JPS6232459B2 - - Google Patents

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JPS6232459B2
JPS6232459B2 JP2714078A JP2714078A JPS6232459B2 JP S6232459 B2 JPS6232459 B2 JP S6232459B2 JP 2714078 A JP2714078 A JP 2714078A JP 2714078 A JP2714078 A JP 2714078A JP S6232459 B2 JPS6232459 B2 JP S6232459B2
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plate
gel
cell
film
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Sutepanoitsuchi Banikofu Urajimiiru
Arekusandorona Agarutsuowa Nadezuda
Kuzumitsuchi Beresutenko Mihairu
Arekusandoroitsuchi Buikofu Bikutoru
Pyootoroitsuchi Gaidenko Pyootoru
Iwanoitsuchi Do Anatorii
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
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  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、液晶の装置に関し、更に詳しくはネ
マチツク液晶膜にもとづく電界効果(field−
effect)装置の製法に関する。本発明の装置は、
表示装置(例えば、時計またはポケツト型計算
器)ならびに光学変調器およびマトリツクス型光
表示器系に使用される。
現在、液晶にもとづく装置類、特にデータ表示
装置は科学および技術の種々の分野にて用途が増
大している。該装置は低度の電力消費および低作
動電圧を特徴としそして集積回路に直接適用でき
るので、非常に有望な装置である。
構造的には、ネマチツク液晶にもとづく装置
は、二枚の平行なガラスのプレートから構成さ
れ、該ガラスプレートは内部表面に適用された例
えば酸化スズ等の光学的に透明な導電性材料の電
極を有する。該電極を有するプレートの表面は、
該プレートの表面にそして液晶膜中に該液晶分子
の所定の均質な配向を確保するように、特別に処
理される。この均質配向の場合、液晶分子の主軸
は該プレートの表面にて該プレートに平行に配向
され、そしてセルが構成される二枚のプレート中
にて、分子の軸は垂直に通常配向されている。
該セルを組立てた後に、該セルに液晶を充填す
る。通常5〜20muの厚さである液晶の膜は、そ
の光学的特性(偏光面の回転角度)が電極に適用
される電位により変化する活性な媒体である。該
液晶膜の光学的特性の変化は、通常該セルの外部
表面に配置される互いに交差した偏光子によつて
記録される。しかし、このような偏光子は、湿度
および温度等の多くの気候上の要素の影響、なら
びに多くの機械的要因の影響にさらされており、
そのため液晶装置の製造者は該偏光子を保護する
ために特別の手段を講ずる必要がある。この問題
を完全に解決しない限り、これらの手段のために
液晶装置の製法はあまりにも複雑かつ高コストと
なる。
ネマチツク液晶膜にもとづく装置の製法(フラ
ンス特許2261549号明細書Cl.021/13、優先権主
張1975年1月13日、参照)が知られており、該製
法によればセルの内側に偏光子を配置するのが可
能となる。この製法による該液晶装置の製造工程
は下記の通りである。
所望の形状の透明な電極を仕上げしたセルプレ
ートの表面に附着させる。続いて、例えばポリビ
ニルアルコール等の分子が線状の長鎖を有するポ
リマーの溶液を、該プレートの表面上に適用す
る。なお該プレートは該液晶膜を閉じ込めそして
該液晶と相互作用するためのものである。次に該
プレートの表面の該ポリマー溶液上にゴム製のス
クレーパーを通過させることによつて、該溶液に
剪断作用をほどこす。その結果、該線状ポリマー
分子鎖が該スクレーパーの動作方向に伸長し、該
プレート表面上の液晶の均質な配向用のマトリツ
クスを形成する。次に溶剤を蒸発させて該ポリマ
ー膜を乾燥し、その間該ポリマー分子鎖の配向を
維持させる。最後に、偏光子の特性を附与する染
料を用いて該膜を処理する。
後者の操作は、ヨウ素の蒸気またはヨウ素溶液
にて該ポリマー膜を含浸させることによつて、ま
たは有機染料型の二色性化合物を附着させること
によつて達成される。該ポリマー膜の染色に続い
て、セルの組立て、該セルに液晶の充填、および
該セルの密封等の従来の操作を行なう。
しかし、内部に偏光子を有する液晶装置の上記
の製法は、この製法によれば二色性染料にて染色
しなければならないポリマー膜を設ける必要があ
ることを留意すると、該セルプレートの内部表面
上に偏光子を配置するのが困難である点で、不利
である。後者の操作ではその目的を達成する可能
性に乏しい。ポリマー膜はヨウ素の蒸気または溶
液にて実際に飽和させることができそしてこのよ
うにして偏光子の特性を得ることができるが、該
装置の製造後に、ヨウ素は液晶に易溶性であるた
めヨウ素が該液晶膜に部分的に移行するので、該
方法は実用的価値が少ない。ヨウ素の溶解は、該
液晶中にてヨウ素が有力な電流の伝導体であるの
で、コントラスト範囲に影響をおよぼしそして電
力消費の顕著な増加の原因となる。該ポリマー膜
を二色性染料にて染色し、そして同時に、該線状
ポリマー分子および二色性染料分子の配向を維持
しそして所望の程度の光の吸収および二色性を提
供することは、極めて困難である。
本発明の主目的は、ネマチツク液晶膜にもとづ
く偏光子の内部配置を有する装置の簡単な製法を
提供することである。
本発明の他の目的は、液晶膜にもとづきそして
偏光子の内部配置を有し、良好なコントラスト範
囲を特長とする装置の製法を提供することであ
る。
本発明の更に別の目的は、液晶膜にもとづきそ
して偏光子の内部配置を有し、低度の電力消費を
特長とする装置の製法を提供することである。
上記の目的は、下記の工程を含むネマチツク液
晶膜にもとづく装置の製法を提供することによつ
て達成される。すなわち、セルプレート(cell
plates)を製作する工程、該プレートの表面上に
液晶と相互作用することを意図する透明な電極を
附与する工程、偏光子および該液晶の均質な配向
用のマトリツクスを附与する工程、該セルを組立
る工程、該セルに液晶を充填する工程、および該
セルを密封する工程を含む方法であり、1〜30重
量%の濃度でゲル状の該二色性染料を用いるこ
と、ならびに該プレート1をその表面に塗付けら
れた二色性染料のゲル3と共に100〜50000m/秒
の加速度で遠心処理することによつて偏光子お
よび該液晶9均質配向用マトリツクスを同時に製
造することを特徴とする方法である。
該二色性染料はアゾ染料の群から選定すること
が、非常に望ましい。
ネマチツク液晶の膜にもとづく装置を製造する
本発明の製法は、該ゲル膜に近接する液晶分子の
配向が該二色性染料の分子が偏光子中に配列され
る態様により決定される製法であり、このことは
単一の操作を用いて該液晶および偏光子の両者の
均質な配向用のマトリツクスが得られることを意
味する。
本発明の他の目的および利点は、添附図面と関
連して好ましい具体例についての下記の詳しい記
述を読むことによつて、更に明瞭となるであろ
う。
本発明による、ネマチツク液晶膜にもとづく装
置の製法は、下記の操作を連続的に行うことによ
つて実施される。
はじめに、該装置のセルプレート1(複数)
(第1図)は硬質の材料、例えばガラスにて製作
される。
透明な導電性材料、例えばSnOまたはInOの電
極2を、該プレート1の表面上に次に形成する。
該電極は液晶と相互作用させることを意図するも
のである。該電極2は、真空中の陰極スパツター
により、または例えばSnCl4等の揮発性化合物の
熱分解によつて製造され、該熱分解は一成分とし
て酸素を含有する媒体中にて実施される。該電極
2の望ましい形状は、写真平版またはマスキング
によつて得られる。
次に、各プレート1を洗浄して無機性粉塵を除
くが、これは洗剤および超音波振動を用いて実施
される。続いて、該プレート1を洗浄して有機性
汚染物を除去するが、これは例えば該プレート1
を有機溶剤中で洗浄するかまたはプラズマ放電に
曝露することにより行う。次に、該透明電極をほ
どこしたセルプレート1の表面上に二色性染料の
非配向ゲル3を滴加する。ゲル3中の二色性染料
の濃度は1〜30重量%であり、そしてゲル3の量
は、該プレート1が曝露される光の0〜90%がそ
の表面上にゲル3の分子の均一非配向分布を有す
る該プレート1を透過するような量である。次に
該プレート1の表面上にその厚みにわたつて102
〜107-1の速度勾配を有する膜4を形成するよ
うに、該ゲル3を機械的に加工する。この機械加
工は、該セルプレート1の表面に平行にそして矢
印6の方向に、硬質または弾性材料の矩形状スク
レーパー5を該ゲル3上に直線状に動作させるこ
とによつて実施できる。このようにして形成した
二色性染料の膜4は、分子の秩序正しい配列を特
徴としそして偏光方向が該膜4の製造中に生起し
た剪断力の方向により規定された偏光子である。
第2図は、スクレーパー5が作動している間の該
ゲル膜4中の速度比VXを示す。Z軸は該プレー
ト1の表面に垂直である。
均一な条件下に該膜4を製造するために(第3
図)、ゲル3をほどこしたプレート1を100〜
50000m/秒の加速度にて遠心処理するのが便
宜である。該プレート1はデイスクカセツト7上
に配置され、回転軸8と該プレート1との間隔は
該セルプレート1の幾何学的寸法より5〜7倍大
であることが必要である。
該二色性染料は異方性分子構造を有する染料群
から選定すべきであり、例えばクリソフエニン、
ブリリアントイエロー、ダイレクトブルーNo.4、
ベンゾプルプリン、耐光堅牢性ダイレクトオレン
ジNo.5K、アシツドブルー・ブラツク等であり得
る。
染料の選定は、他の要素もあるが特に、偏光子
の望ましい色によつて決定される。溶剤は、水と
有機溶剤との混合物も使用できるが、水が好まし
い。所望の厚さの膜4を得るためには、該ゲル中
の染料の含有量は1〜30重量%であるべきであ
る。アゾ染料、例えばベンゾプルプリンを使用す
ることにより、最善の結果が得られる。
該膜4を150℃までの上昇温度で乾燥して、該
溶剤を除去する。しかし、20〜150℃の温度の空
気または他の非侵蝕性ガスを用いて該膜4をほど
こしたプレート1をパージして該溶剤を除去する
のが好ましい。
必要に応じて、偏光子(膜4)を有する該プレ
ート1を、色を変化させるために錯塩または酸の
溶液にて処理することができる。
二個の該プレート1を偏光子の偏光が平行な配
向となるように重ねて配置する場合、該プレート
1は透明である。垂直の配向の場合、該プレート
1は染料の色となる。二個の偏光子を有するプレ
ート1からセルを組立て、該セルに正の誘電異方
性の液晶9(第4図)を充填する。次に、該セル
をガラスフリツトまたは該液晶に不溶性のヘテロ
有機樹脂から製造された加圧シール材10を用い
て密封する。
セルを製造する上記の方法は、膜4の表面に近
接する液晶9の分子配向が二色性染料の分子が偏
光子中(該膜4中)に配列される態様によつて決
定される。
該透明電極2に連結された出力ターミナル11
に電位を印加すると、該ネマチツク液晶9の膜の
光学的特性が変化し、その結果該透明電極2の下
の部分がより大きな光学濃度を得る。
下記の例によつて、本発明は更によく理解され
るであろう。
例 1 10mm×20mmの寸法のプレート1を厚さ1mmのガ
ラス板を切断して得る。酸化スズの透明導電層
を、陰極スパツターにより該プレート1の表面に
適用する。該透明電極2は通常の写真平版により
所望の形状に形成される。次に耐蝕膜
(photoresist)を除去し、そして該プレート1の
表面から粉塵および有機汚染物を洗浄除去する。
これらの操作に続いて、電極2を有するプレート
1の表面上にゲルの層を適用する。該ゲルは下記
のようにして調製される。秤量した量(1g)の
クリソフエニンを40cm3の蒸溜水に加熱をして溶解
する。次に該濃度を蒸発させて20cm3の容積に濃縮
しそして10゜〜15℃の温度に急速に冷却する。こ
のようにして得た素材を5000m/秒の加速度に
て25分間遠心処理することにより、溶液は上層を
形成しそしてゲルは下層を形成する。この溶液を
除去し、そして該ゲル3を電極2を有するプレー
ト1上に必要量だけ適用し、そして該プレート1
の上に研摩したガラス板を置いて該プレート1の
一面に平行に移動させる。このように形成した膜
4を150℃で空気中で15〜20分間加温し、これに
よつて黄色の偏光子を得る。この偏光子を褐色に
するために、該ポラロイドを塩酸の蒸気に5分間
曝露し、その後に150℃にて15〜20分間乾燥す
る。
このようにして製造された二枚のプレート…そ
れらの偏光子は垂直(直角)の配列の偏光軸を有
する…を用いてセルを組立て、正誘電異方性を有
するネマチツク液晶9を充填し、その後に該セル
を密封する。このように製造したセルは表示用装
置に使用される。励起の状態にて、比電力消費は
該電極2の表面の平方センチメートルあたり
1muwより小である。
例 2 例1のようにして、電極2を有するプレート1
を製造し、そしてゲル3を調製する。この場合の
二色性染料はベンゾプルプリンである。該ガラス
プレート1を、対称軸8の周りに回転するコーン
型カセツト7の内表面上に平に配置する。該カセ
ツトのコーンの母線(generatrix)と該回転軸8
との角度は87゜である。該回転軸8は垂直に支持
される。該プレート1は10mm×20mmの寸法であ
り、各プレート1の中心は該カセツト7の中心か
ら12cmの距離にある。次に、二色性染料ゲル3の
層を、該液晶と相互作用する該プレート1の表面
上に適用する。この目的のためにブラツシまたは
微粉砕機が使用される。該ゲル層の厚さは20.0〜
200.0muの範囲である。該カセツト7を回転させ
て800rpmの速度に達せしめる。該ゲル3の粘度
のために、遠心処理によつて該プレート1の表面
上に二色性染料のゲル3の配向した膜4が形成さ
れる。該膜ははじめは約10muの均一の厚さであ
るが、該カセツト7が回転を続けるに従つて、該
膜は迅速に乾燥しそして厚さが2〜5muに低下す
る。該カセツト7を停止した後に、該プレート1
を140℃の恒温器中にて15分間加熱する。このよ
うに製造した偏光子は紫色または暗青色である。
このようにして製造した偏光子を有する二枚のプ
レート1を用いてセルを製作し、正の異方性の液
晶9を充填する。背景に対する文字のコントラス
トは7:16である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、二色性染料ゲルの膜を製造する操作
を説明する、セルプレートの概略斜視図である。
第2図は、二色性染料ゲルの膜中の速度比を示
す、第1図の−線にそつた断面図である。第
3図は、本発明に従つて遠心処理によりゲル膜を
製造するためのデイスクカセツト上のセルプレー
トの配置を示す。第4図は、本発明の製法を用い
て製造した、ネマチツク液晶膜にもとづく装置の
断面図である。 1……セルプレート、2……電極、3……ゲ
ル、4……膜、5……スクレーパー、9……液
晶。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 セルプレート1を製作する工程、該プレート
    1の表面上に液晶9と相互作用することを意図す
    る透明な電極2を設ける工程、二色性染料の偏光
    子および該液晶9を均質配向用マトリツクスを設
    ける工程、液晶9と共に該セルを組立てる工程、
    および該セルを密封する工程を含むネマチツク液
    晶の膜にもとづく装置の製法において、1〜30重
    量%の濃度でゲル状の二色性染料を用いること、
    ならびに、該プレート1をその表面に塗付けられ
    た二色性染料のゲル3と共に100〜50000m/秒
    の加速度で遠心処理することによつて偏光子およ
    び該液晶9均質配向用マトリツクスを同時に製造
    することを特徴とする方法。 2 該二色性染料がアゾ染料類から選ばれる、特
    許請求の範囲第1項記載の製法。
JP2714078A 1977-03-09 1978-03-09 Method of * Granted JPS5439146A (en)

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