JPS61144853A - リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPS61144853A JPS61144853A JP59266176A JP26617684A JPS61144853A JP S61144853 A JPS61144853 A JP S61144853A JP 59266176 A JP59266176 A JP 59266176A JP 26617684 A JP26617684 A JP 26617684A JP S61144853 A JPS61144853 A JP S61144853A
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、リードフレームおよびそれを用いた半導体装
置に通用して有効な技術に関するものである。
置に通用して有効な技術に関するものである。
［９景技術］
電子機器の小型化の傾向にともなって、この電子機器に
用いられる半導体装置の需要も急増しているが、これに
応じる半導体装置としていわゆる樹脂封止型の半導体装
置がある。この樹脂封止型の半導体装置はリードフレー
ムのタブ上にインナーリードと結線されたペレットを取
付け、合成樹脂でモールドされてなるものである。
用いられる半導体装置の需要も急増しているが、これに
応じる半導体装置としていわゆる樹脂封止型の半導体装
置がある。この樹脂封止型の半導体装置はリードフレー
ムのタブ上にインナーリードと結線されたペレットを取
付け、合成樹脂でモールドされてなるものである。
この樹脂封止型の半導体装置は低コストで量産に適して
いるため、今後も需要が延びていくことが予想されてい
る。
いるため、今後も需要が延びていくことが予想されてい
る。
ところで、この樹脂封止型の半導体装置は他のガラス封
止型の半導体装置等に比べて耐湿性の点で劣ることが一
般に知られている。これは、封止材であるレジンがガラ
スもしくはセラミック等に比べて水分を通し易いためで
あると考えられている。
止型の半導体装置等に比べて耐湿性の点で劣ることが一
般に知られている。これは、封止材であるレジンがガラ
スもしくはセラミック等に比べて水分を通し易いためで
あると考えられている。
また、この理由に加えてさらに、タブ吊りリードとモー
ルドされたレジンの隙間から水分が侵入し易く、これが
ペレット腐食の原因となることが多いことが本発明者に
よって明らかにされた。
ルドされたレジンの隙間から水分が侵入し易く、これが
ペレット腐食の原因となることが多いことが本発明者に
よって明らかにされた。
すなわちタブ吊りリードはペレットを取付けたタブに直
結した状態で該リード切断面を外部に露出しているため
、外部からの水分を導き易いためであると考えられる。
結した状態で該リード切断面を外部に露出しているため
、外部からの水分を導き易いためであると考えられる。
今後、ペレットの高集積化にともなうペレット大型化に
よってタブ吊りリードが短くなるとさらにパンケージ内
部に水分が侵入し易くなることが予想される。
よってタブ吊りリードが短くなるとさらにパンケージ内
部に水分が侵入し易くなることが予想される。
したがって、高集積化した樹脂封止型の半導体装置にお
けるタブ吊りリードが原因となる水分の侵入を防止し、
装置の信頼性を長期にわたって維持することができる技
術を早急に開発する必要のあることがさらに本発明者に
よって明らかにされたのである。
けるタブ吊りリードが原因となる水分の侵入を防止し、
装置の信頼性を長期にわたって維持することができる技
術を早急に開発する必要のあることがさらに本発明者に
よって明らかにされたのである。
なお、樹脂封止型の半導体装置の技術として述べである
例としては、工業調査会、１９８０年１月１５日発行ｒ
ｌｃ化実装技術（日本マイクロエレクトロニクス協会り
Ｊ、Ｐ２Ｓ５がある。
例としては、工業調査会、１９８０年１月１５日発行ｒ
ｌｃ化実装技術（日本マイクロエレクトロニクス協会り
Ｊ、Ｐ２Ｓ５がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、樹脂封止型の半導体装置において、外
部からの水分の侵入を防止して信頼性の高い半導体装置
を得ることのできるリードフレームとそれを用いた半導
体装置の製造技術を提供することにある。
部からの水分の侵入を防止して信頼性の高い半導体装置
を得ることのできるリードフレームとそれを用いた半導
体装置の製造技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
〔発明の概要］
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、リードフレームのペレット非取付面側にすく
なくともタブおよびインナーリード先端部を覆う大きさ
の薄板材を取付け、該リードフレーム上のタブにペレッ
トを取付け、該ペレットとインナーリードとをワイヤボ
ンディングした後、タブ吊りリードの全部または一部を
切除することにより、タブ吊りリードが途中で切断され
、もしくはタブ吊りリードが全く無い状態で樹脂モール
ドすることができるため、タブ吊りリードを伝わる水分
の侵入を防止することができ、耐蝕性に優れた信頼性の
高い半導体装置を提供することができるのである。
なくともタブおよびインナーリード先端部を覆う大きさ
の薄板材を取付け、該リードフレーム上のタブにペレッ
トを取付け、該ペレットとインナーリードとをワイヤボ
ンディングした後、タブ吊りリードの全部または一部を
切除することにより、タブ吊りリードが途中で切断され
、もしくはタブ吊りリードが全く無い状態で樹脂モール
ドすることができるため、タブ吊りリードを伝わる水分
の侵入を防止することができ、耐蝕性に優れた信頼性の
高い半導体装置を提供することができるのである。
［実施例１］
第１図は本発明による実施例の一つである半導体装置の
製造方法に用いられる薄板材の取付けられたリードフレ
ームを示す裏面図である。
製造方法に用いられる薄板材の取付けられたリードフレ
ームを示す裏面図である。
第２図（ａｌ〜（４１）は本発明による実施例の一つで
ある半導体装置の製造方法を第１図のｎ−ｎ線における
断面図で順次段階的に示したものである。
ある半導体装置の製造方法を第１図のｎ−ｎ線における
断面図で順次段階的に示したものである。
本実施例で用いられるリードフレーム１はいわゆるディ
アルインラインパッケージ型の半導体装置のためのリー
ドフレームであり、通常は第１図に示す形状のものを一
単位として、左右両方向に複数単位を連結した形状から
なるものである。
アルインラインパッケージ型の半導体装置のためのリー
ドフレームであり、通常は第１図に示す形状のものを一
単位として、左右両方向に複数単位を連結した形状から
なるものである。
リードフレーム１はフレーム２ ａ、２ｂ’ｃ骨格とし
て、そのほぼ中央部にペレット装着用のタブ３が上下の
フレーム２ａに連結したタブ吊りリード４を介して設け
られており、左右両方向のフレーム２ｂからは中央のタ
ブ３方向に複数のリード５が延設されている。
て、そのほぼ中央部にペレット装着用のタブ３が上下の
フレーム２ａに連結したタブ吊りリード４を介して設け
られており、左右両方向のフレーム２ｂからは中央のタ
ブ３方向に複数のリード５が延設されている。
各リード５は、その長さ方向のほぼ中間位置において上
下フレーム２ａ方向に設けられているダム６に連結され
、支持されている。
下フレーム２ａ方向に設けられているダム６に連結され
、支持されている。
そして、リード５のダム６で囲まれた部分はインナーリ
ード５ａを形成し、このインナーリード５ａの先端には
たとえば、金、銀等のめっきが施されている。
ード５ａを形成し、このインナーリード５ａの先端には
たとえば、金、銀等のめっきが施されている。
また、該インナーリード５ａとタブ３の非ペレット取付
は面側には各タブ吊りリード４に当接する一部分に窓状
切抜部７を有し、該ダム６と上下方向のフレーム２ａで
囲まれる部分よりもわずかに小さい長方形状の合成樹脂
からなる薄板材８がエポキシ系の接着剤で取付けられて
いる。
は面側には各タブ吊りリード４に当接する一部分に窓状
切抜部７を有し、該ダム６と上下方向のフレーム２ａで
囲まれる部分よりもわずかに小さい長方形状の合成樹脂
からなる薄板材８がエポキシ系の接着剤で取付けられて
いる。
次に、本実施例の作用について第２図（ａ）〜（ｅ）に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
まず、図示しない治具上にリードフレーム１を載置し、
タブ３上にペレット９を銀ペースト１０で取付け、ペレ
ット９とインナーリード５とを金等のワイヤ１１を用い
て結線する（第２図（ａ）、（ｂ））。
タブ３上にペレット９を銀ペースト１０で取付け、ペレ
ット９とインナーリード５とを金等のワイヤ１１を用い
て結線する（第２図（ａ）、（ｂ））。
このとき、ウェッジボンディングまたはポールボンディ
ングとウェッジボンディングを併用することにより、低
温でボンディングを行えば、リードフレーム１の裏面に
取付けられた薄板材８に影響を与えることなくボンディ
ングが可能である。
ングとウェッジボンディングを併用することにより、低
温でボンディングを行えば、リードフレーム１の裏面に
取付けられた薄板材８に影響を与えることなくボンディ
ングが可能である。
次に、第２図（Ｃ１に示す様に、薄板材８の切抜部７上
のタブ吊りリード４を切抜部７の範囲で一定部分切断除
去する。
のタブ吊りリード４を切抜部７の範囲で一定部分切断除
去する。
次に、該リードフレーム１を図示しない封止治具上に載
置し、この封止治具にレジン１２を注入しペレット９お
よびインナーリード５ａをレジン封止する（第２図Ｆｄ
ｌ）、このとき、タブ吊りリード４が切断除去された状
態でレジン１２の注入を行っても、タブ３とインナーリ
ード５ａとは薄板材８によって固定支持されているため
、レジン圧によるペレット９の位置ずれが生じることは
ない。
置し、この封止治具にレジン１２を注入しペレット９お
よびインナーリード５ａをレジン封止する（第２図Ｆｄ
ｌ）、このとき、タブ吊りリード４が切断除去された状
態でレジン１２の注入を行っても、タブ３とインナーリ
ード５ａとは薄板材８によって固定支持されているため
、レジン圧によるペレット９の位置ずれが生じることは
ない。
次に、該レジンＩＺを冷却、固化した後、外部にはみ出
たタブ吊りリード４及びダム６を切断し、リード５を成
形することによって半導体装置が完成する。
たタブ吊りリード４及びダム６を切断し、リード５を成
形することによって半導体装置が完成する。
この様に、本実施例によればタブ吊りリード４がレジン
内で切断された状態で封止することができるため、タブ
吊りリード４を伝わる水分の侵入を防止することができ
る。
内で切断された状態で封止することができるため、タブ
吊りリード４を伝わる水分の侵入を防止することができ
る。
〔実施例２〕
第３図は本発明による他の実施例であるリードフレーム
を示す裏面図である。
を示す裏面図である。
本実施例２に示すリードフレーム２１は、実施例１で述
べたリードフレーム１とほぼ同様のものであるが、薄板
材２２の形状が異なるものである。
べたリードフレーム１とほぼ同様のものであるが、薄板
材２２の形状が異なるものである。
すなわち、本実施例における薄板材２２は、リードフレ
ーム２１のダム６と上下方向のフレーム２ａで囲まれる
部分よりもわずかに小さい長方形状をしており、タブ吊
りリード４に当接する部分には、該薄板材１３の短辺方
向からタブ３近傍にわたってタブ吊りリード４の幅より
も僅かに幅広の切り込み２３が形成されている。
ーム２１のダム６と上下方向のフレーム２ａで囲まれる
部分よりもわずかに小さい長方形状をしており、タブ吊
りリード４に当接する部分には、該薄板材１３の短辺方
向からタブ３近傍にわたってタブ吊りリード４の幅より
も僅かに幅広の切り込み２３が形成されている。
このように、本実施例２によれば、タブ吊りリード４上
の薄板材２２の切り込みがタブ３方向に向かって深く形
成されているため、タブ吊りり一ド４の切断、削除する
長さを大きくとることができ、封止後のタブ吊りリード
４を伝わる水分の侵入によるペレット９の腐食を極めて
効果的に防止することができる。
の薄板材２２の切り込みがタブ３方向に向かって深く形
成されているため、タブ吊りり一ド４の切断、削除する
長さを大きくとることができ、封止後のタブ吊りリード
４を伝わる水分の侵入によるペレット９の腐食を極めて
効果的に防止することができる。
さらに、本実施例２ではタブ３近傍以外のタブ吊りリー
ド４の殆ど全ての部分を切断、除去することが可能であ
るため、レジン封止後、タブ吊りリード４の切断面が外
部に露出していない半導体装置を提供することができる
。
ド４の殆ど全ての部分を切断、除去することが可能であ
るため、レジン封止後、タブ吊りリード４の切断面が外
部に露出していない半導体装置を提供することができる
。
［実施例３］
第４図は本発明によるさらに他の実施例であるリードフ
レームを示す裏面図である。
レームを示す裏面図である。
本実施例３のリードフレーム３１も、実施例１で述べた
リードフレーム１とほぼ同様のものであるが、薄板材３
２の形状が異なるものである。
リードフレーム１とほぼ同様のものであるが、薄板材３
２の形状が異なるものである。
すなわち、本実施例３における薄板材３２は、タブ３及
びインナーリード５ａの先端部を覆う最小限の大きさの
四角形状をしている。
びインナーリード５ａの先端部を覆う最小限の大きさの
四角形状をしている。
本実施例３によれば、少ない材料で″ＴＲ板材３２を製
造することができ、しかも実施例２と同様、タブ吊りリ
ード４の切断長さを大きくとることができ、封止後のタ
ブ吊りリードを伝わる水分の侵入によるペレット９の腐
食を極めて効果的に防止することができる。
造することができ、しかも実施例２と同様、タブ吊りリ
ード４の切断長さを大きくとることができ、封止後のタ
ブ吊りリードを伝わる水分の侵入によるペレット９の腐
食を極めて効果的に防止することができる。
また、タブ３の近傍以外のタブ吊りリード４の殆ど全て
の部分を切断、除去することが可能であるため、レジン
封止後、タブ吊りリード４の切断面が外部に露出してい
ない半導体装置を提供することができる。
の部分を切断、除去することが可能であるため、レジン
封止後、タブ吊りリード４の切断面が外部に露出してい
ない半導体装置を提供することができる。
［効果］
（１）、リードフレームをすくなくともタブおよびイン
ナーリード先端部を覆う大きさの薄板材を裏面に取付け
た構造とし、タブにペレットを取付け、該ペレットとイ
ンナーリードとをワイヤボンディングした後、タブ吊り
リードの全部または一部を切断、除去することにより樹
脂モールド後にタブ吊りリードを伝わる水分の侵入を防
止することができる。
ナーリード先端部を覆う大きさの薄板材を裏面に取付け
た構造とし、タブにペレットを取付け、該ペレットとイ
ンナーリードとをワイヤボンディングした後、タブ吊り
リードの全部または一部を切断、除去することにより樹
脂モールド後にタブ吊りリードを伝わる水分の侵入を防
止することができる。
（２１，Ｔ１１板材をリードフレームのダムとフレーム
で囲まれる部分よりもわずかに小さい長方形状とし、タ
ブ吊りリードに当接する部分に、該薄板材の短辺方向か
らタブ近傍にわたってタブ吊りリードよりも僅かに幅広
の切り込みを形成した構造とすることにより、タブ吊り
リードの切断長さ・を大きく４とることができ、封止後
のタブ吊りリードを伝わる水分の侵入によるペレット腐
食を極めて効果的に防止することができる。
で囲まれる部分よりもわずかに小さい長方形状とし、タ
ブ吊りリードに当接する部分に、該薄板材の短辺方向か
らタブ近傍にわたってタブ吊りリードよりも僅かに幅広
の切り込みを形成した構造とすることにより、タブ吊り
リードの切断長さ・を大きく４とることができ、封止後
のタブ吊りリードを伝わる水分の侵入によるペレット腐
食を極めて効果的に防止することができる。
（３１，１板材を、タブおよびインナーリード先端部を
覆う最小限の大きさの四角形状とすることにより、少な
い材料で薄板材を製造することができ、低コストで耐水
性に優れた半導体装置を提供することができる。
覆う最小限の大きさの四角形状とすることにより、少な
い材料で薄板材を製造することができ、低コストで耐水
性に優れた半導体装置を提供することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、薄板材の形状は四角形である必要はなく、円
形等であってもよい。
形等であってもよい。
また、薄板材の材質も合成樹脂に限らず、絶縁材料の如
（他のいかなる材質のものであってもよい。
（他のいかなる材質のものであってもよい。
Ｃ利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である、いわゆるデュアル
インラインパッケージ型の半導体装置に用いられるリー
ドフレームに適用した場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、タブ吊りリードを必要とする
もの、たとえばフラットパッケージ型の半導体装置のリ
ードフレームに適用しても有効な技術である。
をその背景となった利用分野である、いわゆるデュアル
インラインパッケージ型の半導体装置に用いられるリー
ドフレームに適用した場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、タブ吊りリードを必要とする
もの、たとえばフラットパッケージ型の半導体装置のリ
ードフレームに適用しても有効な技術である。
第１図は本発明による実施例１である半導体装置の製造
方法に用いられるリードフレームを示す裏面図、 第２図（ａ）〜（ｅｌは本発明による実施例１である半
導体装置の製造方法を順次段階的に示した断面図、第３
図は本発明による実施例２であるリードフレームを示す
裏面図、 第４図は本発明による実施例３であるリードフレームを
示す裏面図である。 １・・・リードフレーム、２ａ、２ｂ・・・フレーム、
３・・・タブ、４・・・タブ吊りリード、５・・・リー
ド、５ａ・・・インナーリード、６・・・ダム、７・・
・切抜部、８・・・薄板材、９・・・ペレット、１Ｇ・
・・銀ペースト、１１・・・ワイヤ、１２・・・レジン
、２１・・・リードフレーム、２２・・・薄板材、２３
・・・切り込み、３１・・・リードフレーム、３２・・
・薄板材。 第 １ 図
方法に用いられるリードフレームを示す裏面図、 第２図（ａ）〜（ｅｌは本発明による実施例１である半
導体装置の製造方法を順次段階的に示した断面図、第３
図は本発明による実施例２であるリードフレームを示す
裏面図、 第４図は本発明による実施例３であるリードフレームを
示す裏面図である。 １・・・リードフレーム、２ａ、２ｂ・・・フレーム、
３・・・タブ、４・・・タブ吊りリード、５・・・リー
ド、５ａ・・・インナーリード、６・・・ダム、７・・
・切抜部、８・・・薄板材、９・・・ペレット、１Ｇ・
・・銀ペースト、１１・・・ワイヤ、１２・・・レジン
、２１・・・リードフレーム、２２・・・薄板材、２３
・・・切り込み、３１・・・リードフレーム、３２・・
・薄板材。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、すくなくともタブおよびインナーリード先端部を覆
う大きさの薄板材がペレット非取付面側に取付けられて
いることを特徴とするリードフレーム。 ２、薄板材が合成樹脂で形成されてなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ３、すくなくともタブおよびインナーリード先端部を覆
う大きさの薄板材がペレット非取付面側に取付けられて
いるリードフレームのタブ上にペレットを取付け、該ペ
レットとインナーリードとをワイヤボンディングした後
、タブ吊りリードの全部または一部を切断除去し、樹脂
モールドしてなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 ４、半導体装置がディアルインラインパッケージ型の半
導体装置であることを特徴とする特許請求の範囲第３項
記載の半導体装置の製造方法。 ５、半導体装置がフラットパッケージ型の半導体装置で
あることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266176A JPS61144853A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59266176A JPS61144853A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144853A true JPS61144853A (ja) | 1986-07-02 |
Family
ID=17427315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59266176A Pending JPS61144853A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144853A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4788583A (en) * | 1986-07-25 | 1988-11-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing semiconductor device |
| US5550087A (en) * | 1990-08-15 | 1996-08-27 | Lsi Logic Corporation | Process for bonding a semiconductor die to a variable die size inner lead layout |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP59266176A patent/JPS61144853A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4788583A (en) * | 1986-07-25 | 1988-11-29 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of producing semiconductor device |
| US5550087A (en) * | 1990-08-15 | 1996-08-27 | Lsi Logic Corporation | Process for bonding a semiconductor die to a variable die size inner lead layout |
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