JPS626419A

JPS626419A - 磁気ヘツド

Info

Publication number: JPS626419A
Application number: JP14373685A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Yatabe; 谷田部　茂; Hitoshi Iwasaki; 仁志岩崎; Junichi Akiyama; 純一秋山
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-06-29
Filing date: 1985-06-29
Publication date: 1987-01-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は磁気記録された信号を再生する磁気ヘッドに係
り、特に磁気記録媒体が形成する信号磁界の変化による
磁性体の高周波特性の変化を利用して信号再生を行う磁
気ヘッドに関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

磁気記録媒体からの信号磁界の変化を透磁率や高周波損
失等の特性変化として検知する磁性体を設け、この磁性
体に巻回したコイルのインダクタンス変化を利用して信
号再生を行う磁気記録再生装置が提案されている　（例
えば特願昭５５−１１０３４０号等）。この装置では、
コイルが同調用コンデンサと共に同調回路を構成し、こ
の同調回路に高周波信号が供給される。磁気記録媒体か
らの信号磁界の強さの変化によって生じる磁性体の磁気
的特性変化により、同調回路の共振周波数や尖鋭度Ｑの
変化が起り、高周波信号が振幅変調を受ける。この振幅
変調を受けた信号を検出回路で検出することにより、再
生信号が得られる。

この様な磁気再生装置を、通常一般に行われているｉｌ
！！形成技術とホトリソグラフィ技術により磁気ヘッド
として形成する場合、一つの支持基板上に磁性体、コイ
ルの順に、またはその逆に薄膜を積層することが考えら
れる。しかしこのようなｆｉｌ膜技術で磁気ヘッドを構
成すると、下層薄膜に積層される上層薄膜が下層薄膜の
端部の段差で薄くなったり、不連続になったりする。例
えば磁性体薄膜を下層とし、この上にコイル導体′ａＷ
Ａを形成すると、コイル導体薄膜が磁性体端部で薄くな
って電気抵抗の増加を招く。逆にコイル導体薄膜を下層
としてこの上に磁性体薄膜を積層した場合、磁性体に薄
い部分が形成され、これが磁壁発生の原因になったり、
磁気抵抗の増加を招く。また上層の薄膜をスパッタリン
グにより形成すると、既に形成されている下層の薄膜は
微粒子の衝突や加熱を受け、このため下層の薄膜の電気
的、！１気的特性が劣化して磁気ヘッドとして十分な特
性が得られなくなる。

〔発明の目的〕

本発明は上記した問題を解決した、優れた特性の磁気ヘ
ッドを提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明に係る磁気ヘッドは、磁性体薄膜とコイル導体薄
膜が別々の支持基体に形成され、これらの基体が一体化
されて構成される。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁性体薄膜とコイル導体薄膜が別々の
支持基体に形成されるため、これらの薄膜が段差部で薄
くなったり不連続になったりすることがない。また膜形
成にスパッタリングを利用した場合にも、従来のように
既に形成されている下層の薄膜がスパッタリングの影響
を受けることがない。従ってコイルと磁性体の電気的、
磁気的特性の劣化がなく、優れた特性、の磁気ヘッドを
実現することができる。

〔発明の実施例〕

以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図（ａ）〜（Ｃ）は一実施例の磁気ヘッド要部を示
すもので、（ａ）（ｂ）は一体化前の状態、（Ｃ）はこ
れらを一体化した状態である。

（ａ＞に示すように第１の支持基体１にコイル導体薄膜
２を形成してコイル側基体３とする。支持基体１は例え
ば絶縁物からなる。コイル導体１ｌ１２は、金属や合金
等の導電材料をスパッタリング。

真空蒸着またはメッキなどの方法で被着形成した後、ホ
トリソグラフィ技術によりパターニングされる。一方（
１））に示すように、別の第２の支持基体４に磁性体溝
［１５を形成して磁性体側基体６とする。この支持基体
４も絶縁物とする。磁性体薄膜５は非晶質金属やＮｉＦ
ｅ合金等の軟磁性体材料を、やはりスパッタリングなど
の薄膜形成技術により被着した後、ホトリソグラフィ技
術によりバターニングされる。このようにして形成され
たコイル側基体３と磁性体側基体６は、（Ｃ）に示すよ
うにコイル導体薄１１２．１性体薄膜５を内側にしてこ
れらを対向させて一体化されて検出部７が構成される。

両者の貼り合わせはエポキシ樹脂系等の有機接着剤や低
融点ガラスなどを用いて行われる。８が接着層を示して
いる。

本発明による磁気ヘッドでは、コイル導体ｉＪ膜２は磁
性体薄膜５に高周波信号を与え、信号磁界による磁性体
溝１１５の高周波特性の変化を検知するので、コイル導
体Ｎ膜２と磁性体１膜５は近接させて配置する必要があ
る。そのためコイル側基体３と磁性体側基体６の貼り合
わせに際しては位置合わせが必要である。この意味で支
持基体１゜４の少なくとも一方に透明物質、例えばガラ
スなどを用いることが望ましい。

第２図はこのようにして得られた検出部７を含む磁気ヘ
ッドの全体構成を示し、第３図はそのＡ−Ａ−位置での
断面図を示している。検出部７は、磁気記録再生の際に
磁気記録媒体（図示しない）に接近されるため、その先
端部を機械研磨等を用いて加工して摺動面９を形成して
いる。第３図のように磁性体薄ｌＩ５は摺動面９に露出
させている。この実施例の場合磁性体薄膜５は単磁極で
あるので、信号磁界は摺動面９に露出した端部から吸い
上げられる。従って磁性体ｖ４膜５には信号磁界は摺動
面９に近い方に強く加わるので、この信号磁界による高
周波特性の変化も摺動面９に近い方で大きい。このため
、コイル導体ｉ１！１２も摺動面９に近い位置に配置さ
れている。

第２図に示すようにコイル導体薄膜２は同調用コンデン
サ１０と共にＬＣ同調回路を構成し、この同調回路には
高周波発振器１１から結合用コンデンサ１２を介して高
周波信号が供給される。ＬＣ同調回路の同調周波数と高
周波発振器１１の発振周波数はほぼ一致させておく。磁
性体簿膜５は磁気記録媒体からの信号磁界により高周波
特性が変化するので、ＬＣ同調回路に高周波信号を供給
すると、この高周波信号は磁性体薄膜５の高周波特性の
変化によるＬＣ同調回路の同調周波数や尖鋭度Ｑの変化
により振幅変調を受ける。このＬＣ同調回路の高周波信
号の変化を検出回路、例えば図示のようなダイオード１
３．抵抗１４及びコンデンサ１５からなるピーク検出回
路１６により検出することで、出力端子１７に検波出力
として再生信号が得られることになる。

この実施例によれば、コイル導体薄膜と磁性体ｉ１ｍが
別々の基板に形成されるので、これらの電気的、磁気的
特性が従来のように劣化することがな（、従って優れた
特性の磁気ヘッドが得られる。

第４図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の他の実施例の磁気ヘッ
ドを示す図である。（ａ）、（ｂ）は組立て前のそれぞ
れコイル側基体、磁性体側基体を示し、これらを一体化
して研磨加工を施して摺動面を形成した検知部の断面図
が（Ｃ）である。コイル側基体４３は先の実施例と同様
に絶縁物からなる第１の支持基体４１にコイル導体Ｗ１
膜４２を形成して得られる。磁性体側基体４８は、次の
ようにして形成される。即ち第２の支持基体４４として
Ｍｎ−ＺｎフェライトやＮｉ　−Ｚｎフェライトなどの
軟磁性基体を用い、その表面の磁気記録媒体に近接する
位置に溝を掘ってガラスなどの絶縁層４５を埋込む。こ
の絶縁層４５を埋め込んだ表面を機械研磨等により鏡面
状に仕上げ、その表面の一部に更に５ｉ０２等の絶縁物
薄膜４６を形成する。そしてこの絶縁物薄膜４６が形成
された面に、ＮｉＦｅなどの軟磁性材料による磁性体薄
膜４７を形成する。磁性体薄膜４７は図示のように絶縁
物１膜４６で覆われていない部分で基体４４に直接接着
するように形成される。このようにして形成されたコイ
ル側基体４３と磁性体側基体４８はそれぞれコイル導体
薄膜４２．磁性体薄膜４７を内側にして貼り合わせて一
体化され、（Ｃ）に示すように磁性体１膜４７が露出す
る摺動面５０が形成される。４つは接＠層である。

この実施例によっても先の実施例と同様の効果が得られ
る。またこの実施例の磁気ヘッドでは、磁気記録媒体か
らの信号磁界に対して、磁性体薄１１４７の摺動面５０
に露出する部分からこの磁性体薄膜４７を通り、基体４
４との接合部を通り、基体４４を通って磁気記録媒体に
戻る、という磁気回路が形成される。従って磁性体１Ｊ
ＩＩ１４７と支持基体４４を高透磁率の材料で形成すれ
ば、信号磁界は磁性体１１１１４７内に十分に入り込み
、高い検出感度が得られることになる。

第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の更に他の実施例の磁気
ヘッドを示すもので、（ａ＞、（ｂ）はそれぞれ組立て
前のコイル側基体、磁性体側基体であり、（Ｃ）はこれ
らを一体化して摺動面を形成した状態の断面図である。

この実施例では磁性体側基体５３は第１図の実施例と同
様に絶縁物からなる支持基体５１に磁性体Ｉ９膜５２を
形成して得られる。コイル側基体５９は次のようにして
形成される。支持基体５４として軟磁性材料基体を用い
、その表面の磁気記録媒体に近接する位置に溝を掘って
絶縁層５５を埋め込み、この絶縁層５５を埋め込んだ表
面を鏡面状に仕上げる。そしてこの鏡面仕上げをした基
体表面にコイル導体薄膜５７を埋込む。このコイル導体
薄ｗＡ５７の埋込みは、予めコイル導体薄膜を形成ずべ
き部分に浅くエツチングにより溝を形成しておき、次に
導体薄膜を被着してこれをホトリソグラフィ技術により
バターニングする方法で行うことができる。このように
してコイル導体薄！１１５７が形成された基体面にコイ
ルの端子部を残して５ｉ０２等の絶縁薄膜５８を被着す
る。このようにして形成された基体は先の各実施例と同
様に貼り合わせて一体化され、研磨により（Ｃ）に示す
ように摺動面６１が形成される。６０は接着層である。

この実施例によっても先の各実施例と同様の効果が得ら
れる。磁性体薄１１１．５２は軟磁性体基体５４に直接
接合する部分はないが、絶縁［Ｉ５８が十分に薄ければ
先の実施例と同様に磁気抵抗の小ざい磁気回路が形成さ
れ、信号磁界は磁性体薄膜５２に十分に入り込むので、
やはり高い検出感度が得られる。

なお第５図の実施例で絶縁薄膜５８は摺動面６１側端部
で磁性体薄膜５２と軟磁性体基体５４の間にギャップを
形成するためのものであるので、コイル側基体５９でな
く、磁性体側基体５３側に形成してもよい。

本発明は上記した実施例に限られるものではない。例え
ば、磁性体薄膜やコイル導体薄膜の形成に際して基体の
平面性、被着強度、電気的絶縁等を考慮し、また磁気ヘ
ットのシールドなどを考慮して、膜形成の前または後に
Ｏｒなどの金属膜や５ｉ０２等の絶縁膜または軟磁性体
膜を形成するようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例の磁気ヘッド
の要部構造を示す図、第２図は同じく全体の概略構造を
示す図、第３図は第２図のＡ−へ′位置での断面図、第
４図（ａ）〜（Ｃ）は他の実施例の磁気ヘッドの要部構
造を示す図、第５図（ａ）〜（Ｃ）は更に他の実施例の
磁気ヘッドの要部構造を示す図である。１・・・第１の支持基体（絶縁物基体）、２・・・コイ
ル導体薄膜、４・・・第２の支持基体（絶縁物基体）、
５・・・磁性体′７ｉＪ膜、８・・・接着層、９・・・
摺動面、４１・・・第１の支持基体（絶縁物基体）、４
２・・・コイル導体薄膜、４４・・・第２の支持基体（
軟磁性体基体）、４５・・・絶縁層、４６・・・絶縁物
薄膜、４７・・・磁性体薄膜、４９・・・接着層、５０
・・・摺動面、５４・・・第１の支持基体（軟磁性体基
体）、５５・・・絶縁層、５７・・・コイル導体薄膜、
５８・・・絶縁物薄膜、５１・・・第２の支持基体（絶
縁物基体）、５２・・・磁性体薄膜、６０・・・接着層
、６１・・・摺動面。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）磁気記録媒体からの信号磁界による磁性体の高周
波特性の変化を前記磁性体と電磁的に結合したコイルで
検知し、このコイルを含む同調回路の出力電圧の変化か
ら前記磁気記録媒体に記録された信号を再生する磁気ヘ
ッドにおいて、コイル導体薄膜が形成された第１の基体
と、磁性体薄膜が形成された第２の基体とが、前記コイ
ル導体薄膜と磁性体薄膜とを対向させて一体化されてい
ることを特徴とする磁気ヘッド。
（２）前記第１の基体及び第２の基体は絶縁物からなる
特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド。
（３）前記第１の基体は絶縁物からなり、前記第２の基
体は軟磁性体基体であってその表面の前記磁気記録媒体
に近接する部分に絶縁層が埋め込まれ、この絶縁層が埋
め込まれた部分を覆うように絶縁物薄膜が形成され、こ
の絶縁物薄膜上に前記磁性体薄膜がその磁気記録媒体に
対向する端部と反対側の端部で前記軟磁性体基体に接合
するように被着されている特許請求の範囲第１項記載の
磁気ヘッド。
（４）前記第１の基体は軟磁性体基体であってその表面
の前記磁気記録媒体に近接する部分に絶縁層が埋め込ま
れ、この絶縁層が埋め込まれた基体表面に前記コイル導
体薄膜が埋め込まれて、その上に前記コイル導体薄膜の
端子部を除く領域に絶縁薄膜が被着されており、前記第
２の基体は絶縁物からなる特許請求の範囲第１項記載の
磁気ヘッド。