JPH07201302A - 高周波装置 - Google Patents
高周波装置Info
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- JPH07201302A JPH07201302A JP5336682A JP33668293A JPH07201302A JP H07201302 A JPH07201302 A JP H07201302A JP 5336682 A JP5336682 A JP 5336682A JP 33668293 A JP33668293 A JP 33668293A JP H07201302 A JPH07201302 A JP H07201302A
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- JP
- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大きな負荷変動が発生しても、直ちに２種の
ＲＦ電力の位相差を安定化することができる高周波装置
を実現する。 【構成】 チャンバー６内でのアーク放電の発生など、
大きな負荷変動があり、上限設定信号源１５からの信号
値以上の出力電圧が演算増幅器１１から発生した場合に
は、上限設定信号が位相制御信号Ｖｃとして位相制御回
路２に供給される。従って、特性が元の状態に戻った
時、フィードバックループが正常に働き、演算増幅器１
１の出力信号に基づいて電極７，８に供給される高周波
電力の位相差は、所定の値とされ、安定した動作を行わ
せることができる。一方、大きな負荷変動により、演算
増幅器１１の出力電圧が０Ｖ近くになり、下限設定信号
源１６からの信号値以下となっても、位相制御信号Ｖｃ
の値は下限設定値以下とはならず、特性が元の状態に戻
ったときには、直ちに安定したフィードバック動作を行
わせることができる。
ＲＦ電力の位相差を安定化することができる高周波装置
を実現する。 【構成】 チャンバー６内でのアーク放電の発生など、
大きな負荷変動があり、上限設定信号源１５からの信号
値以上の出力電圧が演算増幅器１１から発生した場合に
は、上限設定信号が位相制御信号Ｖｃとして位相制御回
路２に供給される。従って、特性が元の状態に戻った
時、フィードバックループが正常に働き、演算増幅器１
１の出力信号に基づいて電極７，８に供給される高周波
電力の位相差は、所定の値とされ、安定した動作を行わ
せることができる。一方、大きな負荷変動により、演算
増幅器１１の出力電圧が０Ｖ近くになり、下限設定信号
源１６からの信号値以下となっても、位相制御信号Ｖｃ
の値は下限設定値以下とはならず、特性が元の状態に戻
ったときには、直ちに安定したフィードバック動作を行
わせることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バイアススパッタ装置
などのような一対の対向電極に別個に高周波（ＲＦ）電
力を供給するようにした高周波装置に関する。
などのような一対の対向電極に別個に高周波（ＲＦ）電
力を供給するようにした高周波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】バイアススパッタ装置などのように独立
したＲＦ電源から一対の電極にＲＦ電力を供給する場
合、電極での位相を安定化することでプロセスの再現性
を良くすることが行われている。図１はこのようなバイ
アススパッタ装置の概略を示している。１はＲＦ発振器
で、ＲＦ発振器１からのＲＦ電力は位相制御回路２を介
してＲＦ増幅器３に供給されると共に、直接ＲＦ増幅器
４にも供給される。ＲＦ増幅器３によって増幅されたＲ
Ｆ電力は、マッチングボックス５によってインピーダン
スマッチングが行われ、チャンバー６内の一対の対向電
極７，８の一方の電極７に印加される。ＲＦ増幅器４に
よって増幅されたＲＦ電力は、マッチングボックス９に
よってインピーダンスマッチングが行われ、チャンバー
６内の他方の電極８に印加される。
したＲＦ電源から一対の電極にＲＦ電力を供給する場
合、電極での位相を安定化することでプロセスの再現性
を良くすることが行われている。図１はこのようなバイ
アススパッタ装置の概略を示している。１はＲＦ発振器
で、ＲＦ発振器１からのＲＦ電力は位相制御回路２を介
してＲＦ増幅器３に供給されると共に、直接ＲＦ増幅器
４にも供給される。ＲＦ増幅器３によって増幅されたＲ
Ｆ電力は、マッチングボックス５によってインピーダン
スマッチングが行われ、チャンバー６内の一対の対向電
極７，８の一方の電極７に印加される。ＲＦ増幅器４に
よって増幅されたＲＦ電力は、マッチングボックス９に
よってインピーダンスマッチングが行われ、チャンバー
６内の他方の電極８に印加される。
【０００３】電極７と８に印加されるＲＦ電力は、位相
検出回路１０に供給され、それぞれの位相が検出される
と共に、両位相間の差が求められる。位相検出回路１０
からの位相差に応じた信号Ｖ１は、演算増幅器１１に供
給され、基準信号源１２からの信号Ｖｓと比較される。
この演算増幅器１１からの信号は、前記位相制御回路２
の位相制御信号Ｖｃとして用いられる。
検出回路１０に供給され、それぞれの位相が検出される
と共に、両位相間の差が求められる。位相検出回路１０
からの位相差に応じた信号Ｖ１は、演算増幅器１１に供
給され、基準信号源１２からの信号Ｖｓと比較される。
この演算増幅器１１からの信号は、前記位相制御回路２
の位相制御信号Ｖｃとして用いられる。
【０００４】上記した構成で、ＲＦ発振器１からのＲＦ
電力は、ＲＦ増幅器３，４で増幅された後、それぞれチ
ャンバー６内の一対の電極７，８に印加され、スパッタ
動作が実行される。この際、一方のＲＦ電力の位相は、
位相制御回路２によって、位相制御電圧信号Ｖｃに応
じ、−１８０°から＋１８０°まで制御可能とされてい
る。この位相制御電圧Ｖｃと位相との特性を図２に示す
が、この位相はＲＦ増幅器３，４、に入力されるＲＦ電
力の位相差ともなる。
電力は、ＲＦ増幅器３，４で増幅された後、それぞれチ
ャンバー６内の一対の電極７，８に印加され、スパッタ
動作が実行される。この際、一方のＲＦ電力の位相は、
位相制御回路２によって、位相制御電圧信号Ｖｃに応
じ、−１８０°から＋１８０°まで制御可能とされてい
る。この位相制御電圧Ｖｃと位相との特性を図２に示す
が、この位相はＲＦ増幅器３，４、に入力されるＲＦ電
力の位相差ともなる。
【０００５】ＲＦ増幅器３、マッチングボックス５の系
をＡ、ＲＦ増幅器４、マッチングボックス９の系をＢと
すると、ＡとＢの系では位相まわりが異なる。そのた
め、ＲＦ増幅器の入力位相差と電極位相差との関係は図
３に示すように、実線の特性だけではなく、破線や一点
鎖線などの種々な特性を有することになる。
をＡ、ＲＦ増幅器４、マッチングボックス９の系をＢと
すると、ＡとＢの系では位相まわりが異なる。そのた
め、ＲＦ増幅器の入力位相差と電極位相差との関係は図
３に示すように、実線の特性だけではなく、破線や一点
鎖線などの種々な特性を有することになる。
【０００６】次に、ＲＦ増幅器３，４で増幅されたＲＦ
電力の位相は、位相検出回路１０によって検出され、そ
れらの位相差が求められるが、位相検出回路１０の特性
は図３に示すものとなる。この特性で、＋１８０°と−
１８０°は等価であるため、その部分で位相は反転す
る。この位相検出回路１０の位相差に応じた検出電圧Ｖ
１と基準信号源１２において設定された位相設定電圧Ｖ
ｓの差を演算増幅器１１で増幅し、これを位相制御回路
２の位相制御電圧Ｖｃとすることにより、電極位相差を
安定化することができる。その結果、バイアススパッタ
装置におけるスパッタ特性を安定化することができる。
電力の位相は、位相検出回路１０によって検出され、そ
れらの位相差が求められるが、位相検出回路１０の特性
は図３に示すものとなる。この特性で、＋１８０°と−
１８０°は等価であるため、その部分で位相は反転す
る。この位相検出回路１０の位相差に応じた検出電圧Ｖ
１と基準信号源１２において設定された位相設定電圧Ｖ
ｓの差を演算増幅器１１で増幅し、これを位相制御回路
２の位相制御電圧Ｖｃとすることにより、電極位相差を
安定化することができる。その結果、バイアススパッタ
装置におけるスパッタ特性を安定化することができる。
【０００７】ところで、図３を用いて説明したように、
ＲＦ増幅器とマッチングボックスの位相まわりにより、
位相制御電圧Ｖｃと検出電圧Ｖ１との間の関係は、図５
に示すように種々な特性を有することになる。この図５
の一点鎖線で示した特性の特に電極位相差を０°に合わ
せたいとしたとき、図５からＶｃを約３Ｖに設定すれば
良い。その結果、フィードバックによりいつもＶ１が５
Ｖになるように調整される。
ＲＦ増幅器とマッチングボックスの位相まわりにより、
位相制御電圧Ｖｃと検出電圧Ｖ１との間の関係は、図５
に示すように種々な特性を有することになる。この図５
の一点鎖線で示した特性の特に電極位相差を０°に合わ
せたいとしたとき、図５からＶｃを約３Ｖに設定すれば
良い。その結果、フィードバックによりいつもＶ１が５
Ｖになるように調整される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したフィードバッ
ク系の採用により、電極位相差を安定化し、スパッタ動
作などを安定とすることができる。しかしながら、図６
に示したＶｃとＶ１の特性図において、一点鎖線の特性
のＩ部分で安定化している状態から、特性が二点鎖線の
ように変化してIIへ移ると、その後は増幅器出力はマイ
ナスとなり、位相制御電圧Ｖｃを下げるように作用す
る。そして、IIIの位置で位相が安定化する。しかしな
がら、チャンバー６内でのアーク放電などが発生し、大
きな負荷変動が生じると、位相制御電圧Ｖｃが図６中の
IVの状態となり、特性が元の一点鎖線に戻ったとき、検
出電圧Ｖ１は設定値より低いため、増幅器１１によりＶ
ｃを下げるように回路が働く。そのため、位相制御電圧
ＶｃはＶの点まで上がり、この点で止まってしまい、Ｉ
の位置には戻れない。この問題は位相検出回路１０が＋
１８０°と−１８０°を同じ状態と判断することから生
じる。
ク系の採用により、電極位相差を安定化し、スパッタ動
作などを安定とすることができる。しかしながら、図６
に示したＶｃとＶ１の特性図において、一点鎖線の特性
のＩ部分で安定化している状態から、特性が二点鎖線の
ように変化してIIへ移ると、その後は増幅器出力はマイ
ナスとなり、位相制御電圧Ｖｃを下げるように作用す
る。そして、IIIの位置で位相が安定化する。しかしな
がら、チャンバー６内でのアーク放電などが発生し、大
きな負荷変動が生じると、位相制御電圧Ｖｃが図６中の
IVの状態となり、特性が元の一点鎖線に戻ったとき、検
出電圧Ｖ１は設定値より低いため、増幅器１１によりＶ
ｃを下げるように回路が働く。そのため、位相制御電圧
ＶｃはＶの点まで上がり、この点で止まってしまい、Ｉ
の位置には戻れない。この問題は位相検出回路１０が＋
１８０°と−１８０°を同じ状態と判断することから生
じる。
【０００９】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、大きな負荷変動が発生しても、直
ちに２種のＲＦ電力の位相差を安定化することができる
高周波装置を実現するにある。
もので、その目的は、大きな負荷変動が発生しても、直
ちに２種のＲＦ電力の位相差を安定化することができる
高周波装置を実現するにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく高周波装
置は、高周波発振器と、高周波発振器からの高周波電力
を増幅する第１と第２の増幅器と、増幅された高周波電
力が供給される一対の電極と、一方の電極に印加される
高周波電力の位相を制御する位相制御回路と、一対の電
極に印加される高周波電力のそれぞれの位相を検出し、
その位相差に応じた信号を発生する位相検出回路と、位
相検出回路からの信号に応じて２種の高周波電力の位相
差を所定値とするための位相制御信号を発生し、その信
号を位相制御回路に供給するための制御回路と、位相制
御回路に供給される位相制御信号に上限と下限を設定す
る手段とを備えたことを特徴としている。
置は、高周波発振器と、高周波発振器からの高周波電力
を増幅する第１と第２の増幅器と、増幅された高周波電
力が供給される一対の電極と、一方の電極に印加される
高周波電力の位相を制御する位相制御回路と、一対の電
極に印加される高周波電力のそれぞれの位相を検出し、
その位相差に応じた信号を発生する位相検出回路と、位
相検出回路からの信号に応じて２種の高周波電力の位相
差を所定値とするための位相制御信号を発生し、その信
号を位相制御回路に供給するための制御回路と、位相制
御回路に供給される位相制御信号に上限と下限を設定す
る手段とを備えたことを特徴としている。
【００１１】
【作用】位相制御電圧Ｖｃが飽和状態となるのを防ぐた
め、Ｖｃの可変範囲を制限する。例えば、図７の検出電
圧Ｖ１と位相制御電圧Ｖｃの特性図でＶｃの可変範囲を
Ｖｘ（１Ｖ）からＶｙ（６Ｖ）までに制限する。この制
限により、大きな負荷変動があっても、Ｖｃは大きく外
れた値とならず、特性が復帰した時には、直ちに安定し
た元の状態の値に戻ることができる。従って、本発明に
基づく高周波装置は、一対の電極に印加される高周波電
力の位相を制御する位相制御信号に上限と下限を設定
し、位相制御回路に供給される位相制御信号の値が極端
に変化することを防いでいる。
め、Ｖｃの可変範囲を制限する。例えば、図７の検出電
圧Ｖ１と位相制御電圧Ｖｃの特性図でＶｃの可変範囲を
Ｖｘ（１Ｖ）からＶｙ（６Ｖ）までに制限する。この制
限により、大きな負荷変動があっても、Ｖｃは大きく外
れた値とならず、特性が復帰した時には、直ちに安定し
た元の状態の値に戻ることができる。従って、本発明に
基づく高周波装置は、一対の電極に印加される高周波電
力の位相を制御する位相制御信号に上限と下限を設定
し、位相制御回路に供給される位相制御信号の値が極端
に変化することを防いでいる。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図８は本発明に基づく高周波装置の一実施
例を示しており、図１の従来装置と同一ないしは類似部
分には同一番号を付し、その説明を省略する。図中１５
は上限設定信号源であり、１６は下限設定信号源であ
る。上限設定信号源１５からの信号は、演算増幅器１１
の出力側とダイオード１７を介して接続されている増幅
器１８に供給される。下限設定信号源１６からの信号
は、演算増幅器１１の出力側とダイオード１９を介して
接続されている増幅器２０に供給される。なお、増幅器
１８の出力信号は、図７に示した上限設定信号Ｖｙとな
り、増幅器２０の出力信号は、図７に示した下限設定信
号Ｖｘとなる。このような構成の動作を次に説明する。
に説明する。図８は本発明に基づく高周波装置の一実施
例を示しており、図１の従来装置と同一ないしは類似部
分には同一番号を付し、その説明を省略する。図中１５
は上限設定信号源であり、１６は下限設定信号源であ
る。上限設定信号源１５からの信号は、演算増幅器１１
の出力側とダイオード１７を介して接続されている増幅
器１８に供給される。下限設定信号源１６からの信号
は、演算増幅器１１の出力側とダイオード１９を介して
接続されている増幅器２０に供給される。なお、増幅器
１８の出力信号は、図７に示した上限設定信号Ｖｙとな
り、増幅器２０の出力信号は、図７に示した下限設定信
号Ｖｘとなる。このような構成の動作を次に説明する。
【００１３】図１の従来装置で説明したように、ＲＦ発
振器１からのＲＦ電力は、ＲＦ増幅器３，４で増幅され
た後、それぞれチャンバー６内の一対の電極７，８に印
加され、スパッタ動作が実行される。この際、一方のＲ
Ｆ電力の位相は、位相制御回路２によって、位相制御電
圧信号Ｖｃに応じ、−１８０°から＋１８０°まで制御
可能とされている。
振器１からのＲＦ電力は、ＲＦ増幅器３，４で増幅され
た後、それぞれチャンバー６内の一対の電極７，８に印
加され、スパッタ動作が実行される。この際、一方のＲ
Ｆ電力の位相は、位相制御回路２によって、位相制御電
圧信号Ｖｃに応じ、−１８０°から＋１８０°まで制御
可能とされている。
【００１４】ＲＦ増幅器３，４で増幅されたＲＦ電力の
位相は、位相検出回路１０によって検出され、それらの
位相差が求められる。この位相検出回路１０の位相差に
応じた検出電圧Ｖ１と基準信号源１２において設定され
た位相設定電圧Ｖｓの差を演算増幅器１１で増幅し、こ
れを位相制御回路２の位相制御電圧Ｖｃとすることによ
り、電極位相差を安定化することができる。ここまでは
図１の従来装置と同一動作となる。
位相は、位相検出回路１０によって検出され、それらの
位相差が求められる。この位相検出回路１０の位相差に
応じた検出電圧Ｖ１と基準信号源１２において設定され
た位相設定電圧Ｖｓの差を演算増幅器１１で増幅し、こ
れを位相制御回路２の位相制御電圧Ｖｃとすることによ
り、電極位相差を安定化することができる。ここまでは
図１の従来装置と同一動作となる。
【００１５】さて、チャンバー６内でのアーク放電の発
生など、大きな負荷変動があった場合、演算増幅器１１
の出力電圧が図６中のIVの状態となり、特性が元の一点
鎖線に戻ったとき、従来装置では演算増幅器１１の出力
電圧はＶの点まで上がり、この点で止まってしまい、Ｉ
の位置には戻れないことを説明した。しかしながら、図
８の本発明の一実施例では、上限設定信号源１５からの
信号値以上の出力電圧が演算増幅器１１から発生した場
合には、上限設定信号（Ｖｙ）が位相制御信号Ｖｃとし
て位相制御回路２に供給される。従って、特性が元の一
点鎖線に戻った時、フィードバックループが正常に働
き、演算増幅器１１の出力信号は直ちにＩの位置に対応
した値となり、安定した動作を行わせることができる。
生など、大きな負荷変動があった場合、演算増幅器１１
の出力電圧が図６中のIVの状態となり、特性が元の一点
鎖線に戻ったとき、従来装置では演算増幅器１１の出力
電圧はＶの点まで上がり、この点で止まってしまい、Ｉ
の位置には戻れないことを説明した。しかしながら、図
８の本発明の一実施例では、上限設定信号源１５からの
信号値以上の出力電圧が演算増幅器１１から発生した場
合には、上限設定信号（Ｖｙ）が位相制御信号Ｖｃとし
て位相制御回路２に供給される。従って、特性が元の一
点鎖線に戻った時、フィードバックループが正常に働
き、演算増幅器１１の出力信号は直ちにＩの位置に対応
した値となり、安定した動作を行わせることができる。
【００１６】一方、大きな負荷変動により、演算増幅器
１１の出力電圧が０Ｖ近くになり、下限設定信号源１６
からの信号値以下となっても、位相制御信号Ｖｃの値は
下限設定値（Ｖｘ）以下とはならず、特性が元の状態に
戻ったときには、位相制御回路２に供給される位相制御
信号Ｖｃの値は、直ちに安定した値となる。
１１の出力電圧が０Ｖ近くになり、下限設定信号源１６
からの信号値以下となっても、位相制御信号Ｖｃの値は
下限設定値（Ｖｘ）以下とはならず、特性が元の状態に
戻ったときには、位相制御回路２に供給される位相制御
信号Ｖｃの値は、直ちに安定した値となる。
【００１７】図９は本発明の他の実施例を示している。
この実施例では、中心信号源２１と信号幅設定源２２と
が設けられている。中心信号源２１からの中心信号Ｖｍ
は、加算器２３と２４に供給される。また、信号幅設定
源２２からの信号Ｖｗは、加算器２３に供給されると共
に、反転器２５を介して加算器２４に供給される。その
結果、加算器２３ではＶｍ＋Ｖｗの信号が得られ、この
信号は上限設定信号となる。また、加算器では、Ｖｍ＋
Ｖｗの信号が得られ、この信号が下限設定信号となる。
例えば、Ｖｍが４Ｖと、Ｖｗが２Ｖであれば、上限設定
信号は６Ｖとなり、下限設定信号は２Ｖとなる。
この実施例では、中心信号源２１と信号幅設定源２２と
が設けられている。中心信号源２１からの中心信号Ｖｍ
は、加算器２３と２４に供給される。また、信号幅設定
源２２からの信号Ｖｗは、加算器２３に供給されると共
に、反転器２５を介して加算器２４に供給される。その
結果、加算器２３ではＶｍ＋Ｖｗの信号が得られ、この
信号は上限設定信号となる。また、加算器では、Ｖｍ＋
Ｖｗの信号が得られ、この信号が下限設定信号となる。
例えば、Ｖｍが４Ｖと、Ｖｗが２Ｖであれば、上限設定
信号は６Ｖとなり、下限設定信号は２Ｖとなる。
【００１８】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、バイアススパッ
タ装置を例に説明したが、一対の電極に高周波を独立し
て供給する装置であれば他の装置にも本発明を適用する
ことができる。
はこの実施例に限定されない。例えば、バイアススパッ
タ装置を例に説明したが、一対の電極に高周波を独立し
て供給する装置であれば他の装置にも本発明を適用する
ことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく高
周波装置は、一対の電極に独立して高周波電力を供給す
るに際し、その一方の電極に印加される高周波電力の位
相を制御する位相制御信号に上限と下限を設定し、位相
制御回路に供給される位相制御信号の値が極端に変化す
ることを防ぐように構成したので、大きな負荷変動が生
じても、直ちに一対の電極に印加される高周波の位相差
を安定化することができる。その結果、本発明をバイア
ススパッタ装置に用いれば、スパッタ動作を極めて安定
に実行することが可能となる。
周波装置は、一対の電極に独立して高周波電力を供給す
るに際し、その一方の電極に印加される高周波電力の位
相を制御する位相制御信号に上限と下限を設定し、位相
制御回路に供給される位相制御信号の値が極端に変化す
ることを防ぐように構成したので、大きな負荷変動が生
じても、直ちに一対の電極に印加される高周波の位相差
を安定化することができる。その結果、本発明をバイア
ススパッタ装置に用いれば、スパッタ動作を極めて安定
に実行することが可能となる。
【図１】従来の高周波装置を示す図である。
【図２】位相制御信号Ｖｃと位相との関係を示す図であ
る。
る。
【図３】ＲＦ増幅器の入力位相差と電極位相差の関係を
示す図である。
示す図である。
【図４】電極位相差と検出電圧Ｖ１との関係を示す図で
ある。
ある。
【図５】位相制御信号Ｖｃと検出電圧Ｖ１との関係を示
す図である。
す図である。
【図６】位相制御信号Ｖｃと検出電圧Ｖ１との関係を示
す図である。
す図である。
【図７】位相制御信号Ｖｃの上限と下限の制限信号範囲
を示す図である。
を示す図である。
【図８】本発明の一実施例を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例の要部を示す図である。
１ 高周波発振器 ２ 位相制御回路 ３，４ ＲＦ増幅器 ５，９ マッチングボックス ６ チャンバー ７，８ 電極 １０ 位相検出回路 １１ 演算増幅器 １２ 位相設定信号源 １５ 上限設定信号源 １６ 下限設定信号源 １７，１９ 増幅器 １８，２０ ダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波発振器と、高周波発振器からの高
周波電力を増幅する第１と第２の増幅器と、増幅された
高周波電力が供給される一対の電極と、一方の電極に印
加される高周波電力の位相を制御する位相制御回路と、
一対の電極に印加される高周波電力のそれぞれの位相を
検出し、その位相差に応じた信号を発生する位相検出回
路と、位相検出回路からの信号に応じて２種の高周波電
力の位相差を所定値とするための位相制御信号を発生
し、その信号を位相制御回路に供給するための制御回路
と、位相制御回路に供給される位相制御信号に上限と下
限を設定する手段とを備えた高周波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05336682A JP3078437B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 高周波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05336682A JP3078437B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 高周波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201302A true JPH07201302A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3078437B2 JP3078437B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=18301716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05336682A Expired - Fee Related JP3078437B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 高周波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3078437B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014105368A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置、薄膜製造方法 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP05336682A patent/JP3078437B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014105368A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング装置、薄膜製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3078437B2 (ja) | 2000-08-21 |
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