JPS6117474A - セラミツク基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS6117474A JPS6117474A JP13508784A JP13508784A JPS6117474A JP S6117474 A JPS6117474 A JP S6117474A JP 13508784 A JP13508784 A JP 13508784A JP 13508784 A JP13508784 A JP 13508784A JP S6117474 A JPS6117474 A JP S6117474A
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- JP
- Japan
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- firing
- ceramic substrate
- temperature
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、けラミック基板の製造方法に関し、詳しくは
平滑度の高いセラミック基板を容易にかつ効率良く製造
リ−るセラミック基板の製造方法に関する。
平滑度の高いセラミック基板を容易にかつ効率良く製造
リ−るセラミック基板の製造方法に関する。
（発明の背景）
セラミック基板は、基板上に電子回路配線がスクリーン
印刷され、あるいはし８１等のチップが搭載されること
から表面の平滑性が要求される。
印刷され、あるいはし８１等のチップが搭載されること
から表面の平滑性が要求される。
このようなセラミック基板は、通常は壬数百度以上の高
温で焼成されるが、高温度での均一な加熱、雰囲気制御
等の人為的制御が困難なため多少の反りやうねりは許容
されているのが現状である。
温で焼成されるが、高温度での均一な加熱、雰囲気制御
等の人為的制御が困難なため多少の反りやうねりは許容
されているのが現状である。
しかしながら、電子回路用セラミック基板は、回路の信
頼産肉上等の見地から可能な限り平滑な基板であること
が好ましく種々の検討がなされている。
頼産肉上等の見地から可能な限り平滑な基板であること
が好ましく種々の検討がなされている。
従来では、セラミック基板の反りやうねりを小さくする
ためには、セラミック生シートを焼成する際に、セラミ
ック生シートを外力によって強制的に矯正する方法が知
られており、例えば特開昭５６−５４２７５、特公昭５
３−２３８４３、特開昭５５−９０４７５および特開昭
５９−５００７９等が挙げられる。しかし、これらの方
法は外力を加える方法が繁髄なため生産性の向上を妨げ
るという欠点がある。
ためには、セラミック生シートを焼成する際に、セラミ
ック生シートを外力によって強制的に矯正する方法が知
られており、例えば特開昭５６−５４２７５、特公昭５
３−２３８４３、特開昭５５−９０４７５および特開昭
５９−５００７９等が挙げられる。しかし、これらの方
法は外力を加える方法が繁髄なため生産性の向上を妨げ
るという欠点がある。
一方、例えばアルミナ基板の製造方法では一度千数百度
で焼成したものを第１図のように、セッター１の間にア
ルミナ基板２を数枚積み重ねたものを１４００〜１４５
０℃で再焼成するという方法も知られている。しかし、
このような方法で再焼成しても、１４００〜１４５０℃
の温度範囲では十分に反りやうねりが修正されない、こ
の温度範囲で強制的に修正しようとすれば多大な加重と
時間を要し加重が多き過ぎれば基板に割れを生じたり、
端部ではね上がり等の平坦でない部分が生ずるなどの問
題がある。
で焼成したものを第１図のように、セッター１の間にア
ルミナ基板２を数枚積み重ねたものを１４００〜１４５
０℃で再焼成するという方法も知られている。しかし、
このような方法で再焼成しても、１４００〜１４５０℃
の温度範囲では十分に反りやうねりが修正されない、こ
の温度範囲で強制的に修正しようとすれば多大な加重と
時間を要し加重が多き過ぎれば基板に割れを生じたり、
端部ではね上がり等の平坦でない部分が生ずるなどの問
題がある。
また、反り矯正炉という名称の製品かあるが、使用範囲
は？４５０″Ｃ以下のものであり、この範囲の温度域で
は反りやうねりの修正には有効に適用できない。
は？４５０″Ｃ以下のものであり、この範囲の温度域で
は反りやうねりの修正には有効に適用できない。
（発明の目的）
本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、反り
やうねりの極度に小さい平滑なセラミック基板を容易に
製造する方法を提供することを目的とする。
やうねりの極度に小さい平滑なセラミック基板を容易に
製造する方法を提供することを目的とする。
（発明の構成）
すなわち、本発明の目的は、最下層と最上層がセッター
となるように本焼成したセラミック基板と表面が平滑な
セッターとを交互に積層した後、本焼成温度より １５
０℃以下好ましくは１００℃以下の低い湿度で矯正焼成
することを特徴とするセラミック基板の製造方法によっ
て達成される。
となるように本焼成したセラミック基板と表面が平滑な
セッターとを交互に積層した後、本焼成温度より １５
０℃以下好ましくは１００℃以下の低い湿度で矯正焼成
することを特徴とするセラミック基板の製造方法によっ
て達成される。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第２図は、本発明の製造方法を示す概略図で、１は表面
が平滑なセッター、２は本焼成されたセラミック板であ
る。ここで用いるセラミック基板の材質は、アルミナ、
ステアタイト、ノｔルステライト、ムライト、ジルコニ
ア、マグネシア等から用途に応じて適宜選択される。
が平滑なセッター、２は本焼成されたセラミック板であ
る。ここで用いるセラミック基板の材質は、アルミナ、
ステアタイト、ノｔルステライト、ムライト、ジルコニ
ア、マグネシア等から用途に応じて適宜選択される。
まず、セラミック基板は、通常のセラミック焼成温度に
て本焼成される。この本焼成では、基板の平滑化は後の
矯正焼成で考慮されているため、原料の種類、配合、セ
ラミック板の寸法、厚さ等の焼成条件を厳密に設定しな
くてもよい。例えばアルミナ基板においては、その焼成
温度は１６Ｏｏ〜１１００℃である。
て本焼成される。この本焼成では、基板の平滑化は後の
矯正焼成で考慮されているため、原料の種類、配合、セ
ラミック板の寸法、厚さ等の焼成条件を厳密に設定しな
くてもよい。例えばアルミナ基板においては、その焼成
温度は１６Ｏｏ〜１１００℃である。
次に、同図に示すように、最下層と最り層がセッター１
となるように本焼成後のセラミック基板２をセッター１
と交互に積層し、得られた積層体を矯正焼成する。この
矯正焼成の際の焼成温度は本焼成の温度より １５０℃
以下好ましくは１００’Ｃ以下の低い温度で行なう必要
がある。この矯正焼成温度が本焼成温度より１５０’Ｃ
以上但ずぎると１−分に反りやうねりの修正効果が得ら
れず、また本焼成時の温度を越えると、本焼成湿度とな
り、ヒツター１と本焼成セラミック板２とが接着してし
まうため好ましくない。例えば、セラミック基板として
アルミナ基板を使用する時は本焼成は１６００〜１７０
０℃で行なう。従って、矯正焼成は１４５０〜１６００
℃で行なうのが好ましい。さらに矯正焼成時間は、好ま
しくは２〜４時間行なわれる。２時間未満では、反りや
うねりの矯正効果が得られず、４時間を越える矯正焼成
では矯正効果は得られるが、経済的に有利ではない。
となるように本焼成後のセラミック基板２をセッター１
と交互に積層し、得られた積層体を矯正焼成する。この
矯正焼成の際の焼成温度は本焼成の温度より １５０℃
以下好ましくは１００’Ｃ以下の低い温度で行なう必要
がある。この矯正焼成温度が本焼成温度より１５０’Ｃ
以上但ずぎると１−分に反りやうねりの修正効果が得ら
れず、また本焼成時の温度を越えると、本焼成湿度とな
り、ヒツター１と本焼成セラミック板２とが接着してし
まうため好ましくない。例えば、セラミック基板として
アルミナ基板を使用する時は本焼成は１６００〜１７０
０℃で行なう。従って、矯正焼成は１４５０〜１６００
℃で行なうのが好ましい。さらに矯正焼成時間は、好ま
しくは２〜４時間行なわれる。２時間未満では、反りや
うねりの矯正効果が得られず、４時間を越える矯正焼成
では矯正効果は得られるが、経済的に有利ではない。
また、第７図のような積層方法を採用すると、端部では
ね上がり等の平坦でない部分が生ずるが、本発明ではそ
のようなはね上がりは見られない。
ね上がり等の平坦でない部分が生ずるが、本発明ではそ
のようなはね上がりは見られない。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいてさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
（実施例および比較例）
第２図に示ずように、セッター１の上に１０００℃で本
焼成されたアルミナ基板２をのせ、さらにその上にセッ
ター１とアルミナ基板２を交互に、最上層がセッター１
になるように数段積み重ねた。
焼成されたアルミナ基板２をのせ、さらにその上にセッ
ター１とアルミナ基板２を交互に、最上層がセッター１
になるように数段積み重ねた。
得られた積層体を第３図に示す焼成パターンのように１
５７５℃において２時間保持したところ、反りやうねり
の極度に小さい平坦な）ノルミナ基板が得られた。
５７５℃において２時間保持したところ、反りやうねり
の極度に小さい平坦な）ノルミナ基板が得られた。
次に、本発明により得られたアルミナ基板（実施例）、
本焼成のみで矯正焼成を行なわないアルミナ基板（比較
例△）および市販）′ルミＪ Ｊｅｔ板（比較例Ｂ−Ｆ
）の表、面形状を、第４図に示すＡ−Ａ’ 断面におい
て表面粗さ訓を用いて測定した。
本焼成のみで矯正焼成を行なわないアルミナ基板（比較
例△）および市販）′ルミＪ Ｊｅｔ板（比較例Ｂ−Ｆ
）の表、面形状を、第４図に示すＡ−Ａ’ 断面におい
て表面粗さ訓を用いて測定した。
これらの表面形状を第５図に示す。同図において、実施
例および比較例Ａ−Ｄは基本寸法が３ｉｎｃｈ ｘ３ｉ
ｎｃｈ 、比較例ＥおよびＦは基本用法が２ｉｎｃｈ
ｘ２ｉｎｃｈの基板であり、それぞれ５点用意しで測定
しそれぞれの結果を示したく第５図Ｎ０１１〜５）。
例および比較例Ａ−Ｄは基本寸法が３ｉｎｃｈ ｘ３ｉ
ｎｃｈ 、比較例ＥおよびＦは基本用法が２ｉｎｃｈ
ｘ２ｉｎｃｈの基板であり、それぞれ５点用意しで測定
しそれぞれの結果を示したく第５図Ｎ０１１〜５）。
同図より本発明により得られる基板は、矯正焼成前のア
ルミナ基板および市販アルミナ基板に比べて反りやうね
りの極めて小さい平滑なものとなっていることが判る。
ルミナ基板および市販アルミナ基板に比べて反りやうね
りの極めて小さい平滑なものとなっていることが判る。
（発明の効果）
以上の説明のご゛とく、本発明によれば、反りやうねり
のない極めて平坦な基板を容易に効率良く得ることがで
きる。また、本発明のように矯正焼成をすれば、本焼成
ではｍ密に焼成条件を設定しなくてもよいため生産性の
向上を図ることができる。
のない極めて平坦な基板を容易に効率良く得ることがで
きる。また、本発明のように矯正焼成をすれば、本焼成
ではｍ密に焼成条件を設定しなくてもよいため生産性の
向上を図ることができる。
さらに、本発明により得られるセラミック基板は平滑ゼ
１がと１いためスクリーン印刷によって成形される電子
回路配線に安定性、信頼性を与え、セラミック基板の価
値を高める。
１がと１いためスクリーン印刷によって成形される電子
回路配線に安定性、信頼性を与え、セラミック基板の価
値を高める。
第１図（ま従来法を説明する概略図、
第２図は本ざｔ明の製造方法を説明する概略図、第３図
は本発明の一実施例における、矯正焼成の時間と加熱温
度との関係を示す図、 第４図は基板の表面形状の測定イ立百を示す図、および
、第５−１．５−２図は本発明により得られたセラミッ
ク基板、矯正焼成前のセラミック基板および市ＩＴＦｉ
基板の表面状態を示す図である。 １・・・セッター、２・・・本焼成後のセラミック板。 第１図 第３図 昨聞（ｋｒ） 第４図
は本発明の一実施例における、矯正焼成の時間と加熱温
度との関係を示す図、 第４図は基板の表面形状の測定イ立百を示す図、および
、第５−１．５−２図は本発明により得られたセラミッ
ク基板、矯正焼成前のセラミック基板および市ＩＴＦｉ
基板の表面状態を示す図である。 １・・・セッター、２・・・本焼成後のセラミック板。 第１図 第３図 昨聞（ｋｒ） 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、最下層と最上層がセッターとなるように本焼成した
セラミック基板と表面が平滑なセッターとを交互に積層
した後、本焼成温度より１５０℃以下の低い温度で矯正
焼成することを特徴とするセラミック基板の製造方法。 ２、前記セラミック基板がアルミナ、ステアタイト、フ
ォルステライト、ムライト、ジルコニアまたはマグネシ
アから選ばれる基板である前記特許請求の範囲第１項記
載のセラミック基板の製造方法。 ３、前記セラミック基板がアルミナ基板である前記特許
請求の範囲第２項に記載のセラミックス基板の製造方法
。 ４、前記アルミナ基板の矯正焼成温度が１４５０〜１６
００℃である前記特許請求の範囲第３項記載のセラミッ
ク基板の製造方法。 ５、前記矯正焼成時間が２〜４時間である前記特許請求
の範囲第１項記載のセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13508784A JPS6117474A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | セラミツク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13508784A JPS6117474A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | セラミツク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117474A true JPS6117474A (ja) | 1986-01-25 |
Family
ID=15143523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13508784A Pending JPS6117474A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | セラミツク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6117474A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428259A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Burning of ceramic plate in continuous form |
| JPH0372689A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Toshiba Corp | 回路基板 |
| JPH03141164A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-17 | Nippon Steel Corp | 平板状粉末成形体の焼結方法 |
| JP2009215142A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Hitachi Metals Ltd | 窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュール |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13508784A patent/JPS6117474A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428259A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Burning of ceramic plate in continuous form |
| JPH0372689A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Toshiba Corp | 回路基板 |
| JPH03141164A (ja) * | 1989-10-25 | 1991-06-17 | Nippon Steel Corp | 平板状粉末成形体の焼結方法 |
| JP2009215142A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-09-24 | Hitachi Metals Ltd | 窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュール |
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