JPS61152014A - フオトマスクの欠陥修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はフォトマスクのガラス基板上に形成されたパタ
ーンに発生したピンホール、欠落なとの欠陥を修正する
方法に関するものである。

〔発明の背景〕

半導体装置の製造に用いられるフォトマスクのガラス基
板上に形成されたパターンに発生する欠陥には、残留欠
陥と欠落欠陥の二種類があることは公知である。これら
の欠陥は、ＬＳＩなどの半導体の歩留りを左右するため
、前記欠陥の修正が不可欠である。

上記残留欠陥は、例えば特公昭５２−９５０８号公報に
記載されているように、レーザにより容易に修正するこ
とが可能である。

一方、Ｍ２図（ａ）に示すようにガラス基板１上に選択
的に形成されたパターン２の一部に発生した欠落による
欠落欠陥３の修正には、リフトオフ法が適用されている
。この方法は下記の５工程、すなわち第２図（ｂ）〜（
ｆ）に示す工程により行われる。

（Ｉ）　　第１工程は同（ｂ）に示すように、フォトマ
スクのパターン２の上面全体にポジ型フォトレジスト膜
４を塗布する工程。

（Ｉ）第２工程は同（ｅ）に示すように、部分電光法を
用いて欠落欠陥３０部分のみに光５を照射して露光する
工程。

（１）　　第３工程は同（ｄ）に示すように、現像処理
を施すことにより欠落欠陥３を露出させる１乱（Ｂ／）
第４工程は同（ｅｔ）に示すように、真空蒸着技術によ
り欠落欠陥３と該欠陥５の周辺部のフォトレジスト膜４
上、またはフォトマスクのフォトレジスト膜４上全面に
金属膜６，６Ａを形成する工程。この場合、金属膜６，
６Ａの膜厚をフォトレジスト膜４の膜厚より小さくする
ことにより、フォトレジスト膜４上の金属膜６および欠
落欠陥３の部分の金属膜６Ａは、フォトレジスト膜４の
段差により分断状態となる。

Ｍ　第５工程は同（ｄ）に示すように、フォトレジスト
剥離液に浸漬してフォトレジスト膜４の除去を行い、同
時に金属膜６も除去する工程。

上記５つの行程を順次に実施することにより欠落欠陥５
の修正は終了するが、この方法では上記第５行程のフォ
トレジスト膜（４）の除去において、フォトレジスト膜
の露出部分が欠落欠陥３０部分のみであるため、剥離液
に浸漬した場合には、前記欠落欠陥３０部分から順次に
浴解し、完全に除去を終了するには長時間を要する恐れ
がある。

また、前記第１工程におけるフォトレジスト４の塗布時
に空気および異物が混入すると、現像処理によりフォト
レジスト膜４にピンホールを発生する恐れがある。さら
に、上記方法ではフォトレジスト膜４が一層であるため
、この状態で金属膜６を形成すると、ガラス基板１に金
ｌｌ！膜６が付着して新規の残留欠陥を発生することが
ある。

上記問題点におけるフォトレジスト膜４の除去時間を解
決する方法は、例えば特開昭５７−４４１５１号会報に
記載されている。この方法の概要を第５図（ａ）〜（ｅ
）について説明する。第６図（ａ）は前記従来の方法、
すなわち第２図（ｅ）に示す工程に該当するもので、こ
の工程で金Ｉｌ！膜６゜６Ａを形成し念後、第３図（ｂ
）に示す工程において、パターン２の欠陥部３の金属膜
６Ａ以外の金Ｘ膜６の一部にレーザ照射を行い、その部
分の金属膜６を除去して窓７を形成する。これによりフ
ォトレジスト膜４の露出面積が増大するなめ、前記金属
膜６の除去時間を大幅に短縮ことかできる。

ところが、レーザ照射により正常なパターン２にダメー
ジを与えることなく、上層の金属膜６のみを除去するこ
とは困難である。また、この方法においても、前記のよ
うにフォトレジスト膜４のピンホールにより、新規の残
留欠陥が発生を回避することは不可能である。

〔発明の目的〕

本発明は上記従来技術の問題点を解消し、フォトレジス
ト膜の除去時間を短縮すると共に、新規に残留欠陥が発
生するのを防止することを目的とするものである。

〔発明の概要〕

本発明は上記目的を達成するために、ガラス基板上に形
成され念パターンの欠落欠陥部のみに開口を有する第１
フオトレジスト膜ヲ前記パターン上に形成した後に、少
くとも前記欠陥部と該欠陥部以外に開口を有する第２フ
オトレジスト膜を前記第１フォトレジスト膜上に形成し
ついで前記欠陥部と該周辺部あるいは前記パターン全表
面に金属膜を形成した後、フォトレジスト剥離液に浸漬
して前記両フォトレジスト膜および不要の金属膜を除去
することを特徴とする０ 〔発明の実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面について説明する。第３
図は同実施例、すなわち欠陥修正方法の基本的な修正工
程を示す説明図である。

（Ｉ）　　第１工程は第３図（ａ）に示すように、ガラ
ス基板１上に欠落欠陥３を有するフォトマスクのパター
ン２の全表面に塗布したポジ型フォトレジスト膜４の一
部４ａ、すなわちパターン２の欠落欠陥６に対応する部
分のみを、部分露光法により露光した後、現像処理を行
つて欠落欠陥５を露出させる行程。

（Ｉ）ｇ２行程は同（ｂ）に示すように、第１フオトレ
ジスト膜４上にポジ型の第２フオトレジスト膜８を塗布
する工程。

（Ｉ）第５行程は同（ｃ）に示すように、部分露光法に
より前記欠落欠陥３に対応する部分およびこの部分以外
の部分に光５．５Ａをそれぞれ照射して露光する工程。

（１ｖ）ｌ！４工程は同（ｄ）に示すように、現儂処理
により前記欠落欠陥３を露出させると共に、第２フォト
レジスト膜８に窓９を開口させて第１フオトレジスト膜
４〜の一部４ａを露出させる工程。

（Ｖ）　　ｉ１５工程は同（ｅ）に示すように、真空蒸
着技術により前記欠落欠陥３とフォトレジスト膜４．８
上に金属膜６と６Ａ、６Ｂをそれぞれ形成する工程。こ
の場合、金属膜６，６Ａ。

６Ｂの膜厚を少くとも第２フォトレジスト膜８より小さ
くすることにより、第２フオトレジスト膜８上の金属膜
６Ｂと、欠落欠陥５の金属膜６および渠１フォトレジス
ト膜４上の金属膜６Ａとを分断状態にすることができる
。

（Ｖｌ）　　第６エ程は同（ｆ）に示すように、フォト
レジスト剥離液に浸漬して両フォトレジスト４゜８を除
去すると共に、不要な金属膜６Ａ、　６Ｂを除去する工
程。

上記の各工程を順次に実施することにより、パターンの
欠落欠陥を修正することができる。　　　　−上記第４
工程（第５図（ｄ））において、第２フォトレジスト膜
８に窓９を多数設け、また窓９の寸法を大きくするほど
、第２フォトレジスト膜８が剥離液に接触する面積を増
加させることができるので、両フォトレジスト膜４．８
の除去時間を短縮することが可能である。

また、第１．第２フォトレジスト膜４．８をそれぞれ別
個に形成するため、空気および異物の混入により、両フ
ォトレジスト膜４．８にピンホールがそれぞれ発生して
も、その両者のピンホールが重合することはほとんどな
いので、従来の修正方法のように新規の残留欠陥を発生
する恐れはない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、従来の修正方法
における設備を用いて、その修正方法よりも短時間に、
かつ確実にフォトレジスト膜および不要金属膜を除去す
ることが、まな、本発明によれば従来の修正方法では回
避できなかったフォトレジスト膜のピンポールによる新
規な残留欠陥の発生を防止することが可能である０

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わるフォトマスクの欠陥修正方法の
一実施例の修正工程を示す説明図、第２図および第５図
は従来の７オトマスクの各欠陥修正方法の修正工程を示
す説明図である。 １・・・ガラス基板　　　２・・・パターン３・・・欠
落欠陥

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ガラス基板上に形成されたパターンに欠落欠陥を有する
   フォトマスクの欠陥修正方法において、前記欠陥部のみ
   に開口を有する第１フォトレジスト膜を前記パターン上
   に形成する工程と、少くとも前記欠陥部および該欠陥部
   以外に開口を有する第２フォトレジスト膜を前記第１フ
   ォトレジスト膜上に形成する工程と、前記欠陥部と該欠
   陥周辺部および前記第２フオトレジスト膜全面上に金属
   膜を形成する工程と、フォトレジスト剥離液に浸漬する
   ことにより前記第１、第２フォトレジスト膜および前記
   欠陥部以外の前記金属膜を除去する工程とからなること
   を特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。