JPH0759553B2 - 3−アミノ−2−アゼチジノン誘導体の製造方法 - Google Patents

3−アミノ−2−アゼチジノン誘導体の製造方法

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JPH0759553B2
JPH0759553B2 JP6093847A JP9384794A JPH0759553B2 JP H0759553 B2 JPH0759553 B2 JP H0759553B2 JP 6093847 A JP6093847 A JP 6093847A JP 9384794 A JP9384794 A JP 9384794A JP H0759553 B2 JPH0759553 B2 JP H0759553B2
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ステファーヌ・ジュロ
ジャニーヌ・クレオファクス
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ルセル−ユクラフ
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、光学活性な2−アゼチジノンか
らβ−ラクタム型抗生物質である相当する3−アミノ−
2−アゼチジノン誘導体を製造する方法に関する。
【0002】しかして、本発明の主題は、次式VII
【化10】 (ここでRは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基を
表わし、R’dは水素原子又は保護されていてもよいヒ
ドロキシル基を表わし、R3 は水素原子又はR’ 3
(R’3 はアミノ基の保護基を表わす)を表わす)を有
する化合物を製造するにあたり、次式Id
【化11】 (ここでRは先に示した意味を有し、R’2 はヒドロキ
シル基の保護基を表わし、Rdは水素原子又は保護され
たヒドロキシル基を表わす)の化合物に選択的脱保護反
応を行って次式VIII
【化12】 (ここでR及びRdは前記の意味を有する)の化合物を
得、この化合物に次式 R4 −OH (ここでR4 はスルホン酸残基を表わす)のスルホン酸
誘導体を作用させて次式IX
【化13】 (ここでR、Rd及びR4 は前記の意味を有する)の化
合物を得、式IXの化合物にアルカリ金属アジドを作用さ
せて次式X
【化14】 (ここでR及びRdは前記の意味を有する)の化合物を
得、式Xの化合物に水素化剤を作用させて次式 VIIa
【化15】 (ここでR及びR’dは前記の意味を有する)の化合物
を得、必要ならば、式 VIIaの化合物を得、必要なら
ば、式 VIIaの化合物にアミノ基の保護基の導入剤を作
用させて次式 VIIb
【化16】 (ここでR、R’d及びR’3 は前記の意味を有する)
の化合物を得、式 VIIa及び VIIbの化合物のR′dが
保護されたヒドロキシル基を表わすときは、所望により
これらの化合物に選択的脱保護反応を行って次式VIIc
【化17】 (ここでR及びR3 は前記の意味を有する)の化合物を
得、所望ならばこの化合物に還元剤を作用させて次式 V
IId
【化18】 (ここでR及びR3 は前記の意味を有する)の化合物を
得ることを特徴とする、式VII の化合物の製造方法にあ
る。
【0003】基Rの意味としては、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル又はt−ブチル基があげ
られる。基Rd及びR’dが含むことができ又基はR’
2 が表わすことができるヒドロキシル基の保護基は、通
常の知られた基、特にセファロスポリン及びβ−ラクタ
ムの化学において知られた基のうちから選ばれる。特
に、アセチル、ベンジル、トリチル、ベンズヒドリル、
4−メトキシベンジル、テトラヒドロピラニル、t−ブ
トキシカルボニル、β,β,β−トリクロルエトキシカ
ルボニル、ベンジルオキシカルボニル、エトキシカルボ
ニル基などがあげられる。
【0004】本発明の主題は、特に、Rdが保護された
ヒドロキシル基、そして特にアシルオキシ基を表わす式
Idの化合物を開始時に用いることを特徴とする前記の
使用方法にある。
【0005】本発明に従う使用方法を実施するのに好ま
しい方法においては、 a) 式Idの化合物に作用させる選択的脱ブロッキング
反応は、通常の方法に従って行われる。ヒドロキシル基
の保護基がベンジル基のような水添分解によって解裂で
きるときは、この解裂はパラジウム炭のような触媒の存
在下に水素によって行われる。 b) 用いられる式R4 −OHのスルホン酸誘導体として
は、R4 がメチルスルホニル基CH3 SO2 、p−トル
エンスルホニル基H3 C−Ph−SO2 又はトリフルオ
ルメチルスルホニル基F3 C−SO2 を表わすものがあ
げられる。式VIIIの化合物に反応させるスルホン酸誘導
体は、好ましくはトリフルオルメチルスルホン酸誘導体
である。酸無水物又は酸クロリドが用いられ、特に無水
物が用いられる。この場合に、反応操作は塩化メチレン
のような有機溶媒中でピリジンのようなアミノ塩基の存
在下に行われる。 c) アルカリ金属アジドは好ましくはナトリウムアジド
であり、そして反応はベンゼンのような有機溶媒中で行
われる。 d) 式Xのアジドからアミノ誘導体への還元は通常の方
法、例えば接触水素化によって行われる。 e) 場合により行われるアミノ基の保護は、ペプチドや
β−ラクタムの化学で知られた薬剤によって行われる。
このような置換基のリストは、例えばフランス国特許第
2,495,613号にみられる。好ましくはカルボベ
ンジルオキシ基が用いられる。この基を導入できる薬剤
は、例えば、炭酸水素ナトリウムのような塩基の存在下
でのクロルぎ酸ベンジルである。 f) 式 VIIa及び VIIbの化合物より出発する式 VIIc
及び VIIdの化合物の製造は、式Iaの化合物から出発
する式Ib及びIcの化合物の製造について示した操作
方法と同じ操作方法に従って行われる。
【0006】本発明の方法で使用される式Idの化合物
は、次式II
【化19】 (ここでRは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基を
表わし、R2 は1〜4個の炭素原子を有するアルキル基
又はヒドロキシ基の保護基を表わす)を有する化合物を
一けん化剤で処理して次式III
【化20】 を有する化合物を得、この化合物を次式 R’1 −O−NH2 (ここでR’1 はヒドロキシル基の保護基又はCH2
CO2 −R’基(R’は水素原子又は1〜4個の炭素原
子を有するアルキル基を表わす)を表わす)のヒドロキ
シルアミン誘導体で処理して次式IV
【化21】 を有する化合物を得、この化合物を環化剤で処理して次
式Ia
【化22】 (ここでR’1 、R及びR2 は前記の意味を有する)を
有する化合物(これは、R1 が保護されたヒドロキシル
基又はOCH2 −CO2 −R’基を表わす化合物に相当
する)を得、この化合物のR’1 が保護基を表わすとき
は、所望によりこの化合物に選択脱保護反応を行って次
式Ib
【化23】 (ここでR及びR2 は前記の意味を有する)を有する化
合物(これは、R1 が保護されていないヒドロキシル基
を表わす化合物に相当する)を得、所望ならばこの化合
物に還元剤を作用させて次式Ic
【化24】 (ここでR及びR2 は前記の意味を有する)を有する化
合物(これは、R1 が水素原子を表わす化合物に相当す
る)を得ることを特徴とする方法によって製造すること
ができる。
【0007】R、R2 及びR’の意味としては、メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル又はt−
ブチル基があげられる。基R1 が含むことができ又は基
2 が表わすことができるヒドロキシル基の保護基は、
通常の知られた基、特にセファロスポリンの化学におい
て知られた基のうちから選ばれる。特に、アセチル、ベ
ンジル、トリチル、ベンズヒドリル、4−メトキシベン
ジル、テトラヒドロピラニル、t−ブトキシカルボニ
ル、β,β,β−トリクロルエトキシカルボニル、ベン
ジルオキシカルボニル、エトキシカルボニル基などがあ
げられる。R及びR’の意味のうちでメチル及びエチル
基が好ましい。R1 は好ましくはベンジルオキシ基を表
わし、R2 は好ましくはベンジル又はメチル基を表わ
す。
【0008】好ましくは式IIの化合物に反応させる一け
ん化剤は、炭酸アルカリ金属のような無機塩基であって
よい。好ましくは炭酸カリウムが用いられる。反応は、
好ましくは、過剰量の無機塩基の存在下に、アルコール
−水混合物又はジオキサン−水混合物のような含水有機
溶液中で行われる。また、植物又は動物起源のエステラ
ーゼも用いることができる。例えば、豚の肝臓のエステ
ラーゼを用いることができる。その場合、反応は緩衝媒
質中で、例えばりん酸塩緩衝液中で行われる。
【0009】式III の化合物に対する式R’1 ONH2
のヒドロキシルアミン誘導体の作用は、周囲温度で行う
ことができる。ヒドロキシルアミン誘導体の塩、例えば
塩酸塩を用いることができる。この場合、反応は水中で
又は水−有機溶媒混合物中で行うことができる。反応操
作は、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミドのよう
なカルボジイミドの存在下に、又は水性媒体中で行う場
合には1−エチル−3,3−ジメチルアミノプロピルカ
ルボジイミド塩酸塩のような可溶性カルボジイミドの存
在下に行われる。この操作を行う際の溶媒は例えばテト
ラヒドロフランである。
【0010】式IVの化合物から式Iaの化合物への環化
は、ヒドロキシル基のスルホン酸誘導体を介して行うこ
とができる。この場合には、環化は塩化p−トルエンス
ルホニル又は塩化メチルスルホニルのようなスルホン酸
ハロゲン化物によって行うことができる。この反応操作
は、アミノ塩基のような塩酸捕捉剤の存在下に行われ
る。また、操作は、ピリジンのような溶媒、又はピリジ
ンと塩化メチレンのような有機溶媒との混合物中で行う
ことができる。このようにして得られたスルホニル誘導
体は、炭酸アルカリ金属、例えば炭酸カリウムのような
塩基で処理して式Iaの所期化合物を得ることができ
る。環化反応自体はアセトンのような有機溶媒中で行う
ことができる。また、式IVの化合物の環化は、トリフェ
ニルホスフィン及びアゾジカルボン酸ジエチルの存在下
に行うこともできる。この場合に反応操作はテトラヒド
ロフランのような有機溶媒中で行われる。
【0011】式Iaの化合物において基R’1 がヒドロ
キシル基の保護基を表わすときは、このR’1 基の選択
的解裂は、知られた方法に従って行われる。この基はベ
ンジル基のような水添分解によって解裂できる基である
ときは、この解裂はパラジウム炭のような触媒の存在下
に水素によって行われる。場合により式Ibの化合物に
作用させる還元剤は、通常の薬剤から選ばれる。例えば
塩化チタンを用いることができる。
【0012】また、上記したような方法の反応のいくつ
かは副生成物を形成させることに留意しなければならな
いが、これらは一般的には既知の精製方法、特にクロマ
トグラフィーによって除去することができる。このよう
な方法は実験の部でさらに説明する。特に、式R’1
ONH2 のヒドロキシルアミン誘導体を式III の化合物
に作用させると、式 IV の所期化合物と同様に、次式 I
V ’及び IV ”の副生物をも生じさせる。
【化25】
【化26】 式IV”の副生物は一般に沈殿によって容易に除去するこ
とができる。式IV’の化合物は環化の後続工程の間に通
常の方法によって容易に除去することができる。
【0013】さらに特定すれば、基R2 がベンジル又は
メチル基を表わす式IIの化合物より出発し、そして式II
I の化合物に反応させるヒドロキシルアミン誘導体R’
1 ONH2 がO−ベンジルヒドロキシルアミンであるこ
とを特徴とする方法が好ましい。
【0014】上記の方法を実施するのに好ましい方法に
よれば、 a) 式IIの化合物に作用させる一けん化剤は炭酸カリウ
ム又は動物起源のエステラーゼであり、 b) 式IVの化合物を処理する環化剤がスルホン酸誘導体
であり、これにより次式IVa
【化27】 (ここでXはトシル基H3 C−φ−SO2 又はメシル基
CH3 −SO2 を表わす)の化合物となし、この化合物
を塩基の存在下に環化して式Iaの化合物が形成され、 c) 式IVの化合物を処理する環化剤がトリフェニルホス
フィンとアゾジカルボン酸ジアルキルとの混合物であ
る。
【0015】また、R2 がアルキル基を表わす式IIの化
合物は、次式V
【化28】 (ここでRは先に記載した意味を有する)の化合物を塩
化すずの存在下にジアゾアルカンで処理することによっ
て製造することができる。また、R2 がヒドロキシル基
を表わす式IIの化合物は、式Vの酒石酸ジエステルをナ
トリウムヘキサメチルジシラジドの存在下に保護基の反
応性誘導体で処理することによって製造することができ
る。
【0016】また、R2 がベンジル基を表わす式IIの化
合物は、次式VI
【化29】 の化合物に還元剤を作用させることによって製造するこ
とができる。
【0017】
【実施例】下記の実施例は本発明を例示するもので、こ
れを何ら制限しない。
【0018】例1:(2S−trans )−1−フェニルメ
トキシ−3−メトキシ−4−オキソ−2−アゼチジンカ
ルボン酸メチル工程A :〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−メトキシ−4−〔(フェニルメトキ
シ)アミノ〕ブタン酸メチル 235mgの〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
3−メトキシブタンジ酸ジメチルと336mgのK2 CO
3 (2.44mM)を6mlの1/1ジオキサン/H2
混合物に溶解し、周囲温度で5時間かきまぜる。反応混
合物をアンバーライトIRN77(H+ )で処理し、濾
過し、蒸発乾固する。得られた粗生成物(190mg)と
O−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩(182mg、
1.1当量)を10mlの水に溶解し、次いで5mlの水に
溶解したエチル−1−ジメチルアミノプロピル−3,3
−カルボジイミド(345mg、1.5当量)を添加する
とともに1N HCl を添加することによりpHを4.
5に保つ。半時間後に、35mg(10%)の〔2R−
(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−3−メトキシ−
N,N’−ビス(フェニルメトキシ)ブタンジアミド沈
殿を濾過して単離する。水性相をCH2 Cl2で抽出する
ことにより300mgの生成物を得、これをシリカゲル調
製板でクロマトグラフィー(溶離剤:ACOEt/ヘキ
サン 8/2)によって精製する。このようにして、2
00mgの〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−メトキシ−4−〔(フェニルメトキ
シ)アミノ〕ブタン酸メチルと〔2R−(R* ,R
* )〕−2−メトキシ−4−オキソ−3−ヒドロキシ−
4−〔(フェニルメトキシ)アミノ〕ブタン酸メチルと
の約6.5/3.5の比(NMR 1 Hにより測定)の
混合物を得た。得られた生成物のNMR 1 Hは次の通
り。NMR 1 H(60MHz ) 3.3ppm 3.4(s、3H、6.5/3.5);
3.6及び3.8(s、3H)、4.15(s広い、1
H);4.3−4.5(m、2H);4.8(s広い、
2H);7.2(s、5H);9.31(m、1H)。
【0019】工程B:(2S−trans )−1−フェニル
メトキシ−3−メトキシ−4−オキソ−2−アゼチジン
カルボン酸メチル 工程Aで得た混合物を−10℃で5ccの1/1ピリジン
/CH2 Cl2混合物に溶解し、0.1mlの塩化メシルを
加え、反応混合物を4時間かきまぜる。CH2Cl2で抽
出した後、粗生成物をアセトンに溶解し、200mg
(1.5当量)のK2 CO3 のアセトン懸濁液に60℃
で加える。1時間かきまぜ、濾過し、クロマトグラフィ
ー(溶離剤:ACOEt/ヘキサン1/1)した後、4
0mgの所期生成物を単離した(収率=22%)。 〔α〕D 25 =+37°(c=0.54、CHCl3)。分析 :C13155 N 計算:C%58.85 H%5.70 N%5.28 実測: 58.83 5.74 5.53NMR 1 H(200MHz ) 3.43ppm (s、3H); 3.76(s、3H);
4.04(d、1H、J3.4 =1.5Hz);4.40
(d、1H、J3.4 =1.5Hz);5.08(q、2
H);7.34(s、5H)。
【0020】例2:(2S−trans )−1,3−ビス
(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジンカ
ルボン酸メチル工程A :〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−フェニルメトキシ−4−〔(フェニル
メトキシ)アミノ〕ブタン酸メチル 470mgの〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
3−フェニルメトキシブタンジ酸ジメチルを例1の工程
Aに記載のように処理する(600mgの炭酸カリウ
ム)。粗製残留物を840mgのO−ベンジルヒドロキシ
ルアミン塩酸塩及び1gのエチル−1−ジメチルアミノ
プロピル−3,3−カルボジイミド塩酸塩で直接処理す
る。シリカゲルでクロマトグラフィー(溶離剤:ACO
Et/ヘキサン 8:2)した後、50mgの〔2R−
(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−N,N’−3−ト
リス(フェニルメトキシ)ブタンジアミド及び400mg
の〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−4−オ
キソ−3−フェニルメトキシ−4−〔(フェニルメトキ
シ)アミノ〕ブタン酸メチルと〔2R−(R* ,R
* )〕−3−ヒドロキシ−4−オキソ−2−フェニルメ
トキシ−4−〔(フェニルメトキシ)アミノ〕ブタン酸
メチルとの約6/1の比(NMRによる)の混合物を単
離した。得られた生成物の物理−化学的データは次の通
り。分析 :C19216 N 計算:C%63.49 H%5.89 N%3.89 実測: 63.23 6.05 3.91NMR 1 H(60MHz ) 3.58ppm (s、3H);3.7−4.6(強い、5
H);4.85(s);7.1(m、10H)。 8.98及び9.78(s広い、1H% 6/1)。IR :νCO2 R=1730、 νCONHOR=1670。
【0021】工程B1 :(2S−trans )−1,3−ビ
ス(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジノ
カルボン酸メチル 150mgの工程Aで得た混合物をピリジン/塩化メチレ
ン混合物(1/1)中で塩化メチル(2当量0.6ml)
により−10℃で2時間処理する。抽出し、蒸発させた
後、残留物をアセトンに直接溶解し、1.5当量(83
mg)のK2 CO3 のアセトン懸濁液に60℃で加える。
20分たってから濾過し、溶媒を蒸発させた後、粗生成
物をシリカゲルでクロマトグラフィーする(溶離剤:A
COEt/ヘキサン1/1)。 27mgの所期生成物を単離した(収率=20%)。 〔α〕D 25 =+51°(c=0.69、CHCl3分析 :C19195 N 計算:C%66.84 H%5.61 N%4.10 実測: 66.82 5.72 3.96IR :νCO2 Me=1740、ラクタム=1790NMR 1 H(400MHz 、CDCl3) 3.75ppm (s、3H);4.04(d、1H、J
3.4 =1.5Hz);4.54(d、1H、J3.4
1.5Hz);4.67(q、2H);5.07(q、
2H);7.38(m、10H)工程B2 :(2S−trans )−1,3−ビス(フェニル
メトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジノカルボン酸メ
チル 300mgの工程Aで得た混合物と435mgのトリフェニ
ルホスフィンをアルゴン雰囲気下に5mlのテトラヒドロ
フランに溶解する。0.26ml(2当量)のアゾジカル
ボン酸ジエチルを注射器で加える。2時間後に溶液を蒸
発させ、残留物をクロマトグラフィーする(溶離剤:A
COEt/ヘキサン1/1)。このようにして、50mg
の出発物質のヒドロキサメート(17%)及び96mgの
所期生成物(工程B1 で得たものと同一)を単離した。
【0022】工程B’3 :〔2R−(R* ,R* )〕−
2−〔(4−メチルフェニルスルホニル)オキシ〕−4
−オキソ−3−(フェニルメトキシ)−4−〔(フェニ
ルメトキシ)アミノ〕ブタン酸メチル 440mgの工程Aで得た混合物を3ccのピリジンと2cc
のCH2 Cl2に−10℃で溶解する。2.5当量の塩化
トシル(580mg)を加え、全体をかきまぜながら−1
0℃で2日間放置する。抽出し、クロマトグラフィー
(ACOEt/ヘキサン2/8)した後、90mgの出発
物質、420mgの所期生成物及び〔2R−(R* ,R
* )〕−3−〔(4−メチルフェニルスルホニル)オキ
シ〕−4−オキソ−2−(フェニルメトキシ)−4−
〔(フェニルメトキシ)アミノ〕ブタン酸メチルを単離
した。所期生成物のNMRは次の通り。NMR 1 H(60MHz ) 2.3ppm (s、2H);3.55(s、3H);4.
3(s、2H);4.4(d、1H、J2.3 =2H
z);4.6(s、2H);5.25(d、1H、J
2.2 =2Hz);7−7.25(7H);7.6(d、
2H);8.7(m、1H)工程B”3 :(2S−trans )−1,3−ビス(フェニ
ルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジノカルボン酸
メチル 57mgの工程B’3 で得た生成物を3ccのアセトンに溶
解し、46mgの炭酸カリウムのアセトン懸濁液に60℃
で加える。1時間かきまぜた後、反応混合物を濾過し、
蒸発させる。上で得た生成物と同一のβ−ラクタム28
mgを定量的に得た。
【0023】例3:(2S−trans )−1−フェニルメ
トキシ−3−メトキシ−4−オキソ−2−アゼチジンカ
ルボン酸エチル工程A :〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−メトキシ−4−〔(フェニルメトキ
シ)アミノ〕ブタン酸エチル 610mgの〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
3−メトキシブタンジ酸ジエチルを例1の工程Aに記載
の条件下に930mgの炭酸カリウムで処理する。得られ
た粗生成物を1.34gのO−ベンジルヒドロキシルア
ミン塩酸塩及び1.6gのエチル−1−ジメチルアミノ
プロピル−3,3−カルボジイミド塩酸塩で処理する。
半時間反応させてから抽出し、クロマトグラフィー(溶
離剤:酢酸エチル−ヘキサン8:2)した後、40mgの
〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−3−メト
キシ−N,N’−ビス(フェニルメトキシ)ブタンジア
ミド沈殿、そして460mgの〔2R−(R* ,R* )〕
−2−ヒドロキシ−4−オキソ−3−メトキシ−4−
〔(フェニルメトキシ)アミノ〕ブタン酸エチルと〔2
R−(R* ,R* )〕−2−メトキシ−4−オキソ−3
−ヒドロキシ−4−〔(フェニルメトキシ)アミノ〕ブ
タン酸エチルとの混合物(7:1の比)を得た。分析 :C14196 N 計算:C%56.55 H%6.44 N%4.71 実測: 56.45 6.32 4.51NMR 1 H(60MHz ) 1.25ppm (t、3H);2.8(s、1H);3.
22(s)及び3.35(s、3H);4−4.85
(6H);7.18(s、5H);8.75及び9.2
5(7/1=1H)
【0024】工程B’:〔2R−(R* ,R* )〕−2
−〔4−(メチルフェニルスルホニル)オキシ〕−4−
オキソ−3−メトキシ−4−〔(フェニルメトキシ)ア
ミノ〕ブタン酸エチル 〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−4−オキ
ソ−3−メトキシ−4−〔(フェニルメトキシ)アミ
ノ〕ブタン酸エチルと〔2R−(R* ,R* )〕−2−
メトキシ−4−オキソ−3−ヒドロキシ−4−〔(フェ
ニルメトキシ)アミノ〕ブタン酸エチルとの生成物混合
物475mgを5ccのピリジンと2ccの塩化メチレンに溶
解する。−10℃で457mgの塩化トシルを加える。−
10℃で1夜放置した後、混合物を5.2ccの濃塩酸を
含有する冷水上に注ぐ、塩化メチレンで抽出し、シリカ
でクロマトグラフィー(溶離剤:酢酸エチル/ヘキサン
1:1)した後、110mgの出発物質、430mgの所期
生成物及び90mgの〔2R−(R* ,R* )〕−3−
〔(4−メチルフェニルスルホニル)オキシ〕−4−オ
キソ−2−メトキシ−4−〔(フェニルメトキシ)アミ
ノ〕ブタン酸エチルを回収した。所期生成物を塩化メチ
レン−ヘキサン混合物(8−2)より結晶化する。 m.p.=101−102℃。 〔α〕D 25 =+12°(c=1.03、CHCl3分析 :C21258 NS 計算:C%55.86 H%5.58 N%3.10 S%7.1 実測: 55.62 5.49 3.13 6.8NMR 1 H(60MHz ) 1.25ppm (t、3H);2.34(s、3H);
3.3(s、3H);4.2(q、2H);4.30
(d、J=3Hz、1H);4.68(d、2H);
5.35(d、J=3Hz、1H);7.1−7.3
(7H);7.7(d、2H);8.8(1H)
【0025】工程B”:(2S−trans )−1−フェニ
ルメトキシ−3−メトキシ−4−オキソ−2−アゼチジ
ンカルボン酸エチル 工程B’で得た生成物(245mg)を3ccのアセトン溶
液に溶解してなる溶液を223mgの炭酸カリウムのアセ
トン懸濁液に60℃で加える。1時間後に反応混合物を
濾過し、蒸発乾固させ、所期生成物を定量的に得た。 〔α〕D 25 =+37°(c=1.6、CHCl3分析 :C14175 N 計算:C%60.20 H%6.13 N%5.01 実測: 60.05 6.21 5.05NMR 1 H(60MHz ) 1.3ppm (t、3H);3.4(s、3H);4
(d、1H、J3.4 =1.5Hz);4.2(q、2
H);4.3(d、1H、J3.4 =1.5Hz);4.
98(s、2H);7.25(s、5H)
【0026】例4:(2S−trans )−1,3−ビス
(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジンカ
ルボン酸エチル工程A :〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−フェニルメトキシ−4−〔(フェニル
メトキシ)アミノ〕ブタン酸エチル 380mgの〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
3−フェニルメトキシブタンジ酸ジエチルを例1の工程
Aに記載のように430mgの炭酸カリウムで処理する。
得られた粗生成物を624mgのO−ベンジルヒドロキシ
ルアミン塩酸塩及び750mgのエチル−1−ジメチルア
ミノプロピル−3,3−カルボジイミド塩酸塩と半時間
反応させる。抽出し、クロマトグラフィーした後、18
0mgの出発物質、70mgの〔2R−(R* ,R* )〕−
2−ヒドロキシ−N,N’−3−トリス(フェニルメト
キシ)ブタンジアミド、そして290mgの〔2R−(R
*,R* )〕−2−ヒドロキシ−4−オキソ−3−フェ
ニルメトキシ−4−〔(フェニルメトキシ)アミノ〕ブ
タン酸エチルと〔2R−(R* ,R* )〕−3−ヒドロ
キシ−4−オキソ−2−フェニルメトキシ−4−〔(フ
ェニルメトキシ)アミノ〕ブタン酸エチルとの混合物を
単離した。所期生成物の物理化学的分析は次の通り。NMR 1 H(60MHz ) 1.2ppm (2t、3H);3.75−3.85(強
い、9H);7.18(10H);9.13及び9.3
3(1H、7/3)
【0027】工程B’:〔2R−(R* ,R* )〕−2
−〔(4−メチルフェニルスルホニル)オキシ〕−4−
オキソ−3−(フェニルメトキシ)−4−〔(フェニル
メトキシ)アミノ〕ブタン酸エチル 〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−4−オキ
ソ−3−フェニルメトキシ−4−〔(フェニルメトキ
シ)アミノ〕ブタン酸エチルと〔2R−(R* ,R
* )〕−3−ヒドロキシ−4−オキソ−2−フェニルメ
トキシ−4−〔(フェニルメトキシ)アミノ〕ブタン酸
エチルとの混合物を3ccのピリジンと2ccの塩化メチレ
ンに−10℃で溶解する。710mgの塩化トシルを加
え、混合物を−10℃で3日間放置し、次いで3.1cc
の12N塩酸を含有する氷水上に注ぐ。抽出し、クロマ
トグラフィー(溶離剤:酢酸エチル−ヘキサン1:1)
した後、100mgの出発物質、390mgの所期生成物及
び10mgの〔2R−(R* ,R* )〕−3−〔(4−メ
チルフェニルスルホニル)オキシ〕−4−オキソ−2−
(フェニルメトキシ)−4−〔(フェニルメトキシ)ア
ミノ〕ブタン酸エチルを単離した。所期生成物を塩化メ
チレン−ヘキサン混合物(7/3)より結晶化する。 m.p.=83−84℃。 〔α〕D 25 =+20°(c=0.87、CHCl3分析 :C27298 NS 計算:C%61.46 H%5.54 N%2.65 S%6.1 実測: 61.24 5.38 2.62 5.8NMR 1 H(60MHz ) 1.15ppm (t、3H);2.3(s、3H);4
(qd、2H);4.35(s、2H);4.4(d、
1H、J=2.5Hz);4.58(s、2H);5.
25(d、1H、J=2.5Hz);7.05−7.2
5(12H);7.6(d、2H);8.77(s広
い、1H)
【0028】工程B”:(2S−trans )−1,3−ビ
ス(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジン
カルボン酸エチル 5ccのアセトンに溶解した0.55mM(290mg)の
工程B’で得た生成物を、3当量(228mg)のK2
3 を5mlのアセトンに加えてなる懸濁液に60℃で添
加する。1時間かきまぜ、次いで濾過し、溶媒を蒸発乾
固させた後、156mg(収率=80%)の所期のアゼチ
ジノンをクロマトグラフィーにより単離した。 〔α〕D 25 =+40°(c=0.63、CHCl3分析 :C20215 N 計算:C%67.59 H%5.96 N%3.94 実測: 67.33 5.93 3.88NMR 1 H(80MHz 、CDCl3) 1.6ppm (t、3H);4.01(d、1H、J3.4
=1.5Hz);4.23(q、2H);4.55
(d、1H、J3.4 =1.5Hz);4.68(s、2
H);5.1(s、2H);7.4−7.6(10H)
【0029】例5:(2S−trans )−1−ヒドロキシ
−4−オキソ−3−フェニルメトキシ−2−アゼチジン
カルボン酸メチル 170mgの例2で得たアゼチジノンを10ccの酢酸エチ
ルに溶解し、170mgの5%パラジウム担持炭の存在下
に3バールの圧力下に1時間水素化する。次いで触媒を
濾過し、蒸発させ、クロマトグラフィーした後、100
mgの所期生成物を単離した。NMR 1 H(60MHz 、CDCl3) 3.7(s、3H);4.28(d広い、1H、J3.4
=1.5Hz);4.55(d広い、1H、J3.4
1.5Hz);4.55(d広い、1H、J3.4=1.
5Hz);4.62(s、2H);7.2(s、5H)
【0030】例6:(2S−trans )−1−ヒドロキシ
−4−オキソ−3−フェニルメトキシ−2−アゼチジン
カルボン酸エチル 115mgの例4で得たアゼチジノンを10ccの酢酸エチ
ルに溶解してなる溶液に115mgの5%パラジウム担持
炭を加える。3バールで1時間水素化した後、触媒を濾
過し、溶媒を蒸発させる。クロマトグラフィーによって
61mg(収率=77%)の所期アゼチジノンを単離し
た。NMR 1 H(200MHz 、CDCl3) 1.9(td、3H);4.22(qd、2H);4.
29(d、1H、J3. 4 =1.22Hz);4.52
(d、1H、J3.4 =1.22Hz);4.70(q、
2H);7.59(s、5H)
【0031】例7:(2S−trans )−4−オキソ−3
−メトキシ−2−アゼチジンカルボン酸エチル 270mgの例3で得たアゼチジノンを25ccの酢酸エチ
ルに溶解してなる溶液を270mgの5%パラジウム担持
炭の存在下に3バールの水素により1時間還元する。結
晶を濾過し、溶媒を蒸発させる。残留物を5ccのメタノ
ールに溶解し、アルゴン雰囲気下に30ccの炭酸水素ナ
トリウム水溶液(2.35g)及び4ccの20%塩化チ
タン水溶液(771mg)に加える。10%炭酸ナトリウ
ム水溶液によりpHを6.5に調節する。1時間かきま
ぜ、次いで酢酸エチルで抽出し、クロマトグラフィー
(溶離剤:酢酸エチル/ヘキサン2:8)した後、50
mgの所期生成物を得た。 〔α〕D 25 =+15°(c=1.3、CHCl3分析 :C7114 N 計算:C%48.55 H%6.40 N%8.09 実測: 48.01 6.39 7.88IR :COOR=1740;νラクタム=1795NMR 1 Hν(200MHz 、CDCl3) 1.32(t、3H);3.55(s、3H);4.1
5(d、1H、J3.4=2Hz);4.27(q、2
H);4.63(t、1H、J3.4 =J3.1 =2H
z);6.49(s広い、1H)
【0032】例8:(2S−trans )−1,3−ビス
(フェニルメトキシ)−4−オキソ−2−アゼチジンカ
ルボン酸メチル工程A :〔2S−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
3−フェニルメトキシブタンジ酸のモノメチルエステル 560mgの〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
3−フェニルメトキシブタンジ酸ジメチルを3.3ccの
りん酸塩緩衝液(0.1M、pH8)に溶解してなる溶
液に200単位のブタ肝臓エステラーゼ(PLE)をか
きまぜながら加える。1N水酸化ナトリウム溶液を加え
てpHを8に保つ。8時間反応させた後、出発物質をエ
ーテルで抽出する(30%)。水性相をアンバーライト
IRN77(H+ )で酸性化する。濾過し、酢酸エチル
で抽出した後、蒸発によって約10%の出発物質を含む
240mgの所期生成物を得た。工程B :〔2R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−
4−オキソ−3−フェニルメトキシ−4−〔(フェニル
メトキシ)アミノ〕ブタン酸メチル 工程Aで得た混合物を150mgのO−ベンジルヒドロキ
シルアミン塩酸塩及び300mgのエチル−1−ジメチル
アミノプロピル−3,3−カルボジイミド塩酸塩を含有
する5ccの含水テトラヒドロフランに溶解する。半時間
反応させた後、塩化メチレンで抽出を行い、所期生成物
(90%)と工程Aの出発物質(10%)との混合物を
得た。工程C :〔2R−(R* ,R* )〕−2−〔(4−メチ
ルフェニルスルホニル)オキシ〕−4−オキソ−3−
(フェニルメトキシ)−4−〔(フェニルメトキシ)ア
ミノ〕ブタン酸メチル 工程Bで得た生成物より出発し、400mgの塩化トシル
を5ccのピリジンに溶解したものを用いて例2の工程
B’3 におけるように実施する。720mgの混合物を得
た。クロマトグラフィーした後、200mgの所期生成物
を得た。工程D :(2S−trans )−1,3−ビス(フェニルメ
トキシ)−4−オキソ−2−アゼチジンカルボン酸エチ
ル 例2の工程B”3 におけるように実施し、例2で得た生
成物と同一の所期生成物を得た。
【0033】例9:(2S−cis )−1−アセトキシ−
4−オキソ〔〔(フェニルメトキシ)カルボニル〕アミ
ノ〕−2−アゼチジンカルボン酸エチル工程A :(2S−trans )−1−アセトキシ−4−オキ
ソ−3−フェニルメトキシ−2−アゼチジンカルボン酸
エチル 150mgの例6に記載のように得た(2S−trans )−
1−ヒドロキシ−4−オキソ−3−フェニルメトキシ−
2−アゼチジンカルボン酸エチルを8ccの無水塩化メチ
レンに溶解し、0.07ccの無水酢酸と0.012ccの
トリエチルアミンを加える。2時間反応させ、塩化メチ
レンで抽出した後、200mgの混合物を得、次いで13
6mgの所期生成物をクロマトグラフィーにより単離し
た。 〔α〕D 25 =+9.5°(c=3.31、CHCl3分析 :C15176 N 計算:C%58.62 H%5.58 N%4.56 実測: 58.45 5.74 4.84NMR 1 H(80MHz 、CDCl3) 1.27(t、3H);2.16(s、3H);4.2
2(q、2H);4.5(d、1H、J3.4 =2H
z);4.77(s広い、3H);7.35(s、5
H)工程B :(2S−trans )−1−アセトキシ−4−オキ
ソ−3−〔(トリフルオルメチルスルホニル)オキシ〕
−2−アゼチジンカルボン酸エチル 128mgの上で得た生成物を15ccの酢酸エチルに溶解
して128mgの10%パラジウム担持活性炭の存在下に
3バールの圧力下に1時間30分水素化する。触媒を濾
過し、溶媒を蒸発させ、得られた生成物を6ccの塩化メ
チレンで溶解する。0.1ccのピリジンと0.08ccの
トリフルオルメチルスルホン酸無水物を0℃で加える。
半時間反応させた後、反応混合物を冷塩化アンモニア水
に注ぎ、塩化メチレンで抽出する。60mgの所期生成物
を得た。NMR 1 H(80MHz 、CDCl3) 1.32(t、3H);2.2(s、3H);4.32
(q、2H);4.7(d、1H、J=2Hz);5.
7(d、1H、2Hz)工程C :(2S−cis )−1−アセトキシ−4−オキソ
−3−〔〔(フェニルメトキシ)カルボニル〕アミノ〕
−2−アゼチジンカルボン酸エチル 60mgの上記工程Aで得た生成物を8ccのベンゼンに溶
解し、30mgのナトリウムアジドと5%塩化トリカプリ
ルメチルアンモニウムを60℃で加える。1時間反応さ
せた後、塩化メチレンで抽出し、溶媒を蒸発し、残留物
を8ccの酢酸エチルに溶解し、100mgの10%パラジ
ウム担持活性炭の存在下に3バールの圧力下に水素化す
る。2時間後に触媒を濾過し、溶媒を蒸発させる。得ら
れた生成物を4ccのアセトン−水混合物(1:1)に溶
解し、0.024ccのクロルぎ酸ベンジルと28mgの重
炭酸ナトリウムを加える。1時間反応させ、蒸発乾固
し、塩化メチレンで溶解した後、残留物をクロマトグラ
フィーし、20mgの所期生成物を得た。
【0034】製造例 前記の例の開始時で用いた化合物は次のように製造し
た。製造1 :〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒドロキシ−3
−メトキシブタンジ酸ジメチル 450mgの〔R−(R* ,R* )〕−2,3−ジヒドロ
キシブタンジ酸ジメチルと50mgの無水塩化第一すずを
10mlのアセトニトリルに溶解し、ジアゾメタンのエー
テル溶液を、溶液が黄色を留めるまで0℃で加える。溶
媒を真空下に蒸発乾固し、残留物を短いシリカゲルカラ
ムでクロマトグラフィーする(溶離剤:酢酸エチル/ヘ
キサン1/2)。生成物を蒸留し、292mgの所期生成
物を単離した。 b.p.0.4 =35℃ 〔α〕D 25 =+32°(c=1.14、CHCl3
【0035】製造2:〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒ
ドロキシ−3−フェニルメトキシブタンジ酸ジメチル 3gの(4R−trans )−2−メチル−2−フェニル−
1,3−ジオキソラン−4,5−ジカルボン酸ジメチル
と3gのナトリウムシアノほう水素化物を35ccのアセ
トニトリルに溶解する。飽和HCl エーテル溶液をpH
が2となるまでかきまぜながら滴下する。周囲温度で2
時間後に、混合物をNaHCO3 の飽和水溶液上に注
ぎ、CH2 Cl2で抽出する。有機相を水洗し、乾燥し、
蒸発させる。その残留物を短いシリカカラムでクロマト
グラフィーする。シクロヘキサンで結晶化することによ
って所期の純モノベンジルエーテルを得た(2.55
g)。 m.p.=69℃ 〔α〕D 25 =+87°(c=0.98、CHCl3
【0036】製造2’:〔R−(R* ,R* )〕−2−
ヒドロキシ−3−フェニルメトキシブタンジ酸ジメチル 3gの〔R−(R* ,R* )〕−2,3−ジヒドロキシ
ブタンジ酸ジメチルをアルゴン雰囲気下に無水テトラヒ
ドロフランに溶解する。13.6mlの2.5Nのナトリ
ウムヘキサメチルジシラジドトルエン溶液を加え、次い
で10分後に2.4mlの臭化ベンジルを加える。混合物
を5時間かきまぜ、次いで氷上に注ぎ、CH2 Cl2で抽
出する。有機相を水洗し、乾燥し、蒸発させる。残留物
をシリカゲルカラムでクロマトグラフィーする。最初に
溶出する生成物は〔R−(R* ,R* )〕−2,3−ビ
ス(フェニルメトキシ)ブタンジ酸ジメチル(1.82
g)であり、次いで、製造2で得た生成物と同一の所期
生成物(1.35g)が溶出した。
【0037】製造3:〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒ
ドロキシ−3−メトキシブタンジ酸ジエチル 1.5gの〔R−(R* ,R* )〕−2,3−ジヒドロ
キシブタンジ酸ジエチルと100mgの無水塩化第一すず
を30ccのアセトニトリルに溶解する。0℃でジアゾメ
タンエーテル溶液を、溶液が黄色を留めるまで加える。
溶媒を真空下に蒸発させ、残留物をシリカゲルカラムで
クロマトグラフィー(溶離酸:酢酸エチル/ヘキサン1
/3)することによって精製する。得られた生成物を蒸
留し、1.2gの所期生成物を単離した。 b.p.0.5 =115℃ 〔α〕D 25 =+37°(c=1.09、CHCl3
【0038】製造4:〔R−(R* ,R* )〕−2−ヒ
ドロキシ−3−フェニルメトキシブタンジ酸ジエチル 3gの(4R−trans )−2−メチル−2−フェニル−
1,3−ジオキソラン−4,5−ジカルボン酸ジエチル
と3gのナトリウムシアノほう水素化物を35ccのアセ
トニトリルに溶解する。HCl 飽和エーテル溶液を滴下
してpHを2に調節する。周囲温度で2時間かきまぜた
後、CH2 Cl2で抽出する。溶媒を真空蒸発させた後、
残留物をシリカゲルカラムで濾過し、所期生成物を油状
物の形で得た(2.24g)。 〔α〕D 25 =+73°(c=1.35、CHCl3

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 次式VII 【化1】 (ここでRは1〜4個の炭素原子を有するアルキル基を
    表わし、R’dは水素原子又は保護されていてもよいヒ
    ドロキシル基を表わし、R3 は水素原子又はR’3
    (R’3 はアミノ基の保護基を表わす)を表わす)を有
    する化合物を製造するにあたり、次式Id 【化2】 (ここでRは前記の意味を有し、R’2 はヒドロキシル
    基の保護基を表わし、Rdは水素原子又は保護されたヒ
    ドロキシル基を表わす)の化合物に選択的脱保護反応を
    行って次式VIII 【化3】 (ここでR及びRdは前記の意味を有する)の化合物を
    得、この化合物に次式 R4 −OH (ここでR4 はスルホン酸残基を表わす)のスルホン酸
    誘導体を作用させて次式IX 【化4】 (ここでR、Rd及びR4 は前記の意味を有する)の化
    合物を得、式IXの化合物にアルカリ金属アジドを作用さ
    せて次式X 【化5】 (ここでR及びRdは前記の意味を有する)の化合物を
    得、式Xの化合物に水素化剤を作用させて次式 VIIa 【化6】 (ここでR及びR’dは前記の意味を有する)の化合物
    を得、必要ならば、式 VIIaの化合物にアミノ基の保護
    基の導入剤を作用させて次式 VIIb 【化7】 (ここでR、R’d及びR’3 は前記の意味を有する)
    の化合物を得、式 VIIa及び VIIbの化合物のR’dが
    保護されたヒドロキシル基を表わすときは、所望により
    これらの化合物に選択的脱保護反応を行って次式VIIc 【化8】 (ここでR及びR3 は前記の意味を有する)の化合物を
    得、所望ならばこの化合物に還元剤を作用させて次式 V
    IId 【化9】 (ここでR及びR3 は前記の意味を有する)の化合物を
    得ることを特徴とする、式VII の化合物の製造方法。
  2. 【請求項2】 出発時においてRdが保護されたヒドロ
    キシル基を表わす式Idの化合物を用いることを特徴と
    する請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 式IdにおいてRdがアシルオキシ基を
    表わすことを特徴とする請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 スルホン酸誘導体がトリフルオルメチル
    スルホン酸の誘導体であることを特徴とする請求項1記
    載の方法。
JP6093847A 1984-11-02 1994-04-08 3−アミノ−2−アゼチジノン誘導体の製造方法 Expired - Lifetime JPH0759553B2 (ja)

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