JPS6028007A - 磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装
置に係り、特に記録媒体が形成する信号磁界の変化によ
る磁性体の高周波特性の変化を利用して再生を行なう磁
気記録再生装置に関する。

［発明の技術的背景とその問題点］ 従来の磁気記録再生装置は、リング型の磁気ヘッドを用
い、記録の場合はヘッドのギャップに発生させた信号磁
界で磁気記録媒体を磁化して記録を行ない、再生は媒体
からの磁束変化によるヘッドの誘起起電力を再生出力と
して取り出す方式であった。この方式では、面内配向の
磁気記録媒体を使用する場合、記録波長を短かくすれば
するほど減磁界の効果が強まって記録を困難にし、再生
においてもリング型磁気ヘッドが磁束検出型であること
で再生出力がトラック幅に依存するため、原理的に高密
度記録再生には不利であった。

一方、最近注目されている垂直磁気記録方式は、信号磁
化を磁気記録媒体の面に垂直な方向に向けて記録を行な
う方式のため、記録波長を短かくした方が記録が安定す
るといった特徴をもつことから高密度記録に適した方式
である。しかし、垂直磁気記録方式でも再生にはリング
型ヘッド又は主磁極と副磁極からなるヘッド構成など磁
束検出の方式が従来用いられているため、面内配向の場
合と同様に再生出力がトラック幅による制限を受ける。

ところで、発明者らは既に特願昭５５−１１０３４０号
等において新しい原理に基づく磁気再生装置を提案して
いる。この装置は磁気記録媒体からの信号磁界の変化を
透磁率や高周波損失等の特性変化として検出する磁性体
を設け、この磁性体に巻回したコイルのインダクタンス
変化を利用して再生を行なうものである。即ち、上記コ
イルはキャパシタンス素子とともに同調回路を構成し、
この同調回路には高周波発振器から高周波信号が供給さ
れる。この場合、磁気記録媒体からの信号磁界の強さに
よって上記磁性体の特性が変化し、これに巻回したコイ
ルのインダクタンスが変化すると、これに伴い同調回路
の共振周波数やＱ（尖鋭度）が変化するので、同調回路
よりの高周波信号出力が変化する。従ってこの高周波信
号出力の変化を検波回路を通して検出することにより、
磁気記録媒体に記録された信号に対応した再生出力が得
られる。

この方式によれば磁気記録媒体が形成する磁界のわずか
な変化も磁性体の特性変化として検出され、再生出力と
して取り出されるとともに、再生出力エネルギーが高周
波発振器から供給されるので、高レベルかつＳ／Ｎの良
好な再生出力を得ることができ、記録トラック幅を２０
μｍ以下にまで狭くしても十分に再生を行なうことが可
能となる。

このように特願昭５５−１１０３４０号等で提案した方
式は原理的に従来の磁気再生方式に比べ高密度記録再生
に適しているが、その高密度化にはやはり限界がある。

それは記録密度を上げるために記録波長を短かくして再
生を行なおうとすると、磁性体の一部にしか信号磁界が
及ばなくなるからである。すなわち磁気記録媒体が形成
する信号磁界は媒体から遠ざかるにつれて急激に減少し
、この傾向は記録波長が短かい程顕著になり、短波長記
録では再生出力をとり出すための磁性体の特性の変化は
小さくなってしまう。従ってこの方式を垂直磁気記録媒
体に記録された信号の再生に用いる場合にも、記録媒体
からの信号磁界を磁性体に十分に入りこむようにする必
要があった。

［発明の目的］ この発明の目的は、狭トラツク幅で高密度に記録された
垂直磁気記録媒体から十分レベルの大きい再生出力をＳ
／Ｎよく得ることができる磁気記録再生装置を提供する
ことである。

［発明の概要］ この発明は裏打ち高透磁率層を持つ垂直磁気記録媒体が
形成する磁界の変化を検出する薄膜磁性体を設けるとと
もに、この薄膜磁性体を通る磁束を裏打ち高透磁率層へ
戻すヨークを付加し、１ＷＩｌｌ磁性体を含むインダク
タンス素子を同調素子の一部として構成した同調回路に
高周波信号を供給し、薄膜磁性体により検出された磁界
の変化によるこの同調回路の高周波出力の変化を検出し
て、垂直磁気記録媒体に記録された信号を再生するよう
にしたことを特徴としている。

［発明の効果］ この発明によれば、垂直磁気記録媒体から信号磁界を取
り出す際に、薄ｉ！磁性体とヨークと裏打ち高透磁率層
の三者により磁気抵抗の低い磁気回路が形成されるため
、記録媒体から生じる磁束は薄膜磁性体からヨークを通
り裏打ち高透磁率層に戻る。従ってインダクタンス素子
として働く薄膜磁性体は、信号磁界を高感度に検出する
ことが可能になり、同調回路からの高周波出力から得ら
れる再生出力は高レベルかつＳ／Ｎの良好な信号となる
。

また、この場合薄ＩＩ！磁性体は磁気記録媒体の表面近
傍に集中して存在する短波長信号の信号磁界をも上記磁
気回路を通して効率よく検出するので、低い周波数から
高い周波数まで広い帯域にわたり平坦な再生周波数特性
が得られる。

［発明の実施例コ 第１図はこの発明の一実施例を示すものである。

トラック方向に沿った断面で示されている垂直磁気記録
媒体ｊ−は、ベース層２の上にパーマロイ等からなる好
ましくは透磁率μｍ１０００程度以上の裏打ち高透磁率
層３を形成し、その上にコバルｌ〜−クロム、バリウム
−フェライト等からなる垂直磁気異方性を有する記録層
４を設けたものである。

この記録媒体上よに、図示しない支持基体の側面に被着
形成された薄膜磁性体５が一端側を記録層４に対向させ
て配置されている。そして、この薄膜磁性体５に接して
、これと裏打ち高透磁率層３とを結合する高透磁率磁性
体からなるヨーク６が設けられている。

信号の記録は、薄膜磁性体５を垂直磁気記録ヘッドにお
ける主磁極として、例えばヨーク６（または磁性体５）
に巻回された記録コイル７に記録回路８から信号電流を
供給し、記録層４に垂直方向（厚み方向）の信号磁化９
を形成することによって、垂直磁気記録の形で行なわれ
る。

一方、こうして垂直磁気記録された信号のこの発明に基
く再生は、次のようにして行なわれる。

今、記録時と同様に記録媒体上上に薄膜磁性体５を配置
すると、この磁性体５の直下における記録層４内の信号
磁化９は、この信号磁化９から出た磁束がＷＪｌｌ＊磁
性体５を通り、さらに裏打ち高透磁率層３を経由して信
号磁化９にもどるという磁気回路を形成する。なお、裏
打ち高透磁率層３には、記録層４の微小領域の信号磁化
９に対応して記録媒体Ｄトラック方向に領域的に拡大さ
れた磁化領域１０が形成される。

ここで、ｆｉ膜磁性体５と裏打ち高透磁率層３とヨーク
６は一磁気抵抗の低い磁気回路を形成するため、信号磁
化９によって形成される信号磁界は薄膜磁性体５に十分
に入り込み、これによって薄膜磁性体５は磁界の変化に
応じた透磁率の変化等の特性変化を起こし、これに伴な
ってそのインダクタンスが変化する。そこで薄膜磁性体
５に一対の電極１１ａ、１１ｂを被着して、これらの電
極１１８．１１ｂを引出し端子とするインダクタンス素
子を形成し、これに同調用コンデンサ１２を接続してＬ
Ｃ同調回路を構成すると、薄膜磁性体５の信号磁界によ
る特性変化によって、この同調回路の同調周波数や尖鋭
度Ｑが変化する。このとき、この同調回路に整合用コン
デンサ１３を介して高周波発振器１４から高周波信号を
供給すると、この高周波信号は同調回路で振幅変調を受
ける。

従って、この同調回路の高周波信号出力の変化を検出回
路、例えばダイオード１５と抵抗１６およびコンデンサ
１７からなるピーク検波回路１８で検出することにより
、検波出力として信号再生出力１９が得られる。

第２図はインダクタンス素子の他の構成例を示している
。同図（ａ　）は薄膜磁性体５に垂直磁気記録媒体上の
面と平行に高周波信号電流が流れるように、薄膜磁性体
５にインダクタンス素子の引出し端子となる一対の電極
２１８．２１ｂを被着したものである。

第２図（ｂ）は薄膜磁性体５にコイル２２を巻回し、コ
イル２２の両端をインダクタンス素子の引出し端子とし
たもので、薄膜磁性体５の特性変化をインダクタンス変
化として効率よく取り出せる利点がある。

第２図（Ｃ）は薄膜磁性体５の表面に導電薄膜２３を被
着し、この導電薄膜２３の二点をインダクタンス素子の
引出し端子とすることによって、インダクタンス素子の
抵抗弁を小さくしたものである。

第２図（ｄ　）は薄膜磁性体５の中を通る記録媒体上か
らの磁束の方向と平行に高周波信号が流れるように、導
電薄膜２４を薄膜磁性体５に被着し、その上下両端を引
出し端子としたものである。このような構成をとると、
高周波信号による磁界と記録媒体からの磁束の方向が直
交するため、薄膜１４１ｍ休５の高磁界において生じる
磁気共鳴吸収現象に基づく透磁率、高周波損失の大きな
変化を利用して、一層高感度の再生を行なうことが可能
となる。

第３図はこの発明の他の実施例を示したもので、薄Ｉ！
＊磁性体５の両側にヨーク５ａ、６ｂを設けたものであ
る。この実施例によれば、薄膜磁性体５と裏打ち高透磁
率層３とヨーク６ａ、６ｂの磁気回路において、ヨーク
の記録媒体りとの対向面積が大きくなることで磁気抵抗
をより小さくできるという効果がある。

なお、第１図の実施例では薄膜磁性体を垂直磁気記録ヘ
ッドにおける主磁極と兼用したが、主磁極とは別個に設
けてもよいことは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す図、第２図（ａ　）
　（ｂ　）　（ｃ　）　（ｄ　）はこの発明におけるイ
ンダクタンス素子の伯の構成例を示す図、第３図はこの
発明の他の実施例を示す図である。 」Ｅ・・垂直磁気記録媒体、２・・・ベース層、３・・
・裏打ち高透磁率層、４・・・記録層、５・・・薄膜磁
性体、６．６ａ　、６ｂ・・・ヨーク、７・・・記録コ
イル、８・・・記録回路、９・・・記録層における信号
磁化、１０・・・裏打ち高透磁率層における磁化領域、
１１ａ。 １１ｂ・・・電極、１２・・・同調用コンデンサ、１３
・・・整合用コンデンサ、１４・・・高周波発振器、１
８・・・検波回路、１９・・・信号再生出力、２１８．
２１ｂ・・・電極、２２・・・コイル、２３．２４・・
・導電薄膜。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）記録層の裏面側に裏打ち高透磁率時を有する垂直
   磁気記録媒体と、この記録媒体の前記記録層に一端側を
   対向させて配置された薄膜磁性体を含み前、記記録媒体
   に記録された信号に対応した磁界の変化を検出するイン
   ダクタンス素子と、前記薄膜磁性体を通る磁束を前記裏
   打ち層に戻すための磁気回路を形成するヨークと、前記
   インダクタンス素子を同調素子の一部として構成された
   同調回路と、この同調回路に高周波信号を供給する手段
   と、前記磁界の変化による前記薄１！１１＆性体の特性
   変化に伴う前記同調回路の高周波信号出力の変化を検出
   して前記記録媒体に記録された信号を再生する検出回路
   とを備えることを特徴とする磁気記録再生装置。 （２インダクタンス素子は薄１１ｉｌｌａ性体に一対の
   電極を被着し、これらの電極を引き出し端子としたもの
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
   気記録再生装置。 （３）　インダクタンス素子は薄膜磁性体にコイルを巻
   回し、このコイルの両端を引き出し端子としたものであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記
   録再生装置。 （４）　インダクタンス素子は薄膜磁性体に導電薄膜を
   被着形成し、この導電薄膜の二点を引き出し端子とした
   ものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の磁気記録再生装置。 （５）検出回路は薄膜磁性体の透磁率の変化に伴う同調
   回路の同調周波数の変化による高周波信号出力の変化を
   検出するものであることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の磁気記録再生装置。 （６）検出回路は薄ｍｅｎ性体の高周波損失の変化に伴
   う同調回路のＱの変化による高周波信号出力の変化を検
   出するものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の磁気記録再生装置。 （７１ＲＩｌｕ性体はこの磁性体またはヨークに記録用
   コイルが巻回されることによって垂直磁気記録ヘッドに
   おける主磁極と兼用されるものであることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載の磁気
   記録再生側Ｌ