JPS61132928A - スメクチツクｃ＊液晶セルの注入法 - Google Patents
スメクチツクｃ＊液晶セルの注入法Info
- Publication number
- JPS61132928A JPS61132928A JP25467484A JP25467484A JPS61132928A JP S61132928 A JPS61132928 A JP S61132928A JP 25467484 A JP25467484 A JP 25467484A JP 25467484 A JP25467484 A JP 25467484A JP S61132928 A JPS61132928 A JP S61132928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell
- liquid crystal
- smectic
- liquid crystals
- temp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はスメクチックＣ８液晶セルの注入法に関する。
〈従来技術〉
一スメクチフクＣｍ液晶モードは高速応答、メモリー性
という特長より光シャッタとして実用化が進められてい
る。第１図にスメクチックＣ本液晶セルの断面図を示す
。■は偏光板、２は基板、３は透明電極、４は絶縁膜、
５は液晶、６はシール。
という特長より光シャッタとして実用化が進められてい
る。第１図にスメクチックＣ本液晶セルの断面図を示す
。■は偏光板、２は基板、３は透明電極、４は絶縁膜、
５は液晶、６はシール。
７は偏光板である。偏光板１．７はその偏光軸が互いに
垂直で、また絶縁膜４，４は水平配向処理が施されてい
る。このような液晶セルを作製する際、液晶を注入する
のに従来法のような欠点があった。
垂直で、また絶縁膜４，４は水平配向処理が施されてい
る。このような液晶セルを作製する際、液晶を注入する
のに従来法のような欠点があった。
■スメクチックＣ本を示す液晶は粘度が高いので常温で
は注入時間が長くかかる。
は注入時間が長くかかる。
■従来は第３図に示すように、室８内へ液晶を注入する
のに、側面部に穴９を１個設け、液晶を真空注入し、さ
らに側面樹脂１０で密閉していたが、高速応答、メモリ
ーの特性を出す為には薄いセル厚、例えば１μｍ以下、
程ましく、その場合、１μｍ以下では内部の真空吸引力
が不足する。
のに、側面部に穴９を１個設け、液晶を真空注入し、さ
らに側面樹脂１０で密閉していたが、高速応答、メモリ
ーの特性を出す為には薄いセル厚、例えば１μｍ以下、
程ましく、その場合、１μｍ以下では内部の真空吸引力
が不足する。
■液晶セルを高温にして真空吸引すると液晶が、蒸発す
る欠点がある。
る欠点がある。
く目的〉
本発明は上記従来技術の欠点を解消し、注入時間等が短
くてすむスメクチックＣ本液晶セルの注入法の提供を目
的とする。
くてすむスメクチックＣ本液晶セルの注入法の提供を目
的とする。
〈構成〉
本発明はスメクチックＣＸを示す液晶を高温に保持し、
かつセルも高温に保持し、前記高温に保持された液晶を
セルの側面より界面張力を利用して注入することを特徴
とするスメクチック０８液晶セルの注入法である。
かつセルも高温に保持し、前記高温に保持された液晶を
セルの側面より界面張力を利用して注入することを特徴
とするスメクチック０８液晶セルの注入法である。
〈実施例〉
第２図に本発明の実施方法に用いられるセルの断面を示
す。すなわち、液晶を高温９例えば１３０°Ｃ〜１５０
°Ｃに保持することにより粘度を下げ、セルも高温に保
持する。この場合、セルの温度は液晶の温度と同じか、
それより低い温度（１３０〜１５０°Ｃ）に設定する。
す。すなわち、液晶を高温９例えば１３０°Ｃ〜１５０
°Ｃに保持することにより粘度を下げ、セルも高温に保
持する。この場合、セルの温度は液晶の温度と同じか、
それより低い温度（１３０〜１５０°Ｃ）に設定する。
そして室８の両側面部に穴９を２（１１設け、真空吸引
ではなく、側面より界面張力を使用して室８内に液晶を
注入する。しかる後、側面樹脂１０．１０で密閉する。
ではなく、側面より界面張力を使用して室８内に液晶を
注入する。しかる後、側面樹脂１０．１０で密閉する。
なお、セルの温度を液晶の温度に対して同じか低い温度
に設定するのは、セルの熱容量が大きいので、液晶より
冷却し難いからである。
に設定するのは、セルの熱容量が大きいので、液晶より
冷却し難いからである。
く効果〉
本発明は以上の構成よりなり、液晶を高温で注入するの
で、液晶の粘度が下がって注入時間を短縮することがで
きる。またセルを高温に保持して液晶との温度差をなく
すと共に真空吸引をやめて界面張力により液晶を注入す
るので、液晶が蒸発することなく、かつ均一な配向の注
入がスメクチックＣＸ液晶セルで可能となった。
で、液晶の粘度が下がって注入時間を短縮することがで
きる。またセルを高温に保持して液晶との温度差をなく
すと共に真空吸引をやめて界面張力により液晶を注入す
るので、液晶が蒸発することなく、かつ均一な配向の注
入がスメクチックＣＸ液晶セルで可能となった。
第１図はスメクチックＣｘ液晶セルの断面図、第２図は
本発明の実施方法に用いられるセルの断面図、第３図は
従来の方法に用いられるセルの断面図である。 ５一液晶
本発明の実施方法に用いられるセルの断面図、第３図は
従来の方法に用いられるセルの断面図である。 ５一液晶
Claims (1)
- スメクチックＣ＾＊を示す液晶を高温に保持し、かつセ
ルも高温に保持し、前記高温に保持された液晶をセルの
側面より界面張力を利用して注入することを特徴とする
スメクチックＣ＾＊液晶セルの注入法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25467484A JPS61132928A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | スメクチツクｃ＊液晶セルの注入法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25467484A JPS61132928A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | スメクチツクｃ＊液晶セルの注入法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61132928A true JPS61132928A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17268284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25467484A Pending JPS61132928A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | スメクチツクｃ＊液晶セルの注入法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61132928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5548428A (en) * | 1992-07-27 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for injecting ferroelectric liquid crystal with injection completed above atmospheric pressure |
| EP0782038A2 (en) | 1995-12-27 | 1997-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal device |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25467484A patent/JPS61132928A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5548428A (en) * | 1992-07-27 | 1996-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for injecting ferroelectric liquid crystal with injection completed above atmospheric pressure |
| EP0782038A2 (en) | 1995-12-27 | 1997-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal device |
| US5835181A (en) * | 1995-12-27 | 1998-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing liquid crystal including discharging liquid crystal material through second aperture |
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