JPS61168266A - Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法 - Google Patents

Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法

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JPS61168266A
JPS61168266A JP60008734A JP873485A JPS61168266A JP S61168266 A JPS61168266 A JP S61168266A JP 60008734 A JP60008734 A JP 60008734A JP 873485 A JP873485 A JP 873485A JP S61168266 A JPS61168266 A JP S61168266A
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見方　裕一
Toshiro Usami
俊郎 宇佐美
Masakazu Shiozaki
塩崎　雅一
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    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393110A (ja) * 1986-03-07 1988-04-23 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド 集積回路装置の製造方法
JPH01298765A (ja) * 1988-05-27 1989-12-01 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2014220497A (ja) * 2013-05-01 2014-11-20 ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅＢｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ 改良された金属接触を有する太陽電池バイパスダイオード

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59207623A (ja) * 1983-05-05 1984-11-24 スタンダ−ド・テレフオンズ・アンド・ケ−ブルス・パブリツク・リミテツドカンパニ− 半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59207623A (ja) * 1983-05-05 1984-11-24 スタンダ−ド・テレフオンズ・アンド・ケ−ブルス・パブリツク・リミテツドカンパニ− 半導体装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393110A (ja) * 1986-03-07 1988-04-23 テキサス　インスツルメンツ　インコ−ポレイテツド 集積回路装置の製造方法
JPH01298765A (ja) * 1988-05-27 1989-12-01 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2014220497A (ja) * 2013-05-01 2014-11-20 ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅＢｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ 改良された金属接触を有する太陽電池バイパスダイオード

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