JPH0344362B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界の変
化による磁性体の特性変化を利用して再生を行な
う磁気再生装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気
再生装置は従来、リング型の磁気ヘツドを用い、
これに誘起される起電力を再生出力として取出す
構成となつている。しかし、この方式は再生出力
レベルおよびそのＳ／Ｎが記録トラツク幅に大き
く依存するため、高密度記録再生に不利であり、
現状では記録トラツク幅が20μ、Ｓ／Ｎが43dB程
度が限界とされている。

そこで、発明者らは既に特願昭55−110340号に
おいて新しい原理に基づく磁気再生装置を提案し
ている。この装置は磁気記録媒体からの磁界の変
化を透磁率や高周波損失等の特性変化として検出
する磁性体を設け、この磁性体を含むインダクタ
ンス素子またはキヤパシタンス素子等のインピー
ダンス素子のインピーダンス変化を利用して再生
を行なうものである。即ち、上記インピーダンス
素子を同調素子の一部として同調回路を構成する
とともに、このインピーダンス素子に高周波発振
器からの高周波励振信号を供給する。この場合、
磁気記録媒体からの磁界によつて上記磁性体の特
性が変化し、これによつてインピーダンス素子の
インピーダンスが変化すると、おれに伴い同調回
路の共振周波数やＱ（尖鋭度）が変化するので、
同調回路よりの高周波信号出力が変化する。従つ
てこの高周波信号出力の変化を検波回路を通して
検出することにより、磁気記録媒体に記録された
信号に対応した再生出力が得られる。

この方式によれば、磁気記録媒体が形成する磁
界のわずかな変化も磁性体の特性変化として検出
され、再生出力として取出されるとともに、再生
出力エネルギーが高周波発振器から供給されるの
で、高レベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を得る
ことができ、記録トラツク幅を20μ以下にまで狭
くしても十分に再生を行なうことが可能となる。

以上のように、特願昭55−110340号等で提案し
た方式は原理的に従来の磁気再生装置に比べ高密
度記録再生に適しているが、その高密度化にはや
はり限界がある。即ち、記録密度を上げるには記
録トラツク幅を狭くするとともに、記録波長を短
くすればよいが、その場合上記の方式で再生を行
なおうとすると、記録トラツク幅に合せて磁性体
の幅を小さくし、かつ短い記録波長に合せて磁性
体の厚さも小さくする必要がある。磁性体の厚さ
を小さくする理由は、磁気記録媒体が形成する磁
界が表面近傍程強く、しかも記録波長が短い程、
つまり記録信号周波数が高い程その傾向が強いた
めで、この厚さが大きくなると磁界が磁性体の一
部にしか及ばず、磁界の変化による磁性体の特性
変化が小さくなるからである。

このように、より高密度記録再生を行なおうと
すると磁性体の寸法を極力小さくする必要があ
り、それに伴いこの磁性体を含むインピーダンス
素子の寸法も小さくしなければならない。ところ
が、このインピーダンス素子の寸法を小さくして
ゆくと、その浮遊容量の影響が無視できなくな
り、この浮遊容量のためインピーダンス素子に高
周波励振信号を安定に供給することが困難となる
とともに、同調回路のＱが低下する。この結果、
磁気記録媒体からの磁界による磁性体の特性変化
を安定に効率よく電気信号に変換することが困難
となつてくる。

〔発明の目的〕

この発明の目的は、記録トラツク幅が非常に狭
い場合でも十分レベルの大きい再生出力をＳ／Ｎ
よく得ることができる磁気再生装置を提供するこ
とである。

〔発明の概要〕

この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界を検
出する絶縁性磁性体を電極間物質として含む第１
のキヤパシタンス素子を形成するとともに、この
第１のキヤパシタンス素子を電極間に保持した第
２のキヤパシタンス素子を形成して、この第２の
キヤパシタンス素子を介して第１のキヤパシタン
ス素子に高周波励振信号を結合させることによ
り、第１のキヤパシタンス素子を同調素子の一部
として構成した同調回路に高周波励振信号を供給
し、上記磁性体により検出された磁界の変化によ
る磁性体の特性変化に伴うこの同調回路の高周波
信号出力の変化を検出して、磁気記録媒体に記録
された信号を再生するようにしたことを特徴とし
ている。

〔発明の効果〕

この発明によれば、磁気記録媒体が形成する信
号磁界を検出する絶縁性磁性体を電極間物質とし
て含む第１のキヤパシタンス素子に対し、これを
電極間に保持、つまりこの第１のキヤパシタンス
素子を包囲するように設けられた第２のキヤパシ
タンスを介して高周波励振信号を結合させるた
め、超高密度記録再生に対応すべく磁性体の寸法
を小さくしても、第１のキヤパシタンス素子の浮
遊容量の影響は第２のキヤパシタンス素子の容量
によつて減少できるようになる。このため、第１
のキヤパシタンス素子への高周波励振信号の結合
を安定に行なうことができるとともに、同調回路
のＱを低下させることがなくなる。さらに、第２
のキヤパシタンス素子が信号磁界以外の電磁界を
シールドし、第１のキヤパシタンス素子に作用す
るのを防止する効果もある。

従つて、記録トラツク幅が20μm以下というよ
うな超高密度記録再生においても再生感度の低下
がなく、高レベルかつＳ／Ｎの良好な再生出力を
得ることができる。

〔発明の実施例〕

第１図はこの発明の一実施例を示すものであ
る。図において、第１のキヤパシタンス素子１は
板状の絶縁性磁性体２の両面に板状金属電極３
ａ，３ｂを被着して形成されたもので、この第１
のキヤパシタンス素子１は第２のキヤパシタンス
素子４の電極６ａ，６ｂ間の誘電体５内に埋め込
まれた形で設けられている。第１のキヤパシタン
ス素子１は同調用インダクタンス素子７と共に第
１のLC並列同調回路８を構成する。一方、第２
のキヤパシタンス素子４も同様に同調用インダク
タンス素子９とともに第２の同調回路１０を構成
する。この第２の同調回路１０は整合回路１１を
介して高周波発振器１２に接続されている。従つ
て、第１のキヤパシタンス素子１には高周波発振
器１２からの高周波励振信号が第２のキヤパシタ
ンス素子４を介して容量結合による電界の形で結
合されることになる。そして、第１の同調回路８
はダイオード１３と抵抗１４及びコンデンサ１５
からなるピーク検波回路１６に接続されている。

このように構成された磁気再生装置において、
信号が記録された磁気記録媒体１８に第１、第２
のキヤパシタンス素子１，４を図のように対向さ
せると、磁気記録媒体１８からの記録信号に応じ
て変化する磁界（信号磁界）が磁性体２に加わ
り、これにより磁性体２の透磁率あるいは高周波
損失が変化する。ここで磁性体２として磁界変化
に対し透磁率や高周波損失の変化が大きく、しか
も導電率の極めて小さい材料、例えば薄膜化した
スピネル系あるいはガーネツト系等のフエライト
を用いると、磁性体２の透磁率や高周波損失の変
化によつて、この磁性体２を電極間物質とする第
１のキヤパシタンス素子１の見掛けのキヤパシタ
ンスが大きく変化し、これによつてこの第１のキ
ヤパシタンス素子１とインダクタンス素子７とで
構成される第１の同調回路８のインピーダンスが
変化するので、この第１の同調回路８の両端電圧
も変化する。即ち、高周波発振器１２より第１の
キヤパシタンス素子１に結合された高周波励振信
号は、第１の同調回路８において磁気記録媒体１
８からの信号磁界により振幅変調を受けることに
なる。従つて、この変調を受けた第１の同調回路
８からの高周波信号出力を検波回路１６で検波す
ることによつて、信号再生出力Voutを得ること
ができる。

このような構成とすれば、第１のキヤパシタン
ス素子１の浮遊容量は第２のキヤパシタンス素子
４の大きい容量によつて無視することができる。
また、第２のキヤパシタンス素子４の浮遊容量は
本来の容量に比べ十分小さいため、これも無視で
きる。従つて高周波発振器１２から第１のキヤパ
シタンス素子１への高周波励振信号の結合、供給
を安定に行なえるようになるとともに、第１のキ
ヤパシタンス素子１の浮遊変量の影響による第１
の同調回路８のＱの低下を抑えることができるの
で、非常に狭いトラツクに高密度記録された信号
も、十分なレベルでＳ／Ｎよく再生することが可
能となる。

第２図はこの発明の他の実施例を示すもので、
第１図における第１のキヤパシタンス素子１の一
方の電極３ｂを第２のキヤパシタンス素子４の一
方の電極６ｂと共通とすることにより、構造の簡
略化と製造工程数の減少を図つたものである。

この発明は特に、複数の記録トラツクから同時
に再生を行なう多チヤンネル磁気再生装置に適用
した場合、極めて有利である。第３図〜第６図は
その実施例を示すもので、１つの第２のキヤパシ
タンス素子４内に第１のキヤパシタンス素子１を
複数個設けている。この場合、第１のキヤパシタ
ンス素子１の各々は共通の第２のキヤパシタンス
素子４を介して高周波励振信号の供給を受けるこ
とになる。

従つて、第１のキヤパシタンス素子１に個別に
高周波励振信号を結合させて供給する場合に比べ
てチヤンネル毎の結合度のバラツキがなく、再生
出力レベルのバラツキも抑えることができる。し
かも、結合部や高周波発振器１２を含む励振回路
の構造が簡単で済むとともに、配線が簡略化され
るので、工程上有利となり、LSI等の集積回路技
術を有効に生かすことができるという利点があ
る。

第３図に示す実施例は、第１図の実施例の構成
をほぼそのまま多チヤンネル化したものであるの
に対し、第４図に示す実施例は第３図における第
１のキヤパシタンス素子１の各々の磁性体２を一
体に形成したものである。

第５図に示す実施例は、第２図の実施例と同様
に第１のキヤパシタンス素子１の一方の電極３ｂ
を第２のキヤパシタンス素子４の一方の電極６ｂ
と共通にして、多チヤンネル化したものである。

第６図に示す実施例は、さらに第５図における
第１のキヤパシタンス素子１の各々の磁性体２を
一体に形成したものである。

図から明らかなように、構造および製造工程は
第３図、第４図、第５図、第６図の順で順次簡略
化される。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の構成を示す図、
第２図はこの発明の他の実施例の要部構成を示す
断面図、第３図はこの発明を多チヤンネル磁気再
生装置に適用した実施例を示す図、第４図〜第６
図は同じくこの発明を多チヤンネル磁気再生装置
に適用した場合の他の実施例の要部構成を示す断
面図である。 １…第１のキヤパシタンス素子、２…絶縁性磁
性体、３ａ，３ｂ…電極、４…第２のキヤパシタ
ンス素子、５…誘電体、６ａ，６ｂ…電極、８…
第１の同調回路、１０…第２の同調回路、１２…
高周波発振器、１６…ピーク検波回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁気記録媒体が形成する磁界の変化を検出す
   る絶縁性磁性体を電極間物質として含む第１のキ
   ヤパシタンス素子と、この第１のキヤパシタンス
   素子を同調素子の一部として構成した同調回路
   と、前記第１のキヤパシタンス素子をその電極間
   に保持した第２のキヤパシタンス素子と、この第
   ２のキヤパシタンス素子を介して前記第１のキヤ
   パシタンス素子に高周波励振信号を結合せしめる
   励振手段と、前記磁界の変化による前記磁性体の
   特性変化に伴う前記同調回路の高周波信号出力の
   変化を検出して前記磁気記録媒体に記録された信
   号を再生する手段とを備えることを特徴とする磁
   気再生装置。 ２ 第１のキヤパシタンス素子と第２のキヤパシ
   タンス素子の各々一方の電極を共通にしたことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気再生
   装置。 ３ 第２のキヤパシタンス素子の電極間に第１の
   キヤパシタンス素子を複数個設けたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項または第２項記載の磁
   気再生装置。 ４ 励振手段は第２のキヤパシタンス素子を同調
   素子の一部とする同調回路を介して第１のキヤパ
   シタンス素子に高周波励振信号を結合せしめるも
   のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の磁気再生装置。