JPS6113656A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にＭＩＳ型コ
ンデンサを集積回路素子として作り込む方法に係る。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

通常、半導体集積回路におけるコンデンサはＭＯ８構造
を有している。すなわち、フィールド絶縁膜によって囲
まれ、ＭＯ８型コンデンサの一方の電極となるシリコン
基板の表面に薄い酸化膜が形成され、この酸化膜上に電
極が形成されている。こうしたＭＯ８型コンデンサを構
成する薄い酸化膜は、通常の半導体製造工程の途中で形
成される酸化膜のうち最適なものを選択するか、又は特
別に最終工程でコンデンサ形成予定部の基板を露出させ
た彼、酸化工程を施すことによ多形成される。

しかし、酸化膜の誘電率εは約３．８と小さいため、単
位面積当シの容量が小さく、素子の微細化にとっては不
利である。

そこで、コンデンサを構成する絶縁膜として誘電率εが
約７．８と高い窒化ケイ素膜を用いたＭＩＳ型コンデン
サが提案されている。このようすＭＩＳ型コンデンサを
バイポーラデバイスに組込む場合の製造方法の一例を第
１図（＆）及び（ｂ）を参照して説明する。

まず１通常の工程に従い、Ｐ型シリコン基板１表面にＮ
＋ｆｉ埋込み層２を形成し、更にＮ型エピタキシャル層
３を成長させる。次に、エピタキシャル層３の一部に一
型累子分離領域４を形成する。つづいて、全面にフィー
ルド酸化膜となる熱酸化膜５を形成する。つづいて、フ
ィールド酸化膜５の一部を選択的にエツチングした後、
ポロンを拡散してＰ型ベース領域６を形成し、更にその
表面に熱酸化Ｍ７を形成する。つづいて、熱酸化膜５及
び熱酸化膜７の一部を選択的にエツチングした後、例え
ばヒ素を拡散することによＦ）　Ｎ”−ｍエミッタ領域
８．Ｎ＋型コレクｆｉコンタクト領域９及びコンデンサ
用の炉型拡散層１０を形成する。つづいて、これらの領
域の表面に熱酸化膜１１を形成する（第１図（、）図示
）。次いで、コンデンサ用の耐型拡散層１０表面の熱酸
化膜１ノの一部を選択的にエツチングした後、全面に窒
化シリコン膜を堆積し、更にノｆターニングしてλ（Ｉ
ｓ型コンデンサを構成する仝化シリコン膜１２を形成す
る。つづいて、熱酸化膜７及び熱酸化膜１）の一部を選
択的にエツチングした後、全面にＡｔを堆積し、更にノ
４ターニングしてエミッタ電極１３．ベース電極１４、
コレクタ電極１５．コンデンサ用の拡散取出し電極１６
及びコンデンサ用の電極１７を形成する（同図（ｂ）図
示）。

上述したような製造方法では、基板１表面を充分な膜厚
を有する酸化膜で被覆できる半導体装置、例えば深い接
合からなるトランゾスタ等が形成されているような場合
には、コンデンサを構成する窒化シリコン膜１２を形成
する際に何ら問題は生じない。

しかし、浅い接合からなるエミッタ領域を形成するため
にウォッシュトアウトエミ、タデロセスを用いたような
場合には問題が生じる。このプロセスでは第２図に示す
ようにエミッタ領域予定部表面に薄い熱酸化Ｍ１１を形
成しておき、この薄い酸化膜１ノを通して例えば砒素を
イオン注入することによシェミッタ領域８を形成する。

一方、この後に形成されるコンデンサ用の窒化シリコン
膜は通常レソスト等をマスクとしてケミカルドフィエッ
チング（ＣＤｇ）又は反応性イオンエツチング（ＲＴＥ
）によりノぐターニングする。ところが、エミッタ領域
８表面に形成されている熱酸化膜ノ１は非常に薄いので
、いずれのエツチング方法に対してもエミッタ領域８の
表面を保護することができない。

また、第３図に示すように例えばリンドープ多結晶シリ
コン膜１８を拡散源としてセルファラインでエミッタ領
域８を形成し、この多結晶シリコン膜１８を電極の一部
として用いるという方法でも、後の工程でコンデンサを
構成する窒化シリコン膜を形成する際に問題が生じる。

すなわち、ＣＤｇ法によシ窒化シリコン膜をパターニン
グする際、多結晶シリコン膜１８は選択性なくエツチン
グされてしまうという欠点がある。

以上のような欠点を解消するために、エミッタ領域を形
成する前に窒化シリコン膜を構成要素とするコンデンサ
を形成することも考えられる。しかし、窒化シリコン膜
の７９ターニング後に、エミッタ形成のためのイオン注
入を行なうと、窒化シリコン膜の表面が損傷を受ける。

また、多結晶シリコンを拡散源としてエミ、り領域を形
成する際、アウトディフュージョンを防止するために高
濃度のリン又はヒ素を含む絶縁膜と接触した状態で熱拡
散すると、窒化シリコ６一 ン膜の表面層が反応し、膜にストレスのためクラックが
発生したシ、溶融するといった性質がある。したがって
、薄くかつ良好な膜質を要求される窒化シリコン膜を制
御性よく形成することができず、コンデンサの信頼性を
確保することが困離である。

〔発明の目的〕

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであシ、誘電率
の高い絶縁膜を用いた場合に他の素子を損傷することな
く信頼性の高いコンデンサを安定して製造し得る半導体
装置の製造方法を提供し、ようとするものである。

〔発明の概要〕

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板表面にフ
ィールド絶縁膜を形成し、該フィールド絶縁膜に囲まれ
たコンデンサ形成領域の基板表面を露出させる工程と、
コンデンサ形成領域の基板上にコンデンサを構成する第
１の絶縁膜及び該第１の絶縁膜に対して選択エツチング
性を有する第２の絶縁膜を順次形成する工程と、全面に
該第２の絶縁膜に対して選択エツチング性を有する第３
の絶縁膜を堆積した後、その一部を選択的に除去して第
２の絶縁膜の一部を露出させる工程と、露出した第２の
絶縁膜を除去して前記第１の絶縁膜の一部を露出させる
工程と、全面に電極材料を堆積した後、パターニングし
て少なくとも露出した第１の絶縁膜を覆う電極を形成す
る工程とを具備したことを特徴とするものである。

このような方法によれば、他の素子を形成する前にコン
デンサを構成する第１の絶縁膜及びこれを保護する第２
の絶縁膜を形成しておき、他の素子を形成する際のイオ
ン注入や熱拡散においては第２の絶縁膜によシ第１の絶
縁膜を保護することができるので、他の素子を損傷する
ことなく、所定の膜厚及び良好な膜質を有する第１の絶
縁膜を構成要素とする高信頼性のコンデンサを安定して
形成することができる。

〔発明の実施例〕

実施例１ まず、通常の工程に従い、Ｐ型シリコン基板２１表面に
蛸型埋込み層２２、コレクタ領域となるＮ型エピタキシ
ャル層２３及びＰ＋型素子分離領域２４を順次形成した
後、１型コレクタコンタクト領域２５及びコンデンサの
一方の電極となる耐型拡散層２６を同時に形成する。次
に、全面に膜厚４０００〜４５００Ｘのフィールド絶縁
膜となる酸化膜２７を形成する（第４図（ａ）図示）。

次に、写真蝕刻法によりペース形成領域、コレクタコン
タクト形成領域、コンデンサ形成領域及びコンデンサ用
の拡散取出し領域上の酸化膜２７を選択的にエツチング
した後、これらの領域の表面にイオン注入の不純物分布
制御用の膜厚的１０００Ｘの熱酸化膜２８を形成する（
同図（ｂ）図示）。

次いで、コンデンサ形成領域上の熱酸化膜２８を選択的
にエツチングした後、全面にＬＰＣＶＤ法によシ膜厚約
５００Ｘの窒化シリコン膜を、更Ｋ　ＣＶＤ、法により
膜厚的１０００〜２０００ＸのＣＶＤ酸化膜を順次堆積
する。つづいて、ＣｖＤ酸化膜を例えばフッ化アンモニ
ウム液により、また窒化シリコン膜をＣＤＩ法によシ順
次パターニングして、コンデンサを構成する窒化シリコ
ン膜（第１の絶縁膜）２９及びこの窒化シリコン膜２９
を保護するためのＣＶＤ酸化膜（第２の絶縁膜）３０を
形成する。このＣＤＩ法による窒化シリコン膜のＡＩパ
ターニング際、基板表面の熱酸化膜２８は充分な厚さを
有しているので、基板表面が損傷されることはない。つ
づいて、がロンを選択的にイオン注入するととによシＰ
型ペース領域３ノを形成する（同図（ｃ）図示）。

次いで、全面にＬＰＣＶＤ法によジノ９ツシペーシヨン
膜及びセルファラインのマスクとなる膜厚的１０００〜
１２００Ｘの窒化シリコン膜（第３の絶縁膜）３２を堆
積した後、ＣＤＥ法によシその一部を選択的にエツチン
グして、エミッタ電極形成領域、ベース電極形成領域、
コレクタ電極形成領域及びコンデンサ用の拡散取出し電
極形成領域の表面の熱酸化膜２８並びにコンデンサ形成
領域の表面のＣＶＤ酸化膜３０の一部を露出させる。こ
のＣＤＥ法による窒化シリコン膜３２のエツチングの際
にも、熱酸化膜２８が充分な膜厚を有しているので、ペ
ース領域３１等の表面が損傷されることはない（同図（
ｄ）図示）。

次いで、図示しないホトレソストパターンを形ｌｉｔ　
Ｌ　タ七％仁のホトレゾスト・量ターン及び窒化シリコ
ン膜３２をマスクとしてエミッタ電極形成領域の表面の
熱酸化膜２８を選択的にエツチングした後、前記ホトレ
ゾストノ９ターンを除去する。つづいて、窒化シリコン
膜３２をマスクとしてリン又はヒ素をドーズ：ｔｌＯ１
５〜１ｏ”ｙ−Ｊの条件でイオン注入することによりｒ
型エミッタ領域３３を形成する。このイオン注入の際。

コンデンサを構成する雪化シリコン膜２９上にはＣＶＤ
酸化膜３０が被覆されているので、窒化シリコン膜２９
の表面が損傷されることはない。

つづいて、残存している窒化シリコンＭ、９２をマスク
トシて、フッ化アンモニウム液を用イて露出している熱
酸化膜２８及びＣＶＤ酸化膜３０をエツチングし、セル
ファラインで電極用の開孔部を形成する。つづいて、全
面に電極材料を堆積した彼、・母ターニングしてエミッ
タ電極３４、ペース１Ｍ。極ｓｓ、コレクタ電極３６、
コンデンサの電極３７及びコンデンサ用の拡散取出し電
極３８を形成し、ＮＰＮ　）ランゾスタを製造する（同
図（、）図示）。

しかして上記方法によれば、浅い接合を有するエミッタ
領域３３を形成する前に、第４図（ｃ）の工程でコンデ
ンサを構成する窒化シリコン膜（第１の絶縁膜）２９及
びこれを保護するＣＶＤ酸化膜（第２の絶縁膜）ＳＯを
形成しているので、第４図（ｄ）の工程でセルファライ
ンのマスクとなる窒化シリコン膜（第３の絶縁膜）３２
を形成した後、第４図（、）の工程でエミッタ形成用の
イオン注入を行なう際にコンデンサを構成する窒化シリ
コン膜２９の表面が損傷されることはない、したがって
、窒化シリコン膜２９を所定の膜厚及び良好な膜質とす
ることができ、コンデンサの信頼性を確保するととがで
きる。

また、第４図（、）の工程で窒化シリコン膜３２をセル
ファラインのマスクとし、エミッタ形成用の開孔部を形
成し、イオン注入により浅い接合を有するエミッタ領域
３３を形成できるので。

第４図（ｂ）の工程で形成される熱酸化膜２８はウォッ
シュアウトエミッタプロセスの場合のように非常に薄い
ものでなくともよい。したがって、面が損傷されること
はない。

以上のように誘電率の高い窒化シリコン膜を用いても、
他の素子を損傷することなく信頼性の高いコンデンサを
形成することができ、単位面積当シの容量が増加するた
め、一定値の容量に対して寄生容量がほぼ〃となυ、Ａ
Ｃ特性を向上することができる。

なお、上記実施例１では第４図（ｃ）の工程でコンデン
サを構成する窒化シリコン膜２９及びこれを保護するＣ
ＶＤ酸化膜３０を形成した後、ベなかった場合に、ホッ
トリン酸液又はＲＩＥでエツチング除去し、形成し直す
ことを考慮すると。

上記実施例１のように窒化シリコン膜２９及びＣＶＤ酸
化膜３０を形成した後、ベース領域３１を形成すること
が望ましい。

実施例２ エミッタ領域を多結晶シリコン膜を拡散源として形成す
る場合について第５図（、）及び（ｂ）を参照して説明
する。

まず、上記実施例１の第４図（ａ）〜（ｅ）　ｉでの工
程を経た後、エミッタ形成領域表面の熱酸化膜２８をエ
ツチングして開孔部を形成する。次に、ＬＰＣＶＤ法に
よシ全面にリンドーゾ多結晶シリコン膜を堆積した後、
　ＣＤＩ法又はＲＩＥ法によりパターニングしてエミッ
タ電極の一部となシ、拡散源を兼ねる多結晶シリコン膜
・量ターン３９を形成する。つづいて、全面に７４　ツ
シペーション膜としてＰＳＧ膜（第３の絶縁膜）４０を
堆積した後、熱拡散を行ない炉型エミ、り領域４１を形
成する（第５図（ａ）図示）、次いで、ＰＥＧ膜４０の
一部を選択的にエツチングして多結晶シリコン膜ノ臂タ
ーン３９、ペースを極形成ａ域、コレクタ電極形成領域
及びコンデンサ用の拡散取出し電極形成領域の表面の熱
酸化膜２８並びにコンデンサ形成領域の表面のＣＶＤ酸
化膜３０を露出させる。つづいて、露出した熱酸化膜２
８及びＣＶＤ酸化膜３０をエツチングして電極用の開孔
部を形成する。つづいて、全面に電極材料を堆積した後
、　ノｆターニングしてエミッタを極４２．ペース電極
４３．コレクタ電極４４゜コンデンサの電極４５及びコ
ンデンサ用の拡散取出し電極４６を形成する（同図（ｂ
）図示）。

しかして上記実施例２の方法によれば、多結晶シリコン
膜ｉｅターン３９からリンを熱拡散させる際、コンデン
サを構成する窒化シリコン膜２９上にＣＶＤ酸化膜３０
が形成されているので。

リンのアウトディフユーソヨンを防止するためのＰＳＧ
膜４θと窒化シリコン膜２９０表面層が反応してクラッ
クが発生したシ、溶融したシすることがない。したがっ
て、コンデンサの信頼性を確保することができる。また
、エミッタ領域４１を形成する前にコンデンサ＊　ｔｉ
ｔ成する窒化シリコン膜２９を形成しているので、従来
の方法のように窒化シリコン膜２９のＣＤＥ法によるノ
ｆターニング時に多結晶シリコン膜ノ母ターン３９が同
時にエツチングされてしまうという問題が生じないのは
当然である。

なお、上記実施例２ではエミッタ領域４１を形成するた
めの不純物としてリンを用い、ノ臂ツシペーション膜と
してＰＳＧ膜４０のみを被覆したが、ヒ素ドーゾ多結晶
シリコンからヒ素を拡散させてエミッタ領域４ノを形成
する場合には。

パッシベーション膜とし１不純物無添加ＣＶＤ酸化膜及
びＰＳＧ膜を被覆し、リンがエミッタ領域４１へ侵入す
るのを防止することが望ましい。

実施例３ 回路上、寄生容量の入る箇所を上記実施例１及び２の場
合と変えた実施例について第６図（−〜（ｄ）を参照し
て説明する。なお、第６図（ａ）〜（ｄ）ではコンデン
サ形成領域のみを図示する。

まず、通常の工程に従い、Ｐ型シリコン基板５１表面に
雄型埋込み層５２．Ｎ型エピタキシャル層５３及びｐ！
−型素子分離領域５４を形成し、更に全面にフィールド
絶縁膜と彦る酸化膜５５を形成する。次に、コンデンサ
形成領域（及びコンデンサ用の拡散取出し電極形成領域
）とエピタキシャル層取出し電極形成領域の表面の酸化
Ｍ５５を選択的にエツチングした後、これらの領域の表
面に熱酸化膜５６ｆ、形成する（第６図（、）図示）。

次いで、コンデンサ形成領域（及びコンデンサ用の拡散
取出し電極形成領域）以外を覆うホトレゾストノ臂ター
ン５７を形成した後、これをマスクとしてがロンをイオ
ン注入することによシエピタキシャル層５３内にコンデ
ンサの一方の電極となるＰ＋型拡散層５８を形成する（
同図（ｂ）図示）。次いで、ホトレソストパターン５７
を除去した後、コンデンサ形成領域の表面の熱酸化膜５
６を選択的にエツチングし、更に全面にＬＰＣＶＤ法に
よ如窒化シリコン膜を、ＣＶＤ法によｐ　ＣＶＤ酸化膜
を順次堆積する。つづいて、これラヲ順次ノＪ？ターニ
ングして、コンデンサを構成する窒化シリコン膜（第１
の絶縁膜）５９及びこれを保護するＣＶＩ）酸化膜（第
２の絶Ｒ膜）６０を形成する（同図（ｃ）図示）。次い
で、全面にＬＰＣＶＤ法によりノ９ッシペーション膜及
びセルファラインのマスクとなる窒化シリコン膜（第３
の絶縁膜）６１を堆積した後、ＣＤＥ法Ｖζヨ）ソの一
部を選択的にエツチングして、エピタキシャル層取出し
電極形成領域及びコンデンサ用の拡散取出し電極形成領
域の表面の熱酸化膜５６並びにコンデンサ形成領域の表
面のＣＶＤ酸化膜６０の一部を露出させる。つづいて、
エピタキシャル層取出しｉｔ電極形成領域狭面の露出し
た熱酸化膜５６を選択的にエツチングした後、例えばリ
ンをイオン注入することにより　Ｎ＋型コンタクト領域
６２を形成する。つづいて、窒化シリコン膜６１をセル
ファラインのマスクとしてコンデンサ用の拡散取出し電
極形成領域の表面の露出した熱酸化膜５６及びコンデン
サ形成領域表面の露出したＣＶＤ酸化ｍ６θをエツチン
グし、電極用の開孔部を形成する。つづいて、全面に電
極材料を堆積した後、ノやターニングしてエピタキシャ
ル層取出し電ｉ６３１コンデンサの電極６４及びコンデ
ンサ用の拡散取出し電極６５を形成する（同図（ｄ）図
示）。

しかして上記実施例３の方法でも、上記実施例１と同様
に図示しないエミ、り領域等の表面を損傷することなく
、信頼性の高いコンデンサを形成することができる。

また、実施例１で製造されたコンデンサでは回路上、基
板（すなわちグランド電位）との間に寄生容量が入るの
で、グランドへのリーク電流が発生するおそれがちる。

これに対して実施例３で製造されたコンデンサではコン
タクト領域６２とオーεツク接触したエピタキシャル層
取出し電極６３に高電圧（■ｃｃ）を印加することによ
シ、回路上、寄生容量を印加電圧側に入れることができ
、グランドへのリーク電流を防止することができる。

実施例４ 素子分離領域にコンデンサを形成する実施例について第
７図（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。

まず、通常の工程に従い、Ｐ型シリコン基板７１表面に
継型埋込み層７２．Ｎ型エピタキシャル層２３及びｆ型
素子分離領域（コンデンサの一方の電極となる）７４を
順次形成し、更に全面にフィールド絶縁膜となる酸化膜
７５を形成する。つづいて、　ｐ”ｍ素子分離領域７４
のコンデンサ形成領域及びコンデンサ用の拡散取出し電
極形成領域の表面の酸化膜７５を選択的にエツチングし
、これらの領域の表面に熱酸化膜７６を形成する（第７
図（、）図示）。次いで、コンデンサ形成領域の表面の
熱酸化膜７６を選択的に工、チングした彼、全面に窒化
シリコン膜及びＣＶＤ酸化膜を順次堆積する。つづいて
、とれらを順次パターニングしてコンデンサを構成する
窒化シリコン膜（第１の絶縁膜）７７及びこれを保護す
るＣＶＤ酸化膜（第２の絶縁膜）７８を形成する（同図
（ｂ）図示）。次いで、全面に窒化シリコン膜（第３の
絶縁膜）２９を堆積した後、その一部を選択的にエツチ
ングし、コンデンサ用の拡散取出し電極形成領域の熱酸
化膜７６及びコンデンサ形成領域のＣＶＤ酸化膜７８を
露出させる。つづいて、露出した熱酸化膜７６及びＣＶ
Ｏ酸化膜７８をエツチングし、電極用の開孔部を形成す
る。つづいて、全面に電極材料を堆積した後、パターニ
ングしてコンデンサの電極８０及びコンデンサ用の拡散
取出し電極８ノを形成する（同図（Ｃ）図示）。

しかして、上記実施例４の方法でも図示しないエミッタ
領域等の表面を損傷することなく、信頼性の高いコンデ
ンサを形成することができる。

なお、以上の実施例１〜４ではコンデンサを構成する絶
縁膜として素化シリコン膜を用いたが、誘電率が高く、
後の熱処理工程に充分耐える性質を有する他の絶縁膜を
用いても同様の効果を得ることができる。

〔発明の効果〕

以上詳述した如く本発明の半導体装置の製造２１一 方法によれば、他の素子を損傷することなく、誘電率の
高い絶縁膜を構成要素とするコンデンサを安定して製造
することができ、ＡＣ特性を向上することができる等顕
著な効果を奏するものでおる。

【図面の簡単な説明】

第１図（、）及び（ｂ）は従来のコンデンサを組込んだ
ＮＰＮ　）ランゾスタの製造方法を示す断面図、第２図
及び第３図はそれぞれ従来の方法の欠点を説明する断面
図、第４図（！Ｌ）〜（、）は本発明の実施例１におけ
るコンデンサを組込んだＮＰＮ　）ランゾスタの製造方
法を示す断面図、第５図（荀及び（ｂ）は本発明の実施
例２におけるコンデンサを組込んだＮＰＮ　）ランゾス
タの製造方法を示す断面図、第６図（、）〜（ｄ）は本
発明の実施例３におけるコンデンサの形成方法を示す断
面図、第７図（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施例４におけ
るコンデンサの形成方法を示す断面図である。 ２１．５１．７１・・鵠Ｐ型シリコン基板、２２゜５２
　、’１２・・・継型埋込み層、２３，５３．７３・・
・Ｎｕエピタキシャル層、２４，５４．７４・・・Ｐ＋
型素子分離領域、２５・・・１型コレクタコンタクト領
域、２６・・・コンデンサ用の離型拡散層、２７．５５
．７５・・・酸化膜（フィールド絶縁膜）、２Ｂ、５６
．７６・・・熱酸化膜、２９，５９゜７７・・・窒化シ
リコン膜（第１の絶縁膜）、ＳＯ。 ６０　、７８　・ＣＶＤ酸化膜（第２の絶縁膜）、３ノ
・・・Ｐ型ベース領域、３２，６１．７９・・・窒化シ
リコン膜（第３の絶縁膜）、３３．４１・・・１型エミ
ッタ領域、３４．４２・・・エミッタ電極、３５．４３
・・・ペースＮ極、５６ｍ４４・・・コレクタ電極、３
７，４５，６４．８０・・・コンデンサの電極、３１１
，４６，６５．８１・・・コンデンサ用の拡散取出し電
極、３９・・・多結晶シリコン膜ｚ！ターン、４０・・
・ＰＳＧ膜、６２・・・Ｎ＋型コンタクト領域、６３・
・・エピタキシャル層取出し電極。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦１）　　　　
　　　　　　　Ｄ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板表面にフィールド絶縁膜を形成し、該
   フィールド絶縁膜に囲まれたコンデンサ形成領域の基板
   表面を露出させる工程と、コンデンサ形成領域の基板上
   にコンデンサを構成する第１の絶縁膜及び該第１の絶縁
   膜に対して選択エッチング性を有する第２の絶縁膜を順
   次形成する工程と、全面に該第２の絶縁膜に対して選択
   エッチング性を有する第３の絶縁膜を堆積した後、その
   一部を選択的に除去して第２の絶縁膜の一部を露出させ
   る工程と、露出した第２の絶縁膜を除去して前記第１の
   絶縁膜の一部を露出させる工程と、全面に電極材料を堆
   積した後、パターニングして少なくとも露出した第１の
   絶縁膜を覆う電極を形成する工程とを具備したことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
2. （２）第１の絶縁膜が窒化シリコン膜である特許請求の
   範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
3. （３）第２の絶縁膜が酸化膜である特許請求の範囲第１
   項記載の半導体装置の製造方法。
4. （４）第３の絶縁膜が窒化シリコン膜又はリン若しくは
   ヒ素を含む絶縁膜である特許請求の範囲第１項記載の半
   導体装置の製造方法。