JPS61183807A - メタライズ組成物 - Google Patents
メタライズ組成物Info
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- JPS61183807A JPS61183807A JP2384685A JP2384685A JPS61183807A JP S61183807 A JPS61183807 A JP S61183807A JP 2384685 A JP2384685 A JP 2384685A JP 2384685 A JP2384685 A JP 2384685A JP S61183807 A JPS61183807 A JP S61183807A
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- Japan
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- composition
- paste
- powder
- weight percent
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ＩＣ，チップ部品などを搭載し、かつそ
れらを相互配線したセラミック配線基板に代表されるハ
イブリッドＩＣ用のメタライズ組成物に関するものであ
る。
れらを相互配線したセラミック配線基板に代表されるハ
イブリッドＩＣ用のメタライズ組成物に関するものであ
る。
従来の技術
セラミック配線基板は、現在その配線形成法により分類
すると３つの方法がある。それは、■厚膜法 ■グリー
ンシート印刷法 ■グリーンシート積層法と呼ばれるも
のがそうである。以下簡単にその方法を述べる。まず厚
膜印刷法は、ハイブリッドＩＣに代表されるもので、焼
結剤のセラミック基板に、導体や絶縁体の厚膜ペースト
を使用してパターン形成を行う方法である。この方法は
、厚膜ペーストが手軽に入手できることや、工法そのも
のが簡単なため、比較的容易に製造ができるので現在多
くの方面で実用化されている。しかしこの厚膜印刷法は
、絶縁層にガラスを用いるためあまり多層化に向かない
、かつ印刷後、その都度焼成を行うので、設備コストの
アップやリードタイムが長くなるなどの欠点があり、さ
らには、焼結済の基板を用いるためスルーホール加工が
困難で両面配線や多層化にはあまシ適当とは云えない。
すると３つの方法がある。それは、■厚膜法 ■グリー
ンシート印刷法 ■グリーンシート積層法と呼ばれるも
のがそうである。以下簡単にその方法を述べる。まず厚
膜印刷法は、ハイブリッドＩＣに代表されるもので、焼
結剤のセラミック基板に、導体や絶縁体の厚膜ペースト
を使用してパターン形成を行う方法である。この方法は
、厚膜ペーストが手軽に入手できることや、工法そのも
のが簡単なため、比較的容易に製造ができるので現在多
くの方面で実用化されている。しかしこの厚膜印刷法は
、絶縁層にガラスを用いるためあまり多層化に向かない
、かつ印刷後、その都度焼成を行うので、設備コストの
アップやリードタイムが長くなるなどの欠点があり、さ
らには、焼結済の基板を用いるためスルーホール加工が
困難で両面配線や多層化にはあまシ適当とは云えない。
次にグリーンシート印刷法であるが、これは、セラミッ
ク粉末（たとえば、アルミナ、ベリリアなどを主成分と
するもの）に有機結合剤と可塑剤。
ク粉末（たとえば、アルミナ、ベリリアなどを主成分と
するもの）に有機結合剤と可塑剤。
溶剤を加えてボールミルによってスラリー状にし、ドク
ターブレード法でシート状に造膜したもの（グリーンシ
ートと呼ぶ）を用いる。導体ペーストにはＷやＭｏなど
の高融点金属が用い、前記グリーンシート材料と同一組
成の無機成分を用いたペーストを絶縁層用ペーストとし
て用いる。この導体ペーストと絶縁ペーストを前記グリ
ーンシート上に交互に印刷積層化し多層化するもので、
、後に一度で焼成を行う。ただしこの焼成は、前記、高
融点金属のＷ、ＭＯが酸化されないような還元雰上 囲気中で行なわれる。（例えば、１５００′ｃＮ２とＨ
２雰囲気）このグリーンシートを用いる方法は、いくつ
かの長所を有している。第１には、印刷積層後、一度の
焼成で良いので、製造に要する時間が短縮できること、
第二に絶縁層が基板材料と同一組成であるので放熱性、
気密性にすぐれている。その他加工が容易な点、導体材
料費が安い点などが上げられる。しかし欠点としては、
大きな設計変更ができないこと、高温でＨ２を用いるの
で危険であり、設備コストも高い。また、Ｗ。
ターブレード法でシート状に造膜したもの（グリーンシ
ートと呼ぶ）を用いる。導体ペーストにはＷやＭｏなど
の高融点金属が用い、前記グリーンシート材料と同一組
成の無機成分を用いたペーストを絶縁層用ペーストとし
て用いる。この導体ペーストと絶縁ペーストを前記グリ
ーンシート上に交互に印刷積層化し多層化するもので、
、後に一度で焼成を行う。ただしこの焼成は、前記、高
融点金属のＷ、ＭＯが酸化されないような還元雰上 囲気中で行なわれる。（例えば、１５００′ｃＮ２とＨ
２雰囲気）このグリーンシートを用いる方法は、いくつ
かの長所を有している。第１には、印刷積層後、一度の
焼成で良いので、製造に要する時間が短縮できること、
第二に絶縁層が基板材料と同一組成であるので放熱性、
気密性にすぐれている。その他加工が容易な点、導体材
料費が安い点などが上げられる。しかし欠点としては、
大きな設計変更ができないこと、高温でＨ２を用いるの
で危険であり、設備コストも高い。また、Ｗ。
Ｍｏは導体抵抗が高く、ハンダ付けできないことや、表
面が酸化されやすいのでＡｕやＮｉをコーティングする
ための後処理が必要なことなどが上げられる。
面が酸化されやすいのでＡｕやＮｉをコーティングする
ための後処理が必要なことなどが上げられる。
最後のグリーンシート積層法は、グリーンシート印刷法
とほぼ同一の手法であるが多層化する時に導体を印刷し
バイアホール加工を済ませたグリーンシートを多数枚積
層して張り合わせる方法であり、前述のグリーンシート
印刷法の利点をそのまま適用できるものである。
とほぼ同一の手法であるが多層化する時に導体を印刷し
バイアホール加工を済ませたグリーンシートを多数枚積
層して張り合わせる方法であり、前述のグリーンシート
印刷法の利点をそのまま適用できるものである。
次にセラミック基板に用いられるメタライズ導電材料に
注目すると厚膜法では、Ａｕ、Ａｇ Ｐｄ。
注目すると厚膜法では、Ａｕ、Ａｇ Ｐｄ。
Ｃｕなどが用いられグリーンシート法ではＷ、Ｍ。
カμ般に使用される。Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄは、空気中で焼
付ける反面、貴金属であるのでコストが高くつく。グリ
ーンシート法ではセラミックを焼結させる温度が１５０
０°Ｃ以上の高温であるためＷ、Ｍ。
付ける反面、貴金属であるのでコストが高くつく。グリ
ーンシート法ではセラミックを焼結させる温度が１５０
０°Ｃ以上の高温であるためＷ、Ｍ。
などの高融点金属しか使えない。そこで現在導体材料が
低くマイグレーショ／が起こらず、ハンダ付は性も良好
であるＣｕを用いた配線基板が注目されつつある。そし
て厚膜印刷法では一部実用化された例もある。
低くマイグレーショ／が起こらず、ハンダ付は性も良好
であるＣｕを用いた配線基板が注目されつつある。そし
て厚膜印刷法では一部実用化された例もある。
例えば■５ｔｅｉｎ、Ｓ、Ｊ 、、Ｈｕａｎｇ、Ｃ，ａ
ｎｄＣａｎｇ、Ｌ、。
ｎｄＣａｎｇ、Ｌ、。
Ｉ ｎｔｓｒｎａｔ １ｏｎａｊ！ ５ｏｃｉ ｅｔｙ
ｆｏｒ Ｈｙｂｒ ｉｄ Ｍ １ｃｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ１９８０ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ 、
ｐｐ ２９１〜２９６■ Ｎｅｅｄ 、 Ｃ，Ｒ，、Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｄｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓＣａｎ ｆｅｒｅｎｃｅ １９Ｂ２ ｐｐ ９４
−１０１しかし卑金属であるがための欠点もある。それ
は卑金属のため空気中で焼き付けることができず、かつ
基板との接着強度、シート抵抗、ハンダ付は性、バイン
ダの分解の影響から窒素の雰囲気中に若干の酸素を含ま
せるといった微妙な雰囲気のコントロールが要求されて
いるからである。しかもＣｕの導体形成の後、抵抗や誘
電体を形成しようとした場合も、前記と同様の雰囲気で
焼付けを行う必要がある。しかしその条件下で使用でき
る抵抗体や誘電体で実用に供するものはごく一部であり
、その選択の自由度は極めて少い。
ｆｏｒ Ｈｙｂｒ ｉｄ Ｍ １ｃｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ１９８０ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ 、
ｐｐ ２９１〜２９６■ Ｎｅｅｄ 、 Ｃ，Ｒ，、Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｄｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓＣａｎ ｆｅｒｅｎｃｅ １９Ｂ２ ｐｐ ９４
−１０１しかし卑金属であるがための欠点もある。それ
は卑金属のため空気中で焼き付けることができず、かつ
基板との接着強度、シート抵抗、ハンダ付は性、バイン
ダの分解の影響から窒素の雰囲気中に若干の酸素を含ま
せるといった微妙な雰囲気のコントロールが要求されて
いるからである。しかもＣｕの導体形成の後、抵抗や誘
電体を形成しようとした場合も、前記と同様の雰囲気で
焼付けを行う必要がある。しかしその条件下で使用でき
る抵抗体や誘電体で実用に供するものはごく一部であり
、その選択の自由度は極めて少い。
例えば、焼成の雰囲気については、
レスター・ウィン・ヘラン、ラジ・ナビ／チャンドラφ
マスター、ラオ・ラママハラ・タマラ特開昭５５−１２
８８９９号公報 例えば、抵抗体については、 Ｂａｕｄｒｙ 、 Ｈａｎｄ Ｍａｎｎｅｒａｙｅ 、
Ｍ 、 、 Ｔｈ１ｒｄ ＥｕｒｏｐｅａｎＨｙｂｒ
ｉｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｔｄ’
ｅｒｅｎｃｅ １９８１ 、ｐｐｌ ８８−１９６ とはいえ、Ｃｕの利点は、非常に魅力的で、今後各方面
での研究開発活動を通して徐々に実用化に向かっていく
ことは、違いないであろう。
マスター、ラオ・ラママハラ・タマラ特開昭５５−１２
８８９９号公報 例えば、抵抗体については、 Ｂａｕｄｒｙ 、 Ｈａｎｄ Ｍａｎｎｅｒａｙｅ 、
Ｍ 、 、 Ｔｈ１ｒｄ ＥｕｒｏｐｅａｎＨｙｂｒ
ｉｄ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｔｄ’
ｅｒｅｎｃｅ １９８１ 、ｐｐｌ ８８−１９６ とはいえ、Ｃｕの利点は、非常に魅力的で、今後各方面
での研究開発活動を通して徐々に実用化に向かっていく
ことは、違いないであろう。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このＣｕ配線基板を実用化する上には、
いくつかの克服すべき問題がいくつかある。この克服す
べき問題点を以下に示す。
いくつかの克服すべき問題がいくつかある。この克服す
べき問題点を以下に示す。
まず第１にＣｕの融点は１０８３°Ｃと低いため、基板
材料と同時焼成を行うには、基板材料そのものの焼結温
度をそれ以下にする必要があること０第２にＣｕメタラ
イズの焼付は雰囲気が中性もしくは還元雰囲気であり、
そのような条件で、バインダーを使用するには、困難が
生じることである。
材料と同時焼成を行うには、基板材料そのものの焼結温
度をそれ以下にする必要があること０第２にＣｕメタラ
イズの焼付は雰囲気が中性もしくは還元雰囲気であり、
そのような条件で、バインダーを使用するには、困難が
生じることである。
つまり、生シートに用いられる有機バインダ、およびペ
ースト中のビヒクルに用いられる同じく有機バインダな
どは非酸化性雰囲気では、完全に除去するのが困難で、
特に銅の融点以下の温度では熱力学的に分解しないとい
われている。そして完全にバインダが除去できなければ
、セラミック材料そのものも多孔質のままで存在すると
いわれており焼結が進行しないばかりか、残こったカー
ボンのためブリスターが発生したりする。第３には、Ｃ
ｕ自体が軟かい金属であシ、Ｃｕのみではメタライズ性
（接着強度、半田付は性）が不充分である。などの問題
点のため実用化が困難とされている。
ースト中のビヒクルに用いられる同じく有機バインダな
どは非酸化性雰囲気では、完全に除去するのが困難で、
特に銅の融点以下の温度では熱力学的に分解しないとい
われている。そして完全にバインダが除去できなければ
、セラミック材料そのものも多孔質のままで存在すると
いわれており焼結が進行しないばかりか、残こったカー
ボンのためブリスターが発生したりする。第３には、Ｃ
ｕ自体が軟かい金属であシ、Ｃｕのみではメタライズ性
（接着強度、半田付は性）が不充分である。などの問題
点のため実用化が困難とされている。
問題点を解決するための手段
上記の問題を解決するために本発明は、Ｃｕ導体ペース
トの出発原料として主成分に酸化第二銅（ＣｕＯ）ｔ−
用イ、添加物トシテＢｉ２Ｏ３、ｃｄ○、にρ２Ａ１２
０３ の内の少くとも一種以上を添加したものを無機
成分とし、ビヒルルと溶剤組成物を加えたものを、混練
したものを用いる。また前記無機成分にさらに、粉末ガ
ラスを添加したものを導体ペーストとする方法である。
トの出発原料として主成分に酸化第二銅（ＣｕＯ）ｔ−
用イ、添加物トシテＢｉ２Ｏ３、ｃｄ○、にρ２Ａ１２
０３ の内の少くとも一種以上を添加したものを無機
成分とし、ビヒルルと溶剤組成物を加えたものを、混練
したものを用いる。また前記無機成分にさらに、粉末ガ
ラスを添加したものを導体ペーストとする方法である。
作 用
本発明は上記の組成の導体ペーストを用いることで、非
酸化性雰囲気中での焼成が可能となるものである。つま
り出発原料にＣｕ０ｆｄ２金属酸化物を用いるので、あ
らかじめ熱処理を、有機バインダの除去に、充分な酸化
雰囲気で行なえる、そして焼成時には、ＣｕＯの還元の
みを考えてＨ２を含むＮ２雰囲気で熱処理すれば良い。
酸化性雰囲気中での焼成が可能となるものである。つま
り出発原料にＣｕ０ｆｄ２金属酸化物を用いるので、あ
らかじめ熱処理を、有機バインダの除去に、充分な酸化
雰囲気で行なえる、そして焼成時には、ＣｕＯの還元の
みを考えてＨ２を含むＮ２雰囲気で熱処理すれば良い。
したがって従来で良い。また、前記空気中熱処理工程で
は、処理温度をコントロールすることで、所望の程度Ｃ
ム０の拡散層を形成させることが可能である。これによ
り、焼成後Ｃｕメタライズ層の接着強度の向上に効果が
ある。
は、処理温度をコントロールすることで、所望の程度Ｃ
ム０の拡散層を形成させることが可能である。これによ
り、焼成後Ｃｕメタライズ層の接着強度の向上に効果が
ある。
また、Ｂ１２ｏ３．ＣｄＯ２ＭｎＯ２，Ａｌ２Ｏ３の添
加物は、半田付は性およびメタライズ接着性の向上に著
しい効果がある。
加物は、半田付は性およびメタライズ接着性の向上に著
しい効果がある。
さらに、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ３、ＣａＯ２Ｍｇ０２Ａ１２０
３゜Ｓ ｉ０２などより選ばれた組成によるガラスをさ
らに添加すると接着性に効果があることがわかった。
３゜Ｓ ｉ０２などより選ばれた組成によるガラスをさ
らに添加すると接着性に効果があることがわかった。
て
このガラス成分は、Ｃｕに対して熱力学的に安ゼＣｕを
酸化させることは無い。
酸化させることは無い。
実施例
（実施例１）
まず本発明にかかるセラミック基板材料には、アルミナ
９６％の焼結剤基板を用いた。（厚み１、Ｏｗｔ）そし
て、導体材料にＣｕＯ粉（２，５μｍ平均粒径）を主成
分とし第−表に示す組成でＢ１２Ｏ３、ＣｄＯ２ＭｎＯ
２゛、Ａｌ２Ｏ３を添加した。この混合粉を用いてペー
スト化した。ペースト作製のための条件は、まずビヒク
ル組成に、溶剤としてテレピン油を用い有機バインダで
あるエチルセルロースを溶かしたものを上記混合粉末と
三段ロールにて混練しペーストとした。このペーストを
前記アルミナ基板上にスクリーン印刷法でパター化した
。この時の印刷厚みは約２０μｍである。
９６％の焼結剤基板を用いた。（厚み１、Ｏｗｔ）そし
て、導体材料にＣｕＯ粉（２，５μｍ平均粒径）を主成
分とし第−表に示す組成でＢ１２Ｏ３、ＣｄＯ２ＭｎＯ
２゛、Ａｌ２Ｏ３を添加した。この混合粉を用いてペー
スト化した。ペースト作製のための条件は、まずビヒク
ル組成に、溶剤としてテレピン油を用い有機バインダで
あるエチルセルロースを溶かしたものを上記混合粉末と
三段ロールにて混練しペーストとした。このペーストを
前記アルミナ基板上にスクリーン印刷法でパター化した
。この時の印刷厚みは約２０μｍである。
次にこの印刷済基板を乾燥して後、空気中で約７００″
Ｃの温度で脱バインダを行なった。この時、ＣｕＯを主
成分とする導体ペーストは、それ自身多少の反応は起こ
るものの、大きな体積変化を伴う収縮は起こらず、バイ
ンダが飛散したのみである。
Ｃの温度で脱バインダを行なった。この時、ＣｕＯを主
成分とする導体ペーストは、それ自身多少の反応は起こ
るものの、大きな体積変化を伴う収縮は起こらず、バイ
ンダが飛散したのみである。
したがってこの状態では、導体パターンは、非常にもろ
く、触れるとパターンが落ちてしまうこともあり取扱い
に注意を要する。なお出発原料にＣｕ金属粉を用いた場
合は、空気中の熱処理でＣｕが酸化されＣｕＯに変化す
るので、体積変化が起こり、アルミナ基板から導体パタ
ーンがハガレ落ちてしまうのでＣｕを使用することはで
きない。
く、触れるとパターンが落ちてしまうこともあり取扱い
に注意を要する。なお出発原料にＣｕ金属粉を用いた場
合は、空気中の熱処理でＣｕが酸化されＣｕＯに変化す
るので、体積変化が起こり、アルミナ基板から導体パタ
ーンがハガレ落ちてしまうのでＣｕを使用することはで
きない。
以上のようにして作製された脱バインダ済の基板を焼成
する。その条件は、昇温／降温スピートが３００″Ｃ／
時間で１０００°Ｃで１時間保持し、雰囲気としては、
Ｎ２＋Ｈ２（Ｈ２／Ｎ２＝２０／８０）で行なった。そ
の結果、を同じく第−表に示す。なお半田付は性につい
ては、ハンダディップ槽に、ディップし、その濡れ性を
定性的に判断したもので、◎○が実用可能な範囲である
。また、接着強度は２ＪＩＩ角のパターンに線径０．８
鵡φのリード線をハンダ付けし、引張シ試験機でその破
壊強度を測定した。
する。その条件は、昇温／降温スピートが３００″Ｃ／
時間で１０００°Ｃで１時間保持し、雰囲気としては、
Ｎ２＋Ｈ２（Ｈ２／Ｎ２＝２０／８０）で行なった。そ
の結果、を同じく第−表に示す。なお半田付は性につい
ては、ハンダディップ槽に、ディップし、その濡れ性を
定性的に判断したもので、◎○が実用可能な範囲である
。また、接着強度は２ＪＩＩ角のパターンに線径０．８
鵡φのリード線をハンダ付けし、引張シ試験機でその破
壊強度を測定した。
第１表
その結果、Ｂ１２ｏ３．Ｃｄｏ９Ｍｎｏ２．Ａ２２０３
を添加した場合接着強度の改善に効果がみられる。
を添加した場合接着強度の改善に効果がみられる。
２ｗｔ％以上添加したものにその効果がみられるが半田
付性などを考慮すれば、その最適添加量は、６〜１０ｗ
ｔ％程度である。
付性などを考慮すれば、その最適添加量は、６〜１０ｗ
ｔ％程度である。
第２表には、それらの添加物を組合わせた場合の結果を
示す。同様に、Ｃｄｏのみの場合に比べ改善されている
。
示す。同様に、Ｃｄｏのみの場合に比べ改善されている
。
第２表
（実施例２）
実施例１のＣｄｏ粉とＢｉ２Ｏ３、Ｃｄｏ、ＭｎＯ３゜
Ａ１２ｏ３のそれぞれを用いて、ガラス粉末の添加効果
を調べた。ガラス粉末の作製方法としては、ＢａＯ＋
Ｂ２Ｏ３＋ ５１０２ 、 Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、ｂｌ
ｑｏをそれぞれＢａω３．Ｈ，ＢＯ，、Ｓｔ、２． Ａ
ｌ２Ｏ３、ＣａＣＯ３゜棒ρの形で顆番に３０．５０，
５，１０，２．５゜２．５の重量比で混合したものを１
２６０°Ｃの温度で溶解し、水中に落下急冷させ、乾燥
の後前記ガラス粒を、湿式粉砕した。この時、溶剤はメ
チルアルコールを用いアルミナ玉石によって７２ ｈｒ
ｇ粉砕した。その結果平均粒径２μｍのガラス粉末が作
製できた。
Ａ１２ｏ３のそれぞれを用いて、ガラス粉末の添加効果
を調べた。ガラス粉末の作製方法としては、ＢａＯ＋
Ｂ２Ｏ３＋ ５１０２ 、 Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯ、ｂｌ
ｑｏをそれぞれＢａω３．Ｈ，ＢＯ，、Ｓｔ、２． Ａ
ｌ２Ｏ３、ＣａＣＯ３゜棒ρの形で顆番に３０．５０，
５，１０，２．５゜２．５の重量比で混合したものを１
２６０°Ｃの温度で溶解し、水中に落下急冷させ、乾燥
の後前記ガラス粒を、湿式粉砕した。この時、溶剤はメ
チルアルコールを用いアルミナ玉石によって７２ ｈｒ
ｇ粉砕した。その結果平均粒径２μｍのガラス粉末が作
製できた。
以上のようして作製されたガラス粉末と、ＣｕＯを基本
として第３表に示す組成でペーストを作製し、実施例１
と同様の試験を行なった。
として第３表に示す組成でペーストを作製し、実施例１
と同様の試験を行なった。
第 ３ 表
その結果、ガラス粉末を添加することで、接着強度に著
しく効果があることがわかった。なお、ガラス粉末の添
加で、１ｗｔ％でも効果があり、逆に１０ｗｔ ５以上
ではハンダがつきにくいため、れる。
しく効果があることがわかった。なお、ガラス粉末の添
加で、１ｗｔ％でも効果があり、逆に１０ｗｔ ５以上
ではハンダがつきにくいため、れる。
なお本発明において、ＢａＯ，Ｂ２Ｏ３、ＣａＯ。
’ｈｌｑｏ 、 Ａｌ２Ｏ３、５１０２のガラス成分を
用いたが、前記、組成以外でも還元雰囲気の焼成におい
てＣｕを酸化させるものでなければ、どのような組成の
ものでも良いのはいうまでもない。
用いたが、前記、組成以外でも還元雰囲気の焼成におい
てＣｕを酸化させるものでなければ、どのような組成の
ものでも良いのはいうまでもない。
発明の効果
本発明は、セラミック配線基板用の厚膜導体ペーストに
関するもので、出発原料に酸化銅を用いることで、空気
中脱バインダが可能となり、焼成の雰囲気コントロール
が容易となった。さらに添加物とシテ、Ｂ１２ｏ３．Ｃ
ｄｏ２Ｍｎ○２．Ａｌ２Ｏ３ヲ添加するか、さらにＢａ
Ｏ、Ｂ２Ｏ３、Ｃａ０２Ａ１２０３゜Ｍｑ○＋ ５１０
２よシ選択されたガラス粉末を添加することで、メタラ
イズ性において著しい効果がある。
関するもので、出発原料に酸化銅を用いることで、空気
中脱バインダが可能となり、焼成の雰囲気コントロール
が容易となった。さらに添加物とシテ、Ｂ１２ｏ３．Ｃ
ｄｏ２Ｍｎ○２．Ａｌ２Ｏ３ヲ添加するか、さらにＢａ
Ｏ、Ｂ２Ｏ３、Ｃａ０２Ａ１２０３゜Ｍｑ○＋ ５１０
２よシ選択されたガラス粉末を添加することで、メタラ
イズ性において著しい効果がある。
本発明は、低コストで信頼性の高い導体ペーストを提供
するもので、極めて効果的な発明である。
するもので、極めて効果的な発明である。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名手続
補正書（方側 昭和６０年６ 月ｚ３ 日 昭和６０年特許願第２３８４８号 ２発明の名称 メタライズ組成物 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地
名 称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ７、補正の内容 （１） 明細書第６ページ第１０行〜第１４行の［例
えば・・・・・・ｐｐ９４−１０１ Ｊを次の通り補正
します。
補正書（方側 昭和６０年６ 月ｚ３ 日 昭和６０年特許願第２３８４８号 ２発明の名称 メタライズ組成物 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
大佐 所 大阪府門真市大字門真１００６番地
名 称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者
山 下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ７、補正の内容 （１） 明細書第６ページ第１０行〜第１４行の［例
えば・・・・・・ｐｐ９４−１０１ Ｊを次の通り補正
します。
ｒ例、ｔＪｆ■シュタイン・ニス・ジェイ、ヒュアング
・シー、カン・エル・、インタナショナルソサイエティ
フォ ハイブリッド マイクロエレクトロニイクス
１９８０年議事録。
・シー、カン・エル・、インタナショナルソサイエティ
フォ ハイブリッド マイクロエレクトロニイクス
１９８０年議事録。
２９１頁〜２９６頁（５ｔａｉｎ、Ｓ、Ｊ、、Ｈｕａｎ
ｇ、Ｃ。
ｇ、Ｃ。
ａｎｄ Ｃａｎ（、Ｌ、、 Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａ
ｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒＨｙｂｒｉｄ Ｍｉｃｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １９８０ Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ。
ｌ ５ｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒＨｙｂｒｉｄ Ｍｉｃｒｏ
ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ １９８０ Ｐｒｏｃｅｅｄｉ
ｎｇｓ。
ｐｐ ２９１〜２９６）
■ニート・シー・アール０．インタナショナルマイクロ
エレクトロニクス コンフエレンス１’？１２年 ９４
頁〜１０１頁（Ｎｅｅｄ、Ｃ０Ｒ，。
エレクトロニクス コンフエレンス１’？１２年 ９４
頁〜１０１頁（Ｎｅｅｄ、Ｃ０Ｒ，。
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ １９８２ ｐｐ
９４−１０１ ） ４（謁 明細書第６ページ第１１行
〜第１３行のｒ Ｂ２Ｌｕｄｒｙ−−−−−−ｐｐ、１
ｓｓ−１９６」を次の通り補正します。
ｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ １９８２ ｐｐ
９４−１０１ ） ４（謁 明細書第６ページ第１１行
〜第１３行のｒ Ｂ２Ｌｕｄｒｙ−−−−−−ｐｐ、１
ｓｓ−１９６」を次の通り補正します。
「ハウダリイ、エイ・ツ七 モネレイ、エム・サー ・
ド ヨーロピイーアン ハイブリッド マイクロエレク
トロニクス コンフェレンス １９８１年、１８８頁〜
１９６頁（Ｂａｕｄｒｙ、ＨａｎｄＭｏｎｎｅｒａｙｅ
、Ｍ、、Ｔｈ１ｒｄ ＩＣｕｒｏｐａａｎ Ｈｙｂｒｉ
ｄＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ １９８１ 。
ド ヨーロピイーアン ハイブリッド マイクロエレク
トロニクス コンフェレンス １９８１年、１８８頁〜
１９６頁（Ｂａｕｄｒｙ、ＨａｎｄＭｏｎｎｅｒａｙｅ
、Ｍ、、Ｔｈ１ｒｄ ＩＣｕｒｏｐａａｎ Ｈｙｂｒｉ
ｄＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏｎｆｅｒｅ
ｎｃｅ １９８１ 。
ｐｐ １８Ｂ−１９６） Ｊ
Claims (3)
- （１）酸化第二銅（ＣｕＯ）粉末８５〜９８重量パーセ
ントに、少くともＢｉ＿２Ｏ＿３、ＣｄＯ、ＭｎＯ＿２
；Ａｌ＿２Ｏ＿３の内の一種以上を、２〜１５重量パー
セント含有した無機成分とビヒクルおよび溶剤組成物よ
り構成されていることを特徴とする、メタライズ組成物
。 - （２）酸化第二銅（ＣｕＯ）粉末を８４〜９７重量パー
セント、粉末ガラスを１〜１０重量パーセント、および
Ｂｉ＿２Ｏ＿３、ＣｄＯ、ＭｎＯ＿２、Ａｌ＿２Ｏ＿３
のうち少くとも一種以上を２〜１５重量パーセント含有
した無機成分とビヒクルおよび溶剤組成物より構成され
ていることを特徴とするメタライズ組成物。 - （３）ガラス粉末が、ＢａＯ、Ｂ＿２Ｏ＿３、ＣａＯ、
ＭｇＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２のうちより選ばれ
た成分によって構成されていることを特徴とする特許請
求の範囲（２）項に記載のメタライズ組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2384685A JPS61183807A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | メタライズ組成物 |
| US06/756,081 US4714570A (en) | 1984-07-17 | 1985-07-17 | Conductor paste and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the paste |
| US07/066,182 US4863683A (en) | 1984-07-17 | 1987-06-24 | Conductor paste and method of manufacturing a multilayered ceramic body using the paste |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2384685A JPS61183807A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | メタライズ組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183807A true JPS61183807A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12121767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2384685A Pending JPS61183807A (ja) | 1984-07-17 | 1985-02-08 | メタライズ組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183807A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291303A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタライズ組成物 |
| JPS63291304A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタライズ組成物 |
| JPS6413790A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Koa Corp | Copper electrode paste |
| JPH05198698A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-08-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 銅ベース焼結ペーストおよび多層セラミック・パッケージ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59226178A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-12-19 | セントララブ・インコ−ポレ−テツド | 銅金属被覆の形成方法 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2384685A patent/JPS61183807A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59226178A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-12-19 | セントララブ・インコ−ポレ−テツド | 銅金属被覆の形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63291303A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタライズ組成物 |
| JPS63291304A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メタライズ組成物 |
| JPS6413790A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Koa Corp | Copper electrode paste |
| JPH05198698A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-08-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 銅ベース焼結ペーストおよび多層セラミック・パッケージ |
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