JPH0576045B2 - - Google Patents

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JPH0576045B2
JPH0576045B2 JP59136836A JP13683684A JPH0576045B2 JP H0576045 B2 JPH0576045 B2 JP H0576045B2 JP 59136836 A JP59136836 A JP 59136836A JP 13683684 A JP13683684 A JP 13683684A JP H0576045 B2 JPH0576045 B2 JP H0576045B2
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JP
Japan
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circuit
power
wave power
traveling wave
high frequency
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JP59136836A
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JPS6116314A (ja
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Koichi Nakazawa
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラズマ放電を行ない、マツチングが
不整合になつても、素子を破壊すとなく発振でき
る高周波電源装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点 近年、半導体集積回路プロセスの中にプラズマ
プロセスが応用されてきている。プラズマプロセ
スはウエハのエツチングがドライ化でき、またウ
エハの温度が低い状態でも、ウエハの温度が高い
場合と同様の化学反応を進行させることができ
る。さらには半導体集積回路がLSIから超LSIへ
と集積度と集積密度が大きくなるにつれ、微細パ
ターンエツチングが必要となつてくるが、この面
でも低温のプラズマを用いればアンダーカツトの
問題も少なくなり、微細パターンの作成が容易に
なる。
以上のようにプラズマプロセスは多くの利点を
有しているがプラズマ放電を行なうためには、反
応容器内の電極間に電界をかける電源装置が必要
である。この電源装置としては一般に工業用の周
波数帯として使用できる13.56MHzの高周波電源
が使用される。
以下に従来の高周波電源装置について説明す
る。第1図は従来の高周波電源装置の回路構成例
を示すものであり、11は発振回路で安定した一
定の周波数で発振される。12は緩衝増幅回路で
発振回路の出力を増幅するとともに発振回路11
の負荷の変動による影響を少なくするものであ
る。13は電力増幅回路で緩衝増幅回路12の出
力を増幅して高周波高電圧の電力を出力する。1
4は高周波電力検出回路で電力増幅回路13から
の出力の進行波電力と反射波電力を検出する。1
5は電力制御回路で高周波電力検出回路14で検
出した進行波電力を入力し、あらかじめ設定され
た進行波電力値と比較して、その設定された進行
波電力と検出された進行波電力が同じになるよう
に電力増幅回路13を制御する。16は電源回路
で各回路に電力を供給する。17は保護回路で高
周波電力検出回路14で検出した反射波電力があ
る一定以上の値になると電力増幅回路の素子を保
護するために電源回路16に信号を出力して電力
の供給を停止させる。1の破線で囲まれた部分が
高周波電源装置である。2は負荷でプラズマを発
生させる。3はマツチング回路で高周波電源装置
1の出力と負荷2とのインピーダンスをとる回路
である。
以上のように構成された従来の高周波電源装置
について、以下その動作を説明する。
まず発振回路11で発生された13.56MHzの高
周波信号は緩衝増幅回路12、電力増幅回路13
で増幅され、高周波電力回路14で進行波電力と
反射波電力が検出されて、同軸ケーブルでマツチ
ング回路3を通り負荷2に供給される。負荷2は
プラズマ反応器で、ガスの種類、真空度、処理条
件によつてプラズマ状態が変化し、そのため放電
中のインピーダンスがそれにともなつて変化する
ので反射波が小さくなるようにマツチング回路3
を調整する。高周波電力検出回路14で検出され
た進行波電力信号は電力制御回路15であらかじ
め設定された進行波電力設定値と比較され、進行
波電力が一定になるように電力増幅回路13の電
力利得を調整する信号を送る。電力増幅回路13
が真空管式であればグリツド電圧を制御すれば電
力利得を変えられる。このようにして負荷2と高
周波電源装置1の出力とがマツチング回路3で反
射波電力が小さくなるようにマツチングをとる。
マツチングがとれている場合は進行波電力が一定
となり安定にプラズマ放電がおきているが、負荷
のインピーダンスが変化して反射が増えてくる
と、電源回路16から電力増幅回路13へ供給さ
れる電力も大きくなり電力増幅回路13の素子の
損失が大きくなつて破壊に至ることになる。した
がつて高周波電力検出回路14で検出した反射波
電力がある一定以上の値になつて時には保護回路
17で電源回路16に信号を送り各回路への電力
の供給を停止して素子が破壊するのを防ぐ。
しかしながら上記のような構成では、反射波が
大きくなると発振が停止してプラズマ放電が持続
できないのでマツチングがずれた場合にはマツチ
ング回路3が即座にマツチング調整されて反射波
が小さくならないと放電は停止してしまう。また
プラズマ放電中と放電していないときでは負荷2
のインピーダンスは大きく異なり、最初から大き
な電力を加えて発振させようとする場合はマツチ
ング回路3はプラズマ放電中のインピーダンスに
合わされているので起動して放電するまでは反射
波が大きく、すぐに発振が停止してしまうという
ような欠点があつた。
発明の目的 本発明は上記従来の問題点を解消するもので、
負荷のインピーダンスが変化してマツチングがず
れて反射波が大きくなつてもすぐには発振停止す
ることなく、進行波電力を少なくした状態で発振
を持続させ、電力増幅回路の素子の破壊を防ぐ高
周波電源装置を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明の高周波電源装置は、一定の周波数の高
周波信号を出力する発振回路と、前記発振回路か
ら出力された高周波信号を増幅して負荷に供給す
る増幅回路と、前記増幅回路より前記負荷への進
行波電力を検出する進行波電力検出回路と、前記
負荷より前記増幅回路への反射波電力を検出する
反射波電力検出回路と、前記進行波電力検出回路
および反射波電力検出回路により検出された進行
波電力と反射波電力との和が、あらかじめ設定さ
れた電力値と等しくなるように、前記増幅回路に
よる高周波信号の増幅を制御する制御回路とから
なり、反射波電力が大きくなつても前記電力増幅
回路の素子を破壊しないように進行波電力を小さ
くして発振を持続することにより負荷と高周波電
源装置出力とのマツチングをとるマツチング回路
の調整を容易にすることができるものである。
実施例の説明 第2図は本発明の実施例における高周波電源装
置回路構成を示すものである。
第2図において1は高周波電源装置、2は高周
波電源装置1の負荷、3は高周波電源装置1と負
荷2のインピーダンスをマツチングさせるマツチ
ング回路、11は発振回路、12は緩衝増幅回
路、13は電力増幅回路、14は進行波電力と反
射波電力を検出する高周波電力検出回路、18は
反射波電力が小さいときは進行波電力があらかじ
め設定された進行波電力値と同じになるように
し、反射波電力が大きいときには進行波電力を小
さくするように電力増幅回路13を制御する電力
制御回路、16は各回路に電力を供給する電源で
ある。
以上のように構成された本実施例の高周波電源
装置について以下その動作を説明する。
発振回路11は安定した一定の周波数の高周波
信号を出力し、緩衝増幅回路12は発振回路12
の出力を増幅するとともに、発振回路11の負荷
の変動による影響を少なくする。緩衝増幅回路1
2の出力は電力増幅回路13で増幅され、高周波
電力回路で進行波電力と反射波電力が検出され、
マツチング回路3で負荷2とのインピーダンスマ
ツチングがとられ負荷2に高周波電力を供給す
る。反射波電力が小さいときは従来の高周波電源
装置と同じで設定された進行波電力を負荷2に供
給している。負荷2のインピーダンスが変化して
反射波電力が大きくなると電力増幅回路13の損
失電力が大きくなつてくるので電力増幅回路13
の電力利得を下げて進行波電力を少なくし、素子
の破壊を防ぎ、発振を持続させる。マツチング回
路3によつて再び高周波電源装置1と負荷2との
マツチングがとれるとまたもとのように反射波電
力が小さくなり従来の高周波電源装置と同様に進
行波電力が一定になるように制御される。
以上のように本実施例によれば、発振回路と高
周波信号を増幅する電力増幅回路と、電力増幅回
路の出力の進行波電力と反射波電力を検出する高
周波電力検出回路と、反射波電力が小さいときに
は進行波電力が一定になるようにし、反射波電力
が大きくなると進行波電力を小さくなるように電
力増幅回路を制御する電力制御回路を設けること
により、負荷のインピーダンスが変化してマツチ
ングがとれなくなつても進行波電力を小さくし、
電力増幅回路の素子を破壊することなく発振を持
続させているのでマツチング回路の調整を容易に
することができる。
第3図は第2図の電力制御回路18の回路例で
ある。101〜109は抵抗、110はコンデン
サ、111〜113は演算増幅器である。
以下その動作を説明する。
101〜104と111で構成される回路は加
算回路で進行波電力信号と反射波電力信号を加算
して増幅する。105〜107と112で構成さ
れる回路は反射増幅器である。108〜110と
113で構成される回路は誤差増幅器で誤差電圧
を小さくするため積分回路で構成している。以上
のように構成される電力制御回路は、進行波電力
信号と反射波電力信号との和が進行波電力設定電
圧と等しくなるように出力信号が出され第2図の
電力増幅回路13の電力利得を制御する。いま反
射波電力信号が小さいとき進行波電力信号は進行
波電力設定電圧と同じになるが反射波電力信号が
大きくなると進行波電力信号が小さくなつて、そ
れらの和が進行波電力設定電圧と等しくなるよう
に電力増幅回路13の電力利得を調整する電圧が
出力される。101と102の抵抗値を変えるこ
とによつて反射波電力が大きくなつたときの進行
波電力の減少量を変更することができる。
第3図では102に抵抗を用いているが、ここ
に電圧が小さいときは抵抗値が大きく、電圧が大
きくなると抵抗値が小さくなるような非線形性を
持たせた抵抗を使えば反射波が大きいときと小さ
いときの差が著しくなる。
発明の効果 以上のように、本発明の高周波電源装置は、一
定の周波数の高周波信号を出力する発振回路と、
前記発振回路から出力された高周波信号を増幅し
て負荷に供給する増幅回路と、前記増幅回路より
前記負荷への進行波電力を検出する進行波電力検
出回路と、前記負荷より前記増幅回路への反射波
電力を検出する反射波電力検出回路と、前記進行
波電力検出回路および反射波電力検出回路により
検出された進行波電力と反射波電力との和が、あ
らかじめ設定された電力値と等しくなるように、
前記増幅回路による高周波信号の増幅を制御する
制御回路とからなるもので、負荷のインピーダン
スが急に変化しても発振を停止させないで進行波
電力を小さくし、電力増幅回路の素子を破壊する
ことなく発振を持続させることができ、マツチン
グ回路の調整が容易にできる。さらに高電力での
起動が容易に行なえるという効果を得ることがで
きる高周波電源装置を実現するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の高周波電源装置の回路構成例を
示すブロツク図、第2図は本発明の一実施例の回
路構成を示すブロツク図、第3図は本発明の一実
施例の電力制御回路図である。 11……発振回路、13……電力増幅回路、1
4……高周波電力検出回路、18……電力制御回
路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一定の周波数の高周波信号を出力する発振回
    路と、 前記発振回路から出力された高周波信号を増幅
    して負荷に供給する増幅回路と、 前記増幅回路より前記負荷への進行波電力を検
    出する進行波電力検出回路と、 前記負荷より前記増幅回路への反射波電力を検
    出する反射波電力検出回路と、 前記進行波電力検出回路および反射波電力検出
    回路により検出された進行波電力と反射波電力と
    の和が、あらかじめ設定された電力値と等しくな
    るように、前記増幅回路による高周波信号の増幅
    を制御する制御回路とからなる高周波電源装置。
JP13683684A 1984-07-02 1984-07-02 高周波電源装置 Granted JPS6116314A (ja)

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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63190564A (ja) * 1987-01-30 1988-08-08 Shindengen Electric Mfg Co Ltd Rf発生装置
JP2523341B2 (ja) * 1987-11-09 1996-08-07 花王株式会社 非イオン界面活性剤の強アルカリ性水溶液
JPH11162697A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Mc Electronics Kk プラズマ生成用の螺旋共振装置
US7221102B2 (en) 2003-02-07 2007-05-22 Daihen Corporation High-frequency power supply device
JP2007266006A (ja) * 2007-06-20 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマリアクター
JP5090986B2 (ja) * 2008-03-26 2012-12-05 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP2009021240A (ja) * 2008-07-03 2009-01-29 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置
JP2011023356A (ja) * 2010-07-29 2011-02-03 Hitachi Kokusai Electric Inc プラズマ処理装置及び基板処理方法
JP2012119088A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Canon Anelva Corp プラズマ処理装置
DE102011106234A1 (de) * 2011-06-27 2012-12-27 Tesat-Spacecom Gmbh & Co.Kg Verfahren und Vorrichtung zum Schutz eines Hochfrequenz-Leistungsverstärkers gegen Fehlabschluss
JP6282806B2 (ja) * 2012-12-28 2018-02-21 株式会社ダイヘン 高周波電源装置
JP6245912B2 (ja) * 2013-01-31 2017-12-13 株式会社ダイヘン 高周波電源装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57174910A (en) * 1981-04-20 1982-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd Overload protecting system for high frequency power amplifier
JPS57194500A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Tokyo Shibaura Electric Co High frequency heat controller for plasma
JPS5873848A (ja) * 1981-10-27 1983-05-04 Shimadzu Corp 高周波誘導結合プラズマ安定装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57174910A (en) * 1981-04-20 1982-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd Overload protecting system for high frequency power amplifier
JPS57194500A (en) * 1981-05-26 1982-11-30 Tokyo Shibaura Electric Co High frequency heat controller for plasma
JPS5873848A (ja) * 1981-10-27 1983-05-04 Shimadzu Corp 高周波誘導結合プラズマ安定装置

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