JPS5868205A - 磁気再生方式 - Google Patents
磁気再生方式Info
- Publication number
- JPS5868205A JPS5868205A JP16674381A JP16674381A JPS5868205A JP S5868205 A JPS5868205 A JP S5868205A JP 16674381 A JP16674381 A JP 16674381A JP 16674381 A JP16674381 A JP 16674381A JP S5868205 A JPS5868205 A JP S5868205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- high frequency
- recording medium
- circuit
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、磁気記録媒体が形成する磁界の変化による
磁性体の特性変化を利用して再生を行なう磁気再生方式
に関する。
磁性体の特性変化を利用して再生を行なう磁気再生方式
に関する。
磁気Ｉｉ２縁媒体に記録された信号を再生する磁気再生
装置は従来、リング型の磁気ヘッドを用い、これに誘起
される起電力を再生出力として取出す構成となっている
。しかし、この方式は再生出力レベルおよびそのＳＡが
記録トラック幅に大きく依存するため、高密度記録再生
に不利でるり、現状では記録トラック幅が２０μ、Ｓ／
Ｎが４３ ｄＢ程度が限界とされている。
装置は従来、リング型の磁気ヘッドを用い、これに誘起
される起電力を再生出力として取出す構成となっている
。しかし、この方式は再生出力レベルおよびそのＳＡが
記録トラック幅に大きく依存するため、高密度記録再生
に不利でるり、現状では記録トラック幅が２０μ、Ｓ／
Ｎが４３ ｄＢ程度が限界とされている。
この発明の目的は、記録トラック幅が狭くとも十分レベ
ルの大きい再生出力をＳ／Ｎよく得ることができる磁気
再生方式を提供することにある。
ルの大きい再生出力をＳ／Ｎよく得ることができる磁気
再生方式を提供することにある。
発明者らは既に、新しい原理に基く磁気再生方式を提案
している。第１図はその概要を示すもので、磁気ヘッド
は磁性体１とこれに結合したインダクタンス素子２とか
らな力、磁気記録媒体３上を矢印の如く相対的に移動す
る。インダクタンス素子２はコンデンサ４とともに共振
回路５を構成し、この共振回路５には容量結合用コンデ
ンサ６を介して高周波発振器１から高周波電流が供給さ
れる。磁性体１は磁気記録媒体３が形成する記録信号に
よる磁界Ｈ（２）変化によって、透磁率または高周波損
失等の特性変化を生じるもので、この特性変化に伴いイ
ンダクタンス素子２のインダクタンスが変化し、共振回
路５の共振周波数およびＱの少なくとも一方が変化する
。これによって、高周波発振器１からの高周波電流に基
き共振回路５の出力に現われる高周波電圧が変化するの
で、この高周波電圧の変化を検波回路を通して検出する
ことにより、磁気記録媒体１に記録された信号に対応し
九再生出力を得ることができる。
している。第１図はその概要を示すもので、磁気ヘッド
は磁性体１とこれに結合したインダクタンス素子２とか
らな力、磁気記録媒体３上を矢印の如く相対的に移動す
る。インダクタンス素子２はコンデンサ４とともに共振
回路５を構成し、この共振回路５には容量結合用コンデ
ンサ６を介して高周波発振器１から高周波電流が供給さ
れる。磁性体１は磁気記録媒体３が形成する記録信号に
よる磁界Ｈ（２）変化によって、透磁率または高周波損
失等の特性変化を生じるもので、この特性変化に伴いイ
ンダクタンス素子２のインダクタンスが変化し、共振回
路５の共振周波数およびＱの少なくとも一方が変化する
。これによって、高周波発振器１からの高周波電流に基
き共振回路５の出力に現われる高周波電圧が変化するの
で、この高周波電圧の変化を検波回路を通して検出する
ことにより、磁気記録媒体１に記録された信号に対応し
九再生出力を得ることができる。
この方式によれば、磁気記録媒体３が形成する磁界Ｈの
わずかな変化も磁性体１の特性変化として検出され再生
出力として取出されるとともに、再生出力エネルギーが
高周波発振器１から供給されるので、高レベルかつＳ／
Ｈの良好な再生出力を得ることができ、記録トラック暢
ｔ２０μ以下にまで狭くしても十分に再生を行なうこと
が１丁能となる。
わずかな変化も磁性体１の特性変化として検出され再生
出力として取出されるとともに、再生出力エネルギーが
高周波発振器１から供給されるので、高レベルかつＳ／
Ｈの良好な再生出力を得ることができ、記録トラック暢
ｔ２０μ以下にまで狭くしても十分に再生を行なうこと
が１丁能となる。
このように、第１図の方式は原理的に従来の磁気再生方
式に比べ高密度記録再生に適している。しかし、その高
密度化にはやはシ限界がある。すなわち、記録密度を上
げるには記録トラック幅を狭くするとともに、記録波長
を短くすればよいが、・亡の場合上記の方式で再生を行
なおうとすると、記録トラック幅に合せて磁性体１の幅
を小さくシ、かつ短い記録波長に合せて磁性体１の厚さ
も小さくする必要がある。磁性体１の厚さを小さくする
理由は、磁気記録媒体３が形成する磁界Ｈが表面近傍程
強く、シかも記録波長が短い程、つまシ記録信号周波数
が高い程その順向が強いためで、この厚さが大きくなる
と磁界Ｈが磁性体１の一部にしか及ばず、磁界Ｈの変化
による磁性体１の特性変化が小さくなるからである。
式に比べ高密度記録再生に適している。しかし、その高
密度化にはやはシ限界がある。すなわち、記録密度を上
げるには記録トラック幅を狭くするとともに、記録波長
を短くすればよいが、・亡の場合上記の方式で再生を行
なおうとすると、記録トラック幅に合せて磁性体１の幅
を小さくシ、かつ短い記録波長に合せて磁性体１の厚さ
も小さくする必要がある。磁性体１の厚さを小さくする
理由は、磁気記録媒体３が形成する磁界Ｈが表面近傍程
強く、シかも記録波長が短い程、つまシ記録信号周波数
が高い程その順向が強いためで、この厚さが大きくなる
と磁界Ｈが磁性体１の一部にしか及ばず、磁界Ｈの変化
による磁性体１の特性変化が小さくなるからである。
このように、より高密度記録再生を行なおうとすると磁
性体１の寸法を極力小さくする必要がちり、それに伴い
磁性体１に結合されるべきインダクタンス素子２の寸法
も極めて小さくなる。この結果、第２図の如くイン！ク
タンス分りと抵抗外Ｒとの直列回路で等制約に表わされ
るインダクタンス素子２の抵抗外Ｒが増大し、場合によ
ってはリアクタンス分ωＬより大きくなってしまう。従
って、磁界Ｈの変化によるωＬの変化に起因する共振回
路５の共振周波数やＱの変化が小さくなってしまい、再
生出力の変化も小さくなシ、再生感度が低下する結果と
なる。
性体１の寸法を極力小さくする必要がちり、それに伴い
磁性体１に結合されるべきインダクタンス素子２の寸法
も極めて小さくなる。この結果、第２図の如くイン！ク
タンス分りと抵抗外Ｒとの直列回路で等制約に表わされ
るインダクタンス素子２の抵抗外Ｒが増大し、場合によ
ってはリアクタンス分ωＬより大きくなってしまう。従
って、磁界Ｈの変化によるωＬの変化に起因する共振回
路５の共振周波数やＱの変化が小さくなってしまい、再
生出力の変化も小さくなシ、再生感度が低下する結果と
なる。
この発明は、第１図の如き方式の磁気再生装置における
超高密度記録再生時の再生感度の低下を効果的に補償し
ようとするもので、信号が記録された磁気記録媒体が形
成する磁界の変化を高周波における損失または透磁率の
変化として検出する磁性体に、高周波結合回路を電磁的
に結合させ、この高周波結合回路を通して取出された高
周波電圧の変化を検出して再生出力を得るようにしたこ
とを特徴としている。
超高密度記録再生時の再生感度の低下を効果的に補償し
ようとするもので、信号が記録された磁気記録媒体が形
成する磁界の変化を高周波における損失または透磁率の
変化として検出する磁性体に、高周波結合回路を電磁的
に結合させ、この高周波結合回路を通して取出された高
周波電圧の変化を検出して再生出力を得るようにしたこ
とを特徴としている。
第３図はこの発明の一実施例に係る磁気再生＃ｃ値の構
成を示したものである。図において磁気−＼ラドは磁性
体１０と、これに結合された第１．４２０インダクタン
ス素子１１．１１とから構成されている。磁性体１０は
例えば・母−、マロイ、フェライトめるいはＹＩＧのよ
うな磁界の変化に対し高）８３波損失や透磁率の変化が
大きい磁性材料からなシ、板状に形成される。一方、第
１、第２のインダクタンス素子１１．１２は第４図に示
すように、例えば第１のインダクタンス素子１１を外側
、第２のインダクタンス素子１２を内側にして磁性体１
０に同心状に巻回されたコイルからなる。１３は磁気チ
ーブ、磁気ディスク、磁気シート等の磁気記録媒体でる
り、磁気ヘッドに対し矢印の方向に相対的に移動する。
成を示したものである。図において磁気−＼ラドは磁性
体１０と、これに結合された第１．４２０インダクタン
ス素子１１．１１とから構成されている。磁性体１０は
例えば・母−、マロイ、フェライトめるいはＹＩＧのよ
うな磁界の変化に対し高）８３波損失や透磁率の変化が
大きい磁性材料からなシ、板状に形成される。一方、第
１、第２のインダクタンス素子１１．１２は第４図に示
すように、例えば第１のインダクタンス素子１１を外側
、第２のインダクタンス素子１２を内側にして磁性体１
０に同心状に巻回されたコイルからなる。１３は磁気チ
ーブ、磁気ディスク、磁気シート等の磁気記録媒体でる
り、磁気ヘッドに対し矢印の方向に相対的に移動する。
第１のインダクタンス素子１１はコンデンサ１４ととも
に一次餞共振回路１５を構成し、この共遍回路１５には
直流阻止コンデンサ１６を。
に一次餞共振回路１５を構成し、この共遍回路１５には
直流阻止コンデンサ１６を。
介して例えは８０ ＭＨｚ 〜１００ ＭＨｚ程度の高
周波を発振する発振器１７から高周波電流が供給される
。一方、第２のインダクタンス素子１２はコ／７″ンｔ
ｔａとともに二次側共振回路１９を構成し、この共振回
路１９は例えばピーク検波形の検波回路２０に接続され
ている。
周波を発振する発振器１７から高周波電流が供給される
。一方、第２のインダクタンス素子１２はコ／７″ンｔ
ｔａとともに二次側共振回路１９を構成し、この共振回
路１９は例えばピーク検波形の検波回路２０に接続され
ている。
このような構成で高周波発振器１１よりコンデンサ１６
を介して一次側共振回路１５に高周波電Ｉｔ″ｆ：供給
すると、第１のインダクタンス素子１１に高周波共振電
流が訛れ、これが磁性体１０ｆ介して第２のインダクタ
ンス素子１２に高周波電圧として誘起される。この場合
、信号が記録された磁気記録媒体１３を磁気ヘッドに対
し相対的に移動させると、磁気記録媒体１３が形成する
磁界Ｈの変化ΔＨによって磁性体１１の透磁率または高
周波損失あるいはその両方が変化し、それによる第１、
第２のインダクタンス素子１１．１２のインダクタンス
Ｌ１．Ｌ、の変化により共振回路１５．１９の共振周波
数やＱが変化する。この結果として共振回路１５゜１９
０端子電圧Ｅｌ＋Ｅｌが変化する。
を介して一次側共振回路１５に高周波電Ｉｔ″ｆ：供給
すると、第１のインダクタンス素子１１に高周波共振電
流が訛れ、これが磁性体１０ｆ介して第２のインダクタ
ンス素子１２に高周波電圧として誘起される。この場合
、信号が記録された磁気記録媒体１３を磁気ヘッドに対
し相対的に移動させると、磁気記録媒体１３が形成する
磁界Ｈの変化ΔＨによって磁性体１１の透磁率または高
周波損失あるいはその両方が変化し、それによる第１、
第２のインダクタンス素子１１．１２のインダクタンス
Ｌ１．Ｌ、の変化により共振回路１５．１９の共振周波
数やＱが変化する。この結果として共振回路１５゜１９
０端子電圧Ｅｌ＋Ｅｌが変化する。
ここで、ΔＨによるＥｌ ｒ Ｅｌ ｑ）Ｋ化をΔＥｌ
ｓΔＥ。
ｓΔＥ。
とすると、ΔＥ１はΔＨによる第１のイン・ダクタ／ス
素子１１のインダクタンスＬ１のｆ化ΔＬ１（共振回路
１５の共振周波数の変化）や共振回路１５のＱの変化に
よって与えられる。これに対し、ΔＥ！はΔＨによる第
２のインダクタンス１２のインダクタンスＬ、の変化Δ
Ｌ１−？共振回路１９のＱの変化に起因する変化分に、
ΔＥ、による変化分およびΔＨによる磁性体１０を通し
ての第１、第２のインダクタンス素子１１．１１１間の
電磁結合度の変化による変化分等が相乗されたものとな
り、ΔＥ、に比べはるかに大きくなる。すなわち、１Δ
Ｅｌ／Ｅｌ ｌ＜ｌΔＥ、７ｍ、 ｌの関係が得られる
。
素子１１のインダクタンスＬ１のｆ化ΔＬ１（共振回路
１５の共振周波数の変化）や共振回路１５のＱの変化に
よって与えられる。これに対し、ΔＥ！はΔＨによる第
２のインダクタンス１２のインダクタンスＬ、の変化Δ
Ｌ１−？共振回路１９のＱの変化に起因する変化分に、
ΔＥ、による変化分およびΔＨによる磁性体１０を通し
ての第１、第２のインダクタンス素子１１．１１１間の
電磁結合度の変化による変化分等が相乗されたものとな
り、ΔＥ、に比べはるかに大きくなる。すなわち、１Δ
Ｅｌ／Ｅｌ ｌ＜ｌΔＥ、７ｍ、 ｌの関係が得られる
。
第１図の方式ではΔＥ１を検出して再生出力として取出
しているが、第３図のこの発明の実施例ではΔＥ、が検
波回路２０で検出され、再生出力として取出される。従
って、超高密度記録再生時のようにインダクタンス素子
１１．１２の寸法が小さくその抵抗分に比しインダクタ
ンス分が小さい場合でも、高レベルかつφの良好な再生
出力を得ることができる。
しているが、第３図のこの発明の実施例ではΔＥ、が検
波回路２０で検出され、再生出力として取出される。従
って、超高密度記録再生時のようにインダクタンス素子
１１．１２の寸法が小さくその抵抗分に比しインダクタ
ンス分が小さい場合でも、高レベルかつφの良好な再生
出力を得ることができる。
なお、上記実施例ではインダクタンス軍子１ノ。
１２に並列にコンをンサ１４．Ｊ＃を接続して共振回路
１５．１９を構成したが、必らずしもこのようにする必
要はなく、磁界Ｈの変化ΔＨによるインダクタンス素子
Ｊ Ｊ 、 Ｊ ｘｉインダクタンス変化およびこれら
両者間の結合度の変化を主に利用し、第１のインダクタ
ンス菓子１ノに流れる高周波電流によってｇｚのインダ
クタンス素子１２に誘起される高周波電圧の変化を検出
して再生出力を得てもよい。
１５．１９を構成したが、必らずしもこのようにする必
要はなく、磁界Ｈの変化ΔＨによるインダクタンス素子
Ｊ Ｊ 、 Ｊ ｘｉインダクタンス変化およびこれら
両者間の結合度の変化を主に利用し、第１のインダクタ
ンス菓子１ノに流れる高周波電流によってｇｚのインダ
クタンス素子１２に誘起される高周波電圧の変化を検出
して再生出力を得てもよい。
以上詳細に説明したように１この発明によれば磁性体に
電磁気的に結合した、高周波結合インダクタンス素子に
よって高周波電流入力側と高周波″電圧出力側とを分離
し、磁気記録媒体が形成する磁界の変化による高周波結
合回路におけるインダクタンス素子のインメクタンス変
化ヤ結合度の変化等を有効に利用して再生を行なうので
、インダクタンス素子の抵抗分が問題となるような超高
密度記録再生においても再生感度を高くとることができ
、Ｓ／Ｎも十分に高くすることかできる。
電磁気的に結合した、高周波結合インダクタンス素子に
よって高周波電流入力側と高周波″電圧出力側とを分離
し、磁気記録媒体が形成する磁界の変化による高周波結
合回路におけるインダクタンス素子のインメクタンス変
化ヤ結合度の変化等を有効に利用して再生を行なうので
、インダクタンス素子の抵抗分が問題となるような超高
密度記録再生においても再生感度を高くとることができ
、Ｓ／Ｎも十分に高くすることかできる。
従って、この発明を用いれば従来の磁気記録再生方式で
は不可能と考えられた程度の極めて狭い記録トラック暢
での超高密度記録による記録信号を十分に再生すること
が可能となシ、音声、映像、情報処理用ｒイノタルデー
タ等の各個の磁気記録再生装置に適用して極めて有効で
ある。
は不可能と考えられた程度の極めて狭い記録トラック暢
での超高密度記録による記録信号を十分に再生すること
が可能となシ、音声、映像、情報処理用ｒイノタルデー
タ等の各個の磁気記録再生装置に適用して極めて有効で
ある。
第１図はこの発明の基礎となる磁気再生装置の構成図、
第２図はインダクタンス素子の等価回路図、第３図はこ
の発明の一実施例に係る磁気再生装置の構成図、第４図
は同実施例における磁気ヘッドの横断面図である。 １０・・・磁性体、１１，１２・・・第１、第２のイン
ダクタンス素子、１３・・・磁気記録媒体、１４゜１８
・・・共振コンデンサ、Ｉｓ、１９・・・共振回路、１
６・・直流阻止コンデンサ、１７・・・高周波発振器、
２０・・・検波回路。
第２図はインダクタンス素子の等価回路図、第３図はこ
の発明の一実施例に係る磁気再生装置の構成図、第４図
は同実施例における磁気ヘッドの横断面図である。 １０・・・磁性体、１１，１２・・・第１、第２のイン
ダクタンス素子、１３・・・磁気記録媒体、１４゜１８
・・・共振コンデンサ、Ｉｓ、１９・・・共振回路、１
６・・直流阻止コンデンサ、１７・・・高周波発振器、
２０・・・検波回路。
Claims (2)
- （１） 信号が記録された磁気記録媒体が形成する磁
界の変化によシ高周波における損失または透磁率が変化
する磁性体と、この磁性体に′（ｉｍ気的に結合された
高周波結合回路と、この高周波結合回路を通して取出さ
れ丸高周波電圧の変化を検出して再生出力を得る回路と
を具備することを特徴とする磁気再生方式。 - （２） 高周波結合回路は、前記磁性体に結合された
第１、第２のインダクタンス素子を含み、第１のインダ
クタンス素子に高周波電流が供給され、第２のインダク
タンス素子に高周波電圧が誘起されるものでおることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気再生方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16674381A JPS5868205A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 磁気再生方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16674381A JPS5868205A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 磁気再生方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868205A true JPS5868205A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15836921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16674381A Pending JPS5868205A (ja) | 1981-10-19 | 1981-10-19 | 磁気再生方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868205A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0099127A2 (en) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic reproducing system |
| JPH0472589U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-25 |
-
1981
- 1981-10-19 JP JP16674381A patent/JPS5868205A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0099127A2 (en) * | 1982-07-16 | 1984-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic reproducing system |
| EP0105531A2 (en) * | 1982-07-16 | 1984-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic reproducing system |
| JPH0472589U (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-25 |
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