JPS61141671A - サイアロン焼結体の製造方法 - Google Patents
サイアロン焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61141671A JPS61141671A JP59262510A JP26251084A JPS61141671A JP S61141671 A JPS61141671 A JP S61141671A JP 59262510 A JP59262510 A JP 59262510A JP 26251084 A JP26251084 A JP 26251084A JP S61141671 A JPS61141671 A JP S61141671A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sialon
- sintered body
- sintering
- producing
- sialon sintered
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はサイアロン焼結体の製造方法の改良に関するも
のである。
のである。
(従来の技術)
サイアロン焼結体は、β−8faNaのSiをA1で、
Nを0でそれぞれ置換したβ′−サイアロンを主相とす
るものであり、耐熱性、耐酸化性。
Nを0でそれぞれ置換したβ′−サイアロンを主相とす
るものであり、耐熱性、耐酸化性。
耐蝕性などの特性に優れており、高温高強度構造用材料
として使用されている。
として使用されている。
サイアロン焼結体は通常、原料粉を混合し、成形した後
所定の温度において焼結することにより得られるもので
あり、従来はホットプレス法により焼結する方法が主体
であった。しかしながら、ホットプレス法では複雑形状
のものが作れずコストも高くなる欠点があり、これに代
る方法として、加圧N2中で焼結する方法も提案された
が、この方法は炉体の強度を高める必要があり、操作も
複雑となる点で実用上問題があった。
所定の温度において焼結することにより得られるもので
あり、従来はホットプレス法により焼結する方法が主体
であった。しかしながら、ホットプレス法では複雑形状
のものが作れずコストも高くなる欠点があり、これに代
る方法として、加圧N2中で焼結する方法も提案された
が、この方法は炉体の強度を高める必要があり、操作も
複雑となる点で実用上問題があった。
一方、大気圧のN2中で焼結を行ういわゆる常圧焼結法
も試みられており、この方法は、特に装置のコスl−、
操作の容易性、大量生産が容易であるなどの点で、工業
的に最も優れたサイアロンの焼結法であるため有望視さ
れている。しかしながら、常圧焼結法を行う場合には、
焼結中にSi3N4原料粉、およびサイアロンの熱分解
が起り、それが焼結収縮を妨げ、最終的な焼結体の組成
も原料組成ど異ってしまうという欠点があった。
も試みられており、この方法は、特に装置のコスl−、
操作の容易性、大量生産が容易であるなどの点で、工業
的に最も優れたサイアロンの焼結法であるため有望視さ
れている。しかしながら、常圧焼結法を行う場合には、
焼結中にSi3N4原料粉、およびサイアロンの熱分解
が起り、それが焼結収縮を妨げ、最終的な焼結体の組成
も原料組成ど異ってしまうという欠点があった。
この欠点をなくすために、原料成形体の周囲を粉末で覆
う方法が提案されており該粉末として、例えば、 ■成形体と同一組成の粉末を用いる方法。
う方法が提案されており該粉末として、例えば、 ■成形体と同一組成の粉末を用いる方法。
■S!3Ntと8! 02の混合粉末を用いる方法。
■5i3NaとBNの混合粉末を用いる方法。
などが知られている。
しかし、上記■■の方法を用いた場合には、原料粉末の
飛散を完全にはおさえられず、焼結歪が大きく、混合粉
末と成形体との付着、混合粉末の焼結同化等の問題があ
り、表面肌の良好なサイアロン焼結体を得ることは困難
であった。
飛散を完全にはおさえられず、焼結歪が大きく、混合粉
末と成形体との付着、混合粉末の焼結同化等の問題があ
り、表面肌の良好なサイアロン焼結体を得ることは困難
であった。
また、上記■の方法を利用すれば表面肌の良好な焼結体
を得ることが可能であるものの焼結時の歪が大きすぎる
ざるという欠点があった。
を得ることが可能であるものの焼結時の歪が大きすぎる
ざるという欠点があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明の目的は、常圧N2下の焼結によりながら従来法
における上記の問題点を解決し、焼結時の原料の飛散、
歪、原料成形体と混合粉末の反応などを防止し、表面肌
の良好なサイアロン焼結体を得ることができる方法を提
供することにある。
における上記の問題点を解決し、焼結時の原料の飛散、
歪、原料成形体と混合粉末の反応などを防止し、表面肌
の良好なサイアロン焼結体を得ることができる方法を提
供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は0.5〜2klJ/CI’のN2ガス雰囲気下
1600℃〜1900℃の焼結温度において、サイアロ
ン成形体をS!OzとBNを主成分とするスラリーを塗
布したるつぼ中で加熱焼結することを特徴とするもので
ある。
1600℃〜1900℃の焼結温度において、サイアロ
ン成形体をS!OzとBNを主成分とするスラリーを塗
布したるつぼ中で加熱焼結することを特徴とするもので
ある。
本発明者らはサイアロン焼結時の原料の飛散はSiOガ
スの発生が原因となることに看目し、焼結にあたっては
、SiOガスを発生さけること、また同時に成形体の分
解反応を抑制することが必要であることを考慮し、検討
の結果、S!02とBNを主成分とするスラリーをるつ
ぼに塗布して用いることにより、原料の飛散および焼結
歪を防止することを可能とし、また、従来法では得られ
難かった良好な焼結肌を有するサイアロン焼結体が容易
に得られる製造方法を確立したものである。
スの発生が原因となることに看目し、焼結にあたっては
、SiOガスを発生さけること、また同時に成形体の分
解反応を抑制することが必要であることを考慮し、検討
の結果、S!02とBNを主成分とするスラリーをるつ
ぼに塗布して用いることにより、原料の飛散および焼結
歪を防止することを可能とし、また、従来法では得られ
難かった良好な焼結肌を有するサイアロン焼結体が容易
に得られる製造方法を確立したものである。
(作用)
本発明において、サイアロン焼結体は、一般式8式%)
されるβ′−サイアロンを主相とし、他の相としてSi
、AI 、O,N等を含む非晶質相および/′または
結晶相を有するものである。
、AI 、O,N等を含む非晶質相および/′または
結晶相を有するものである。
本発明において、サイアロンの原料としては、3+ s
Na 、AI 203.AI N固溶体、Y2O3粉
末を用い、これらを混合し、この原料粉末を所定の形状
に各種成形法により成形する。この成形体をsr 02
とBNを主成分とするスラリーを塗布したるつぼ中に設
置するが、このるつぼはサイアロン、炭素、炭化ケイ素
、窒化ケイ素またはアルミナなどで作製される。
Na 、AI 203.AI N固溶体、Y2O3粉
末を用い、これらを混合し、この原料粉末を所定の形状
に各種成形法により成形する。この成形体をsr 02
とBNを主成分とするスラリーを塗布したるつぼ中に設
置するが、このるつぼはサイアロン、炭素、炭化ケイ素
、窒化ケイ素またはアルミナなどで作製される。
また、本発明において、上記スラリーにおける5t02
の重量比は30〜10%、BNの重量比は30〜70%
の範囲に入れることが望ましい。Si 02の混合量が
30%未満では成形体からのSiOの飛散を十分に防ぐ
ためのSi0分圧が得られず、70%を越えると成形体
の分解が生じる。また、8Nはるつぼとの反応防止のた
め30%以上混合される必要がある。本発明における上
記焼結温度は1600℃〜1900℃の範囲であれば良
い。1600℃未満では液相が生じないため緻密化が十
分には進まず、1900℃を越えるとSi3N4の分解
反応が著しく、大気圧N2の下では焼結が困難であるた
めである。
の重量比は30〜10%、BNの重量比は30〜70%
の範囲に入れることが望ましい。Si 02の混合量が
30%未満では成形体からのSiOの飛散を十分に防ぐ
ためのSi0分圧が得られず、70%を越えると成形体
の分解が生じる。また、8Nはるつぼとの反応防止のた
め30%以上混合される必要がある。本発明における上
記焼結温度は1600℃〜1900℃の範囲であれば良
い。1600℃未満では液相が生じないため緻密化が十
分には進まず、1900℃を越えるとSi3N4の分解
反応が著しく、大気圧N2の下では焼結が困難であるた
めである。
なお、より好ましい効果を得るためには1700℃〜1
850℃の範囲とすることが望ましい。また、本発明に
おいて、サイアロン焼結体の密度が80%未満では緻密
化がほとんど進んでおらず、焼結体の強度も著しく低く
、構造用材料として不適当であるため80%以上である
ことが好ましい。
850℃の範囲とすることが望ましい。また、本発明に
おいて、サイアロン焼結体の密度が80%未満では緻密
化がほとんど進んでおらず、焼結体の強度も著しく低く
、構造用材料として不適当であるため80%以上である
ことが好ましい。
しかして、焼結体の密度は、組成、焼結時の温度1時間
によって変化するので、密度80%以上となるように諸
条件を選択することは当然である。
によって変化するので、密度80%以上となるように諸
条件を選択することは当然である。
(実施例)
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例1
Si3Na(平均粒径0.3μ−α化率90%)。
Al203(平均粒径0.3μmα化率99.9%)。
AIN固溶体(平均粒径3μm)をZ = 0.5の組
成となるようにし、高純度アルミナを媒体としてイソプ
ロビルアルコール(IPA)中でボールミルによる混合
を行った後乾燥し、金型プレスにより成形した。得られ
た成形体を重量比でS! 02 :BNIPAの比が1
:1:4となるスラリーを塗布したサイアロンるつぼ中
に置き、1800℃で1時間焼結した。第1表に本発明
と従来法で夫々焼結を行った場合の焼結前後の重量変化
、相対密度。
成となるようにし、高純度アルミナを媒体としてイソプ
ロビルアルコール(IPA)中でボールミルによる混合
を行った後乾燥し、金型プレスにより成形した。得られ
た成形体を重量比でS! 02 :BNIPAの比が1
:1:4となるスラリーを塗布したサイアロンるつぼ中
に置き、1800℃で1時間焼結した。第1表に本発明
と従来法で夫々焼結を行った場合の焼結前後の重量変化
、相対密度。
焼結歪の良否についての検討結果を示す。第1表より、
本発明の効果が明らかである。
本発明の効果が明らかである。
第1表
実施例2
実施例1と同様な手順で焼結条件を変化させて行ったと
きの焼結体の重量変化を第2表に示す。
きの焼結体の重量変化を第2表に示す。
以上詳述したように、本発明によると、スリップキャス
ト、インジェクションモールド等の成形法による複雑形
状の成形体の焼結が可能であり、このため、複雑な形状
の構造用部品を安価に作製し得る利点がある。さらにま
た、本発明によれば焼結時のII&減少が少なく、歪は
小さく高密度であって、焼結体の表面肌の良好なものが
容易に得られるという特長がある。
ト、インジェクションモールド等の成形法による複雑形
状の成形体の焼結が可能であり、このため、複雑な形状
の構造用部品を安価に作製し得る利点がある。さらにま
た、本発明によれば焼結時のII&減少が少なく、歪は
小さく高密度であって、焼結体の表面肌の良好なものが
容易に得られるという特長がある。
第2表
]
本発明の焼結法により得たサイアロン焼結体は、ガスタ
ービン部品等の高温材料として、極めて広い応用範囲を
持つものであり、その工業上の効果手続補正口 昭和60年 3月13日
ービン部品等の高温材料として、極めて広い応用範囲を
持つものであり、その工業上の効果手続補正口 昭和60年 3月13日
Claims (4)
- (1)一般式Si_6_−_ZAl_ZO_ZN_8_
−_Z(Zは0〜4.2)で表わされるβ′−サイアロ
ンを主相とし、他の相としてSi、Al、O、Nを含む
相を有するサイアロン焼結体を製造するに際して、原料
粉末の混合粉を成形した後、該成形体をSiO_2およ
びBNを主成分とするスラリーを塗布したるつぼ内に置
いて、N_2ガス分圧が0.5〜2kg/cm^2の雰
囲気下で焼結することを特徴とするサイアロン焼結体の
製造方法。 - (2)上記焼結温度が1600℃〜1900℃であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のサイアロン
焼結体の製造方法。 - (3)上記焼結体の密度が理論密度の80%以上である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記
載のサイアロン焼結体の製造方法。 - (4)上記るつぼがサイアロン、炭素、炭化ケイ素、窒
化ケイ素、またはアルミナのいずれかにより構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項
のいずれかに記載のサイアロン焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59262510A JPS61141671A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | サイアロン焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59262510A JPS61141671A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | サイアロン焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61141671A true JPS61141671A (ja) | 1986-06-28 |
Family
ID=17376799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59262510A Pending JPS61141671A (ja) | 1984-12-12 | 1984-12-12 | サイアロン焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61141671A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017008649A1 (de) | 2016-09-20 | 2018-03-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Sialon-sinterkörper, verfahren zu dessen herstellung, verbundsubstrat und elektronische vorrichtung |
-
1984
- 1984-12-12 JP JP59262510A patent/JPS61141671A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017008649A1 (de) | 2016-09-20 | 2018-03-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Sialon-sinterkörper, verfahren zu dessen herstellung, verbundsubstrat und elektronische vorrichtung |
KR20180031588A (ko) | 2016-09-20 | 2018-03-28 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 사이알론 소결체, 그 제조법, 복합 기판 및 전자 디바이스 |
US10399906B2 (en) | 2016-09-20 | 2019-09-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Sialon sintered body, method for producing the same, composite substrate, and electronic device |
DE102017008649B4 (de) | 2016-09-20 | 2023-01-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Sialon-sinterkörper, verfahren zu dessen herstellung, verbundsubstrat und dessen verwendung in einer elektronischen vorrichtung |
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