JPH02142209A - 高周波電力増幅器 - Google Patents
高周波電力増幅器Info
- Publication number
- JPH02142209A JPH02142209A JP63296649A JP29664988A JPH02142209A JP H02142209 A JPH02142209 A JP H02142209A JP 63296649 A JP63296649 A JP 63296649A JP 29664988 A JP29664988 A JP 29664988A JP H02142209 A JPH02142209 A JP H02142209A
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- JP
- Japan
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- class
- high frequency
- transistor
- power amplifier
- frequency power
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- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波電力増幅器に関し、特にトランジスタを
使用したＢ級あるいは０級の高周波電力増幅器に関する
。
使用したＢ級あるいは０級の高周波電力増幅器に関する
。
従来のＢ級あるいはＣ扱高周波電力増幅器は、トランジ
スタのベース側に高周波信号及びＯあるいは負のバイア
ス電圧を加え、いわゆるＢ級あるいは０級の増幅器とし
て動作している。
スタのベース側に高周波信号及びＯあるいは負のバイア
ス電圧を加え、いわゆるＢ級あるいは０級の増幅器とし
て動作している。
上述した従来の高周波電力増幅器では、高周波入力信号
のレベルが規定値以下のとき、トランジスタの寄生容量
等の内部定数が規定入力レベル時の値と比較して大幅に
変化するために増幅回路が不安定となって発振状態とな
り、スプリアス発生の原因となるばかりでなく、発振に
よりトランジスタが破壊する事態も起るという欠点があ
る。
のレベルが規定値以下のとき、トランジスタの寄生容量
等の内部定数が規定入力レベル時の値と比較して大幅に
変化するために増幅回路が不安定となって発振状態とな
り、スプリアス発生の原因となるばかりでなく、発振に
よりトランジスタが破壊する事態も起るという欠点があ
る。
本発明の高周波電力増幅器は、高周波信号を電力増幅す
る高周波電力増幅器において、前記高周波型力増幅器で
増幅された高周波信号の出力レベルを検出しあらかじめ
設定された値以上となったときに信号を出力する出力検
出回路と、前記出力検出回路からの信号を受けたときに
バイアス回路への電源供給を遮断するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路を介して電源が供給されているときは
前記高周波電力増幅器をＡ級動作状態とすると共に前記
スイッチ回路が電源を遮断したときはＢ級あるいはＣ級
動作状態とするバイアス回路とを有している。
る高周波電力増幅器において、前記高周波型力増幅器で
増幅された高周波信号の出力レベルを検出しあらかじめ
設定された値以上となったときに信号を出力する出力検
出回路と、前記出力検出回路からの信号を受けたときに
バイアス回路への電源供給を遮断するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路を介して電源が供給されているときは
前記高周波電力増幅器をＡ級動作状態とすると共に前記
スイッチ回路が電源を遮断したときはＢ級あるいはＣ級
動作状態とするバイアス回路とを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の高周波電力増幅器の一実施例を示す回
路構成図である。第１図において、トランジスタ６のベ
ースにはバイアス電圧を加えるためにバイアス回路１及
び２が接続されており、又トランジスタ６のコレクタ側
には負荷回路３及び出力検出回路４が接続されている。
路構成図である。第１図において、トランジスタ６のベ
ースにはバイアス電圧を加えるためにバイアス回路１及
び２が接続されており、又トランジスタ６のコレクタ側
には負荷回路３及び出力検出回路４が接続されている。
この出力検出回路４はトランジスタ６の出力レベルを検
出し、あらかじめ設定された値以上となったときにスイ
ッチ回路５へ信号を出力してこれを作動させ、バイアス
回路への電源Ｖｃｃの供給を遮断するためのものである
。
出し、あらかじめ設定された値以上となったときにスイ
ッチ回路５へ信号を出力してこれを作動させ、バイアス
回路への電源Ｖｃｃの供給を遮断するためのものである
。
ここで、バイアス回路１及び２はスイッチ回路５が作動
していないとき、すなわちバイアス回路へ電源Ｖｃｃが
供給さるているときは、トランジスタ６がＡ級増幅動作
をするバイアスとなるように設定され、又、スイッチ回
路５が作動しているとき、すなわちバイアス回路への電
源供給が遮断されたときは、Ｂ級あるいはＣ級動作をす
るバイアスとなるように設定する。このようにすること
により、高周波入力信号レベルがあらかじめ設定された
値以下のときは、トランジスタ６の出力レベルが低いの
でスイッチ回路５は作動していないので、バイアス回路
１，２へ電源ＶＣＣが供給され、トランジスタ６はＡ級
動作状態となるので安定に増幅をさせることができる。
していないとき、すなわちバイアス回路へ電源Ｖｃｃが
供給さるているときは、トランジスタ６がＡ級増幅動作
をするバイアスとなるように設定され、又、スイッチ回
路５が作動しているとき、すなわちバイアス回路への電
源供給が遮断されたときは、Ｂ級あるいはＣ級動作をす
るバイアスとなるように設定する。このようにすること
により、高周波入力信号レベルがあらかじめ設定された
値以下のときは、トランジスタ６の出力レベルが低いの
でスイッチ回路５は作動していないので、バイアス回路
１，２へ電源ＶＣＣが供給され、トランジスタ６はＡ級
動作状態となるので安定に増幅をさせることができる。
又、高周波入力信号レベルがあらかじめ設定された値以
上となったときには、スイッチ回路５が作動しバイアス
回路１．２への電源Ｖｃｃの供給が遮断され、トランジ
スタ６をＢ級あるいは０級で安定に動作させることがで
きる。
上となったときには、スイッチ回路５が作動しバイアス
回路１．２への電源Ｖｃｃの供給が遮断され、トランジ
スタ６をＢ級あるいは０級で安定に動作させることがで
きる。
第２図は本発明の高周波電力増幅器の具体的な回路の一
実施例を示す回路図である。同図において、バイアス回
路１及び２の抵抗１１及び２１は高周波チョークコイル
１２及び２２と直列に接続されていて、電源Ｖｃｃが供
給されているときは、これを分圧してトランジスタ６の
ベースにＡ級動作のバイアスを与え、又、スイッチ回路
５が作動して電源ＶＣＣが遮断されたときは、トランジ
スタ６をＢ級あるいはＣ級動作させるバイアスを与える
ように設定される。４は出力検出回路であり、トランジ
スタ６の出力の一部は方向性結合器４１により取り出さ
れ、ダイオード検波回路４２によって検波される。この
検波出力は比較器４３であらかじめ設定された電圧と比
較され、検波出力が設定値以上となるとスイッチ回路５
のリレー５１を作動させてバイアス回路への電源供給を
遮断してトランジスタ６をＢ級あるいはＣ級動作状態と
する。
実施例を示す回路図である。同図において、バイアス回
路１及び２の抵抗１１及び２１は高周波チョークコイル
１２及び２２と直列に接続されていて、電源Ｖｃｃが供
給されているときは、これを分圧してトランジスタ６の
ベースにＡ級動作のバイアスを与え、又、スイッチ回路
５が作動して電源ＶＣＣが遮断されたときは、トランジ
スタ６をＢ級あるいはＣ級動作させるバイアスを与える
ように設定される。４は出力検出回路であり、トランジ
スタ６の出力の一部は方向性結合器４１により取り出さ
れ、ダイオード検波回路４２によって検波される。この
検波出力は比較器４３であらかじめ設定された電圧と比
較され、検波出力が設定値以上となるとスイッチ回路５
のリレー５１を作動させてバイアス回路への電源供給を
遮断してトランジスタ６をＢ級あるいはＣ級動作状態と
する。
なお、本実施例ではスイッチ回路としてリレーを使用し
ているが、半導体素子等であってもよい。
ているが、半導体素子等であってもよい。
以上説明したように本発明の高周波電力増幅器によれば
、高周波入力信号のレベルが規定値以下のときはトラン
ジスタが安定な増幅をするＡ級動作状態とし、又、高周
波入力信号レベルがあらかじめ設定された値以上となっ
たときに、トランジスタをＢ級あるいはＣ級動作状態と
するので、トランジスタの寄生容量等の内部定数が大幅
に変化して増幅回路が不安定となって発振することもな
く、従ってスプリアス発生がなくなるばかりでなく、発
振によりトランジスタが破壊することもないという効果
がある。
、高周波入力信号のレベルが規定値以下のときはトラン
ジスタが安定な増幅をするＡ級動作状態とし、又、高周
波入力信号レベルがあらかじめ設定された値以上となっ
たときに、トランジスタをＢ級あるいはＣ級動作状態と
するので、トランジスタの寄生容量等の内部定数が大幅
に変化して増幅回路が不安定となって発振することもな
く、従ってスプリアス発生がなくなるばかりでなく、発
振によりトランジスタが破壊することもないという効果
がある。
第１図は本発明の高周波電力増幅器の一実施例を示す回
路構成図、第２図は本発明の高周波電力増幅器の具体的
な回路の一実施例を示す回路図である。
路構成図、第２図は本発明の高周波電力増幅器の具体的
な回路の一実施例を示す回路図である。
Claims (1)
- 高周波信号を電力増幅する高周波電力増幅器において、
前記高周波電力増幅器で増幅された高周波信号の出力レ
ベルを検出しあらかじめ設定された値以上となったとき
に信号を出力する出力検出回路と、前記出力検出回路か
らの信号を受けたときにバイアス回路への電源供給を遮
断するスイッチ回路と、前記スイッチ回路を介して電源
が供給されているときは前記高周波電力増幅器をＡ級動
作状態とすると共に前記スイッチ回路が電源を遮断した
ときはＢ級あるいはＣ級動作状態とするバイアス回路と
を有することを特徴とする高周波電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296649A JPH02142209A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 高周波電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296649A JPH02142209A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 高周波電力増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142209A true JPH02142209A (ja) | 1990-05-31 |
Family
ID=17836274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63296649A Pending JPH02142209A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 高周波電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02142209A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548348A (ja) * | 1990-08-15 | 1993-02-26 | Toshiba Corp | 電力増幅回路 |
| GB2259782A (en) * | 1991-09-19 | 1993-03-24 | Nokia Mobile Phones Ltd | Detecting RF signals |
| JP2010199714A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nec Corp | 過入力判定回路および増幅装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58114510A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | Nippon Gakki Seizo Kk | 電力増幅器 |
| JPS58124308A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Gakki Seizo Kk | 電力増幅器 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63296649A patent/JPH02142209A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58114510A (ja) * | 1981-12-26 | 1983-07-07 | Nippon Gakki Seizo Kk | 電力増幅器 |
| JPS58124308A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Gakki Seizo Kk | 電力増幅器 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0548348A (ja) * | 1990-08-15 | 1993-02-26 | Toshiba Corp | 電力増幅回路 |
| GB2259782A (en) * | 1991-09-19 | 1993-03-24 | Nokia Mobile Phones Ltd | Detecting RF signals |
| US5404585A (en) * | 1991-09-19 | 1995-04-04 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Power detector that employs a feedback circuit to enable class B operation of a detector transistor |
| GB2259782B (en) * | 1991-09-19 | 1996-04-10 | Nokia Mobile Phones Ltd | Power detector |
| JP2010199714A (ja) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Nec Corp | 過入力判定回路および増幅装置 |
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