JPS61131583A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS61131583A JPS61131583A JP59254742A JP25474284A JPS61131583A JP S61131583 A JPS61131583 A JP S61131583A JP 59254742 A JP59254742 A JP 59254742A JP 25474284 A JP25474284 A JP 25474284A JP S61131583 A JPS61131583 A JP S61131583A
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- semiconductor
- layer
- semiconductor laser
- shaped semiconductor
- laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザの製造方法に関し、接合ダイオー
ドが側面にて短絡される慣れのない半導体レーザを得る
ことのできる新規な半導体レーザの製造方法を提供しよ
うとするものである。
ドが側面にて短絡される慣れのない半導体レーザを得る
ことのできる新規な半導体レーザの製造方法を提供しよ
うとするものである。
背景技術
半導体レーザを製造する方法として、ウェハ状の半導体
基板に対して一連のレーザダイオード形成処理を施した
後、レーザビーム出射方向と直角方向の各スクライブす
べきラインに沿って半導体基板を臂開することにより一
枚のウニへ状半導体基板を多数のバー状の半導体基板に
分割し、その後、そのバー状の各半導体基板の臂開面（
換言すればレーザビーム出射端面）に例えば５Ｌ３Ｎ４
等からなる絶縁性保護膜を形成し、その後、バー状の半
導体基板を更にレーザービーム出射方向に沿ってスクラ
イブすることによりペレタライズする方法が例えば特願
昭５８−１９３８５６号等により紹介されている。
基板に対して一連のレーザダイオード形成処理を施した
後、レーザビーム出射方向と直角方向の各スクライブす
べきラインに沿って半導体基板を臂開することにより一
枚のウニへ状半導体基板を多数のバー状の半導体基板に
分割し、その後、そのバー状の各半導体基板の臂開面（
換言すればレーザビーム出射端面）に例えば５Ｌ３Ｎ４
等からなる絶縁性保護膜を形成し、その後、バー状の半
導体基板を更にレーザービーム出射方向に沿ってスクラ
イブすることによりペレタライズする方法が例えば特願
昭５８−１９３８５６号等により紹介されている。
このような方法によれば、ペレタライズされた各半導体
レーザのレーザビーム出射端面、特に活性層の露出部分
が保護されるので、半導体レーザのエージングによる劣
化を防止し、しきい値電流の増大等を阻止することがで
きる。
レーザのレーザビーム出射端面、特に活性層の露出部分
が保護されるので、半導体レーザのエージングによる劣
化を防止し、しきい値電流の増大等を阻止することがで
きる。
発明が解決しようとする問題点
ところが、上述したような従来の製造方法によれば、各
品導体レーザのレーザビーム出射端面及びそれと反対側
の端面は保護されるが、半導体レーザの側面は保護され
ていない、そのため、半導体レーザをろう材等によりボ
ンディングした場合にその側面に露出した活性層の上側
と下側との間がそのろう材により短絡される慣れがあっ
た。
品導体レーザのレーザビーム出射端面及びそれと反対側
の端面は保護されるが、半導体レーザの側面は保護され
ていない、そのため、半導体レーザをろう材等によりボ
ンディングした場合にその側面に露出した活性層の上側
と下側との間がそのろう材により短絡される慣れがあっ
た。
というのは、一般に、放熱性を良くするため活性層と近
い側の主面にて半導体レーザをヒートシンクにペレット
ボンディングすることが行われるので、活性層のヒート
シンク表面からの高さが非常′□ に低くなり、
その結果、ろう材が活性層に付着してしまい接合ダイオ
ードが短絡される事故がきわめて生じ易くなり、短絡不
良により不良率がきわめて高かった。そのため、ろう付
（すする部分の面積を半導体レーザの底面積よりも狭く
し、ろう材が半導体レーザの底面から外側に食み出ない
ようにする試みが為された。しかしながら、このように
半導体レーザのろう材を介してヒートシンクと接着され
る面積が半導体レーザの底面積よりも狭くなるようにす
ると必然的に放熱面積が狭くなり、従って放熱性が悪く
なる。依って、この試みは好ましくない。
い側の主面にて半導体レーザをヒートシンクにペレット
ボンディングすることが行われるので、活性層のヒート
シンク表面からの高さが非常′□ に低くなり、
その結果、ろう材が活性層に付着してしまい接合ダイオ
ードが短絡される事故がきわめて生じ易くなり、短絡不
良により不良率がきわめて高かった。そのため、ろう付
（すする部分の面積を半導体レーザの底面積よりも狭く
し、ろう材が半導体レーザの底面から外側に食み出ない
ようにする試みが為された。しかしながら、このように
半導体レーザのろう材を介してヒートシンクと接着され
る面積が半導体レーザの底面積よりも狭くなるようにす
ると必然的に放熱面積が狭くなり、従って放熱性が悪く
なる。依って、この試みは好ましくない。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、半導体レーザの両側面をも保護することにより接
合ダイオードが短絡されるのを防止することを目的とす
る。
あり、半導体レーザの両側面をも保護することにより接
合ダイオードが短絡されるのを防止することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、レーザダイオード
が群成せしめられたウェハ状の半導体基板の活性層に近
い側の表面に対して選択的エツチング処理を施すことに
よりレーザビーム出射方向と平行に延びる各スクライブ
領域に活性層よりも深い溝を形成する工程と、レーザビ
ーム出射方向と置角に延びる各スクライブ領域にて半導
体基板をスクライプして複数のバー状の半導体基板を得
る工程と、バー状の半導体基板の端面と前記溝の内側面
とに保護膜を形成する工程と、各バー状半導体基板を上
記溝にてスクライブすることによりベレット状の半導体
レーザを得る工程とからなることを特徴とするものであ
る。
が群成せしめられたウェハ状の半導体基板の活性層に近
い側の表面に対して選択的エツチング処理を施すことに
よりレーザビーム出射方向と平行に延びる各スクライブ
領域に活性層よりも深い溝を形成する工程と、レーザビ
ーム出射方向と置角に延びる各スクライブ領域にて半導
体基板をスクライプして複数のバー状の半導体基板を得
る工程と、バー状の半導体基板の端面と前記溝の内側面
とに保護膜を形成する工程と、各バー状半導体基板を上
記溝にてスクライブすることによりベレット状の半導体
レーザを得る工程とからなることを特徴とするものであ
る。
□
作用
本発明半導体レーザの製造方法によれば、溝のない側面
に形成した保ｗＩｌｌＩにより半導体レーザの活性層の
側面への露出部を保護することができる。従って、活性
層の側面に露出した部分にて接合ダイオードが短絡され
ることを防止することができる。
に形成した保ｗＩｌｌＩにより半導体レーザの活性層の
側面への露出部を保護することができる。従って、活性
層の側面に露出した部分にて接合ダイオードが短絡され
ることを防止することができる。
・実施例
以下に１本発明半導体レーザの製造方法を添附図面に示
した実施例に従って詳細に説明する。
した実施例に従って詳細に説明する。
第１図乃至第５図は本発明半導体レーザの製造方法の実
施の一例を工程順に示す斜視図である。
施の一例を工程順に示す斜視図である。
（１）ＧａＡｓからなるＮ小型のウェハ状の半導体基板
１の表面に、ＧａＡＬＡｓからなるＮ型のスタッド層２
を形成し、該スタッド層２の表面にＧａＡＬＡｓからな
る活性層３を形成し、該活性層３の表面にＧａＡＬＡｓ
からなるＰ型のスタッド層４を形成し１．該スタッド層
４の表面にＰ小型半導体層５を形成する。・ Ｐ中型半導体層５に選択的にプロトンをイオン打込みす
ることによりそのＰ中型半導体層５を部分的に電気的絶
縁性を帯びるようにする。６は半導体１１！＃５の絶縁
性−を帯びるようにされた絶縁領域、７は半導体層５の
絶縁性を帯びるようにされていないストライプ領域で、
各ストライプ領域７は帯状に形成されており、一方向〔
本実施例では図面における左斜め下方向（換言すれば右
斜め上方向）〕に延びている。そし′て、上記活性層３
のストライプ領域７と対応する部分がレーザ光の発生温
となる。その後、上記半導体層５の表面にＰ側の帯状の
電極膜８を形成する。該電極膜８は上記ストライプ領域
７と同じ方向に延びており、半導体基板表面から見たス
トライプ領域７の位置は電極膜８の幅方向における中央
部と一致せしめられている。そして、各電極膜８，８間
には一定の間隔が設けられている。第１図は電極膜８形
成後の状態を示す。
１の表面に、ＧａＡＬＡｓからなるＮ型のスタッド層２
を形成し、該スタッド層２の表面にＧａＡＬＡｓからな
る活性層３を形成し、該活性層３の表面にＧａＡＬＡｓ
からなるＰ型のスタッド層４を形成し１．該スタッド層
４の表面にＰ小型半導体層５を形成する。・ Ｐ中型半導体層５に選択的にプロトンをイオン打込みす
ることによりそのＰ中型半導体層５を部分的に電気的絶
縁性を帯びるようにする。６は半導体１１！＃５の絶縁
性−を帯びるようにされた絶縁領域、７は半導体層５の
絶縁性を帯びるようにされていないストライプ領域で、
各ストライプ領域７は帯状に形成されており、一方向〔
本実施例では図面における左斜め下方向（換言すれば右
斜め上方向）〕に延びている。そし′て、上記活性層３
のストライプ領域７と対応する部分がレーザ光の発生温
となる。その後、上記半導体層５の表面にＰ側の帯状の
電極膜８を形成する。該電極膜８は上記ストライプ領域
７と同じ方向に延びており、半導体基板表面から見たス
トライプ領域７の位置は電極膜８の幅方向における中央
部と一致せしめられている。そして、各電極膜８，８間
には一定の間隔が設けられている。第１図は電極膜８形
成後の状態を示す。
（２）次に、第２図に示すように上記電極膜８を・マス
クとして半導体表面をエツチングすることにより溝９を
形成する。エツチングは公知のエツチング液（例えばＮ
Ｈ４０Ｈ＝ Ｈ２０２系、Ｈ２Ｓ０４＝Ｈ２０２系、
Ｈ２ＰＯ，＝Ｈ２０２系）を用いてのウェットエツチン
グにより行っても良いし、ｃｔ２あるいはＣＬ２化合物
等のガスを用いたドライエツチングにより行っても良い
。
クとして半導体表面をエツチングすることにより溝９を
形成する。エツチングは公知のエツチング液（例えばＮ
Ｈ４０Ｈ＝ Ｈ２０２系、Ｈ２Ｓ０４＝Ｈ２０２系、
Ｈ２ＰＯ，＝Ｈ２０２系）を用いてのウェットエツチン
グにより行っても良いし、ｃｔ２あるいはＣＬ２化合物
等のガスを用いたドライエツチングにより行っても良い
。
溝９の深さは活性層３よりも深くすることが必要である
が、一般的に２〜３川程用の深さがあれば充分であ、る
、ｌＯは溝９の内側面、１１はレーザビーム出射方向と
直角方向のスクライブすべきラインを示す。
が、一般的に２〜３川程用の深さがあれば充分であ、る
、ｌＯは溝９の内側面、１１はレーザビーム出射方向と
直角方向のスクライブすべきラインを示す。
（３）次に、上記各スクライブすべきライン１１．１１
、・・・にてウェハ状の半導体基板１をスクライブ（襞
間）してバー状の半導体基板１ａ、ｌａ、＊・Φを得る
。第３図はそのスクライブ後の状態を示す、１２は襞間
面（スクライブ面）で、半導体レーザの端面となる。
、・・・にてウェハ状の半導体基板１をスクライブ（襞
間）してバー状の半導体基板１ａ、ｌａ、＊・Φを得る
。第３図はそのスクライブ後の状態を示す、１２は襞間
面（スクライブ面）で、半導体レーザの端面となる。
（４）各バー状半導体基板１ａ、１ａ、・・・に対して
それの溝９の両側面１０及び両端面（！開面）１２に電
気的絶縁性を有する保護膜１３をコーティングする処理
を施す、保護７１１１３のコーティングは例えば次のよ
うにして行う、半導体表面にプラズマＳｉＮ （シリコ
ンナイトライド）膜を成長させ、その５ｉＮｌｉに対し
て異方性エツチング処理を施すことにより、半導体基板
１ａ、１ａの側面１０及び端面１２にのみそのＳｉＮ膜
が残存するようにする。尚、この例えばＳｉＮからなる
保ｇｌｊｌｌｌ１３の膜厚むは次式が成立するように設
定することが好ましい、但し、ｎは保＄１１１１３の屈
折率、入はレーザの発振波長である。
それの溝９の両側面１０及び両端面（！開面）１２に電
気的絶縁性を有する保護膜１３をコーティングする処理
を施す、保護７１１１３のコーティングは例えば次のよ
うにして行う、半導体表面にプラズマＳｉＮ （シリコ
ンナイトライド）膜を成長させ、その５ｉＮｌｉに対し
て異方性エツチング処理を施すことにより、半導体基板
１ａ、１ａの側面１０及び端面１２にのみそのＳｉＮ膜
が残存するようにする。尚、この例えばＳｉＮからなる
保ｇｌｊｌｌｌ１３の膜厚むは次式が成立するように設
定することが好ましい、但し、ｎは保＄１１１１３の屈
折率、入はレーザの発振波長である。
ｔ ＝ □ ・
ｎ
この保護膜１３は側面や端面、即ち半導体表面に対して
垂直な面に膜を形成することができればどのような方法
であっても良い、第４図は絶縁性保護膜１３形成後の状
態を示す。
垂直な面に膜を形成することができればどのような方法
であっても良い、第４図は絶縁性保護膜１３形成後の状
態を示す。
（５）その後、上記溝９にてスクライブすることにより
、ペレタライズして個々の半導体レーザを得る。＄５図
は１個の半導体レーザを示す、尚、図では保護膜１３は
便宜１恰かも不透明かのように示したが、レーザ光に対
して透明であることはいうまでもない、又、絶縁性保護
膜１３の材料としてはナイトライドに限らず、Ｓ ｉ
Ｏ２、多結晶シリコン等種々のものを用いることができ
る。
、ペレタライズして個々の半導体レーザを得る。＄５図
は１個の半導体レーザを示す、尚、図では保護膜１３は
便宜１恰かも不透明かのように示したが、レーザ光に対
して透明であることはいうまでもない、又、絶縁性保護
膜１３の材料としてはナイトライドに限らず、Ｓ ｉ
Ｏ２、多結晶シリコン等種々のものを用いることができ
る。
このような半導体レーザの製造方法によれば、半導体レ
ーザのレーザビーム出射端面１２だけでなく、両側面の
少なくとも活性層が露出する部分も絶縁膜１３で保護す
ることができる。従って、半導体レーザのＰＮ接合が側
面にてポンディング用ろう材等により短絡されることを
回避することができる。
ーザのレーザビーム出射端面１２だけでなく、両側面の
少なくとも活性層が露出する部分も絶縁膜１３で保護す
ることができる。従って、半導体レーザのＰＮ接合が側
面にてポンディング用ろう材等により短絡されることを
回避することができる。
発明の効果
以上に述べたように、本発明半導体レーザの製造方法に
よれば、溝のない側面に形成した保護膜により半導体レ
ーザの活性層の側面への露出部を保護することができる
。従って、活性層の側面に露出した部分にて接合ダイオ
ードが短絡されることを防止することができる。
よれば、溝のない側面に形成した保護膜により半導体レ
ーザの活性層の側面への露出部を保護することができる
。従って、活性層の側面に露出した部分にて接合ダイオ
ードが短絡されることを防止することができる。
第１図乃至第５図は本発明半導体レーザの製造方法を工
程順に示す斜視図である。 符号の説明 ｌ・・Φ半導体基板、 １ａ・・・バー状半導体基板、 ３・・・活性層、 ９・・・溝、 １０・・φ溝の内側面、 “ １２・・・半導体レーザの端面。 ｌ３・・・保護膜
程順に示す斜視図である。 符号の説明 ｌ・・Φ半導体基板、 １ａ・・・バー状半導体基板、 ３・・・活性層、 ９・・・溝、 １０・・φ溝の内側面、 “ １２・・・半導体レーザの端面。 ｌ３・・・保護膜
Claims (1)
- （１）レーザダイオードが群成せしめられたウェハ状の
半導体基板の活性層に近い側の表面に対して選択的エッ
チング処理を施すことによりレーザビーム出射方向と平
行に延びる各スクライブ領域に活性層よりも深い溝を形
成する工程と、レーザビーム出射方向と直角に延びる各
スクライブ領域にて半導体基板をスクライブして複数の
バー状の半導体基板を得る工程と、バー状の半導体基板
の端面と前記溝の内側面とに保護膜を形成する工程と、
各バー状半導体基板を上記溝にてスクライブすることに
よりペレット状の半導体レーザを得る工程とからなるこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25474284A JPH0666512B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25474284A JPH0666512B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131583A true JPS61131583A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH0666512B2 JPH0666512B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=17269233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25474284A Expired - Lifetime JPH0666512B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666512B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0558856A2 (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a semiconductor laser device |
| JPH0722357A (ja) * | 1990-05-25 | 1995-01-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体ウェーハ一括切断及び切断切子面被覆方法 |
| JP2014060452A (ja) * | 2013-12-18 | 2014-04-03 | Seiko Epson Corp | 固体光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270781A (en) * | 1975-11-12 | 1977-06-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser crystal piece |
| JPS5575281A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25474284A patent/JPH0666512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270781A (en) * | 1975-11-12 | 1977-06-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser crystal piece |
| JPS5575281A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722357A (ja) * | 1990-05-25 | 1995-01-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体ウェーハ一括切断及び切断切子面被覆方法 |
| EP0558856A2 (en) * | 1992-03-04 | 1993-09-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | A method for producing a semiconductor laser device |
| JP2014060452A (ja) * | 2013-12-18 | 2014-04-03 | Seiko Epson Corp | 固体光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666512B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |