JPH06310949A - 高周波増幅回路及びその制御方法 - Google Patents
高周波増幅回路及びその制御方法Info
- Publication number
- JPH06310949A JPH06310949A JP5095996A JP9599693A JPH06310949A JP H06310949 A JPH06310949 A JP H06310949A JP 5095996 A JP5095996 A JP 5095996A JP 9599693 A JP9599693 A JP 9599693A JP H06310949 A JPH06310949 A JP H06310949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- voltage
- gallium arsenide
- bias voltage
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路構成部品を減少し、単一電源動作を可能
とすること。 【構成】 ガリウム砒素電界効果トランジスタを使用し
た高周波増幅部１は、ガリウム砒素電界効果トランジス
タ４と、高周波信号の一部を直流電圧に変換する高周波
検波部２と、前記直流電圧を所定の電圧に制御して、ゲ
ートにバイアス電圧として印加するバイアス電圧制御部
３とを備えている。高周波入力端子７に入力された高周
波信号の一部は、高周波検波部２において負の極性を持
つ直流電圧に変換される。次に、バイアス電圧制御部３
では、この負電圧を所定の電圧に制御してＧａＡｓ Ｆ
ＥＴのゲート４にバイアス電圧として印加する。
とすること。 【構成】 ガリウム砒素電界効果トランジスタを使用し
た高周波増幅部１は、ガリウム砒素電界効果トランジス
タ４と、高周波信号の一部を直流電圧に変換する高周波
検波部２と、前記直流電圧を所定の電圧に制御して、ゲ
ートにバイアス電圧として印加するバイアス電圧制御部
３とを備えている。高周波入力端子７に入力された高周
波信号の一部は、高周波検波部２において負の極性を持
つ直流電圧に変換される。次に、バイアス電圧制御部３
では、この負電圧を所定の電圧に制御してＧａＡｓ Ｆ
ＥＴのゲート４にバイアス電圧として印加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波増幅回路に関し、
特に単一電源動作が可能なガリウム砒素電界効果トラン
ジスタ（以下ＧａＡｓ ＦＥＴという）を使用する高周
波増幅回路に関する。
特に単一電源動作が可能なガリウム砒素電界効果トラン
ジスタ（以下ＧａＡｓ ＦＥＴという）を使用する高周
波増幅回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＧａＡｓ ＦＥＴを使用する高
周波増幅回路では、電源用の正電圧、及びバイアス用の
負電圧を発生させる二つの電源が必要である。
周波増幅回路では、電源用の正電圧、及びバイアス用の
負電圧を発生させる二つの電源が必要である。
【０００３】従来の高周波増幅回路は、図２に示すよう
に、高周波増幅部１と、この高周波増幅部１に接続され
ているＤＣ／ＤＣコンバータ９とを有している。高周波
増幅部１は、ＧａＡｓ ＦＥＴ４と、ＧａＡｓ ＦＥＴ
４には高周波入力端子７及び高周波出力端子８とが接続
されている。ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、電源入力端子
６に加えられた電圧の極性を反転させ、ゲートバイアス
用の負電圧を発生させるものである。高周波入力端子７
に加えられる高周波信号は、高周波増幅部１で増幅さ
れ、高周波出力端子８より出力される。
に、高周波増幅部１と、この高周波増幅部１に接続され
ているＤＣ／ＤＣコンバータ９とを有している。高周波
増幅部１は、ＧａＡｓ ＦＥＴ４と、ＧａＡｓ ＦＥＴ
４には高周波入力端子７及び高周波出力端子８とが接続
されている。ＤＣ／ＤＣコンバータ９は、電源入力端子
６に加えられた電圧の極性を反転させ、ゲートバイアス
用の負電圧を発生させるものである。高周波入力端子７
に加えられる高周波信号は、高周波増幅部１で増幅さ
れ、高周波出力端子８より出力される。
【０００４】また、電源供給部５は、ＧａＡｓ ＦＥＴ
４に供給する電源電圧を制御することによって高周波増
幅部１の増幅利得を変化させ結果として高周波入力端子
７から高周波出力端子８までの総合利得を制御してい
る。（特開昭６１−２９４９１２号公報、特開昭６３−
２６３９０５号公報並びに特開平３−１６７２１号公報
を参照）。
４に供給する電源電圧を制御することによって高周波増
幅部１の増幅利得を変化させ結果として高周波入力端子
７から高周波出力端子８までの総合利得を制御してい
る。（特開昭６１−２９４９１２号公報、特開昭６３−
２６３９０５号公報並びに特開平３−１６７２１号公報
を参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＡ
ｓ ＦＥＴを使用する高周波増幅回路では、ＤＣ／ＤＣ
コンバータを使用しているため回路構成部品が増えてし
まうという問題があった。
ｓ ＦＥＴを使用する高周波増幅回路では、ＤＣ／ＤＣ
コンバータを使用しているため回路構成部品が増えてし
まうという問題があった。
【０００６】また、ＤＣ／ＤＣコンバータ９を動作させ
るために必要なクロック信号のノイズは、高周波回路に
悪影響を与えるためノイズを遮断する手段が必要であっ
た。
るために必要なクロック信号のノイズは、高周波回路に
悪影響を与えるためノイズを遮断する手段が必要であっ
た。
【０００７】本発明の目的は上述した欠点を解決し、単
一電源動作が可能なＧａＡｓ ＦＥＴを使用する高周波
増幅回路を提供することにある。
一電源動作が可能なＧａＡｓ ＦＥＴを使用する高周波
増幅回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ガリウ
ム砒素電界効果トランジスタを使用した高周波増幅回路
において、高周波信号の一部を検波して負の極性を持つ
直流電圧に変換する高周波検波部と、該負の極性を持つ
直流電圧を所定の電圧に制御して、前記ガリウム砒素電
界効果トランジスタのゲートにバイアス電圧として印加
するバイアス電圧制御部とを備えていることを特徴とす
る高周波増幅回路が得られる。
ム砒素電界効果トランジスタを使用した高周波増幅回路
において、高周波信号の一部を検波して負の極性を持つ
直流電圧に変換する高周波検波部と、該負の極性を持つ
直流電圧を所定の電圧に制御して、前記ガリウム砒素電
界効果トランジスタのゲートにバイアス電圧として印加
するバイアス電圧制御部とを備えていることを特徴とす
る高周波増幅回路が得られる。
【０００９】また、本発明によれば、高周波信号を、ガ
リウム砒素電界効果トランジスタで増幅して出力すると
共に、前記高周波信号の一部を高周波検波部において負
の極性を持つ直流電圧に変換し、さらに、バイアス電圧
制御部によって前記直流負電圧を所定の電圧に制御して
前記ガリウム砒素電界効果トランジスタにバイアス電圧
として印加して、前記ガリウム砒素電界効果トランジス
タに供給する電源電圧を制御することによって増幅利得
を変化させることを特徴とする高周波増幅回路の制御方
法が得られる。
リウム砒素電界効果トランジスタで増幅して出力すると
共に、前記高周波信号の一部を高周波検波部において負
の極性を持つ直流電圧に変換し、さらに、バイアス電圧
制御部によって前記直流負電圧を所定の電圧に制御して
前記ガリウム砒素電界効果トランジスタにバイアス電圧
として印加して、前記ガリウム砒素電界効果トランジス
タに供給する電源電圧を制御することによって増幅利得
を変化させることを特徴とする高周波増幅回路の制御方
法が得られる。
【００１０】
【作用】本発明によると、高周波入力端子に入力された
高周波信号が、ガリウム砒素電界効果トランジスタで増
幅されて出力される共に、高周波信号の一部が高周波検
波部において負の極性を持つ直流電圧に変換される。
高周波信号が、ガリウム砒素電界効果トランジスタで増
幅されて出力される共に、高周波信号の一部が高周波検
波部において負の極性を持つ直流電圧に変換される。
【００１１】次に、バイアス電圧制御部では、この負電
圧を所定の電圧に制御してガリウム砒素電界効果トラン
ジスタのゲートにバイアス電圧として印加する。
圧を所定の電圧に制御してガリウム砒素電界効果トラン
ジスタのゲートにバイアス電圧として印加する。
【００１２】また、電源供給部はガリウム砒素電界効果
トランジスタに供給する電源電圧を制御することによっ
て高周波増幅部の増幅利得を変化させ総合利得を制御す
る。
トランジスタに供給する電源電圧を制御することによっ
て高周波増幅部の増幅利得を変化させ総合利得を制御す
る。
【００１３】
【実施例】次に本発明の高周波増幅回路の一実施例につ
いて、図１を参照して説明する。なお、図２と同じ部分
には同じ符号を付して説明する。
いて、図１を参照して説明する。なお、図２と同じ部分
には同じ符号を付して説明する。
【００１４】図１を参照して、高周波増幅回路は、高周
波増幅部１を有している。高周波増幅部１は、二つのＧ
ａＡｓ ＦＥＴ（ガリウム砒素電界効果トランジスタ）
４と、高周波信号の一部を検波して負の極性を持つ直流
電圧に変換する高周波検波部２と、この負電圧を所定の
電圧に制御してＧａＡｓ ＦＥＴ４のゲートにバイアス
電圧として印加するバイアス電圧制御部３とを有してい
る。ＧａＡｓ ＦＥＴ４は、高周波入力端子７及び高周
波出力端子８に接続されている。
波増幅部１を有している。高周波増幅部１は、二つのＧ
ａＡｓ ＦＥＴ（ガリウム砒素電界効果トランジスタ）
４と、高周波信号の一部を検波して負の極性を持つ直流
電圧に変換する高周波検波部２と、この負電圧を所定の
電圧に制御してＧａＡｓ ＦＥＴ４のゲートにバイアス
電圧として印加するバイアス電圧制御部３とを有してい
る。ＧａＡｓ ＦＥＴ４は、高周波入力端子７及び高周
波出力端子８に接続されている。
【００１５】また、高周波増幅部１には、電源入力端子
６から電源電圧をＧａＡｓ ＦＥＴ４に供給するための
電源供給部５が接続されている。電源供給部５には電源
入力端子６が接続されている。
６から電源電圧をＧａＡｓ ＦＥＴ４に供給するための
電源供給部５が接続されている。電源供給部５には電源
入力端子６が接続されている。
【００１６】次に、上述した高周波増幅回路の制御方法
について説明する。
について説明する。
【００１７】まず、高周波入力端子７に入力された高周
波信号は、ＧａＡｓ ＦＥＴ４で増幅されて高周波出力
端子８に出力する。これとと共に、高周波信号の一部は
高周波検波部２において負の極性を持つ直流電圧に変換
される。負の極性を持つ直流電圧に変換する方法として
はたとえば、ダイオードを用いる方法などがある。
波信号は、ＧａＡｓ ＦＥＴ４で増幅されて高周波出力
端子８に出力する。これとと共に、高周波信号の一部は
高周波検波部２において負の極性を持つ直流電圧に変換
される。負の極性を持つ直流電圧に変換する方法として
はたとえば、ダイオードを用いる方法などがある。
【００１８】さらに、バイアス電圧制御部３では、この
負電圧を所定の電圧に制御してＧａＡｓ ＦＥＴ４のゲ
ートにバイアス電圧として印加する。
負電圧を所定の電圧に制御してＧａＡｓ ＦＥＴ４のゲ
ートにバイアス電圧として印加する。
【００１９】また、電源供給部５はＧａＡｓ ＦＥＴ４
に供給する電源電圧を制御することによって高周波増幅
部１の増幅利得を変化させ、その結果として高周波入力
端子７から高周波出力端子８までの総合利得を制御す
る。
に供給する電源電圧を制御することによって高周波増幅
部１の増幅利得を変化させ、その結果として高周波入力
端子７から高周波出力端子８までの総合利得を制御す
る。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の高周波増幅
回路によれば、高周波信号の一部を検波して負の極性を
持つ直流電圧に変換する高周波検波回路と、この負電圧
を所定の電圧に制御して、ゲートにバイアス電圧として
印加するバイアス電圧制御部を備えているので、ＤＣ／
ＤＣコンバータを使用する必要がなくなり部品点数を削
減できるという効果を奏する。
回路によれば、高周波信号の一部を検波して負の極性を
持つ直流電圧に変換する高周波検波回路と、この負電圧
を所定の電圧に制御して、ゲートにバイアス電圧として
印加するバイアス電圧制御部を備えているので、ＤＣ／
ＤＣコンバータを使用する必要がなくなり部品点数を削
減できるという効果を奏する。
【００２１】またＤＣ／ＤＣコンバータを動作させるた
めに必要なクロック信号が不要となるので、他の回路に
悪影響を与えるノイズが減少するという効果を奏する。
めに必要なクロック信号が不要となるので、他の回路に
悪影響を与えるノイズが減少するという効果を奏する。
【図１】本発明の高周波増幅回路の一実施例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図２】従来の高周波増幅回路のブロック図である。
１ 高周波増幅部 ２ 高周波検波部 ３ バイアス電圧制御部 ４ ＧａＡｓ ＦＥＴ（ガリウム砒素電界効果トラン
ジスタ） ５ 電源供給部 ６ 電源入力端子 ７ 高周波入力端子 ８ 高周波出力端子 ９ ＤＣ／ＤＣコンバータ
ジスタ） ５ 電源供給部 ６ 電源入力端子 ７ 高周波入力端子 ８ 高周波出力端子 ９ ＤＣ／ＤＣコンバータ
Claims (2)
- 【請求項１】 ガリウム砒素電界効果トランジスタを使
用した高周波増幅回路において、高周波信号の一部を検
波して負の極性を持つ直流電圧に変換する高周波検波部
と、該負の極性を持つ直流電圧を所定の電圧に制御し
て、前記ガリウム砒素電界効果トランジスタのゲートに
バイアス電圧として印加するバイアス電圧制御部とを備
えていることを特徴とする高周波増幅回路。 - 【請求項２】 高周波信号を、ガリウム砒素電界効果ト
ランジスタで増幅して出力すると共に、前記高周波信号
の一部を高周波検波部において負の極性を持つ直流電圧
に変換し、さらに、バイアス電圧制御部によって前記直
流負電圧を所定の電圧に制御して前記ガリウム砒素電界
効果トランジスタにバイアス電圧として印加して、前記
ガリウム砒素電界効果トランジスタに供給する電源電圧
を制御することによって増幅利得を変化させることを特
徴とする高周波増幅回路の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095996A JP2511630B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 高周波増幅回路及びその制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5095996A JP2511630B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 高周波増幅回路及びその制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310949A true JPH06310949A (ja) | 1994-11-04 |
| JP2511630B2 JP2511630B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=14152724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5095996A Expired - Fee Related JP2511630B2 (ja) | 1993-04-22 | 1993-04-22 | 高周波増幅回路及びその制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511630B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5982236A (en) * | 1997-01-21 | 1999-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency power amplifier |
| WO2001082469A3 (en) * | 2000-04-21 | 2002-07-25 | Paradigm Wireless Systems Inc | Method and apparatus for optimum biasing of cascaded mosfet radio-frequency devices |
| JP2014168225A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-09-11 | Tdk Corp | 高周波増幅器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124708U (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | ||
| JPH0336818A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｆｅｔバイアス装置 |
-
1993
- 1993-04-22 JP JP5095996A patent/JP2511630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01124708U (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | ||
| JPH0336818A (ja) * | 1989-07-04 | 1991-02-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｆｅｔバイアス装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5982236A (en) * | 1997-01-21 | 1999-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-frequency power amplifier |
| WO2001082469A3 (en) * | 2000-04-21 | 2002-07-25 | Paradigm Wireless Systems Inc | Method and apparatus for optimum biasing of cascaded mosfet radio-frequency devices |
| GB2377569A (en) * | 2000-04-21 | 2003-01-15 | Paradigm Wireless Systems Inc | Method and apparatus for optimum biasing of cascaded mosfet radio-frequency devices |
| US6522197B2 (en) | 2000-04-21 | 2003-02-18 | Paradigm Wireless Systems, Inc. | Method and apparatus for optimum biasing of cascaded MOSFET radio-frequency devices |
| JP2014168225A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-09-11 | Tdk Corp | 高周波増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2511630B2 (ja) | 1996-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100618408B1 (ko) | 디지털 앰프용 펄스 폭 변조기, 디지털 앰프의 팝 노이즈감소 방법 및 디지털 앰프 | |
| SE9901094D0 (sv) | Effektförstärkare med låg distorsion | |
| US20020074980A1 (en) | Saturation prevention and amplifier distortion reduction | |
| JPH06252662A (ja) | 電力増幅装置 | |
| JP3731358B2 (ja) | 高周波電力増幅回路 | |
| JP2867756B2 (ja) | 消費電力制御装置 | |
| JPH05110456A (ja) | 出力電力制御回路 | |
| JPH02149108A (ja) | ゲート電圧制御回路 | |
| JP2511630B2 (ja) | 高周波増幅回路及びその制御方法 | |
| KR940025203A (ko) | 통신기 | |
| KR19990037539A (ko) | 전력 증폭 장치 | |
| JPWO2003073605A1 (ja) | 高周波増幅回路 | |
| JP2005151442A (ja) | パルス電力増幅器 | |
| JP2001274632A (ja) | 増幅装置及び消費電力制御方法 | |
| JPH05235646A (ja) | 非線形歪補償回路 | |
| JPH05267941A (ja) | 高効率型高周波電力増幅器 | |
| JP2676823B2 (ja) | バイアス回路 | |
| US5764098A (en) | Bias circuit | |
| JPH0685580A (ja) | 電力制御装置 | |
| JP2903905B2 (ja) | 高周波帯高出力増幅器 | |
| JPS60217705A (ja) | 電力増幅器 | |
| JPS62155770A (ja) | スイツチングレギユレ−タ | |
| JPS6223604A (ja) | バイアス回路 | |
| JPH0555935A (ja) | 送信出力電力制御装置 | |
| JPH05199051A (ja) | 増幅用トランジスタのゲートバイアス発生回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960227 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |