JPS61158959A - 光学活性な2―アゼチジノン誘導体及びその新製造方法 - Google Patents

光学活性な2―アゼチジノン誘導体及びその新製造方法

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JPS61158959A
JPS61158959A JP60244247A JP24424785A JPS61158959A JP S61158959 A JPS61158959 A JP S61158959A JP 60244247 A JP60244247 A JP 60244247A JP 24424785 A JP24424785 A JP 24424785A JP S61158959 A JPS61158959 A JP S61158959A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光学活性な2−アゼチジノンの新製造方法、
この方法によって得られる中間体及び最終化合物及びこ
の最終化合物を3−アミノ誘導体の製造に使用する方法
に関する。
しかして、本発明の主題は、次式I 〔ここで、Rは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
を表わし、R1は水素原子、保護されていてもよいヒド
ロキシル基又は0CHz−C(h−R’基(R/は水素
原子又は1〜4個の炭素原子を有するアルキル基を表わ
す)を表わし、R2は1〜4個の炭素原子を有するアル
キル基又はヒドロキシ基の保護基を表わす) を有する化合物を製造するにあたり、次式■(ここでR
及びR2は前記の意味を有する)を有する化合物を−け
ん他剤で処理して次式■   )を有する化合物を得、
この化合物を次式%式% (ここでR1,はヒドロキシル基の保護基又はcIt2
− co2− R’基(R/は前記の意味を有する)を
表わす) のヒドロキシルアミン誘導体で処理して次式■を有する
化合物を得、この化合物を環化剤で処理して次式1a (ここでR/、、R及びR2は前記の意味を有する)を
有する化合物(これは、R1が保護されたヒドロキシル
基又はOCH,−CO2−R’基を表わす式■を有する
化合物に相当する)を得、この化合物のB11が保護基
を表わすときは、所望によりこの化合物に選択脱保護反
応を行って次式1b(ここでR及びR1は前記の意味を
有する)を有する化合物(これは、R1が保護されてい
ないヒドロキシル基を表わす式■の化合物に相当する)
を得、所望ならばこの化合物に還元剤を作用させて次式
Ie (ここでR及びR2は前記の意味を有する)を有する化
合物(これは、R1が水素原子を表わす式Iの化合物に
相当する)を得ることを特徴とする式Iの化合物の純造
方法にある。
R% R2及びR′の意味としては、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル又は1−ブチル基があ
げられる。
基R1が含むことができ又は基R2が表わすことができ
るヒドロキシル基の保護基は、通常の知られた基、特に
セファロスポリンの化学において知られた基のうちから
選ばれる。
特に、アセチル、ベンジル、トリチル、ベンズヒドリル
、4−メトキシベンジル、テトラヒドロピラニル、t−
ブトキシカルボニル、β、β、7+−) リクロルエト
キシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、エトキシ
カルボニル基などがあげられる。
R及びR′の意味のうちでメチル及びエチル基が好まし
い。R1は好ましくはベンジルオキシ基を表わし、R2
は好ましくはベンジル又はメチル基を表わす。
好ましくは式IIの化合物に反応させる一けん化剤は、
炭酸アルカリ金属のような無機塩基であってよい。好ま
しくは炭酸カリウムが用いられる。
反応は、好ましくは、過剰鴬の無機塩基の存在下に、ア
ルコール−水混合物又はジオキサン−水混合物のような
含水有機溶液中で行われる。
また、植物又は動物起源のエステラーゼも用いることか
できる。例えば、豚の肝臓のエステラーゼを用いること
ができる。その場合、反応は緩衝媒質中で、例えばりん
酸塩緩衝液中で行われる@式■の化合物に対する弐R’
1ONH,のヒドロキシルアミン誘導体の作用は、周囲
温度で行うことができる。ヒドロキシルアミン誘導体の
塩、例えば塩酸塩を用いることができる。この場合、反
応は水中で又は水−有機溶媒混合物中で行うことができ
る。
反応操作は、例えば、ジシクシへキシルカルボジイミド
のようなカルボジイミドの存在下に、又は水性媒体中で
行う場合には1−エチルーム3−ジメチルアミノプロピ
ルカルポジイミド塩酸塩のような可溶性カルボジイミド
の存在下に行われる。
この操作を行う際の溶媒は例えばテトラヒドロフランで
ある。
式IVの化合物から式1mの化合物への環化は、   
□ヒドロキシル基のスルホン酸誘導体を介して行つこと
ができる。この場合には、環化は塩化p−)ルエンスル
ホニル又は塩化メチルスルホニルのようなスルホン酸ハ
ロゲン化物によって行うことができる。この反応操作は
、アミノ塩基のような塩酸捕捉剤の存在下に行われる。
また、操作は、ピリジンのような溶媒、又はピリジンと
塩化メチレンのような有機溶媒との混合物中で行うこと
ができる。
このようにして得られたスルホニル誘導体は、炭酸アル
カリ金属、例えば炭酸カリウムのような塩基で処理して
式iaの所期化合物を得ることができる。環化反応自体
はアセトンのような有機溶媒中で行うことができる。
また、式IVの化合物の環化け、トリフェニルホスフィ
ン及びアゾジカルボン酸ジエチルの存在下に行うことも
できる。この場合に反応操作はテトラヒドロフランのよ
うな有機溶媒中で行われる。
式Iaの化合物において基R/1がヒドロキシル基の保
護基を表わすときは、このH/l基の選択的解裂け、知
られた方法に従って行われる。この基襠ベンジル基のよ
うな水添分解によって解裂できる基であるときは、この
解裂はパラジウム炭のような触媒の存在下に水素によっ
て行われる。
場合により弐1bの化合物に作用させる還元剤は、通常
の薬剤から選ばれる。例えば塩化チタンを用いることが
できる〇 また、上記したような本発明の方法の反応のいくつかは
副生成物を形成させるととに留意しなければならないが
、これらは一般的には既知の精製方法、特にクロマトグ
ラフィーによって除失することができる。このような方
法は実験の部でさらに説明する。
特に、弐R’1−ONH,のヒドロキシルアミン誘導体
を弐mの化合物に作用させると、式IVの所期化合物と
同様に、次式■′及びR′の副生物をも生じさせる。
式■′の副生物は一般に沈殿によって容易に除去するこ
とができるつ弐■′の化合物は環化の後続工程の間に通
常の方法によって容易に除去することができる。
本発明の主題は、さらに特定すれば、基R2がベンジル
又はメチル基を表わす式IIの化合物より出発し、そし
て式IIIの化合物に反応させるヒドロキシルアミン誘
導体R’、 ONH,がO−ベンジルヒドロキシルアミ
ンであることを特徴とする前記の方法にある。
本発明の方法を実施するのに好ましい方法によれば、 a)式IIの化合物に作用させる一けん化剤は炭酸カリ
ウム又は動物起源のエステラーゼであり、b)式■の化
合物を処理する環化剤がスルホン酸誘導体であり、これ
により次式IVa(ここでXはトシル基H3C−φ−8
0,又はメシル基CH,−8o、  を表わす) の化合物となし、この化合物を塩基の存在下に環化して
式1mの化合物が形成され、 C)式IVの化合物を処理する環化剤がトリフェニルホ
スフィンとアゾジカルボン酸ジアルキルとの混合物であ
る。
また、本発明の主題は、次式■ (ここでRは先に記載した意味を有する)の化合物を塩
化すずの存在下にジアゾアルカンで処理することによっ
て、R2が1〜4個の炭素原子を有するアルキル基を表
わす式IIの化合物を製造する方法にある。
この製造法を実施するのに好ましい方法においては、式
Vの化合物が塩化すずで錯化されてからアルキル化され
る。この反応はアセトニトリルの  1ような有機溶媒
中で行うことができる。ジアゾアルカン、好ましくはジ
アゾメタンによるアルキル化反応は、通常の条件下で例
えばエチルエーテルのような有機溶媒中で行われる。
また、本発明の主題は、式Vの酒石酸ジエステルをナト
リウムヘキサメチルジシラジドの存在下に保護基の反応
性誘導体で処理することによって、R1がヒドロキシル
基の保護基を表わす式IIの化合物を製造する方法にあ
る。
この反応は、テトラヒドロフラン及びトルエンのような
有機溶媒又は有機溶媒混合物中で行うことができる。
また、本発明の主硬は、次式■ の化合物に還元剤を作用させることによって、R2がベ
ンジル基を表わす式IIの化合物を製造する方法にある
用いられる還元剤は、好ましくは、水素化アルカリ金属
又ははう水素化アルカリ金線である。シアノはう水素化
ナトリウムが好ましい。この反応はアセトニトリルのよ
うな有機溶媒中で行うことができる。
また、本発明の主題は、次式Id (ここでRは先に示した意味を有し、R1,はヒドロキ
シル基の保護基を表わし、Rdは水素原子又は保護され
たヒドロキシル基を表わす)を有する化合物を次式■ (ここでR’dは水素原子又は保護されていてもよいヒ
ドロキシル基を表わし、R3は水素原子又はR’s (
R’sはアミン基の保護基を表わす)を表わし、Rは前
記の意味を有する) を有する化合物の製造に使用するにあたり、式Idの化
合物に選択的脱保護反応を行って次式M!(ここでR及
びRdは前記の意味を有する)の化合物を得、この化合
物に次式 (ここでR4はスルホン酸残基を表わす)のスルホン酸
誘導体を作用させて次式■(ここでR,Rd及びR4は
前記の意味を有する)の化合物を得、式■の化合物にア
ルカリ金属アジドを作用させて次式X (しこでR及びRdは前記の意味を有する)の化合物を
得、式Xの化合物に水素化剤を作用させて次式■a (ここでR及びR’dは前記の意味を有する)の化合物
を得、必要ならば、式■aのイし合物を得、必要ならば
、式■1の化合物にアミ7基の保護基の導入剤を作用さ
せて次式■b (ζζでl、R’d及びB/、は前記の意味を有する)
の化合物を得、式■a及び■bの化合物のR’dが保護
されたヒドロキシル基を表わすとき番マ、所望によりこ
れらの化合物に選択的脱保護反応を行って次式■C (ここでR及びR3は前記の意味を有する)の化合物を
得、所望ならばこの化合物に還元剤を作用させて次式■
d (ここでR及びR3は前記の意味を有する)の化合物を
得ることを特徴とする、式Idの化合物を式■の化合物
の製造に使用する方法にある。
基Rdが含むことができるヒドロキシル基の保護基は、
R1及びR2について前記した既知の基から選ぶことが
できる。
本発明の主題は、特に、Rdが保護されたヒドロキシル
基、そして特にアシルオキシ基を表わす式Idの化合物
を開始時に用いることを特徴とする前記の使用方法にあ
る。
本発明に従う使用方法を実施するのに好ましい方法にお
いては、 a)式Idの化合物に作用させる選択的脱ブロッキング
反応は、仙常の方法に従って行われる。ヒドロキシル基
の保護基がベンジル基のような水添分解によって解裂で
きるときは、この解裂はパラジウム炭のような触媒の存
在下に水素によって行われる。
b)用いられる弐R4−OHのスルホン酸誘導体として
は、R4がメチルスルホニル基CR3S 02 、p−
トルエンスルホニル基HsC−Ph−8o2又はトリフ
ルオルメチルスルホニル基F’3 C−S (hを表わ
すものがあげられる。式■の化合物に反応させるスルホ
ン酸誘導体は、好ましくはトリフルオルメチルスルホン
酸誘導体である。酸無水物又は酸クロリドが用いられ、
特に無水物が用いられる。この場合に、反応操作は塩化
メチレンのような有機溶媒中でピリジンのようなアミノ
塩基の存在下に行われる。
b)アルカリ金属アジドは好ましくはナトリウムアジド
であり、そして反応はベンゼンのような有機溶媒中で行
われる。
d)式Xのアジドからアミ7誌導体への還元は通常の方
法、例えば接触水素化によって行われる。
e)場合により行われるアミノ基の保護は、ペプチドや
β−ラクタムの化学で知られた薬剤によつて行われる。
このような置換基のリストは、例えばフランス国特許第
2.495.613号にみられる。
好ましくはカルボベンジルオキシ基が用いられる。
この基を導入できる薬剤は、例えば、炭酸水素ナトリウ
ムのような塩基の存在下でのクロルぎ酸ベンジルである
f)式■a及び■bの化合物より出発する式■C及び■
dの化合物の製造は、式1mの化合物から出発する式I
b及びIcの化合物の製造について示した操作方法と同
じ操作方法に従って行われる。
また、本発明の主題は、新規工業用化合物としての、特
に式lの化合物の製造に必要な新規工業用化合物として
の次式 (ここでR及びgzは前記の意味を有し、RIは水素原
子を表わすか又はR9はRを表わす)の化合物にある。
また、本発明の主題は、前記のような式■の化金物、特
に、R2がベンジル基を表わし、R1が水素原子を表わ
す式■の化合物にある。これらの化合物においてRは好
ましくはメチル又はエチル基を表わす。
式Iの化合物は、抗生物質として説明されているβ−ラ
クタムの合成に有用な中間体である。
しかして、R2がヒドロキシル基の保護基を表わす式1
aの化合物は、3位置にアミノ基を含むβ−ラクタムに
変換することができる。このような反応の例は、例えば
、L1*big@Annal@n d@rehimil
  1794、p、369又はJ、 A、 C,S、 
105.7、 s 45 (1tp a s )のよう
、な刊行物に示されているO このようにして得られた化合物は、次いで文献で知られ
た方法に従ってアシル化し、スルホニル化できる。この
方法では、フランス国特許第2.495,61S号に記
載のような種類の化合物が )得られる。
R1がOCH!−Co、R基を表わす化合物は、通常の
方法に従って、T@t、 l@t、 Vol、 25 
、A 52、p、 S 425に記載のようなオキサマ
シン型の化合物を製造するのに用いることができる。
下記の実施例は本発明を例示するもので、これを何ら制
限しない。
−5−メトキシ−4−オキソ−2−アゼチジンカルボン
酸メチル 工程A:(2R−(R”、R“)〕−〕2−ヒドロキシ
ー4−オキソー3メトキシ−4−〔(フェニルメトキシ
)アミノコブタン醗メチル 235qの(R−(R”、R”)〕−〕2−ヒドロキシ
ー3−メトキシプタンジ酸ジメチと3561qのKz 
C03(2,44mM )を6−の1/1ジオキサン/
)i、o混合物に溶解し、周囲温度で5時間かきまぜる
。反応混合物をアンバーライトIRN77+ (H’)で処理し、濾過し、蒸発乾固する。得られた粗
生成物(19011111)とO−ベンジルヒドロキシ
ルアミン塩酸塩(182岬、11当量)を10−の水に
溶解し、次いで5−の水に溶解したエチル−1−ジメチ
ルアミノプロピル−43−カルボジイミド(34511
F、15当量)を添加するとともにIN HCIを添加
することによりpHを45に保つ。半時間後に、35岬
(10%)の(2R−(R”、R”)〕−〕2−ヒドロ
キシー3−メトキシーN、 N/−ビス(フェニルメト
キシ)ブタンジアミド沈殿を濾過して単離する。
水性相をCH,CI、で抽出することにより300岬の
生成物を得、これをシリカゲル調製板でクロマトグラフ
ィー(溶離剤: ACOEt/ヘキサン8/2)によっ
て精製する。
このようにして、200 xqノC2R−(R”、R”
))−2−ヒドロキシ−4−オキソ−3−メトキシ−4
−((フェニルメトキシ)アミノコブタン酸メチルと(
2R−(R”、R”)〕−〕2−メトキシー4−オキソ
ー3−ヒドロキシ4−((フェニルメトキシ)アミノコ
ブタン酸メチルとの約6.5/五5の比(NMRI)t
により測定)の混合物を得た。
得られた生成物のNMRIHは次の通り。
NMR’H(60MHz ) 五Sppm&4(s、5HS45/&5);i、6an
d &8(s、 5H)、4.15(i広い、II()
;4.3−4.5 (m、 2H) ; 4.8 (s
広い、  2H);7.2(s  5H);9.51(
m、IH)。
工程B二(2B−trans)−1−フェニルメトキシ
−3−メトキシ−4−オキソ−2−アゼチジンカルボン
酸メチル 工程Aで得た混合物を一10℃で5 ccの1/1ピリ
ジン/ CHz Cit混合物に溶解し、0.1 wg
の塩化メタルを加え、反応混合物を4時間かきまぜる。
CT(、CI、で抽出した後、粗生成物をアセトンに溶
解し、200q(is当景)のに意COsのアセトン懸
濁液に60℃で加える。1時間かきまぜ、濾過し、クロ
マトグラフィー(溶離剤: ACOEt/ヘキサン 1
/1)した後、40119の所期生成物を単離した(収
率=22%)。
Ca)   =+57’(c=0.54、CHCL、)
分析’ 01sHtsOsN 計g:c%58.85  H%5.70  N%5.2
8実測:   5B、B5   5.74    &5
3NMR’H(200MHz ) 5.45ppm  (m、  SH); N76 (a
、5H);404(d、 IH,J、4=t5Hz )
 ;4.40 (d、 IH。
J z 4=t 5 Hz ) ; 5.0 B (q
 w 2 H) ; Z 54 (I T5H)。
酸メチル 工程A:[2R−(R来、R’))−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−フェニルメトキシ−4−((7二二ル
メトキシ)アミノコブタン酸メチル470jIFの〔R
−(R’、R’))−2−ヒドロキシ−3−フェニルメ
トキシプタンジ酸ジメチルを例1の工程人に記載のよう
に処理する(60019の炭酸カリウム)。粗製残留物
を840岬の〇−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩及
び1りのエチル−1−ジメチルアミノプロピル−45−
カルボジイミド塩酸塩で直接処理する。シリカゲルで 
  ゛クロマトグラフィー(溶離剤: ACOEt/ヘ
キサン8 : 2 )した後、50wfのl: 2 R
−(R”、 R”))−2−ヒドロキシ−N、N’−5
゛−)リス(7エ二ルメトキシ)ブタンジアミド及び4
0G岬の(2R−(R’、R”))−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−フェニルメトキシ−4−((フェニル
メトキシ)アミンコブタン酸メチルと(2R−(R“、
R’))−5−ヒドロキシ−4−オキソ−2−フェニル
メトキシー 4−1: (yエニルメトキシ)アミノコ
ブタン酸メチルとの約671の比(NMRによる)の混
合物を単離した。
得られた生成物の物理−化学的データは次の通り。
分析’ C19HfllO・N 計算:0%6449  H%5.89  N%五89実
測:   6X、15   405    &91NM
R”H(60MHz) 5−58 ppm (a 、 3 H) : ’> 7
−46 (強い、5H);4.85(s3; 7.1 
(m、 10H)。
8.98  and9.78(s広い、1H% 6/1
)。
I R: II co、R= 1730IJCONHO
R=1670 工iB1  : (2S−trans )−1+3−ビ
ス(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジン
カルボン酸メチル 15011Iの工程Aで得た混合物をピリジン/塩化メ
チレン混合物(1/1)中で塩化メチル(2当量I16
Il1g)により−10℃で2時間処理する。
抽出し、蒸発させた後、残留物をアセトンに直接溶解し
、15当量(a3W9)のに、CO,のアセトン懸濁液
に60”Cで加える。20分たってから濾過し、溶媒を
蒸発させた後、粗生成物をシリカゲルでり筒マドグラフ
ィーする(溶離剤: ACOEt/ヘキサン1/1)。
271qの所期生成物を単離した(収率=20%)。
(ff)25=+51°(e=α69、CHCl、)分
析: C1*HtsOsN 計算:0%6484  H%5.61 N%4.10実
測:   f&82   5.72    五96IR
: ycO2M@”=”1740、ラクタム=179O
NMRIH(400MHz、CDCIg )i75pp
m(s、 3H);404(d、IH,J、4=15H
z ) ; 4.54 (d、 I H,J、4=t5
Hz ) ;a、 (S y (q 、  2 H) 
: a O7(q 、2 H) ; 7.58 (m 
10H) 工程f32  : (2S−trans )−1,3−
ビス(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジ
ノカルボン酸メチル 500s7の工程Aで得た混合物と435岬のトリフェ
ニルホスフィンをアルゴン雰囲気下に5−のテトラヒド
ロ7ランに溶解する。Q、26rd(2当量)のアゾジ
カルボン酸ジエチルを注射器で加える。2時間後に溶液
を蒸発させ、残留物をクロマトグラフィーする(溶離剤
: ACOEt/ヘキサン1/1)。このようにして、
5011Fの出発物質のヒドロキサメート(17%)及
び96qの所期生成物(工程B1で得たものと同一)を
単離した。
工程B/、: (2R−(R“、R”)、l−2−((
4−メチルフェニルスルホニル)オキシ〕−4−オキ/
−5−(フェニルメトキシ)−4−((フェニルメトキ
シ)アミノコブタン酸メチル 440■の工程Aで得た混合物をS CCのピリジンと
2 CCのCH2Cl、に−10℃で溶解する。2.5
当量の塩化トシル(saogli)を加え、全体をかき
まぜながら一10℃で2日間放置する。抽出し、クロマ
トグラフィー(ACOEt/ヘキサン2/8)した後、
90jlFの出発物質、420■の所期生成物及び(2
R−(R”、R“)]−3−[(4−メチルフェニルス
ルホニル)オキシ〕−4−オキソ−2−(フェニルメト
キシ)−4−((フェニルメトキシ)アミノコブタン酸
メチルを単離した。
所期生成物のNMRは次の通り。
NMR”H(60MHz ) 2.3ppm (m、2H);N55(s、5H);4
3(m −2H) ; L 4 (d + I H、J
 2.s =2 Hz ) ;4.6 (m、 2H)
 ;5.25 (d、 I H,J2□=2Hz);7
−7.25(7H);7.6(d、2H);a、7(m
、IH)工程B’3 : (2S −trans ) 
−1,3−ビス(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2
−アゼチジノカルボン酸メチル           
     )57岬の工程B/、で得た生成物をS C
Cのアセト7に溶解L、46岬の炭酸カリウムのアセト
ン懸濁液に60℃で加える。
1時間かきまぜた後、反応混合物を濾過し、蒸発させる
。上で得た生成物と同一のβ−ラクタム2B+119を
定量的に得た。
工程A : [2R−(R’、R”))−2−ヒドロキ
シ−4−オキソ−3−メトキシ−4−((フェニルメト
キク)アミノコブタン酸エチル 6jQ#vの(R−(R”、R’))−2−ヒドロキシ
−3−メトキシブタンジ酸ジエチルを例1の工程Aに記
載の条件下に930’miの炭酸カリウムで処理する。
得られた粗生成物を1349の0−ベンジルヒドロキシ
ルアミン塩酸塩及び’L69のエチル−1−ジメチルア
ミノプロピル−43−カルzK ジイミド塩酸塩で処理
する。半時間反応させてから抽出し、クロマトグラフィ
ー(溶離剤:酢酸エチル−ヘキサ78 : 2 )した
後、40ffの(2R−(R”。
R米)〕−〕2−ヒドロキシー3−メトキシーN N’
−ビス(フェニルメトキシ)ブタンジアミド沈殿、そし
て460119の(2R−(R”、R”)〕−〕2−ヒ
ドロキシー4−オキソー3メトキシ−4−(フェニルメ
トキシ)アミノコブタン酸エチルと(2R来奈 −(R、R))−2−メトキシ−4−オキソ−5−ヒド
ロキシ−4−((フェニルメトキシ)アミノコブタン酸
エチルとの混合物(7:1の比)を得た。
分析” C14HtsOsN 計算−〇%S&55  H%&44 N%4.71実測
:   5445   432   4.51NMR”
H(60MHz ) 125ppm(t、3H);2.8(s、IH);五2
2(s)   and   135(s、   5H)
;4−485(6H);718(s、 5H);8.7
5  and 9.25 (7/1 =1)f) 工程B’:(2R−(R“、R”)]−2−(4,−(
メチルフェニルスルホニル)オキシ〕−4−オキソー3
−メトキシ−4−((フェニルメトキシ)アミノ〕ブタ
ン酸エチル (2R−(R、R))−2−ヒドロキシ−4−オキソ−
3−メトキシ−4−[(フェニルメトキシ)アミ/コブ
タン酸エチルと[2R−(R’″、R“)〕〕=2−メ
トキシー4−オキソー3ヒドロキシ−4−((フェニル
メトキシ)アミノコブタン酸エチルとの生成物混合物4
75WIを5 CCのピリジンと2 ccの塩化メチレ
ンに溶解する。−10℃で457可の塩化トシルを加え
る。−10℃で1夜放置した後、混合物を5.2 CC
の濃塩酸を含有する冷水上に注ぐ、塩化メチレンで抽出
し、シリカでクロマトグラフィー(溶離剤:酢酸エチル
・ヘキサン1:1)した後、110〜の出発物質、43
0■の所期生成物及び90■の(2R−(Rゝ、R“)
〕−〕!l−1:4−メチルフェニルスルホニルオキシ
フ−4−オキソ−2−メトキシ−4−((フェニルメト
キシ)アミノコブタン酸エチルを回収した。
所期生成物を塩化メチレン−ヘキサン混合物(8−2)
より結晶化する。
m、p・=101−102℃。〔α]D =+12゜(
c=to3、CHCLs ) 分析’ CztHzsO@NS 計算:0%55.86H%5.58  N%5.108
%7.1実測:   55.62  5.49   五
13 68NMR”H(60MHg  ) 125ppm(t、3H);2.34(s、5H);&
5(s、5H);4.2(q、2H);4.50(d、
J=5Hz、IH);46B(d、2H);5.35(
d、J= 3Hz 、  I H) ; 7.1−7.
5 (7H) ; 7.7 (d 。
2H);a、8(IH) 工程B’ :(28−trans ) −1−7x二h
メトキシ−3−メトキシ−4−オキソ−2−アゼチジン
カルボン酸エチル 工程B′で得た生成物(245岬)を3 CCのアセト
ン溶液に溶解してなる溶液を223岬の炭酸カリウムの
アセトン懸濁液に60℃で加える。
1時間後に反応混合物を濾過し、蒸発乾固させ、所期生
成物を定量的に得た。
〔α)25=+37°(e = t 6、CHCl3 
)分析: C1aHtyOsN 計算=C%6020  H%&13 N%5.01実測
:  6α05   6.21   5.05NMR1
H(60MHz ) 13ppm(t、3H);14(m、AH);4(d。
1H,J、4−15Hz );42(q、2H);43
(d。
IH,J5,4=t5Hz);4.98(s、2H);
7.25(s、5H); ン酸エチル 工程A:(2R−(R“、R”)’)−2−ヒドロキシ
−4−オキソ−3−フェニルメトキシ−4−〔(フェニ
ルメトキシ)アミノコブタン酸エチル380119の(
R−(R、R)〕−〕2−ヒドロキシー3−フェニルメ
トキシプタンジ酸ジエチを例1の工程Aに記載のように
45Q+syの炭酸カリウムで処理する。得られた粗生
成物を624町の0−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸
塩及び750〜のエチル−1−ジメチルアミノプロピル
−43−カルボジイミド境酸塩と半時間反応させる。抽
出し、クロマトグラフィーした後、1801qの出発物
質、70岬の(2R−(R’、R“)〕−〕2−ヒドロ
キシーN、N’、5−9ス(フェニルメトキシ)ブタン
ジアミド、そして290■の〔2R−(R、R))−2
−ヒドロキシ−4−オキソ−5−フェニルメトキシ−4
−C(フェニルメトキシ)アミノコブタン酸エチルと[
2R−(R“t”))−3−ヒドロキシ−4−オキソ−
2−フェニルメトキシ−4−C(フェニルメトキシ)ア
ミノコブタン酸エチルとの混合物を単離した。
所期生成物の物理化学的分析は次の通り。
NMRIH(60MHg ) 12ppm(2t、5H);175−5.85(強い、
9 H) ; 7.18 (10H) ; 9. I 
S及び9.55(IH。
工程B’:(2B−(R、R))−2−[:(4−メチ
ル7エエルスルホニル)オキシ〕−4−オキソ−5−(
フェニルメトキシ)−4−((フェニルメトキシ)アミ
ノコブタン酸エチル (2R−(R、R))−2−ヒドロキシ−4−オキソ−
6−フエニルメドキシー4−((7エエルメトキシ)〕
アアミノブブタンエチルと(2R−(R”、R”)〕−
〕3−ヒドロキシー4−オキソー2フェニルメトキシ−
4−((フェニルメトキシ)アミノコブタン酸エチルと
の混合物をS CCのピリジンと2 CCの塩化メチレ
ンに一10℃で溶解する。710119の塩化トシルを
加え、混合物を−10℃で3日間放置し、次いで& I
 CCの12N塩酸を含有する氷水上に注ぐ。抽出し、
クロマトグラフィー(溶離剤:酢酸エチル−ヘキサン1
:1)した後、10011Fの出発物質、390qの所
期生成物及び10119の(2R−(R”、 R’))
−5−C(4−メチルフェニルスルホニル)オキシ〕−
4−オキソ−2−(フェニルメトキシ)−4−〔(フェ
ニルメトキシ)アミノコブタン酸エチルを単覆しだ。
所期生成物を塩化メチレン−ヘキサン混合物(7/3 
)より結晶化する。
m、 p、=85−84℃。〔α)25=+20’(e
=α87、CHCIg ) 分析: C27HHO@NS : 計算二〇%6t46  H%5.54  N%2.65
  S%&1実測:   6t24  5.38  2
.62  5.8NMR”H(60MHz ) 115ppm(t、  3H);2.5(a、3B);
4(q’e  2H);435(藁、2H);4.4(
d、IH。
J=2.5Hz );4.5B(s、21);5.25
(d。
IH,J=2.5Hz )ニア、05−7.25(12
H);7.6(d、2H);α77(s広い、IH)工
程B“: (2S −trans ) −1+ 5−ビ
ス(7エ二ルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジン
カルボン酸エチル S CCのアセトンに溶解したα55mM(29011
P)の工程B′で得た生成物を、3当量(228my)
のに、CO,を5−のアセトンに加えてなる懸濁液に6
0℃で添加する。1時間かきまぜ、次いで濾過し、溶媒
を蒸発乾固させた後、155w9(収率=80%)の所
期のアゼチジノンをクロマトグラフィーにより単離した
〔α)25=+40°(、=α63、CHCl3 )分
析二020HHO1IN 計算=C%67.59  H%5.96N%五94実測
:   67.55   5.95    !L88N
MR”H(80MWzSCDC1B )16 ppm 
(t 、’ 3■):4.01 (d、 IH,J、。
=15 Hz ) ; 4.25 (q −2H) ;
 4.55 (d *  I H−J、、−=t5Hz
 );4.6B(m、2H)’、!h1 (s。
21);7.4−26(10H) 17011IIの例2で得たアゼチジノンを10ccの
酢酸エチルに溶解し、100wqの5%パラジウム担持
炭の存在下に3バールの圧力下に1時間水素化する。次
いで触媒を濾過し、蒸発させ、クロマトグラフィーした
後、1ooqの所期生成物を単離した。
NMR’H(60MHz、 CDC13)五7 (m、
 3H);4.28 (d広い、IH,J   =t 
5 Hz ) ; 455 (d広い、I H,J 、
4=t 5Hz);455(d広い・、I H=  J
 a 4 =t 5 Hz  )  ; 4.62 (
m t2H);7.2(s、51) 11519の例4で得九アゼチジノンを10CCの酢酸
エチルに溶解してなる溶液に115岬の5%パラジウム
担持炭を加える。
3バールで1時間水素化した後、触媒を濾過し7、溶媒
を蒸発させる。クロマトグラフィーによって61wII
(収率=77%)の所期アゼチジノンを単離した。
NMR’H(200MHz、 CD01g )19(t
d、SR);4.22(qd、2H);429(d −
j H−J 3.a =t 22 Hz ) ; 45
2 (d lI H−J、、=122Hz);4.7G
(q、2H);7.59(s、5H) 27019の例3で得たアゼチジノンを25ccの酢酸
エチルに溶解してなる溶液を270岬の5%パラジウム
担持炭の存在下に3バールの水素により1時間還元する
。結晶をア遇し、溶媒を蒸発させる。残留物を5 CC
のメタノールに溶解し、アルゴン雰囲気下に!l0cc
の炭酸水素ナトリウム水溶液(2,55り)及び4 C
Cの20%塩化チタン水溶液(77111F)に加える
10%炭酸ナトリウム水溶液によりpHを65に調節す
る。1時間かきまぜ、次いで酢酸エチルで抽出し、クロ
マトグラフィー(溶離剤:酢酸エチル/ヘキサ72 :
 8 )した後、50Tqの所期生成物を得た。
〔α)25=+15°(e=1.5、CHCIm分析:
 CyHl、04N 計算=C%48.55  H%6.40  N%8.0
9実測:   4&01    &59    z88
IR:C00R=1740;シラクタム=1795NM
R”Hs+(200MHz、 CDC13t52(t、
AH);五55(s、5H);415(d lI H−
J & 4 =2 Hz ) ; L 27 (q *
 2 H) ;4.65 (t、 1 f(、J、4=
J、1==2Hz ) ;449(S広い、IH) ン酸メチル 工程A?(28−(R’、R’))−2−ヒドロキシ−
3−フェニルメトキシプタンジ酸のモノメチルエステル 560vの(R−(R“、R’))−2−ヒドロキシ−
5−フェニルメトキシプタンジ酸ジメチルを五S CC
のりん酸塩緩衝液(αIM、PH8)に溶解してなる溶
液に200単位のブタ肝臓エステラーゼ(PII)をか
きまぜながら加える。
1N水酸化ナトリウム溶液を加えてpHを8に保つ。8
時間反応させた後、出発物質をエーテルで抽出する(3
0%)。水性相をアンバーライトIRN77 (H)で
酸性化する。?過し、酢酸エチルで抽出した後、蒸発に
よって約10%の出発物質を含む240岬の所期生成物
を得た。
工程B:(2R−(R”、R”)〕−〕2−ヒドロキシ
ー4−オキソー3フェニルメトキシ−a −C(フェニ
ルメトキク)アミノコブタン酸メチル工程ムで得た混合
物を15011Fの0−ベンジルヒドロ中ジルアミン塩
酸塩及びsOowyのエチル−1−ジメチルアミノプロ
ワビル−45−カルボジイミド塩酸塩を含有するS C
Cの含水テトラヒドロ7ランに溶解する。半時間反応さ
せた後、塩化メチレンで抽出を行い、所期生成物(90
%)と工程Aの出発物質(10%)との混合物を得た。
工程C1(2R−(R”、R”))−2−((4−メ゛
チルフェニルスルホニル)オキシ)−4−4キソ−5−
(フェニルメトキク)−4−((フェニルメトキシ)ア
ミノ〕ブタ/酸メチル 工程Bで得た生成物より出発し、400qの塩化トシル
を5 ccのピリジンに溶解したものを用いて例2の工
程B/、におけるように実施する。720岬の混合物を
得た。クロマトグラフィーした後、20011Fの所期
生成物を得た。
工程D + (2S −trans ) −t S−ビ
ス(7エエルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジン
カルボン酸エチル 例2の工程B#jにおけるように実施し、例2で得た生
成物と同一の所期生成物を得た。
工程ム: (2B −trams ) −1−アセトキ
シ−4−オキツーs−yエニルメトキシ−2−アゼチジ
ンカルボン酸エチル 150岬の例6に記載のように得た(2S−trans
 ) −1−ヒドロキシ−4−オキソ−3−フェニルメ
トキシ−2−アゼチジンカルボン酸エチルを9 CCの
無水塩化メチレンに溶解し、α07CCの無水酢酸と1
012ccのトリエチルアミンを加える。2時間反応さ
せ、塩化メチレンで抽出した後、20019の混合物を
得、次いで156岬の所期生成物をクロマトグラフィー
により単離した。
Cm)25=+p、s°(、=五31  CHCl、)
分析 ’  Cs5HtyOsN 計算:0%5&62  H%5.58N%4.56実測
:   5a45    &74   4.84NMR
’H(80MHz ; CDC13)127(t、3H
);2.16(11,3H);4.22(q、2H);
4.5(d、IH,J5.4=2Hz);4、77 (
8広い、3H);7.35(a、5H)工程B : (
2S −trans ) −1−アセトキシ−4−オキ
ソ−3−(()リフルオルメチルスルホニル)オキシ〕
−2−アゼチジンカルボン酸エチル128岬の上で得た
生成物を15CCの酢酸エチルに溶解して12819の
10%パラジウム担持活性炭の存在下に3バールの圧力
下に1時間30分水素化する。触媒を濾過し、溶媒を蒸
発させ、得られた生成物を6 CCの塩化メチレンで溶
解する。
0、 I CCのピリジンと(LO8CCのトリフルオ
ルメチルスルホン酸無水物を0℃で加える。半時間反応
させた後、反応混合物を冷塩化アンモニア水に注ぎ、塩
化メチレンで抽出する。60119の所期生成物を得た
NMR”H(80MHz ;CD013  )t32(
t、3H);2.2(易+  5H);4.32(q。
2H);4.7 (d、IH,J=2Hz );5.7
(d。
1H,J=2Hz) 工程C:(28−elm)−1−アセトキシ−4−オキ
ソ−3−(((フェニルメトキシ)カルボニル〕アミノ
〕−2−アゼチジンカルボン酸エチル60W9の上記工
程人で得た生成物を8 CCのベンゼンに溶解し、30
wIfのナトリウムアジドと5%塩化トリカプリルメチ
ルアンモニウムを60℃で加える。1時間反応させた後
、塩化メチレンで抽出し、溶媒を蒸発し、残留物を8 
CCの酢酸エチルに溶解し、1001qの10%パラジ
ウム担持活性炭の存在下に3パールの圧力下に水素化す
る。2時間後に触媒を濾過し、溶媒を蒸発させる。得ら
れた生成物を4 CCのアセトン−水混合物(1−1)
に溶解し、α024CCのクロルぎ酸ベンジルと28岬
の重炭酸ナトリウムを加える。1時間反応させ、蒸発乾
固し、塩化メチレンで溶解した後、残留物e&o−r)
&?フィーL、20qoffiU!g*t−’得た。
製造例 前記の例の開始時で用いた化合物は次のように製造し丸
製造1F(R−(R“e R’))−2−ヒドロキシ−
3−メトキシプタンジ酸ジメチル 450■の(R−(R“、R“))−2,s−ジヒドロ
キシブタンジ酸ジメチルと50岬の無水塩化第一すずを
10−のアセトニトリルに溶解し、ジアゾメタンのエー
テル溶液を、溶液が黄色を留めるまで0℃で加える。溶
媒を真空下に蒸発乾固し、残留物を短いシリカゲルカラ
ムでクロマトグラフィーする(溶離剤:酢酸エチル/ヘ
キサン1/2)。
生成物を蒸留し、292119の所期生成物を単離した
0 1)、p、0.4=55℃ (a)D=−)−’52°(e=t14、CHCl、)
分析: CtH1x06 計算:0%4&75   H%&29 実測:  4五65    6.5B 製造2:(R−(R”、R“)〕−〕2−ヒドロキシー
5−フェニルメトキシプタンジ酸ジメチル3の(4R−
trans ) −2−メチル−2−フェニル−t3−
ジオキソラン−4,5−ジカルボン酸ジメチルと3gの
ナトリウムシアノはう水素化物を55CCのアセトニト
リルに溶解する。飽和MCIエーテル溶液をpHが2と
なるまでかきまぜながら滴下する。周囲温度で2時間後
に、混合物をNaHCOsの飽和水溶液上に注ぎ、ca
zcxzで抽出する。有機相を水洗し、乾燥し、蒸発さ
せる。その残留物を短いシリカカラムでクロマトグラフ
ィーする。シクロヘキサンで結晶化することによって所
期の純モノベンジルエーテルをiり(2,55g)。
m、p、=69℃ 〔α)25=+87°(e=α98 ; CHCl、 
)分析: Cs5HtsOs 計算:0%5a20   H%&01 実測7  5&27    403 製造2’:R−(R’、R”)〕−〕2−ヒドロキシー
5−フエエルメトキクブタンジ酸ジメチル3の(R−(
R”、R”))−2,3−ジヒドロキシブタンジ酸ジメ
チルをアルゴン雰囲気下に無水テトラヒドロ7ランに溶
解する。15.6−の2.5Nのナトリウムヘキサメチ
ルジシラジドトルエン溶液を加え、次いで10分後に2
.4艷の臭化ベンジルを加える。混合物を5時間かきま
ぜ、次いで氷上に注ぎ、CH2Cl、で抽出する。有機
相を水洗し、乾燥し、蒸発させる。残留物をシリカゲル
カラムでクロマトグラフィーする。最初に溶出する生成
物は(R−(R”、R“))−zs−ビス(7エ二ルメ
トキシ)プタンジ酸ジメチル(182g)であり、次い
で、製造2で得た生成物と同一の所期生成物(tssg
)が溶出した。
製造5:(R−(R”、R“)〕−〕2−ヒドロキシー
3−メトキシプタンジ酸ジエチ ル5りの(R−(R”、R”))−2,3−ジヒドロキ
シプタンジ酸ジエチルと10011151の無水塩化第
一すずを30CCのアセトニトリルに溶解する。0℃で
ジアゾメタンエーテル溶液を、溶液が黄色を留めるまで
加える。溶媒を真空下に蒸発させ、残留物をシリカゲル
カラムでクロマトグラフィー(溶離vl:酢酸エチル/
ヘキサン1/3)するととによって精製する。得られた
生成物を蒸留し、12gの所期生成物を単離した。
b、 p、αs=115℃ 〔α)   =−)−57°(e = t O9、CH
Cl3 )分析:C・1■1.0゜ 計算=C%49.09   H%7.32実測:   
4B、82    7.27製造a : (R−(R”
、 R’):l−2−ヒドロキシ−!I−フェニルメト
キシプタンジ酸ジエチル3gの(4R−trans )
 −2−メチル−2−フェニル−t3−ジオキソラン−
45−ジカルボン酸ジエチルと′5りのナトリウムシア
ノはう水素化物を55CCのアセトニトリルに溶解する
。HCI飽和エーテル溶液を滴下してpHを2に調節す
る。
周囲温度で2時間かきまぜた後、CH,C1,で抽出す
る。溶媒を真空蒸発させた後、残留物をシリカゲルカラ
ムで5濾過し、所期生成物を油状物の形で得た(2.2
4g)。
〔α〕D=+73°(e=t55、CHCl5)分析’
 C15H200@

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)次式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ここで、Rは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
    を表わし、R_1は水素原子、保護されていてもよいヒ
    ドロキシル基又はOCH_2−CO_2−R′基(R′
    は水素原子又は1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
    を表わす)を表わし、R_2は1〜4個の炭素原子を有
    するアルキル基又はヒドロキシ基の保護基を表わす) を有する化合物を製造するにあたり、次式II▲数式、化
    学式、表等があります▼ II (ここでR及びR_2は前記の意味を有する)を有する
    化合物を一けん化剤で処理して次式III▲数式、化学式
    、表等があります▼ III を有する化合物を得、この化合物を次式 R′_1−O−NH_2 (ここでR′_1はヒドロキシル基の保護基又はCH_
    2−CO_2−R′基(R′は前記の意味を有する)を
    表わす) のヒドロキシルアミン誘導体で処理して次式IV▲数式、
    化学式、表等があります▼ IV を有する化合物を得、この化合物を環化剤で処理して次
    式 I a ▲数式、化学式、表等があります▼  I a (ここでR′_1、R及びR_2は前記の意味を有する
    )を有する化合物(これは、R_1が保護されたヒドロ
    キシル基又はOCH_2−CO_2−R′基を表わす式
    I を有する化合物に相当する)を得、この化合物のR
    ′_1が保護基を表わすときは、所望によりこの化合物
    に選択的脱保護反応を行つて次式 I b ▲数式、化学式、表等があります▼  I b (ここでR及びR_2は前記の意味を有する)を有する
    化合物(これは、R_1が保護されていないヒドロキシ
    ル基を表わす式 I の化合物に相当する)を得、所望な
    らばこの化合物に還元剤を作用させて次式 I c ▲数式、化学式、表等があります▼  I c (ここでR及びR_2は前記の意味を有する)を有する
    化合物(これは、R_1が水素原子を表わす式 I の化
    合物に相当する)を得ることを特徴とする式 I の化合
    物の製造方法。 (2)基R_2がベンジル又はメチル基を表わす式IIの
    化合物より出発し、そして式IIIの化合物に反応させる
    ヒドロキシルアミン誘導体R′_1ONH_2がO−ベ
    ンジルヒドロキシルアミンであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の方法。 (5)式IIの化合物に作用させる一けん化剤が炭酸カリ
    ウム又は動物起源のエステラーゼであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1又は2項に記載の方法。 (4)式IVの化合物を処理する環化剤がスルホン酸誘導
    体であり、これにより次式IVa ▲数式、化学式、表等があります▼ IVa (ここでXはトシル基H_3C−φ−SO_2又はメシ
    ル基CH_3−SO_2を表わす) の化合物となし、この化合物を塩基の存在下に環化して
    式 I aの化合物を得ることを特徴とする特許請求の範
    囲第1又は2項に記載の方法。 (5)式IVの化合物を処理する環化剤がトリフエニルホ
    スフインとアゾジカルボン酸ジアルキルであることを特
    徴とする特許請求の範囲第1又は2項に記載の方法。 (6)次式V ▲数式、化学式、表等があります▼ V (ここでRは特許請求の範囲第1項記載の意味を有する
    ) の化合物を塩化すずの存在下にジアゾアルカンで処理す
    ることによつて、R_2が1〜4個の炭素原子を有する
    アルキル基を表わす式IIの化合物が製造される特許請求
    の範囲第1項記載の方法。 (7)特許請求の範囲第6項記載の式Vの酒石酸ジエス
    テルをナトリウムヘキサメチルジシラジドの存在下に保
    護基の反応性誘導体で処理することによつて、R_2が
    ヒドロキシル基の保護基を表わす式IIの化合物が製造さ
    れる特許請求の範囲第1項記載の方法。 (8)次式VI ▲数式、化学式、表等があります▼ VI の化合物に還元剤を作用させることによつて、R_2が
    ベンジル基を表わす式IIの化合物が製造される特許請求
    の範囲第7項記載の方法。 (9)次式 I d ▲数式、化学式、表等があります▼  I d (ここでRは特許請求の範囲第1項記載の意味を有し、
    R′_2はヒドロキシル基の保護基を表わし、Rdは水
    素原子又は保護されたヒドロキシル基を表わす) を有する化合物を次式VII ▲数式、化学式、表等があります▼ VII (ここでR′dは水素原子又は保護されていてもよいヒ
    ドロキシル基を表わし、R_3は水素原子又はR′3(
    R′3はアミノ基の保護基を表わす)を表わし、Rは前
    記の意味を有する) を有する化合物の製造に使用するにあたり、式 I dの
    化合物に選択的脱保護反応を行つて次式VIII▲数式、化
    学式、表等があります▼ VIII (ここでR及びRdは前記の意味を有する)の化合物を
    得、この化合物に次式 R_4−OH (ここでR_4はスルホン酸残基を表わす)のスルホン
    酸誘導体を作用させて次式IX ▲数式、化学式、表等があります▼ IX (ここでR、Rd及びR_4は前記の意味を有する)の
    化合物を得、式IXの化合物にアルカリ金属アジドを作用
    させて次式X ▲数式、化学式、表等があります▼ X (ここでR及びRdは前記の意味を有する)の化合物を
    得、式Xの化合物に水素化剤を作用させて次式VIIa ▲数式、化学式、表等があります▼ VIIa (ここでR及びR′dは前記の意味を有する)の化合物
    を得、必要ならば、式VIIaの化合物にアミノ基の保護
    基の導入剤を作用させて次式VIIb▲数式、化学式、表
    等があります▼ VIIb (ここでR、R′d及びR′_3は前記の意味を有する
    )の化合物を得、式VIIa及びVIIbの化合物のR′dが
    保護されたヒドロキシル基を表わすときは、所望により
    これらの化合物に選択的脱保護反応を行つて次式VIIc ▲数式、化学式、表等があります▼ VIIc (ここでR及びR_3は前記の意味を有する)の化合物
    を得、所望ならばこの化合物に還元剤を作用させて次式
    VIId ▲数式、化学式、表等があります▼ VIId (ここでR及びR_3は前記の意味を有する)の化合物
    を得ることを特徴とする、式 I dの化合物を式VIIの化
    合物の製造に使用する方法。 (10)出発時においてRdが保護されたヒドロキシル
    基を表わす式 I dの化合物が用いられることを特徴と
    する特許請求の範囲第9項記載の方法。 (11)式 I dにおいてRdがアシルオキシ基を表わ
    すことを特徴とする特許請求の範囲第9項記載の方法。 (12)スルホン酸誘導体がトリフルオルメチルスルホ
    ン酸の誘導体であることを特徴とする特許請求の範囲第
    9項記載の方法。 (13)新規な工業用化合物としての次式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでR及びR_2は特許請求の範囲第1項記載の意
    味を有し、R_9は水素原子を表わし、又はR_9はR
    を表わす) の化合物。 (14)新規工業用化合物としての次式 I ▲数式、化学式、表等があります▼  I (ここで、Rは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
    を表わし、R_1は水素原子、保護されていてもよいヒ
    ドロキシル基又はOCH_2−CO_2−R′基(R′
    は水素原子又は1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
    を表わす) を表わし、R_2は1〜4個の炭素原子を有するアルキ
    ル基又はヒドロキシ基の保護基を表わす)を有する化合
    物。 (15)R_2がベンジル基を表わし、R_1が水素原
    子を表わす特許請求の範囲第14項記載の式 I の化合
    物。
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