JPWO2003073605A1 - 高周波増幅回路 - Google Patents
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Abstract
第1の増幅回路(12,14,16)の後段で第2の増幅回路(20,22)の前段において信号を分岐し、検波回路(30)において信号の有無を検出する、信号が検出されたら、ゲートバイアス回路(32)は、第2の増幅回路(20,22)のFETのゲートバイアスを通常動作時の電圧値に切り換え、信号が検出されなくなったら、マスク時間経過後、消費電力を抑制する電圧値に切り換える。歪フィードバック型高周波増幅回路においては、歪抽出回路および逆歪付加回路の調整のために回路を切断する手段として、FETのゲートバイアスを変更することによって増幅器を実質的な切断状態とする。
Description
技術分野
本発明は、バースト的に入力される信号を増幅する高周波増幅回路、フィードバックにより歪をキャンセルする機能を備えた高周波増幅回路、およびフィードフォワード増幅器のように並列に設けられた複数の増幅器を有する高周波増幅回路に関する。
背景技術
受信されたバースト信号を増幅する高周波増幅回路では、信号が存在せず増幅動作が必要とされない間に増幅回路、特に増幅素子として用いられる電界効果トランジスタ(FET)の消費電力を抑制することができれば、回路全体の消費電力を大幅に削減することができる。
特開平5−347514号公報には、この目的で、増幅回路の入力において信号の有無を検出し、信号が検出されないときFETのゲート端子のバイアスを深くすることによって消費電力を削減することが記載されている。
しかしながら、上記のように増幅回路の入力において信号の有無を検出することとすると、検出される信号が微小な信号であるときには信号の存在の有無を正常に検出できないという問題がある。
フィードバックにより歪をキャンセルする機能を備えた高周波増幅回路(歪フィードバック型増幅回路)は、例えば、特開平5−167356号公報および特開2001−358540号公報に記載されている。これは、主増幅器の入力の一部と出力の一部とを主信号について逆相等振幅で合成して歪成分を生成し(歪抽出回路)、これを主増幅器の入力側に負帰還することにより(逆歪付加回路)、歪のない増幅を行なうものである。
この歪フィードバック型増幅回路では、予め歪抽出回路および逆歪付加回路について、位相および電力レベルの調整が可能であることが望まれている。
フィードフォワードにより歪をキャンセルする機能を備えた高周波増幅回路(フィードフォワード型増幅回路)が知られている。このフィードフォワード型増幅回路では、主増幅器と歪成分を増幅するための補助増幅器が並列に用いられているため、一担実装された後にはそれぞれの増幅器の特性を測定することができない。複数の増幅器が並列に用いられるアダプティブ型の増幅器群またはフェーズドアレイ型の増幅器についても同様で、実装後は各増幅器の特性を測定することができない。したがって、この種の回路において、実装後においても各増幅器の特性を個別に測定できることが望まれている。
発明の開示
したがって本発明の第1の目的は、微小なバースト入力に対しても消費電力の制御が可能な高周波増幅回路を提供することにある。
本発明の第2の目的は、歪抽出回路および逆歪付加回路の位相および電力レベルの調整を簡便かつ正確に行なうことのできる、歪フィードバック型の高周波増幅回路を提供することにある。
本発明の第3の目的は、実装後においても各増幅器の特性の測定が可能な高周波増幅回路を提供することにある。
本発明によれば、第1の増幅回路と、少なくとも1つの電界効果トランジスタを含み第1の増幅回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第1の増幅回路の出力から信号を検出する検波回路と、検波回路において信号が検出されないとき、第2の増幅回路に含まれる電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該電界効果トランジスタの消費電力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを含む高周波増幅回路が提供される。
本発明によれば、第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって第1の増幅回路による歪成分を生成するための第1の合成回路と、第1の合成回路において主信号について逆相等振幅で合成されるように、第1の増幅回路の入力の一部および第1の増幅回路の出力の一部のいずれか一方または双方の位相および電力レベルを調整するための第1の位相・電力レベル調整回路と、第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第2の増幅回路の出力を、歪成分について負帰還となるように第1の増幅回路の入力に合成するための第2の合成回路と、第2の合成回路において歪成分について負帰還となるように、第1の合成回路の出力の位相および電力レベルを調整する第2の位相・電力レベル調整回路と、第1の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第1の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第1の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを具備する高周波増幅回路もまた提供される。
本発明によれば、第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって第1の増幅回路による歪成分を生成するための第1の合成回路と、第1の合成回路において主信号について逆相等振幅で合成されるように、第1の増幅回路の入力の一部および第1の増幅回路の出力の一部のいずれか一方または双方の位相および電力レベルを調整するための第1の位相・電力レベル調整回路と、第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第2の増幅回路の出力を、歪成分について負帰還となるように第1の増幅回路の入力に合成するための第2の合成回路と、第2の合成回路において歪成分について負帰還となるように、第1の合成回路の出力の位相および電力レベルを調整する第2の位相・電力レベル調整回路と、第3の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路において合成される第1の増幅回路の入力の一部を増幅する第3の増幅回路と、第1の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第3の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第3の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを具備する高周波増幅回路もまた提供される。
本発明によれば、第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって歪成分を生成する第1の合成回路と、第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第2の増幅回路の出力を第1の増幅回路の出力に歪成分について逆相等振幅で合成する第2の合成回路と、第1の増幅回路の特性の測定の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の増幅回路の特性の測定の際に、第1の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第1の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを含む高周波増幅回路もまた提供される。
本発明によれば、複数の移相器と、それぞれが電界効果トランジスタを含み、複数の移相器のそれぞれに直列に接続された複数の増幅回路と、選択された一部の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し得る制御回路とを含む高周波増幅回路もまた提供される。
発明を実施するための最良の形態
図1は本発明の第1の実施形態に係る高周波増幅回路の構成を示すブロック図である。入力側のアイソレータ10を経て入力された信号は増幅器12,14および16により順次増幅され、アイソレータ18を経て増幅器20および22で増幅されて出力側のアイソレータ24を経て出力される。増幅器12,14,16,20および22にはそれぞれ電界効果トランジスタ(FET)が使用されている。すべてのFETのドレイン端子および増幅器12,14および16のゲート端子にはバイアス回路26から固定バイアスが供給される。
信号は増幅器12,14,16で増幅された後、カプラ28によりその一部が分岐され、検波回路30で信号の有無が検出される。ゲートバイアス制御回路32は、検波回路30において信号が検出されると、直ちに増幅回路20,22のゲートバイアスを正常動作のための例えば−5V程度の電圧に切り換える。信号が検出されなくなったら、所定時間経過後に例えば−10V程度のゲートバイアスを設定して増幅器20,22のドレイン電流を抑制して消費電力を抑制する。増幅器12,14,16については、消費電力がそもそも小さいので、ゲート電圧の切り換えをしなくても消費電力全体への寄与は小さい。
図2は図1のカプラ28および検波回路30の詳細を示す。カプラ28において増幅器16(図1)の出力の一部が分岐される。分岐された信号はダイオードD1で整流され、抵抗およびコンデンサにより平滑化されてIC1からなる比較器において基準電圧と比較される。IC1へ入力される電圧は増幅器16の出力の電力レベルが大きくなればなる程大きくなる。それがIC1の基準電圧より大になるとIC1の出力は0Vになる。逆に増幅器16の出力の電力レベルが小さくなってIC1へ入力される電圧が基準電圧より小さくなるとIC1の出力はオープンになる。
図3は図1のゲートバイアス制御回路32の詳細を示す。先に説明した検波回路30で信号が検出されてその出力が0Vになると、比較器としてのIC2の出力は−12VになりTR1はオンになる。そうすると、増幅器として動作するIC3の基準電圧(+入力)の絶対値が小さくなり、回路の出力の絶対値を小さくするようにIC3の出力も絶対値が小さくなる。以上により、回路の出力電圧は−5Vになり、負荷に安定した電圧を供給する。これによりFET20,22(図1)の動作は通常動作となる。一方、検波回路30で信号が検出されなくてその出力がオープンになると、IC2の出力はオープンになり、マスク時間経過後TR1がオフになる。そうすると、IC3の基準電圧の絶対値が大きくなり、回路の出力の絶対値を大きくするようにIC3の出力も絶対値が大きくなる。以上により、制御回路32の出力は−10Vに切り替わり、負荷に安定した電圧を供給する。これにより、FET20,22の消費電力は大幅に抑制される。
図4は従来の歪フィードバック型の増幅器の構成を示す。カプラ40および42により主増幅器44の入力側および出力側の信号の一部をそれぞれ分岐する。位相・電力レベル調整器48で信号の位相と電力レベルを調整して、主信号について逆相かつ等振幅になるようにしてカプラ46で合成することにより、カプラ46からは歪成分のみが取り出される。これを増幅器50で増幅してカプラ52で主信号に合成する。位相・電力レベル調整器54で歪成分について負帰還になるように位相と電力レベルを調整することにより、増幅器44で発生する歪成分は抑制される。
図5は、本発明における、位相・電力レベル調整器48の調整の手法を概念的に示す。カプラ46から増幅器50を経てカプラ52に至る経路を何らかの手段で切断または実質的に切断し、入力に目標周波数(使用周波数)のCW信号を入れ、カプラ46の出力の一部をカプラ56で取り出してその電力レベルを測定する。測定されるレベルが最小になるように位相・電力レベル調整器48の位相とレベルを調整することにより、歪抽出回路が最適化される。調整の手順としては、例えば、減衰量を固定して移相量をスキャンすることによりレベルが最小となる移相量を見い出す。次に、移相量をこの値に固定して減衰量をスキャンすることにより、レベルが最小となる減衰量を見い出す。この手順を数回繰り返すことにより、最適な移相量と減衰量を見い出すことができる。
位相・電力レベル調整器54の調整のためには、図6にXで示すようにカプラ40から増幅器44およびカプラ42を経てカプラ46に至る経路を何らかの手段により切断または実質的に切断し、入力にCW信号を入れてカプラ42で分岐される信号の一部をカプラ58で取り出して電力レベルを測定する。カプラ42で分岐される信号を測定する代わりに、カプラ42の主信号側の出力を測定しても良い。測定されるレベルが最大になるように位相・電力レベル調整器54を調整することにより、逆歪付加回路が最適化される。具体的な調整の手順は、位相・電力レベル調整器48の場合と同様で良い。
カプラ40から増幅器44を経てカプラ46へ至る経路を切断する代わりに、図6中、点線のXで示すように、カプラ40から増幅器44を経ずにカプラ46に至る経路を切断しても良い。この場合には、カプラ58で取り出した信号の電力レベルが最小になるように調整する。
上記の手法によれば、レベルをモニタするだけで位相と電力レベルを最適化することができるので簡便である。
本発明の第2の実施形態においては、以上に説明した手法において、増幅器に用いられるFETのゲートバイアスを、FETの出力を充分に抑制する電圧値、例えば、前出の−10Vに設定することで、回路の一部の切断または実質的な切断を実現する。図7は本発明の第2の実施形態に係る、自動調整機能を備えた歪フィードバック型高周波増幅回路の構成を示す。図4〜6と同一の構成要素については、同一の参照番号を付してその説明を省略する。
図7において、調整のためのCW信号は、制御回路64からのON/OFF制御が可能な発振器60からカプラ62を経て導入される。カプラ56で取り出された信号はダイオードなどの検波素子を含むモニタ回路66で電力レベルを表わす電圧信号に変換され、制御回路64へ入力される。カプラ58で取り出された信号はミキサ68で周波数変換した後低域通過フィルタ72を経て制御回路64へ入力される。なお、ミキサ68による周波数変換および低域通過フィルタ72により信号を検出するのは、運転時に歪成分のみを検出するためであり、運転前の調整のみに目的を限ればカプラ56から取り出した信号に対する処理と同じでも良い。
位相・電力レベル調整器48,54における減衰量および移相量は制御回路64から与える電圧値を変更することによって変更することができる。増幅器44および50は1または複数段のFETからなり、そのうちの1つまたはそれ以上のFETのゲート電圧を制御回路64から変更することによって、通常動作および実質的な切断状態の間で切り替えることができる。
図8は制御回路64の詳細な構成の一例を示す。CPU/ROM74はその中に記憶されたプログラムに従って、前述した手法により発振器60のON/OFFの制御、D/A変換器76を介しての増幅器44,50のゲート電圧の設定およびA/D変換器78を介しての電力レベル測定値の取込みを行ない、その結果に従って、D/A変換器76を介して位相・電力レベル調整器48,54における減衰量および移相量を適切に設定する。
図9は図7の回路の一変形例を示す。図9において、カプラ40とカプラ46の間に増幅器80が設けられる。この例では、増幅器44のゲート電圧を変えて実質的な切断を実現する代わりに、増幅器80のゲート電圧を変えて実質的な切断を実現する。この場合、位相が逆であるので、測定されたレベルが最小となるように調整する。
図10は、本発明の第3の実施例に係る、個々の増幅器の特性を実装後においても測定することが可能なフィードフォワード型増幅器の構成を示す。
周知の如く、フィードフォワード型増幅器では、主増幅器82の入力側と出力側からそれぞれカプラ84およびカプラ86により信号の一部を取り出し、主信号について逆相等振幅となるようにしてカプラ88において合成することにより歪を検出する。これを補助増幅器92で増幅し、歪信号について逆相等振幅となるようにカプラ94で合成し、歪を除去する。
制御回路96は増幅器82および92のゲートバイアスを個別に通常動作のためのゲートバイアス、例えば前出の−5Vから、実質的な切断状態となるゲートバイアス、例えば−10Vに変更することができる。増幅器82を実質的に切断状態とすることで、増幅器92の特性を実装後においても回路の出力において測定可能となり、増幅器92を切断状態とすることにより、増幅器82の特性を実装後においても測定可能となる。
図11は本発明の第4の実施例に係る、個々の増幅器の特性を実装後においても測定することが可能な、フェーズドアレイ型またはアダプティブアレイ型の増幅器の構成を示す。図11において、100は移相器、102は増幅器を示す。制御回路104から、どれか1つの増幅器のみを生かすように各増幅器102のゲートバイアスを与えることにより、個々の増幅器の位相・レベル特性を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の第1の実施形態に係る高周波増幅回路の構成を示すブロック図;
図2は、図1の検波回路30の詳細を示す回路図;
図3は、図1のゲートバイアス制御回路の詳細を示す回路図;
図4は、歪フィードバック型高周波増幅回路の構成を示すブロック図;
図5は、歪フィードバック型高周波増幅回路の歪抽出回路の最適化の手法を概念的に示す図;
図6は、歪フィードバック型高周波増幅回路の逆歪付加回路の最適化の手法を概念的に示す図;
図7は、本発明の第2の実施形態に係る自動調整機能を備えた歪フィードバック型高周波増幅回路の構成を示すブロック図;
図8は、図7の制御回路64の詳細を示すブロック図;
図9は、図7の回路の一変形のブロック図;
図10は、本発明の第3の実施形態に係る、個々の増幅器の特性の測定が可能なフィードフォワード型高周波増幅回路のブロック図;および
図11は、本発明の第4の実施形態に係る、個々の増幅器の特性の測定が可能なフェーズドアレイ型またはアダプティグアレイ型の増幅器のブロック図。
本発明は、バースト的に入力される信号を増幅する高周波増幅回路、フィードバックにより歪をキャンセルする機能を備えた高周波増幅回路、およびフィードフォワード増幅器のように並列に設けられた複数の増幅器を有する高周波増幅回路に関する。
背景技術
受信されたバースト信号を増幅する高周波増幅回路では、信号が存在せず増幅動作が必要とされない間に増幅回路、特に増幅素子として用いられる電界効果トランジスタ(FET)の消費電力を抑制することができれば、回路全体の消費電力を大幅に削減することができる。
特開平5−347514号公報には、この目的で、増幅回路の入力において信号の有無を検出し、信号が検出されないときFETのゲート端子のバイアスを深くすることによって消費電力を削減することが記載されている。
しかしながら、上記のように増幅回路の入力において信号の有無を検出することとすると、検出される信号が微小な信号であるときには信号の存在の有無を正常に検出できないという問題がある。
フィードバックにより歪をキャンセルする機能を備えた高周波増幅回路(歪フィードバック型増幅回路)は、例えば、特開平5−167356号公報および特開2001−358540号公報に記載されている。これは、主増幅器の入力の一部と出力の一部とを主信号について逆相等振幅で合成して歪成分を生成し(歪抽出回路)、これを主増幅器の入力側に負帰還することにより(逆歪付加回路)、歪のない増幅を行なうものである。
この歪フィードバック型増幅回路では、予め歪抽出回路および逆歪付加回路について、位相および電力レベルの調整が可能であることが望まれている。
フィードフォワードにより歪をキャンセルする機能を備えた高周波増幅回路(フィードフォワード型増幅回路)が知られている。このフィードフォワード型増幅回路では、主増幅器と歪成分を増幅するための補助増幅器が並列に用いられているため、一担実装された後にはそれぞれの増幅器の特性を測定することができない。複数の増幅器が並列に用いられるアダプティブ型の増幅器群またはフェーズドアレイ型の増幅器についても同様で、実装後は各増幅器の特性を測定することができない。したがって、この種の回路において、実装後においても各増幅器の特性を個別に測定できることが望まれている。
発明の開示
したがって本発明の第1の目的は、微小なバースト入力に対しても消費電力の制御が可能な高周波増幅回路を提供することにある。
本発明の第2の目的は、歪抽出回路および逆歪付加回路の位相および電力レベルの調整を簡便かつ正確に行なうことのできる、歪フィードバック型の高周波増幅回路を提供することにある。
本発明の第3の目的は、実装後においても各増幅器の特性の測定が可能な高周波増幅回路を提供することにある。
本発明によれば、第1の増幅回路と、少なくとも1つの電界効果トランジスタを含み第1の増幅回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第1の増幅回路の出力から信号を検出する検波回路と、検波回路において信号が検出されないとき、第2の増幅回路に含まれる電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該電界効果トランジスタの消費電力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを含む高周波増幅回路が提供される。
本発明によれば、第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって第1の増幅回路による歪成分を生成するための第1の合成回路と、第1の合成回路において主信号について逆相等振幅で合成されるように、第1の増幅回路の入力の一部および第1の増幅回路の出力の一部のいずれか一方または双方の位相および電力レベルを調整するための第1の位相・電力レベル調整回路と、第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第2の増幅回路の出力を、歪成分について負帰還となるように第1の増幅回路の入力に合成するための第2の合成回路と、第2の合成回路において歪成分について負帰還となるように、第1の合成回路の出力の位相および電力レベルを調整する第2の位相・電力レベル調整回路と、第1の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第1の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第1の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを具備する高周波増幅回路もまた提供される。
本発明によれば、第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって第1の増幅回路による歪成分を生成するための第1の合成回路と、第1の合成回路において主信号について逆相等振幅で合成されるように、第1の増幅回路の入力の一部および第1の増幅回路の出力の一部のいずれか一方または双方の位相および電力レベルを調整するための第1の位相・電力レベル調整回路と、第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第2の増幅回路の出力を、歪成分について負帰還となるように第1の増幅回路の入力に合成するための第2の合成回路と、第2の合成回路において歪成分について負帰還となるように、第1の合成回路の出力の位相および電力レベルを調整する第2の位相・電力レベル調整回路と、第3の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路において合成される第1の増幅回路の入力の一部を増幅する第3の増幅回路と、第1の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第3の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第3の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを具備する高周波増幅回路もまた提供される。
本発明によれば、第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって歪成分を生成する第1の合成回路と、第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、第2の増幅回路の出力を第1の増幅回路の出力に歪成分について逆相等振幅で合成する第2の合成回路と、第1の増幅回路の特性の測定の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の増幅回路の特性の測定の際に、第1の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第1の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを含む高周波増幅回路もまた提供される。
本発明によれば、複数の移相器と、それぞれが電界効果トランジスタを含み、複数の移相器のそれぞれに直列に接続された複数の増幅回路と、選択された一部の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し得る制御回路とを含む高周波増幅回路もまた提供される。
発明を実施するための最良の形態
図1は本発明の第1の実施形態に係る高周波増幅回路の構成を示すブロック図である。入力側のアイソレータ10を経て入力された信号は増幅器12,14および16により順次増幅され、アイソレータ18を経て増幅器20および22で増幅されて出力側のアイソレータ24を経て出力される。増幅器12,14,16,20および22にはそれぞれ電界効果トランジスタ(FET)が使用されている。すべてのFETのドレイン端子および増幅器12,14および16のゲート端子にはバイアス回路26から固定バイアスが供給される。
信号は増幅器12,14,16で増幅された後、カプラ28によりその一部が分岐され、検波回路30で信号の有無が検出される。ゲートバイアス制御回路32は、検波回路30において信号が検出されると、直ちに増幅回路20,22のゲートバイアスを正常動作のための例えば−5V程度の電圧に切り換える。信号が検出されなくなったら、所定時間経過後に例えば−10V程度のゲートバイアスを設定して増幅器20,22のドレイン電流を抑制して消費電力を抑制する。増幅器12,14,16については、消費電力がそもそも小さいので、ゲート電圧の切り換えをしなくても消費電力全体への寄与は小さい。
図2は図1のカプラ28および検波回路30の詳細を示す。カプラ28において増幅器16(図1)の出力の一部が分岐される。分岐された信号はダイオードD1で整流され、抵抗およびコンデンサにより平滑化されてIC1からなる比較器において基準電圧と比較される。IC1へ入力される電圧は増幅器16の出力の電力レベルが大きくなればなる程大きくなる。それがIC1の基準電圧より大になるとIC1の出力は0Vになる。逆に増幅器16の出力の電力レベルが小さくなってIC1へ入力される電圧が基準電圧より小さくなるとIC1の出力はオープンになる。
図3は図1のゲートバイアス制御回路32の詳細を示す。先に説明した検波回路30で信号が検出されてその出力が0Vになると、比較器としてのIC2の出力は−12VになりTR1はオンになる。そうすると、増幅器として動作するIC3の基準電圧(+入力)の絶対値が小さくなり、回路の出力の絶対値を小さくするようにIC3の出力も絶対値が小さくなる。以上により、回路の出力電圧は−5Vになり、負荷に安定した電圧を供給する。これによりFET20,22(図1)の動作は通常動作となる。一方、検波回路30で信号が検出されなくてその出力がオープンになると、IC2の出力はオープンになり、マスク時間経過後TR1がオフになる。そうすると、IC3の基準電圧の絶対値が大きくなり、回路の出力の絶対値を大きくするようにIC3の出力も絶対値が大きくなる。以上により、制御回路32の出力は−10Vに切り替わり、負荷に安定した電圧を供給する。これにより、FET20,22の消費電力は大幅に抑制される。
図4は従来の歪フィードバック型の増幅器の構成を示す。カプラ40および42により主増幅器44の入力側および出力側の信号の一部をそれぞれ分岐する。位相・電力レベル調整器48で信号の位相と電力レベルを調整して、主信号について逆相かつ等振幅になるようにしてカプラ46で合成することにより、カプラ46からは歪成分のみが取り出される。これを増幅器50で増幅してカプラ52で主信号に合成する。位相・電力レベル調整器54で歪成分について負帰還になるように位相と電力レベルを調整することにより、増幅器44で発生する歪成分は抑制される。
図5は、本発明における、位相・電力レベル調整器48の調整の手法を概念的に示す。カプラ46から増幅器50を経てカプラ52に至る経路を何らかの手段で切断または実質的に切断し、入力に目標周波数(使用周波数)のCW信号を入れ、カプラ46の出力の一部をカプラ56で取り出してその電力レベルを測定する。測定されるレベルが最小になるように位相・電力レベル調整器48の位相とレベルを調整することにより、歪抽出回路が最適化される。調整の手順としては、例えば、減衰量を固定して移相量をスキャンすることによりレベルが最小となる移相量を見い出す。次に、移相量をこの値に固定して減衰量をスキャンすることにより、レベルが最小となる減衰量を見い出す。この手順を数回繰り返すことにより、最適な移相量と減衰量を見い出すことができる。
位相・電力レベル調整器54の調整のためには、図6にXで示すようにカプラ40から増幅器44およびカプラ42を経てカプラ46に至る経路を何らかの手段により切断または実質的に切断し、入力にCW信号を入れてカプラ42で分岐される信号の一部をカプラ58で取り出して電力レベルを測定する。カプラ42で分岐される信号を測定する代わりに、カプラ42の主信号側の出力を測定しても良い。測定されるレベルが最大になるように位相・電力レベル調整器54を調整することにより、逆歪付加回路が最適化される。具体的な調整の手順は、位相・電力レベル調整器48の場合と同様で良い。
カプラ40から増幅器44を経てカプラ46へ至る経路を切断する代わりに、図6中、点線のXで示すように、カプラ40から増幅器44を経ずにカプラ46に至る経路を切断しても良い。この場合には、カプラ58で取り出した信号の電力レベルが最小になるように調整する。
上記の手法によれば、レベルをモニタするだけで位相と電力レベルを最適化することができるので簡便である。
本発明の第2の実施形態においては、以上に説明した手法において、増幅器に用いられるFETのゲートバイアスを、FETの出力を充分に抑制する電圧値、例えば、前出の−10Vに設定することで、回路の一部の切断または実質的な切断を実現する。図7は本発明の第2の実施形態に係る、自動調整機能を備えた歪フィードバック型高周波増幅回路の構成を示す。図4〜6と同一の構成要素については、同一の参照番号を付してその説明を省略する。
図7において、調整のためのCW信号は、制御回路64からのON/OFF制御が可能な発振器60からカプラ62を経て導入される。カプラ56で取り出された信号はダイオードなどの検波素子を含むモニタ回路66で電力レベルを表わす電圧信号に変換され、制御回路64へ入力される。カプラ58で取り出された信号はミキサ68で周波数変換した後低域通過フィルタ72を経て制御回路64へ入力される。なお、ミキサ68による周波数変換および低域通過フィルタ72により信号を検出するのは、運転時に歪成分のみを検出するためであり、運転前の調整のみに目的を限ればカプラ56から取り出した信号に対する処理と同じでも良い。
位相・電力レベル調整器48,54における減衰量および移相量は制御回路64から与える電圧値を変更することによって変更することができる。増幅器44および50は1または複数段のFETからなり、そのうちの1つまたはそれ以上のFETのゲート電圧を制御回路64から変更することによって、通常動作および実質的な切断状態の間で切り替えることができる。
図8は制御回路64の詳細な構成の一例を示す。CPU/ROM74はその中に記憶されたプログラムに従って、前述した手法により発振器60のON/OFFの制御、D/A変換器76を介しての増幅器44,50のゲート電圧の設定およびA/D変換器78を介しての電力レベル測定値の取込みを行ない、その結果に従って、D/A変換器76を介して位相・電力レベル調整器48,54における減衰量および移相量を適切に設定する。
図9は図7の回路の一変形例を示す。図9において、カプラ40とカプラ46の間に増幅器80が設けられる。この例では、増幅器44のゲート電圧を変えて実質的な切断を実現する代わりに、増幅器80のゲート電圧を変えて実質的な切断を実現する。この場合、位相が逆であるので、測定されたレベルが最小となるように調整する。
図10は、本発明の第3の実施例に係る、個々の増幅器の特性を実装後においても測定することが可能なフィードフォワード型増幅器の構成を示す。
周知の如く、フィードフォワード型増幅器では、主増幅器82の入力側と出力側からそれぞれカプラ84およびカプラ86により信号の一部を取り出し、主信号について逆相等振幅となるようにしてカプラ88において合成することにより歪を検出する。これを補助増幅器92で増幅し、歪信号について逆相等振幅となるようにカプラ94で合成し、歪を除去する。
制御回路96は増幅器82および92のゲートバイアスを個別に通常動作のためのゲートバイアス、例えば前出の−5Vから、実質的な切断状態となるゲートバイアス、例えば−10Vに変更することができる。増幅器82を実質的に切断状態とすることで、増幅器92の特性を実装後においても回路の出力において測定可能となり、増幅器92を切断状態とすることにより、増幅器82の特性を実装後においても測定可能となる。
図11は本発明の第4の実施例に係る、個々の増幅器の特性を実装後においても測定することが可能な、フェーズドアレイ型またはアダプティブアレイ型の増幅器の構成を示す。図11において、100は移相器、102は増幅器を示す。制御回路104から、どれか1つの増幅器のみを生かすように各増幅器102のゲートバイアスを与えることにより、個々の増幅器の位相・レベル特性を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の第1の実施形態に係る高周波増幅回路の構成を示すブロック図;
図2は、図1の検波回路30の詳細を示す回路図;
図3は、図1のゲートバイアス制御回路の詳細を示す回路図;
図4は、歪フィードバック型高周波増幅回路の構成を示すブロック図;
図5は、歪フィードバック型高周波増幅回路の歪抽出回路の最適化の手法を概念的に示す図;
図6は、歪フィードバック型高周波増幅回路の逆歪付加回路の最適化の手法を概念的に示す図;
図7は、本発明の第2の実施形態に係る自動調整機能を備えた歪フィードバック型高周波増幅回路の構成を示すブロック図;
図8は、図7の制御回路64の詳細を示すブロック図;
図9は、図7の回路の一変形のブロック図;
図10は、本発明の第3の実施形態に係る、個々の増幅器の特性の測定が可能なフィードフォワード型高周波増幅回路のブロック図;および
図11は、本発明の第4の実施形態に係る、個々の増幅器の特性の測定が可能なフェーズドアレイ型またはアダプティグアレイ型の増幅器のブロック図。
Claims (6)
- 第1の増幅回路と、
少なくとも1つの電界効果トランジスタを含み、第1の増幅回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、
第1の増幅回路の出力から信号を検出する検波回路と、
検波回路において信号が検出されないとき、第2の増幅回路に含まれる電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該電界効果トランジスタの消費電力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを含む高周波増幅回路。 - 前記第2の増幅回路は複数の電界効果トランジスタを含み、前記制御回路は、複数の電界効果トランジスタのゲートバイアスを設定する請求項1記載の高周波増幅回路。
- 第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、
第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって第1の増幅回路による歪成分を生成するための第1の合成回路と、
第1の合成回路において主信号について逆相等振幅で合成されるように、第1の増幅回路の入力の一部および第1の増幅回路の出力の一部のいずれか一方または双方の位相および電力レベルを調整するための第1の位相・電力レベル調整回路と、
第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、
第2の増幅回路の出力を、歪成分について負帰還となるように第1の増幅回路の入力に合成するための第2の合成回路と、
第2の合成回路において歪成分について負帰還となるように、第1の合成回路の出力の位相および電力レベルを調整する第2の位相・電力レベル調整回路と、
第1の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第1の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第1の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを具備する高周波増幅回路。 - 第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、
第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって第1の増幅回路による歪成分を生成するための第1の合成回路と、
第1の合成回路において主信号について逆相等振幅で合成されるように、第1の増幅回路の入力の一部および第1の増幅回路の出力の一部のいずれか一方または双方の位相および電力レベルを調整するための第1の位相・電力レベル調整回路と、
第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、
第2の増幅回路の出力を、歪成分について負帰還となるように第1の増幅回路の入力に合成するための第2の合成回路と、
第2の合成回路において歪成分について負帰還となるように、第1の合成回路の出力の位相および電力レベルを調整する第2の位相・電力レベル調整回路と、
第3の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路において合成される第1の増幅回路の入力の一部を増幅する第3の増幅回路と、
第1の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の位相・電力レベル調整回路の調整の際に、第3の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第3の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを具備する高周波増幅回路。 - 第1の電界効果トランジスタを含む第1の増幅回路と、
第1の増幅回路の入力の一部と第1の増幅回路の出力の一部を、主信号について逆相等振幅で合成することによって歪成分を生成する第1の合成回路と、
第2の電界効果トランジスタを含み、第1の合成回路の出力を増幅する第2の増幅回路と、
第2の増幅回路の出力を第1の増幅回路の出力に歪成分について逆相等振幅で合成する第2の合成回路と、
第1の増幅回路の特性の測定の際に、第2の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第2の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し、第2の増幅回路の特性の測定の際に、第1の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該第1の電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定する制御回路とを含む高周波増幅回路。 - 複数の移相器と、
それぞれが電界効果トランジスタを含み、複数の移相器のそれぞれに直列に接続された複数の増幅回路と、
選択された一部の電界効果トランジスタのゲートバイアスを、該電界効果トランジスタの出力を抑制する電圧値に設定し得る制御回路とを含む高周波増幅回路。
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