JPS58122602A - 磁気再生装置 - Google Patents
磁気再生装置Info
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- JPS58122602A JPS58122602A JP469682A JP469682A JPS58122602A JP S58122602 A JPS58122602 A JP S58122602A JP 469682 A JP469682 A JP 469682A JP 469682 A JP469682 A JP 469682A JP S58122602 A JPS58122602 A JP S58122602A
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- Japan
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- magnetic
- magnetic field
- circuit
- reproducing
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、磁気記録媒体が形成する磁界の変化による磁
性体の特性変化を利用して再生を行なう磁気再生装置に
関する。
性体の特性変化を利用して再生を行なう磁気再生装置に
関する。
発明の技術的背景とその問題点
磁気記録媒体に記録された信号を再生するための従来一
般の再生方式は、第１図に示すように１信号が記録され
た磁気記録媒体１上をリング型の磁気ヘッドＸ＋相対的
に走らせて、電磁発電機同様の原理により磁気へ、 Ｐ
ＩＫ誘起する起電力に基く出力を取シ出すようにしたも
のであった。ところがこのような再生方式においては、
十分大きな再生出力をＳＮ比喪〈得るためには十分大き
な磁束を必要とするために、記録トラ、りのトラック幅
を大きくする必要があった。
般の再生方式は、第１図に示すように１信号が記録され
た磁気記録媒体１上をリング型の磁気ヘッドＸ＋相対的
に走らせて、電磁発電機同様の原理により磁気へ、 Ｐ
ＩＫ誘起する起電力に基く出力を取シ出すようにしたも
のであった。ところがこのような再生方式においては、
十分大きな再生出力をＳＮ比喪〈得るためには十分大き
な磁束を必要とするために、記録トラ、りのトラック幅
を大きくする必要があった。
第２図はこのようなトラ、４幅Ｗと再生出力のＳＮ比の
関係を示したものである。この図から明らかなように、
）ラック幅Ｗが例えば２００βｍ程度の大きいときには
再生出力の８Ｎ比も良好であるが、トラ、り幅Ｙｒ２０
０μｍから徐々に小さくすると、ＳＮ比は約３ ｄＢｌ
ｏａｔで低下する。そして再生増幅器のノイズＮＯとテ
ープノイズＮＴが同程度となるトラック幅Ｗ１よりもさ
らにトラック幅を小さくすると、Ｎｏ）ＮＴとなシ、８
Ｎ比はトラック幅Ｗｘｔ境にして６ｄＢ１０ａｔで低下
するようＫなる。すなわちこの関係は次式で示される。
関係を示したものである。この図から明らかなように、
）ラック幅Ｗが例えば２００βｍ程度の大きいときには
再生出力の８Ｎ比も良好であるが、トラ、り幅Ｙｒ２０
０μｍから徐々に小さくすると、ＳＮ比は約３ ｄＢｌ
ｏａｔで低下する。そして再生増幅器のノイズＮＯとテ
ープノイズＮＴが同程度となるトラック幅Ｗ１よりもさ
らにトラック幅を小さくすると、Ｎｏ）ＮＴとなシ、８
Ｎ比はトラック幅Ｗｘｔ境にして６ｄＢ１０ａｔで低下
するようＫなる。すなわちこの関係は次式で示される。
このようにトラ、り幅がＷ１以下になると８Ｎ比が急激
に劣化する。この８Ｎ比の劣化は、磁気ヘッド１０巻線
数を多くして再生出力の増加を図っても余り改善されな
い・なぜなら再生増幅器のノイズＮＯは磁気へ、ド２の
インピーダンスに関係しておシ、上記のようＫへ、ドの
巻線数を多くするとインピーダンスも大きくなり、Ｎｏ
も大きくなるためである。従って、現在のＶＴＲや磁気
ディスク婢では長時間記録再生が要求され、トラック幅
を狭くすることが要求されているＫもかかわらず、現状
ではトラ、り幅Ｗが２０μｍ程度で８Ｎ比が４３ ｄＢ
程度が最大の値となっている。このように、従来の磁気
記録再生方式ではトラ、り幅會狭くすることができず、
高密度記録再生に限界があった。
に劣化する。この８Ｎ比の劣化は、磁気ヘッド１０巻線
数を多くして再生出力の増加を図っても余り改善されな
い・なぜなら再生増幅器のノイズＮＯは磁気へ、ド２の
インピーダンスに関係しておシ、上記のようＫへ、ドの
巻線数を多くするとインピーダンスも大きくなり、Ｎｏ
も大きくなるためである。従って、現在のＶＴＲや磁気
ディスク婢では長時間記録再生が要求され、トラック幅
を狭くすることが要求されているＫもかかわらず、現状
ではトラ、り幅Ｗが２０μｍ程度で８Ｎ比が４３ ｄＢ
程度が最大の値となっている。このように、従来の磁気
記録再生方式ではトラ、り幅會狭くすることができず、
高密度記録再生に限界があった。
発明の目的
本発明の目的は、磁気記録媒体のトラ、り幅が狭くとも
十分大きな再生出力ｔ−８Ｎ比よく得ることができる磁
気再生装置を提供することである。
十分大きな再生出力ｔ−８Ｎ比よく得ることができる磁
気再生装置を提供することである。
発明の概要
本発明は、磁気ヘッドとして磁性体にインダクタンス素
子を結合させたものを用いると共Ｋ、 ゛このインダ
クタンス素子を同調素子とする同調回路を構成して、こ
の同調回路に高周波信号を供給し、磁気記録媒体による
磁界の変化による磁性体の透磁率や高周波損失等の特性
変化に伴うこの同調回路の出力の変化を検出して、磁気
記録媒体に記録された信号を再生する再生回路を構成し
、さらＫこの再生回路の一部または全部を磁気へ、ドが
形成された基板上に集積したことを特徴としている。
子を結合させたものを用いると共Ｋ、 ゛このインダ
クタンス素子を同調素子とする同調回路を構成して、こ
の同調回路に高周波信号を供給し、磁気記録媒体による
磁界の変化による磁性体の透磁率や高周波損失等の特性
変化に伴うこの同調回路の出力の変化を検出して、磁気
記録媒体に記録された信号を再生する再生回路を構成し
、さらＫこの再生回路の一部または全部を磁気へ、ドが
形成された基板上に集積したことを特徴としている。
発明の効果
本発明によれば、磁気記録媒体による磁界のわずかな変
化も磁性体の特性変化として検出され、しかも再生出力
エネルギーが高周波発振器から供給されるので、ＳＮ比
のよい大きな再生出力を得ることができる。従って、磁
気記録媒体のトラ、り幅ｔよシ狭くでき、高密度記録が
可能となる。
化も磁性体の特性変化として検出され、しかも再生出力
エネルギーが高周波発振器から供給されるので、ＳＮ比
のよい大きな再生出力を得ることができる。従って、磁
気記録媒体のトラ、り幅ｔよシ狭くでき、高密度記録が
可能となる。
セしてさらに１本発明では磁気ヘッドと再生回路の一部
とが同一基板上に構成されることで、両者間の配線の抵
抗、容量、インダクタシスやその変動を小さく抑えられ
るので、この新しい原理に基く再生動作の利点が最大限
に発揮され、またその信頼性を高めることができる。
とが同一基板上に構成されることで、両者間の配線の抵
抗、容量、インダクタシスやその変動を小さく抑えられ
るので、この新しい原理に基く再生動作の利点が最大限
に発揮され、またその信頼性を高めることができる。
発明の実施例
第３図は本発明の一実施例に係る磁気再生装置の轡価回
路を示したものである０図において、３０は磁気へ、ド
であシ、磁性体３１にインダクタンス素子３２會結合さ
せたものである。インダクタンス素子３２はこれに並列
に接続されたコンデンサ３３とともに同調回路３４を構
成している。この同調回路３４はコンデンサ３５を介し
て例えば８０ ＭＨＫ〜１００ ＭＨｚ程度の高周波を
発振する高周波発振器Ｊ６に接続されている。コンデン
サ３５は高周波発振器３６を等測的に電流源とみなし得
るようにするためと、直流を力、トするためのもので、
同調回路３４に影響を与えない程度に小さな値に選ばれ
ている。そして同調回路３４の出力は、ダイオード３１
とコンデンサ３８および抵抗ｓｍからナルピーク検波回
路４Ｑｔ−介して出力端子４７に導かれる。
路を示したものである０図において、３０は磁気へ、ド
であシ、磁性体３１にインダクタンス素子３２會結合さ
せたものである。インダクタンス素子３２はこれに並列
に接続されたコンデンサ３３とともに同調回路３４を構
成している。この同調回路３４はコンデンサ３５を介し
て例えば８０ ＭＨＫ〜１００ ＭＨｚ程度の高周波を
発振する高周波発振器Ｊ６に接続されている。コンデン
サ３５は高周波発振器３６を等測的に電流源とみなし得
るようにするためと、直流を力、トするためのもので、
同調回路３４に影響を与えない程度に小さな値に選ばれ
ている。そして同調回路３４の出力は、ダイオード３１
とコンデンサ３８および抵抗ｓｍからナルピーク検波回
路４Ｑｔ−介して出力端子４７に導かれる。
−このような構成において、信号が記録された磁気記録
媒体例えげ磁気テープに磁気ヘッド３０Ｙｒ対向させて
矢印のように相対的に走行させると、磁気記録媒体が形
成するところの記録信号に応じて変化する磁界が磁性体
１１に加ゎシ、これにより磁性体３Ｊの透磁率声が第４
図に示す如く変化する。ここで磁性体１１としてμの変
化が大きい材料、例えば薄膜化ノヤーマロイ、センダス
ト、・Ｍｎ−Ｚｎ ７ ｇライト（単結晶ホ、トゲレス
）などを選択すると、仁のμの変化によシインダクタン
ス素子１２のインダクタンスが大きく変化し、これＫよ
ってインダクタンス素子３２−とコンデン−ｙ″３Ｊと
で構成される同゛調回路Ｊ４の同調周波数が変化する１
例えば、この同調回路３４の初期の同調周波数を第５図
（ａ）実線の特性曲線で示す如くむ・と設定しておくと
、インダクタンス素子Ｊ２のインダクタンスが変化する
ことＫより、その同調周波数が第５図（荀の破線の特性
曲線で示す如（ｆｒｏ’ｉ（変化する。このため、高周
波発振器Ｉ６からこの同調回路３４に供給される高周波
信号の周波数を第５図（ａ）のｆＨの如く設定すると、
同調回路３４０両端に発生する電圧はｖｌからｖｌの如
く変化する。従って、高周波発振器Ｊ６＋の出力は同調
回路３４で第５図（ｂ）のように磁気記録媒体の記録信
号により振幅変調をうける。この変調をうけた高周波信
号はピーク検波回路４ｏＫ供給されてそのピーク値が検
波される。その結果、＃！５図［０）に示すような検波
出力、即ち信号再生出力が得られる。
媒体例えげ磁気テープに磁気ヘッド３０Ｙｒ対向させて
矢印のように相対的に走行させると、磁気記録媒体が形
成するところの記録信号に応じて変化する磁界が磁性体
１１に加ゎシ、これにより磁性体３Ｊの透磁率声が第４
図に示す如く変化する。ここで磁性体１１としてμの変
化が大きい材料、例えば薄膜化ノヤーマロイ、センダス
ト、・Ｍｎ−Ｚｎ ７ ｇライト（単結晶ホ、トゲレス
）などを選択すると、仁のμの変化によシインダクタン
ス素子１２のインダクタンスが大きく変化し、これＫよ
ってインダクタンス素子３２−とコンデン−ｙ″３Ｊと
で構成される同゛調回路Ｊ４の同調周波数が変化する１
例えば、この同調回路３４の初期の同調周波数を第５図
（ａ）実線の特性曲線で示す如くむ・と設定しておくと
、インダクタンス素子Ｊ２のインダクタンスが変化する
ことＫより、その同調周波数が第５図（荀の破線の特性
曲線で示す如（ｆｒｏ’ｉ（変化する。このため、高周
波発振器Ｉ６からこの同調回路３４に供給される高周波
信号の周波数を第５図（ａ）のｆＨの如く設定すると、
同調回路３４０両端に発生する電圧はｖｌからｖｌの如
く変化する。従って、高周波発振器Ｊ６＋の出力は同調
回路３４で第５図（ｂ）のように磁気記録媒体の記録信
号により振幅変調をうける。この変調をうけた高周波信
号はピーク検波回路４ｏＫ供給されてそのピーク値が検
波される。その結果、＃！５図［０）に示すような検波
出力、即ち信号再生出力が得られる。
なお、上記説明では磁性体３１のμの変化による同調周
波数の変化を利用して信号を再生し九が、上記と同様な
構成によシ、磁性体３１の高周波損失の変化による同調
回路３４のＱの変化を利用して信号再生を行うことも可
能である。
波数の変化を利用して信号を再生し九が、上記と同様な
構成によシ、磁性体３１の高周波損失の変化による同調
回路３４のＱの変化を利用して信号再生を行うことも可
能である。
すなわち磁気記録媒体からの磁界が変化すると、磁性体
１１の磁化の状態に応じて高周波損失分が変化し、これ
によシ同調回路１４のＱが変化する。従って磁性体１１
として磁界の変化による高周波損失の変化が大きい材料
、例えば従来のマイクロ波フェライト（Ｍｎ−Ｍｇ系）
、ライト、Ｎｉ系Ｎ１−Ａｔ系７Ｘライト、ＷＩＧ系と
その人を置換体など）高周波フェライトなどを用いると
、Ｑの大きな変化が得られる。Ｑが変化すると、同調回
路１４０両端の電圧は第６図（ａ） Ｋ示すように変化
する。従って高周波発振器３６の出力は第６図（６）に
示すようＫＱの変化によシ振幅変調全受け、これをピー
ク検波回路４０ｆ通すことにより、第６図（ｅ）に示す
ように再生出力を得ることができる。
１１の磁化の状態に応じて高周波損失分が変化し、これ
によシ同調回路１４のＱが変化する。従って磁性体１１
として磁界の変化による高周波損失の変化が大きい材料
、例えば従来のマイクロ波フェライト（Ｍｎ−Ｍｇ系）
、ライト、Ｎｉ系Ｎ１−Ａｔ系７Ｘライト、ＷＩＧ系と
その人を置換体など）高周波フェライトなどを用いると
、Ｑの大きな変化が得られる。Ｑが変化すると、同調回
路１４０両端の電圧は第６図（ａ） Ｋ示すように変化
する。従って高周波発振器３６の出力は第６図（６）に
示すようＫＱの変化によシ振幅変調全受け、これをピー
ク検波回路４０ｆ通すことにより、第６図（ｅ）に示す
ように再生出力を得ることができる。
上述したような２つの再生方式、即ち磁性体３１のμの
変化による同調周波数の変化を利用した再生方式、およ
び磁性体３１の高周波損失による同調回路３４のＱの変
化を利用した再生方式は、どちらか一方のみを選択する
こともできるが、同調回路Ｊ４の同１ｐｌＪｌｌＩ波数
の変化およびＱの変化という現象は同時に起とシ得るの
で、この２つの現象を同時に利用して再生を行っても良
い。
変化による同調周波数の変化を利用した再生方式、およ
び磁性体３１の高周波損失による同調回路３４のＱの変
化を利用した再生方式は、どちらか一方のみを選択する
こともできるが、同調回路Ｊ４の同１ｐｌＪｌｌＩ波数
の変化およびＱの変化という現象は同時に起とシ得るの
で、この２つの現象を同時に利用して再生を行っても良
い。
第７國〜第９図に、第３図の装置の実親構造の具体例を
示す。第７図は磁気チー１４２０面に対し直角が磁気テ
ープ４２の長さ方向（走行方向）にも直角に設けられた
基板４３上くい第３図における磁気へ、ド３０（磁性体
３１およびインダクタンス素子３２）と、再生回路の一
部（コンデンサ３３、ダイオード３７、コンデンｖ３＃
、抵抗３９）ｔ−集積した例である。即ち、磁気へ、ド
３０は第１導体体パターン４４の上に磁性体３１を形成
し、その上に絶縁層（例えば８１０２） ４ ｓ ｔ−
介して第１導体体ツタターン４４と共にインダクタンス
素子３２を構成する＠２層導体ツクターフ４ｄを形成し
た薄膜構造のものである。この場合、磁気ヘッド３０を
構成する薄膜の端面は基板４３の端面にほぼ一致し、磁
気テープ４２に対向する。一方、コンでンサ３３．１イ
ｔ −１’ Ｊ ７、：ｙンｆンｆｌｌ、抵抗３９醇は
全てｉイクロコンＩ−ネントからなり、基板４３上の導
体パターンに直接接合さｋている。４１は第３図の高周
波発振器、６からコンデンｔ１ ｉｆ介して高周波信号
を供給するためのリード線、４１は第３図の出力端子４
１に相当するリード線である。第７図では第３図の高周
波発振器３＃、コンデンサｓ５および出力端子４１から
の再生出力を増幅する増幅器郷を別の基板上に集積する
場合を示しているが、同一基板上にこれらを集積しても
よいことは勿論である。なお高周波発振＠ｓｅｔとして
は特に弾性表面波発振器が集積化に適している拳第８図
は基板４１を磁気テープ４２の面に対し直角かつ磁気チ
ーｆｉｘの長さ方向に平行に設けた例である。この場合
、磁気ヘッドＳＯは基板４１上に直接磁性体１ノを形成
した後、この磁性体３１周囲に絶縁層４５を介在させて
インダクタンス素子Ｊ２となる導体／ｆターン４４を形
成することＫよって構成される。
示す。第７図は磁気チー１４２０面に対し直角が磁気テ
ープ４２の長さ方向（走行方向）にも直角に設けられた
基板４３上くい第３図における磁気へ、ド３０（磁性体
３１およびインダクタンス素子３２）と、再生回路の一
部（コンデンサ３３、ダイオード３７、コンデンｖ３＃
、抵抗３９）ｔ−集積した例である。即ち、磁気へ、ド
３０は第１導体体パターン４４の上に磁性体３１を形成
し、その上に絶縁層（例えば８１０２） ４ ｓ ｔ−
介して第１導体体ツタターン４４と共にインダクタンス
素子３２を構成する＠２層導体ツクターフ４ｄを形成し
た薄膜構造のものである。この場合、磁気ヘッド３０を
構成する薄膜の端面は基板４３の端面にほぼ一致し、磁
気テープ４２に対向する。一方、コンでンサ３３．１イ
ｔ −１’ Ｊ ７、：ｙンｆンｆｌｌ、抵抗３９醇は
全てｉイクロコンＩ−ネントからなり、基板４３上の導
体パターンに直接接合さｋている。４１は第３図の高周
波発振器、６からコンデンｔ１ ｉｆ介して高周波信号
を供給するためのリード線、４１は第３図の出力端子４
１に相当するリード線である。第７図では第３図の高周
波発振器３＃、コンデンサｓ５および出力端子４１から
の再生出力を増幅する増幅器郷を別の基板上に集積する
場合を示しているが、同一基板上にこれらを集積しても
よいことは勿論である。なお高周波発振＠ｓｅｔとして
は特に弾性表面波発振器が集積化に適している拳第８図
は基板４１を磁気テープ４２の面に対し直角かつ磁気チ
ーｆｉｘの長さ方向に平行に設けた例である。この場合
、磁気ヘッドＳＯは基板４１上に直接磁性体１ノを形成
した後、この磁性体３１周囲に絶縁層４５を介在させて
インダクタンス素子Ｊ２となる導体／ｆターン４４を形
成することＫよって構成される。
また、ｔＫ９図は磁気チーブ４１に対して第７図と同様
な関係で設けられる基板４３の磁気チーｆ４２への対向
面（円筒面）上に構成した例である。
な関係で設けられる基板４３の磁気チーｆ４２への対向
面（円筒面）上に構成した例である。
次に％第１０図〜纂１２図は同一基板４２上にこの発明
に基く磁気へ、ド（再生へ、ド）を単独で、あるいけ他
の種類の磁気へ、ド（記録ヘッド、消去へ、ド）と共に
複数個搭載した例を示している。即ち、第１０図は基板
４３の片面上ＫＮ個の再生へ、ド１０１〜１ＯＮ′ｔ−
磁気テーデ４２上のＮ本のトラ、りに対応させて配置し
た例であり、第１１図は基板４３の両面上に各々再生へ
、ド１０１〜ＩＯＮと記録へ、ド１１１〜１１Ｎｆ同一
トラ、りを共有する如く配置した例である。また、第１
２図は基板４３上に消去、記録、再生ヘッド岬ｔ−順次
１２Ｊ。
に基く磁気へ、ド（再生へ、ド）を単独で、あるいけ他
の種類の磁気へ、ド（記録ヘッド、消去へ、ド）と共に
複数個搭載した例を示している。即ち、第１０図は基板
４３の片面上ＫＮ個の再生へ、ド１０１〜１ＯＮ′ｔ−
磁気テーデ４２上のＮ本のトラ、りに対応させて配置し
た例であり、第１１図は基板４３の両面上に各々再生へ
、ド１０１〜ＩＯＮと記録へ、ド１１１〜１１Ｎｆ同一
トラ、りを共有する如く配置した例である。また、第１
２図は基板４３上に消去、記録、再生ヘッド岬ｔ−順次
１２Ｊ。
ＸＺＺ・・・１２Ｍ′の如く磁気チーブ上の同一トラ、
りに対応させて配列した例である。
りに対応させて配列した例である。
以上説明したように１本発明によれば磁気記録媒体が形
成する磁界の変化を磁性体によシ検出し、この磁性体に
結合したインダクタンス素子を同調素子とする同調回路
に供給される高周波信号の変化を検出することにより、
従来のリング型磁気へ、ドを用いた場合に比べ飛躍的に
再生感度を上げることができ、大きな再生出力ｔ−８Ｎ
比よく得ることがてきる。これによって記録媒体のトラ
、りｌＩを２０μｍ以下にまで狭くすることが可能とな
シ、極めて高密度な磁気記録再生を行なうことができる
。
成する磁界の変化を磁性体によシ検出し、この磁性体に
結合したインダクタンス素子を同調素子とする同調回路
に供給される高周波信号の変化を検出することにより、
従来のリング型磁気へ、ドを用いた場合に比べ飛躍的に
再生感度を上げることができ、大きな再生出力ｔ−８Ｎ
比よく得ることがてきる。これによって記録媒体のトラ
、りｌＩを２０μｍ以下にまで狭くすることが可能とな
シ、極めて高密度な磁気記録再生を行なうことができる
。
そして特に１本発明では磁気へ、ドとそれに接続される
再生回路の一部または全部が一体的に同一基板上に集積
されるため、磁気ヘッドと沓生回路との間の配線の影響
を極力少なくでき、安定、良好な再生特性が得られる利
点がある。
再生回路の一部または全部が一体的に同一基板上に集積
されるため、磁気ヘッドと沓生回路との間の配線の影響
を極力少なくでき、安定、良好な再生特性が得られる利
点がある。
＃！１図は従来の磁気再生方式を示す図、第２図は従来
の磁気再生におけるトラック幅と再生出力の８Ｎ比の関
係を示す図、第３図は本発明の一実施例に係る磁気再生
装置の等価回略図、第４図は磁界の変化に対する磁性体
の透磁率μの変化を示す図、第５図（−は同調回路の同
調周波数の変化によシ同詞回路の両端の電圧が変化する
様子を示す図、第５図（ｂ）は記録媒体に記録された信
号により振幅変調を受けた寓周波発振信号波形を示す図
、第５図（Ｃ）はそのピーク検波波形図、第６図（Ｉｋ
）は同調回路の尖鋭度Ｑの変化により同調回路の両端の
電圧が変化する様子を示す図、第６図（ロ）は記録媒体
に記録された信装置の夾装構造の具体例を示す斜視図、
第１０図〜第１２図は本発明における磁気ヘッドの配列
パターンの例を示す斜視図である。 ３０・・・磁気へ、ド、３１・・・磁性体、Ｓ２・・・
インダクタンス素子、ＪＪ−・・コンデンサ、３４・・
・同調回路、１６・・・高周波発振器、４０・・・ピー
ク検波回路、４２・・・磁気記録媒体、４３・・・絶縁
性基板、４４．４６・・・導体パターン、４６・・・絶
縁層、４１．４８・・・リード線。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図 才３図 Ｑ 十５図 （ａ） ハ 千６図 （ａ） （ｂ） （ｃ）虹 ２７ｍ！！Ｑ 矛８図 矛１１図 矛１２図 一一一一一−−−−
の磁気再生におけるトラック幅と再生出力の８Ｎ比の関
係を示す図、第３図は本発明の一実施例に係る磁気再生
装置の等価回略図、第４図は磁界の変化に対する磁性体
の透磁率μの変化を示す図、第５図（−は同調回路の同
調周波数の変化によシ同詞回路の両端の電圧が変化する
様子を示す図、第５図（ｂ）は記録媒体に記録された信
号により振幅変調を受けた寓周波発振信号波形を示す図
、第５図（Ｃ）はそのピーク検波波形図、第６図（Ｉｋ
）は同調回路の尖鋭度Ｑの変化により同調回路の両端の
電圧が変化する様子を示す図、第６図（ロ）は記録媒体
に記録された信装置の夾装構造の具体例を示す斜視図、
第１０図〜第１２図は本発明における磁気ヘッドの配列
パターンの例を示す斜視図である。 ３０・・・磁気へ、ド、３１・・・磁性体、Ｓ２・・・
インダクタンス素子、ＪＪ−・・コンデンサ、３４・・
・同調回路、１６・・・高周波発振器、４０・・・ピー
ク検波回路、４２・・・磁気記録媒体、４３・・・絶縁
性基板、４４．４６・・・導体パターン、４６・・・絶
縁層、４１．４８・・・リード線。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦矛１図 才３図 Ｑ 十５図 （ａ） ハ 千６図 （ａ） （ｂ） （ｃ）虹 ２７ｍ！！Ｑ 矛８図 矛１１図 矛１２図 一一一一一−−−−
Claims (3)
- （１） 信号が記録された磁気記ｋＫよる磁界の変化
を検出する磁性体およびこの磁性体に結合されたインダ
クタンス素子を基板上に形成してなる磁気へ、ドと、前
記インダクタンス素子を同調素子として構盛声れた同調
回路に高周波信号を供給し、前記磁界の変化による前記
磁性体の特性変化に伴う前記同調回路の出方の変化を検
出して前記磁気記録媒体に記録された信号を再生する再
生回路とを備えた磁気再生装置において、前記再生回路
の一部または全部を前記磁気へ、ドが形成され九基板上
に集積したことを特徴とする磁気再生装置。 - （２）磁気へ、ド會構成する磁性体およびインダクタン
ス素子はその端面オたは表面が磁気記録媒体面に対向す
るように基板上に薄膜にょシ形成されたものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気再生装置
。 - （３） 前記基板上に前記磁気へ、ドと共にこれと異
なる磁気へｙａＹｒ形成したことを特徴とする特許請求
の範囲＄１項記載の磁気再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP469682A JPS58122602A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP469682A JPS58122602A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 磁気再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122602A true JPS58122602A (ja) | 1983-07-21 |
Family
ID=11591044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP469682A Pending JPS58122602A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | 磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1045375A2 (en) * | 1999-04-15 | 2000-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic reproduction device, magnetic head using the device and method for producing the magnetic head |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP469682A patent/JPS58122602A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1045375A2 (en) * | 1999-04-15 | 2000-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic reproduction device, magnetic head using the device and method for producing the magnetic head |
| EP1045375A3 (en) * | 1999-04-15 | 2006-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic reproduction device, magnetic head using the device and method for producing the magnetic head |
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