JPS60206028A - プラズマ制御装置 - Google Patents
プラズマ制御装置Info
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- JPS60206028A JPS60206028A JP6065684A JP6065684A JPS60206028A JP S60206028 A JPS60206028 A JP S60206028A JP 6065684 A JP6065684 A JP 6065684A JP 6065684 A JP6065684 A JP 6065684A JP S60206028 A JPS60206028 A JP S60206028A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係シ、特に安定したプラ
ズマ會得るために好適なプラズマ制御装置に関する。
ズマ會得るために好適なプラズマ制御装置に関する。
プラズマ処理装置、例えば半導体製造工程中のウェハ等
のパターンを形成するドライエツチング装置では、エツ
チング処理中の放電を安定に持続させることがウェハの
製品歩留シ向上のために不可欠である。
のパターンを形成するドライエツチング装置では、エツ
チング処理中の放電を安定に持続させることがウェハの
製品歩留シ向上のために不可欠である。
従来技術によるドライエツチング装置は、第1図に示す
ように、ウェハ1を搭載する下部電極2及び上部電極3
を含み、図示しない排気系によシ05〜50F、程度の
圧力で一定になる様に真空排気されると共に、一定粒量
のエツチングガスが流入される処理室4と、高周波電力
全供給する高周波電源5と、高周波電源5からの電力を
整合する整合回路6と高周波電源5と処理室4との間の
高周波電力を測定する電力計14全備えている。
ように、ウェハ1を搭載する下部電極2及び上部電極3
を含み、図示しない排気系によシ05〜50F、程度の
圧力で一定になる様に真空排気されると共に、一定粒量
のエツチングガスが流入される処理室4と、高周波電力
全供給する高周波電源5と、高周波電源5からの電力を
整合する整合回路6と高周波電源5と処理室4との間の
高周波電力を測定する電力計14全備えている。
前記整合回路6は、例えば第1図のように可変コイル6
aと可変コンデンサ6b、6cで構成され、エツチング
全行う際に高周波電力がプラズマで動部よく消費される
高周波電源5から整合回路6を通して処理室4へ向かう
電力(進行波出力)に対して、処理室4から整合回路6
全通して高周波電源5へ戻る電力(反射波出力)を、で
きるだけ小さくするように可変コイル6α、可変コンデ
ンサ6b、 6C’(i’自動的に調整して、インピー
ダンス整合を行う機構(オートマツチング機能)を有し
ている。
aと可変コンデンサ6b、6cで構成され、エツチング
全行う際に高周波電力がプラズマで動部よく消費される
高周波電源5から整合回路6を通して処理室4へ向かう
電力(進行波出力)に対して、処理室4から整合回路6
全通して高周波電源5へ戻る電力(反射波出力)を、で
きるだけ小さくするように可変コイル6α、可変コンデ
ンサ6b、 6C’(i’自動的に調整して、インピー
ダンス整合を行う機構(オートマツチング機能)を有し
ている。
ところで、エツチング中、処理室4内のプラズマのイン
ピーダンスは変動しているがこのインピーダンスの変動
は、エツチングによって発生する反応生成物の発生箇所
、種類、量、流れ等が、エツチング過程において変化す
るために生じる。このインピーダンス変動に対して、前
記整合回路6はプラズマで効出よく電力を消費するため
に、インピーダンスのオートマツチング全行なっている
。その方法は、整合回路6自身の持つインピーダンスと
プラズマ−インピーダンスとの合成インピーダンスを電
源5がら整合回路6や処理室4へ接続される線路の公称
インピーダンスと等しくする方法をとっている。
ピーダンスは変動しているがこのインピーダンスの変動
は、エツチングによって発生する反応生成物の発生箇所
、種類、量、流れ等が、エツチング過程において変化す
るために生じる。このインピーダンス変動に対して、前
記整合回路6はプラズマで効出よく電力を消費するため
に、インピーダンスのオートマツチング全行なっている
。その方法は、整合回路6自身の持つインピーダンスと
プラズマ−インピーダンスとの合成インピーダンスを電
源5がら整合回路6や処理室4へ接続される線路の公称
インピーダンスと等しくする方法をとっている。
すなわち従来のエツチング装置では、整合回路6で整合
回路6のインピーダンスとプラズマインピーダンスの両
方を一緒にして、系全体でインピーダンス整合を行なっ
ているので、系全体で消費される電力全一定にしている
が、プラズマで消費される電力を一定にしているわけで
はなかった。
回路6のインピーダンスとプラズマインピーダンスの両
方を一緒にして、系全体でインピーダンス整合を行なっ
ているので、系全体で消費される電力全一定にしている
が、プラズマで消費される電力を一定にしているわけで
はなかった。
エツチングプロセスの再現性を上げるという点から言え
ば、プラズマで消費される電カケー足にすることが重要
である。
ば、プラズマで消費される電カケー足にすることが重要
である。
プラズマで消費される電力を一定にする方法の一つに、
高周波電源5の供給電力を変化させる方法がある。しか
しこの方法は供給電力を変化させるため、系全体のイン
ピーダンスが変わりインピータ“ンス整合をとシ直す必
要があり、放電中のンーラメマを安定にするのは難しい
。
高周波電源5の供給電力を変化させる方法がある。しか
しこの方法は供給電力を変化させるため、系全体のイン
ピーダンスが変わりインピータ“ンス整合をとシ直す必
要があり、放電中のンーラメマを安定にするのは難しい
。
これに対し、放電中のプラズマインピーダンスそのもの
を一定にすることができれば、インピーダンスの整合条
件が変わることがないのでプラズマの安定化が図シやす
bo そこで、放電中のプラズマインピーダンスの変化を常時
モニタし、その変化音できるだけ小さくして放電全安定
化するようにしたプラズマ制御装置の出現が要求された
。
を一定にすることができれば、インピーダンスの整合条
件が変わることがないのでプラズマの安定化が図シやす
bo そこで、放電中のプラズマインピーダンスの変化を常時
モニタし、その変化音できるだけ小さくして放電全安定
化するようにしたプラズマ制御装置の出現が要求された
。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点全除去すること
であシ、エツチング中、時々刻々変化するプラズマイン
ピーダンス全常時モニターすると共に、それ全ガス供給
系にフィードバックし、プラズマインピーダンスを一定
にさせて、プラズマの放電を安定化させるプラズマ制御
装置を提供することにある。
であシ、エツチング中、時々刻々変化するプラズマイン
ピーダンス全常時モニターすると共に、それ全ガス供給
系にフィードバックし、プラズマインピーダンスを一定
にさせて、プラズマの放電を安定化させるプラズマ制御
装置を提供することにある。
上記した目的を達成するため、本発明によるプラズマ制
御装置は処理室内のプラズマインピーダンスを、外部回
路、例えば整合回路の電位差及び位相の変化から読み取
る演算制御手段と、そこから得られたプラズマインピー
ダンス全表示する手段を備え、常時プラズマインピーダ
ンスの変動をモニタすることができるようにしたこと全
特徴としている。更に、前記プラズマインヒーダンス演
算手段からの信号によシ、処理室に供給するが2流量全
加減する手段をコントロールし、エツチング中のプラズ
マインピーダンス會一定にして放電を安定させることが
できるようにしたことを特徴としている。また、前記プ
ラズマインピーダンス演算制御手段から得られるプラズ
マインピーダンスとあらかじめ設定したプラズマインピ
ーダンス許容値とを比較する比較器と、その許容値全外
れた場合に処理室に供給する電力全切断する手段金偏え
、異常放電においてただちに放電全停止させることがで
きるようにしたことを特徴としている。
御装置は処理室内のプラズマインピーダンスを、外部回
路、例えば整合回路の電位差及び位相の変化から読み取
る演算制御手段と、そこから得られたプラズマインピー
ダンス全表示する手段を備え、常時プラズマインピーダ
ンスの変動をモニタすることができるようにしたこと全
特徴としている。更に、前記プラズマインヒーダンス演
算手段からの信号によシ、処理室に供給するが2流量全
加減する手段をコントロールし、エツチング中のプラズ
マインピーダンス會一定にして放電を安定させることが
できるようにしたことを特徴としている。また、前記プ
ラズマインピーダンス演算制御手段から得られるプラズ
マインピーダンスとあらかじめ設定したプラズマインピ
ーダンス許容値とを比較する比較器と、その許容値全外
れた場合に処理室に供給する電力全切断する手段金偏え
、異常放電においてただちに放電全停止させることがで
きるようにしたことを特徴としている。
以下、本発明の一実施例全第2図によシ説明する。
装置の構成は、ウェハ1全搭載する下部電極2に接地さ
れた上部電極5を含む処理室4゜そして高周波電源5か
ら処理室4へ供給する高周波電力のインピーダンス整合
を行う整合回路6゜また、処理室4内のインピーダンス
を整合回路6内のコイル両端の電位差から算出する演算
、制御部7゜整合回路6からの各データ金与えられたク
ロックBによって、演算制御部7に転送するデータサン
プリング回路15、演算O制御部7からの信号とインピ
ーダンス変動許容値A?比較する比較器8と演算制御部
7からの信号によって高周波電源5 fON −OFF
するスイッチ9と、エツチングガス10の流量を加減す
るため、バルブ11’ii開閉する流量制御器12と、
処理室4内のインピーダンスを常時モニターするだめの
表示器13とから成っている。
れた上部電極5を含む処理室4゜そして高周波電源5か
ら処理室4へ供給する高周波電力のインピーダンス整合
を行う整合回路6゜また、処理室4内のインピーダンス
を整合回路6内のコイル両端の電位差から算出する演算
、制御部7゜整合回路6からの各データ金与えられたク
ロックBによって、演算制御部7に転送するデータサン
プリング回路15、演算O制御部7からの信号とインピ
ーダンス変動許容値A?比較する比較器8と演算制御部
7からの信号によって高周波電源5 fON −OFF
するスイッチ9と、エツチングガス10の流量を加減す
るため、バルブ11’ii開閉する流量制御器12と、
処理室4内のインピーダンスを常時モニターするだめの
表示器13とから成っている。
次に、このように構成されたプラズマ処理装置の動作説
明金する。
明金する。
処理室4はパルプ11會通してエツチングガス10が供
給され、図示しない排気系によって、一定圧力になるよ
うに制御されている。
給され、図示しない排気系によって、一定圧力になるよ
うに制御されている。
高周波電源5から高周波電力全、整合回路6全通して処
理室4の下部電極2に印加し、下部電極2と上部電極3
0間に、1ラズYf形成する。
理室4の下部電極2に印加し、下部電極2と上部電極3
0間に、1ラズYf形成する。
整合回路6の役目は例えば第2図に示すように、コイル
6α、バリコン6h、l、cで構成されておシ、整合回
路6と電力計14によって、高周波電力が動車よく処理
室に供給されるようにインピーダンス整合を行なうこと
である。
6α、バリコン6h、l、cで構成されておシ、整合回
路6と電力計14によって、高周波電力が動車よく処理
室に供給されるようにインピーダンス整合を行なうこと
である。
以上は、第1図と同じであるが、本実施例では整合回路
6において下部電極2とコイル6aとの間の電位T/a
及びコイル6αとバリコン6hとの間の電位IJと、コ
イル6aのインダクタンスLの値が外部に取り出せるよ
うになっている。これらのV(x、 F、6. Lの値
は、データサンプリング回路15ツクロツクBVcよシ
、−延時間でサンプリングされ、位相検出器7α1演算
器7h、制御器7cで構成された演算制御部7に送られ
る。演算制御部7では、プラズマインピーダンスを、次
の式で計算する。
6において下部電極2とコイル6aとの間の電位T/a
及びコイル6αとバリコン6hとの間の電位IJと、コ
イル6aのインダクタンスLの値が外部に取り出せるよ
うになっている。これらのV(x、 F、6. Lの値
は、データサンプリング回路15ツクロツクBVcよシ
、−延時間でサンプリングされ、位相検出器7α1演算
器7h、制御器7cで構成された演算制御部7に送られ
る。演算制御部7では、プラズマインピーダンスを、次
の式で計算する。
すなわち、プラズマインピーダンスf ZP=Rp+w
=2πf (fは電淵5の発振周波数で、常に一定)そして、この
様にして計算したプラズマインピータンスの抵抗成分R
Pとりアクタンス成分xpを表示器13に表示する。
=2πf (fは電淵5の発振周波数で、常に一定)そして、この
様にして計算したプラズマインピータンスの抵抗成分R
Pとりアクタンス成分xpを表示器13に表示する。
この様な、データのサンプリングから演算、嫂示奢くり
返すことによって、エツチング過程におけるプラズマの
インビーダンスケ常時モニタすることができる。
返すことによって、エツチング過程におけるプラズマの
インビーダンスケ常時モニタすることができる。
次に、上記プラズマインピーダンスのモニタによって放
電を安定化させる動作につめて説明する。
電を安定化させる動作につめて説明する。
エツチング過程においては、反応生成物が発生し、供給
するエツチングガスと、反応生成物の発生割合に応じて
処理室4内の放電状態が除々に変化する。そこで、エツ
チングが活発に行なわれて反応生成物が多く発生すると
きには、供給するエツチングガス10の流量管多くし、
逆にエツチングの初期や、終了の時期は、供給するエツ
チングガス10の流量を少なくするようにして、エツチ
ング過程において、放電状態’(r 一定に保つように
する。これは、前記プラズマインピーダンスのモニタに
よって、その値の変化から次のように行なうことができ
る。すなわち、プラズマインピーダンスを算出する演算
制御部7から、流量制御器12に指令を与え、インピー
ダンス変動を小さくするようにエツチングガス10の流
量全コントロールすることによって、プラズマで消費さ
れる電力を一定にするのである。
するエツチングガスと、反応生成物の発生割合に応じて
処理室4内の放電状態が除々に変化する。そこで、エツ
チングが活発に行なわれて反応生成物が多く発生すると
きには、供給するエツチングガス10の流量管多くし、
逆にエツチングの初期や、終了の時期は、供給するエツ
チングガス10の流量を少なくするようにして、エツチ
ング過程において、放電状態’(r 一定に保つように
する。これは、前記プラズマインピーダンスのモニタに
よって、その値の変化から次のように行なうことができ
る。すなわち、プラズマインピーダンスを算出する演算
制御部7から、流量制御器12に指令を与え、インピー
ダンス変動を小さくするようにエツチングガス10の流
量全コントロールすることによって、プラズマで消費さ
れる電力を一定にするのである。
また、前記プラズマインピーダンスのモニタとエツチン
グガス10の流量の制御において、プラズマインピーダ
ンス変動がエツチングガス10の流量を変化しても元に
もどらないくらいに大きくなった場合、すなわち、あら
かじめ設定したインピーダンス変動許容値Aと演算結果
を比較器8によシ比較して、許容値Aを満足していない
場合、演算制御部7は処理室4内て異常放電を生じてい
ると判断し、スイッチ9に高周波電源5の高周波電力を
切断する指令を出し、高周波電力の供給全停止し、処理
室4内やウェハ1への異常放電による影響奮回避する。
グガス10の流量の制御において、プラズマインピーダ
ンス変動がエツチングガス10の流量を変化しても元に
もどらないくらいに大きくなった場合、すなわち、あら
かじめ設定したインピーダンス変動許容値Aと演算結果
を比較器8によシ比較して、許容値Aを満足していない
場合、演算制御部7は処理室4内て異常放電を生じてい
ると判断し、スイッチ9に高周波電源5の高周波電力を
切断する指令を出し、高周波電力の供給全停止し、処理
室4内やウェハ1への異常放電による影響奮回避する。
以上述べたように、本発明はプラズマインピーダンスを
常時モニターし、エツチング過程においてプラズマイン
ピーダンスを、処理室4内に流すエツチングガス流量を
コントロールすることによって常時一定にすれば、プラ
ズマで消費される電力も一定になシ、放電の安定化を図
ることができ、ウェハの製品歩留シ向上が実現できる。
常時モニターし、エツチング過程においてプラズマイン
ピーダンスを、処理室4内に流すエツチングガス流量を
コントロールすることによって常時一定にすれば、プラ
ズマで消費される電力も一定になシ、放電の安定化を図
ることができ、ウェハの製品歩留シ向上が実現できる。
また、インピーダンスのモニタにおいて、プラズマイン
ピーダンスの大きな変動が生じた場合は、高周波電源5
を切断すれば、装置やウェハへの影響を回避できる。
ピーダンスの大きな変動が生じた場合は、高周波電源5
を切断すれば、装置やウェハへの影響を回避できる。
以上説明した様に、本発明によれば、エツチング過程に
おいて時々刻々変動するプラズマインピーダンスを常に
モニターすることができる。
おいて時々刻々変動するプラズマインピーダンスを常に
モニターすることができる。
更に、インピーダンスの変動に対応して、処理室に供給
するガス流量全自動的に変化させれば、処理室内のイン
ピーダンスを常に一定に保つことができ、安定した放電
を得ることがてきる。
するガス流量全自動的に変化させれば、処理室内のイン
ピーダンスを常に一定に保つことができ、安定した放電
を得ることがてきる。
これによル、エツチング処理の安定化を図ることが可能
とな)、半導体製造工程のウェハ製品歩留シ向上が図れ
るという効果がある。また、インピーダンスの変動が、
あらかじめ設定した許容値ケオーバーするような異常を
生じた場合には、ただちに電源を自動的に切断すること
ができるので、異常放電による装置及びウェハへの影*
1−防ぐことができるという効果もある。
とな)、半導体製造工程のウェハ製品歩留シ向上が図れ
るという効果がある。また、インピーダンスの変動が、
あらかじめ設定した許容値ケオーバーするような異常を
生じた場合には、ただちに電源を自動的に切断すること
ができるので、異常放電による装置及びウェハへの影*
1−防ぐことができるという効果もある。
第1図は従来のプラズマ処理装置全示す図、第2図は本
発明によるプラズマ処理装置の一実施例を示す図である
。 4・・・処理室 5・・・高周波電源 6・・・整合回路 6a・・・可変コイル7・・・演算
・制御部 8・・・比較器9・・・スイッチ 1o・・
・エツチングガス11・、、 、(# )12・・・流
量制御器13・・・表示器 14・・・電力計 15・・・データサンプリング回路 A・・・インピーダンス変動許容値 B・・・サンプリングクロック 代理人弼士高橋明夫
発明によるプラズマ処理装置の一実施例を示す図である
。 4・・・処理室 5・・・高周波電源 6・・・整合回路 6a・・・可変コイル7・・・演算
・制御部 8・・・比較器9・・・スイッチ 1o・・
・エツチングガス11・、、 、(# )12・・・流
量制御器13・・・表示器 14・・・電力計 15・・・データサンプリング回路 A・・・インピーダンス変動許容値 B・・・サンプリングクロック 代理人弼士高橋明夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 tyプラズマ発生手段、該プラズマ発生手段に電力を供
給する電力供給手段と、プラズマ発生手段にガスを供給
するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において
、電力供給手段からプラズマ発生手段のインピーダンス
を算出するためのデータ全サンプリングする手段と、サ
ンプリングしたデータからインピーダンス全算出する手
段と金設けたことを特徴とするプラズマ制御装置。 2 プラズマ発生手段と、該プラズマ発生手段に電力を
供給する電力供給手段と、プラズマ発生手段にガスを供
給するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置におい
て、電力供給手段から、プラズマ発生手段のインピーダ
ンスを算出するためのデータ全サンプリングする手段と
、サンプリングしたデータからインピーダンスを算出す
る手段と、インピーダンス算出手段からの指令によシガ
ス供給手段のエツチングガス流量を制御する、流量制御
手段を設けたことを特徴とするプラズマ制御装置。 3、 プラズマ発生手段と、該プラズマ発生手段に電力
を供給する電力供給手段と、プラズマ発生手段にガス管
供給するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置にお
いて、電力供給手段からプラズマ発生手段のインピーダ
ンス全算出するだめのデータをサンプリングする手段と
、サンプリングしたデータからインピーダンスを算出す
る手段と、インピーダンス算出手段によって算出された
値と、あらかじめ設定したインピーダンス変動許容値を
比べる比較手段と、比較手段からの指令によシ。 電力供給手段@0N−OFFするスイッチング手段を設
けたことを特徴とするプラズマ制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6065684A JPS60206028A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | プラズマ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6065684A JPS60206028A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | プラズマ制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60206028A true JPS60206028A (ja) | 1985-10-17 |
Family
ID=13148595
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6065684A Pending JPS60206028A (ja) | 1984-03-30 | 1984-03-30 | プラズマ制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60206028A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6143426A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-03 | Ulvac Corp | 真空処理装置用圧力制御装置 |
JPH02501608A (ja) * | 1987-09-15 | 1990-05-31 | プラズマ・サイエンス・インコーポレーテツド | 多電極プラズマ反応器電力分配装置 |
KR20030069705A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 주식회사 아토 | 임피던스를 이용한 웨이퍼의 식각 종료점, 공정챔버의화학 기상증착 및 아킹 검출 장치 |
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