JPS62108777A - セラミツク基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS62108777A JPS62108777A JP60249883A JP24988385A JPS62108777A JP S62108777 A JPS62108777 A JP S62108777A JP 60249883 A JP60249883 A JP 60249883A JP 24988385 A JP24988385 A JP 24988385A JP S62108777 A JPS62108777 A JP S62108777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic substrate
- smooth
- present
- firing
- manufacture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子素子等を搭載するためのセラミック基板
の製造方法に係り、特に、薄膜、ハイブリッドＩＣ用の
ファインパターンが施されるセラミック基板の製造方法
に関する。
の製造方法に係り、特に、薄膜、ハイブリッドＩＣ用の
ファインパターンが施されるセラミック基板の製造方法
に関する。
（従来技術とその問題点）
前述したセラミック基板は、一般に、無機粉末を成形し
て１５００〜１６００℃の高温で焼成して形成されるが
、薄膜、ハイブリッドＩＣ用のファインパターンが施さ
れるセラミック基板においては、表面が平滑でかつうね
りのないことが要望される。
て１５００〜１６００℃の高温で焼成して形成されるが
、薄膜、ハイブリッドＩＣ用のファインパターンが施さ
れるセラミック基板においては、表面が平滑でかつうね
りのないことが要望される。
しかし従来は、第３図に示すように、セラミック基板表
面に接触する焼成治具１の表面は焼成時のはりつきを防
止するため平滑でなく凹凸が必要であるため、セラミッ
ク基板表面のガラス質成分２を平滑にできなかった。こ
のため焼成したセラミック基板の表面にガラス質成分を
塗布して１０００°Ｃ程度で加熱し、塗布したガラス質
成分を流動化して表面を鏡面状にしていた。なお、第３
図中符号３はセラミック基板に含まれているアルミナ粒
子である。
面に接触する焼成治具１の表面は焼成時のはりつきを防
止するため平滑でなく凹凸が必要であるため、セラミッ
ク基板表面のガラス質成分２を平滑にできなかった。こ
のため焼成したセラミック基板の表面にガラス質成分を
塗布して１０００°Ｃ程度で加熱し、塗布したガラス質
成分を流動化して表面を鏡面状にしていた。なお、第３
図中符号３はセラミック基板に含まれているアルミナ粒
子である。
また従来、セラミック基板の表面を研出して表面を平滑
にする方法もあったが、これらの方法は作業が煩雑でコ
スト的にもセラミック基板が高価になるという問題点が
あった。
にする方法もあったが、これらの方法は作業が煩雑でコ
スト的にもセラミック基板が高価になるという問題点が
あった。
（発明の目的）
本発明は、前述した従来の方法における問題点を克服し
、簡単に平滑な表面が形成でき安価に製造できるセラミ
ック基板の製造方法を提供することを目的とする。
、簡単に平滑な表面が形成でき安価に製造できるセラミ
ック基板の製造方法を提供することを目的とする。
（発明の概要）
本発明は、セラミック基板の平ｌｈ度を必要とする表面
に、表面が平滑でかつ高融点の金属箔を接触させて再焼
成し、セラミック基板の成分を流動化して金属箔に沿っ
て平滑化することを特徴としている。
に、表面が平滑でかつ高融点の金属箔を接触させて再焼
成し、セラミック基板の成分を流動化して金属箔に沿っ
て平滑化することを特徴としている。
（発明の実施例）
以下、本発明を図面に示す実施例により説明する。
第１図は本発明の方法を実施するための装置を示すもの
であり、台板４上にはＭｏ板５が載置されており、この
ＭＯ板板上上は、上面７ａおよび下面７ｂの平滑度を必
要とする部位にそれぞれ平滑で且つ高融点の厚さが０．
０５〜０．３ｍｍ程度のＭｏ箔８を介在させてセラミッ
ク基板６が支持されるようになっている。このセラミッ
ク基板６は、通常のアルミナ含有量９０％の多層基板用
として調整したグリーンシートを最高温度１５５０“Ｃ
で１時間焼成したものであり、サーフコムで測定した表
面粗度はＲａＭａｘ ５μｍであった。
であり、台板４上にはＭｏ板５が載置されており、この
ＭＯ板板上上は、上面７ａおよび下面７ｂの平滑度を必
要とする部位にそれぞれ平滑で且つ高融点の厚さが０．
０５〜０．３ｍｍ程度のＭｏ箔８を介在させてセラミッ
ク基板６が支持されるようになっている。このセラミッ
ク基板６は、通常のアルミナ含有量９０％の多層基板用
として調整したグリーンシートを最高温度１５５０“Ｃ
で１時間焼成したものであり、サーフコムで測定した表
面粗度はＲａＭａｘ ５μｍであった。
そして、前記セラミック基Ｆｊ、６上に錘りの役割を果
すＭｏ板９を載置して約１０００℃の低温で再焼成する
と、第２図に示すように、セラミック基板６内に含有さ
れているガラス質成分２が流動化して平滑なＭｏ箔８の
表面に沿って成形され、したがって、セラミック基板６
の上面７ａおよび下面７ｂは平滑になる。
すＭｏ板９を載置して約１０００℃の低温で再焼成する
と、第２図に示すように、セラミック基板６内に含有さ
れているガラス質成分２が流動化して平滑なＭｏ箔８の
表面に沿って成形され、したがって、セラミック基板６
の上面７ａおよび下面７ｂは平滑になる。
この再焼成前にＲａＭａｘ ５μｍであった表面粗度は
０．５μｍとほぼ１／１０まで低下した。また、再焼成
の際には、セラミック基Ｆｉ６の反りやうねりも矯正さ
れる。
０．５μｍとほぼ１／１０まで低下した。また、再焼成
の際には、セラミック基Ｆｉ６の反りやうねりも矯正さ
れる。
このように本実施例によれば、セラミック基板６に表面
が平滑でしかも高融点のＭｏ箔８を接触させて再焼成す
ることにより表面を平滑にすることができる。
が平滑でしかも高融点のＭｏ箔８を接触させて再焼成す
ることにより表面を平滑にすることができる。
なお、前述した実施例においては、ガラス質成分を含む
セラミック基板６を再焼成してガラス質成分を流動化す
るように説明したが、ガラス質成分を含まないセラミッ
ク基板６においても高温で再焼成することによりセラミ
ック自体を流動化して表面を平？ｌｔにすることができ
る。また、セラミック基板６に接触するＭｏ箔８に代え
てタングステンなどの高融点の金属箔を用いてもよい。
セラミック基板６を再焼成してガラス質成分を流動化す
るように説明したが、ガラス質成分を含まないセラミッ
ク基板６においても高温で再焼成することによりセラミ
ック自体を流動化して表面を平？ｌｔにすることができ
る。また、セラミック基板６に接触するＭｏ箔８に代え
てタングステンなどの高融点の金属箔を用いてもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、セラミック基板
に平滑で高融点の金属箔を接触させて再焼成することに
より簡単にセラミック基板の表面を平滑にすることがで
き、薄膜、ハイブリッドＩＣ用のセラミ、り基板を安価
に提供することができる。
に平滑で高融点の金属箔を接触させて再焼成することに
より簡単にセラミック基板の表面を平滑にすることがで
き、薄膜、ハイブリッドＩＣ用のセラミ、り基板を安価
に提供することができる。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多（の改変を施しくｑるの
はもちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多（の改変を施しくｑるの
はもちろんのことである。
第１図は本発明に係るセラミック基板の製造方法を実施
するための装置の実施例を示す概略図、第２図は本発明
の方法の作用を示す説明図、第３図は従来の方法の作用
を示す説明図である。 １・・・焼成治具、 ２・・・ガラス質成分、３・・
・アルミナ粒子、 ４・・・台板、５．９・・・Ｍｏ板
、６・・・セラミック基板、８・・・Ｍｏ箔。
するための装置の実施例を示す概略図、第２図は本発明
の方法の作用を示す説明図、第３図は従来の方法の作用
を示す説明図である。 １・・・焼成治具、 ２・・・ガラス質成分、３・・
・アルミナ粒子、 ４・・・台板、５．９・・・Ｍｏ板
、６・・・セラミック基板、８・・・Ｍｏ箔。
Claims (1)
- １、セラミック基板の平滑度を必要とする表面に、表面
が平滑でかつ高融点の金属箔を接触させて再焼成し、セ
ラミック基板の成分を流動化して金属箔に沿って平滑化
することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249883A JPS62108777A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | セラミツク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249883A JPS62108777A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | セラミツク基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108777A true JPS62108777A (ja) | 1987-05-20 |
| JPH0536383B2 JPH0536383B2 (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17199620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249883A Granted JPS62108777A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | セラミツク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108777A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428259A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Burning of ceramic plate in continuous form |
| JP2009008693A (ja) * | 1997-12-23 | 2009-01-15 | Inficon Gmbh | 容量式の真空測定セル |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP60249883A patent/JPS62108777A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6428259A (en) * | 1987-07-23 | 1989-01-30 | Mitsubishi Mining & Cement Co | Burning of ceramic plate in continuous form |
| JP2009008693A (ja) * | 1997-12-23 | 2009-01-15 | Inficon Gmbh | 容量式の真空測定セル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536383B2 (ja) | 1993-05-28 |
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