、７″−−゛＼第４Ａ図 つ 第４Ｂ図 ｉｂ 第５図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 容量性変量を検知する位置に置かれているセンス電極と
    、 誘導性リアクタンスをなす伝導性薄膜パターンを具備す
    る受動素子を少なくとも１つ有し、前記センス電極に結
    合されて前記容量性変量に従つて変調された出力信号を
    生成する回路と、 を含む容量センサ。
JP60101694A 1984-06-28 1985-05-15 磁気読取り／書込み装置 Granted JPS6118851A (ja)

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US06/625,756 US4648087A (en) 1984-06-28 1984-06-28 Capacitive sensing employing thin film inductors
US625756 1984-06-28

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JPH0414745B2 JPH0414745B2 (ja) 1992-03-13

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