JPS6116314A - 高周波電源装置 - Google Patents

高周波電源装置

Info

Publication number
JPS6116314A
JPS6116314A JP13683684A JP13683684A JPS6116314A JP S6116314 A JPS6116314 A JP S6116314A JP 13683684 A JP13683684 A JP 13683684A JP 13683684 A JP13683684 A JP 13683684A JP S6116314 A JPS6116314 A JP S6116314A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
circuit
wave power
high frequency
reflected wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13683684A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0576045B2 (ja
Inventor
Koichi Nakazawa
中沢 弘一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP13683684A priority Critical patent/JPS6116314A/ja
Publication of JPS6116314A publication Critical patent/JPS6116314A/ja
Publication of JPH0576045B2 publication Critical patent/JPH0576045B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラズマ放電を行ない、マツチングが不整合に
なっても、素子を破壊するとと彦く発振できる高周波電
源装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、半導体集積回路プロセスの中にプラズマプロセス
が応用されてきている。プラズマプロセスはウェハのエ
ツチングがドライ化でき、またウェハの温度が低い状態
でも、ウェハの温度が高い場合と同様の化学反応を進行
させることができる。
さらには半導体集積回路がLSIから超LSIへと集積
度と集積密度が大きくなるにつれ、微細パターンエツチ
ンクが必要となってくるが、この面でも低温のプラズマ
を用いればアンダーカットの問題も少なくなり、微細パ
ターンの作成が容易になる。
以上のようにプラズマプロセスは多くの利点を有してい
るがプラズマ放電を行なうためには、反応容器内の電極
間に電界をかける電源装置が必要である。この電源装置
としては一般に工業用の周帯 波数)して使用できる1 3.56MHzの高周波電源
が使用される。
以下に従来の高周波電源装置について説明する。
第1図は従来の高周波電源装置の回路構成例を示すもの
であり、11は発振回路で安定した一定の周波数で発振
される。12は緩衝増幅回路で発振回路の出ツノを増幅
するとともに発振回路11の負荷の変動による影響を少
なくするものである。13は電力増幅回路で緩衝増幅回
路12の出力を増幅して高周波高電圧の電力を出力する
。14は、高周波電力検出回路で電力増幅回路13から
の出力の進行波電力と反射波電力を検出する。15は電
力制御回路で高周波電力検出回路14で検出した進行波
電力を入力し、あらかじめ設定された進行波幅回路13
を制御する。16は電源回路で各回路に電力を供給する
。17は保護回路で高周波電力検出回路14で検出した
反射波電力がある一定以上の値になると電力増幅回路の
素子を保護するために電源回路16に信号を出力して電
力の供給を停止させる。1の破線で囲まれた部分が高周
波電源装置である。2は負荷でプラズマを発生させる。
3はマツチング回路で高周波電源装置1の出力と負荷2
とのインピーダンスマツチングをとる回路である。
以上のように構成された従来の高周波電源装置について
、以下その動作を説明する。
まず発振回路11で発生された1 3.56 MHzの
高周波信号は緩衝増幅回路12、電力増幅回路13で増
幅され、高周波電力検出回路14で進行波電力と反射波
電力が検出されて、同軸ケーブルでマツチング回路3を
通り負荷2に供給される。負荷2はプラズマ反応器で、
ガスの種類、真空度、処理条件によってプラズマ状態が
変化し、そのため放電中のインピーダンスがそれにとも
なって変化するので反射波が小さくなるようにマツチン
グ回路3を調整する。高周波電力検出回路14で検出さ
れた進行波電力信号は電力制御回路16であらかじめ設
定された進行波電力設定値と比較され、進行波電力が一
定に々るように電力増幅回路13の電力利得を調整する
信号を送る。電力増幅回路13が真空管式であればクリ
ット電圧を制御すれば電力利得を変えられる。このよう
にして負荷2と高周波電源装置1の出力とがマツチング
回路3で反射波電力が小さくなるようにマツチングをと
る。マツチングがとれている場合は進行波電力が一定と
なり安定にプラズマ放電がおきているが、負荷のインピ
ータンスが変化して反射が増えてくると、電源回路16
から電力増幅回路13へ給供される電力も大きくなり電
力増幅回路13の素子電力がある一定以」二の値になっ
た時には保護回路1Tで電源回路16に信号を送り各回
路への電力の供給を停止して素子が破壊するのを防ぐ。
しかしながら上記のような構成では、反射波か大きく々
ると発振が停止してプラズマ放電が持続でき々いのでマ
ツチングがずれた場合にはマツチング回路3が即座にマ
ツチング調整されて反射波が小さくならないと放電は停
止してし甘う。捷だプラズマ放電中と放電していないと
きては負荷2のインピータンスは大きく異なり、最初か
ら人き々電力を加えて発振させようとする場合は77・
壬ング回路3はプラズマ放電中のインピータンスに合わ
されているので起動して放電する寸では反射波が大きく
、すぐに発振が停止してしまうというような欠点かあっ
た。
発明の目的 本発明は上記従来の問題点を解消するもので、負荷のイ
ンピーダンスが変化してマツチングがずれて反射波が大
きくなってもすぐには発振停止することなく、進行波電
力を少なくした状態で発振を持続させ、電力増幅回路の
素子の破壊を防ぐ高周波電源装置を提供することを目的
とする。
発明の構成 本発明の装置Vtは安定した一定の周波数を出力する発
振回路と、1油記発振回路の出力を増幅する電力増幅回
路と、前記増幅回路の出力の進行波電力と反射波電力を
検出する高周波電力検出回路と、前記高周波電力検出回
路で検出された反射波電力か小さいときには進行波電力
が一定になるようにし、反射波電力が大きいときには進
行波電力を小さくするようにmJ記電電力増幅回路制御
する電力制御回路とを備えた高周波電源装置であり、反
射波電力が大きくなっても前記電力増幅回路の素子を破
壊しないように進行波電力を小さくして発振を持続する
ことによシ負荷と高周波電源装置出力とのマツチングを
とるマツチング回路の調整を容易にすることができるも
のである。
実施例の説明 第2図は本発明の実施例における高周波電源装置回路構
成を示すものである。
第2図において1は高周波電源装置、2は高周波電源装
置1の負荷、3は高周波電源装置1と負荷2のインピー
ダンスをマツチングさせるマツチング回路、11は発振
回路、12は緩衝増幅回路、13は電力増幅回路、14
は進行波電力と反射波電力を検出する高周波電力検出回
路、1stri反射波電力が小さいときは進行波電力が
ららかじめ設定された進行波電力値と同じに々るように
し、反射波電力が大きいときには進行波電力を小さくす
るように電力増幅回路13を制御する電力制御回路、1
6は各回路に電力を供給する電源である。
以」二のように構成された本実施例の高周波電源装置に
ついて以下その動作を説明する。
発振回路11は安定した一定の周波数の高周波信号を出
力し、緩衝増幅回路12は発振回路12の出力を増幅す
るとともに、発振回路11の負荷の変動による影響を少
なくする。緩衝増幅回路12の出力は電力増幅回路13
で増幅され、高周波電力検出回路で進行波電力と反射波
電力が検出され、マツチング回路3で負荷2とのインピ
ーダンスマツチングがとられ負荷2に高周波電力を供給
する。反射波電力が小さいときは従来の高周波電源装置
と同じで設定された進行波電力を負荷2に供給している
。負荷2のインピーダンスが変化して反射波電力が大き
くなると電力増幅回路13の損失電力が大きくなってく
るので電力増幅回路13の電力利得を下げて進行波電力
を少なくし、素子の破壊を防ぎ、発振を持続させる。マ
ツチング回路3によって再び高周波電源装置1と負荷2
とのマツチングがとれるとまたもとのように反射波電力
が小さくなり従来の高周波電源装置と同様に進行波電力
が一定になるように制御される。
以上のように本実施例によれば、発振回路と高周波信号
を増幅する電力増幅回路と、電力増幅回路の出力の進行
波電力と反射波電力を検出する高周波電力検出回路と、
反射波電力が小さいときには進行波電力が一定になるよ
うにし、反射波電力が大きく々ると進行波電力を小さく
なるように電力増幅回路を制御する電力制御回路を設け
ることによシ、負荷のインピーダンスが変化してマツチ
ングがとれなくなっても進行波電力を小さくし、電力増
幅回路の素子を破壊することなく発振を持続させている
のでマツチング回路の調整を容易にすることができる。
第3図は第2図の電力制御回路18の回路例である。1
01へ109は抵抗、110はコンデンサ、111〜1
13は演算増幅器である。
以下その動作を説明する。
101〜104と111で構成される回路は加算回路で
進行波電力信号と反射波電力信号を加算して増幅する。
105〜107と112で構成される回路は反転増幅器
である。108〜110と113で構成される回路は誤
差増幅器で誤差電圧を小さくするため積分回路で構成し
ている。以上のように構成される電力制御回路は、進行
波電力信号と反射波電力信号との和が進行波電力設定電
圧と等しくなるように出力信号が出され第2図の電力増
幅回路13の電力利得を制御する。いま反射波電力信号
が小さいとき進行波電力信号は進行波電力設定電圧と同
じになるが反射波電力信号が大きくなると進行波電力信
号が小さくなって、それらの和が進行波電力設定電圧と
等しくなるように電力増幅回路13の電力利得を調整す
る電圧が出力される。101と102の抵抗値を変える
ことによって反射波電力が大きくなったときの進行波電
力の減少量を変更することができる。
第3図では102に抵抗を用いているが、ここに電圧が
小さいときは抵抗値が大きく、電圧が大きくなると抵抗
値が小さくなるよう々非線形性を持たせた抵抗を使えば
反射波が大きいときと小さいときの差が著しくなる。
発明の効果  、 本発明では、安定した一定の周波数を出力する発振回路
と、発振回路から出力される高周波信号を増幅する電力
増幅回路と、電力増幅回路の出力の進行波電力と反射波
電力を検出する高周波電力検出回路と反射波電力が小さ
いときは進行波電力が一定になり反射波電力が大きくな
ると進行波電力を小さくするように電力増幅回路の電力
利得を制御する電力制御回路とを設けることにより負荷
のインピーダンスが急に変化しても発振を停止させない
で進行波電力を小さくし、電力増幅回路の素子を破壊す
ることなく発振を持続させることができ、マツチング回
路の調整が容易にできる。さらに高電力での起動が容易
に行なえるという効果を得ることができる高周波電源装
置を実現するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の高周波電源装置の回路構成例を示すブロ
ック図、第2図は本発明の一実施例の回路構成と示すブ
ロック図、第3図は本発明の一実施例の電力制御回路の
回路図である。 11 ・・・・発振回路、13・・・・・電力増幅回路
、14・・・・・・高周波電力検出回路、18・・・・
・電力制御回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 安定した一定の周波数を出力する発振回路と、前記発振
    回路の出力を増幅する電力増幅回路と、前記電力増幅回
    路の出力の進行波電力と反射波電力を検出する高周波電
    力検出回路と、前記高周波電力検出回路で検出された反
    射波電力が小さいときには進行波電力が一定になり反射
    波電力が大きくなると進行波電力を小さくするように前
    記電力増幅回路を制御する電力制御回路とから構成され
    る高周波電源装置。
JP13683684A 1984-07-02 1984-07-02 高周波電源装置 Granted JPS6116314A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13683684A JPS6116314A (ja) 1984-07-02 1984-07-02 高周波電源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13683684A JPS6116314A (ja) 1984-07-02 1984-07-02 高周波電源装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6116314A true JPS6116314A (ja) 1986-01-24
JPH0576045B2 JPH0576045B2 (ja) 1993-10-21

Family

ID=15184637

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13683684A Granted JPS6116314A (ja) 1984-07-02 1984-07-02 高周波電源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6116314A (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63190564A (ja) * 1987-01-30 1988-08-08 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Rf発生装置
JPH01123622A (ja) * 1987-11-09 1989-05-16 Kao Corp 非イオン界面活性剤の強アルカリ性水溶液
JPH11162697A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Mc Electronics Kk プラズマ生成用の螺旋共振装置
US7221102B2 (en) 2003-02-07 2007-05-22 Daihen Corporation High-frequency power supply device
JP2007266006A (ja) * 2007-06-20 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマリアクター
JP2009021240A (ja) * 2008-07-03 2009-01-29 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置
JP2009238516A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Daihen Corp 高周波電源装置
JP2011023356A (ja) * 2010-07-29 2011-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置及び基板処理方法
JP2012119088A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置
JP2014518482A (ja) * 2011-06-27 2014-07-28 テザート−スペースコム ゲーエムベーハー アンド ツェーオー.カーゲー 高周波電力増幅器を終端不良から保護する方法及び装置
JP2014167902A (ja) * 2013-01-31 2014-09-11 Daihen Corp 高周波電源装置
JP2014209420A (ja) * 2012-12-28 2014-11-06 株式会社ダイヘン 高周波電源装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57174910A (en) * 1981-04-20 1982-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd Overload protecting system for high frequency power amplifier
JPS57194500A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Tokyo Shibaura Electric Co High frequency heat controller for plasma
JPS5873848A (ja) * 1981-10-27 1983-05-04 Shimadzu Corp 高周波誘導結合プラズマ安定装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57174910A (en) * 1981-04-20 1982-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd Overload protecting system for high frequency power amplifier
JPS57194500A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Tokyo Shibaura Electric Co High frequency heat controller for plasma
JPS5873848A (ja) * 1981-10-27 1983-05-04 Shimadzu Corp 高周波誘導結合プラズマ安定装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63190564A (ja) * 1987-01-30 1988-08-08 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Rf発生装置
JPH01123622A (ja) * 1987-11-09 1989-05-16 Kao Corp 非イオン界面活性剤の強アルカリ性水溶液
JPH11162697A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Mc Electronics Kk プラズマ生成用の螺旋共振装置
US7221102B2 (en) 2003-02-07 2007-05-22 Daihen Corporation High-frequency power supply device
JP2007266006A (ja) * 2007-06-20 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマリアクター
JP2009238516A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Daihen Corp 高周波電源装置
JP2009021240A (ja) * 2008-07-03 2009-01-29 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置
JP2011023356A (ja) * 2010-07-29 2011-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置及び基板処理方法
JP2012119088A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置
JP2014518482A (ja) * 2011-06-27 2014-07-28 テザート−スペースコム ゲーエムベーハー アンド ツェーオー.カーゲー 高周波電力増幅器を終端不良から保護する方法及び装置
JP2014209420A (ja) * 2012-12-28 2014-11-06 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP2014167902A (ja) * 2013-01-31 2014-09-11 Daihen Corp 高周波電源装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0576045B2 (ja) 1993-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6116314A (ja) 高周波電源装置
US6818562B2 (en) Method and apparatus for tuning an RF matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system
US7767053B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP0509733B1 (en) Radio-frequency power amplifier device
JP4120051B2 (ja) 高周波共振装置
US20040222184A1 (en) High frequency power source and its control method, and plasma processing apparatus
US20070076344A1 (en) High frequency power device
TW201443970A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理裝置之運轉方法
JP4256064B2 (ja) プラズマ処理装置の制御方法
JPH08167500A (ja) 高周波プラズマ発生装置用電源
JPH05205898A (ja) プラズマ処理装置
US20110198315A1 (en) Plasma processing method
JPH04192907A (ja) 送信電力制御機能付き電力増幅器
JPS62109406A (ja) 発振回路
JP3287041B2 (ja) プラズマ処理装置の制御方法
JPH02210825A (ja) プラズマエッチング方法及び装置
JPS60206028A (ja) プラズマ制御装置
JP2000049146A (ja) 高周波プラズマ処理方法およびプロセス終了検出装置
JPH07201302A (ja) 高周波装置
JPH0287929A (ja) 高周波電源保護装置
JPH0349407A (ja) レベル制御形パルス変調装置
JPH08265069A (ja) 電力偏差補正方法及び電力偏差補正装置
JPH02142209A (ja) 高周波電力増幅器
JPH0666291B2 (ja) プラズマエッチング装置
JP2006288009A (ja) 高周波電源装置