JPH0666512B2 - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPH0666512B2 JPH0666512B2 JP25474284A JP25474284A JPH0666512B2 JP H0666512 B2 JPH0666512 B2 JP H0666512B2 JP 25474284 A JP25474284 A JP 25474284A JP 25474284 A JP25474284 A JP 25474284A JP H0666512 B2 JPH0666512 B2 JP H0666512B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- semiconductor laser
- shaped semiconductor
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体レーザの製造方法に関し、接合ダイオー
ドが側面にて短絡される惧れのない半導体レーザを得る
ことのできる新規な半導体レーザの製造方法を提供しよ
うとするものである。
ドが側面にて短絡される惧れのない半導体レーザを得る
ことのできる新規な半導体レーザの製造方法を提供しよ
うとするものである。
背景技術 半導体レーザを製造する方法として、ウェハ状の半導体
基板に対して一連のレーザダイオード形成処理を施した
後、レーザビーム出射方向と直角方向の各スクライブす
べきラインに沿って半導体基板を劈開することにより一
枚のウェハ状半導体基板を多数のバー状の半導体基板に
分割し、その後、そのバー状の各半導体基板の劈開面
（換言すればレーザビーム出射端面）に例えばＳｉ３Ｎ
４等からなる絶縁性保護膜を形成し、その後、バー状の
半導体基板を更にレーザービーム出射方向に沿ってスク
ライブすることによりペレタライズする方法が例えば特
願昭５８−１９３８５６号等により紹介されている。
基板に対して一連のレーザダイオード形成処理を施した
後、レーザビーム出射方向と直角方向の各スクライブす
べきラインに沿って半導体基板を劈開することにより一
枚のウェハ状半導体基板を多数のバー状の半導体基板に
分割し、その後、そのバー状の各半導体基板の劈開面
（換言すればレーザビーム出射端面）に例えばＳｉ３Ｎ
４等からなる絶縁性保護膜を形成し、その後、バー状の
半導体基板を更にレーザービーム出射方向に沿ってスク
ライブすることによりペレタライズする方法が例えば特
願昭５８−１９３８５６号等により紹介されている。
このような方法によれば、ペレタライズされた各半導体
レーザのレーザビーム出射端面、特に活性層の露出部分
た保護されるので、半導体レーザのエージングによる劣
化を防止し、しきい値電流の増大等を阻止することがで
きる。
レーザのレーザビーム出射端面、特に活性層の露出部分
た保護されるので、半導体レーザのエージングによる劣
化を防止し、しきい値電流の増大等を阻止することがで
きる。
発明が解決しようとする問題点 ところが、上述したような従来の製造方法によれば、各
半導体レーザのレーザビーム出射端面及びそれと反対側
の端面は保護されるが、半導体レーザの側面は保護され
ない。そのため、半導体レーザをろう材等によりボンデ
ィングした場合にその側面に露出した活性層の上側と下
側との間がそのろう材により短絡される惧れがあった。
というのは、一般に、放熱性を良くするため活性層と近
い側の主面にて半導体レーザをヒートシンクにペレット
ボンディングすることが行われるので、活性層のヒート
シンク表面からの高さが非常に低くなり、その結果、ろ
う材が活性層に付着してしまい接合ダイオードが短絡さ
れる事故がきわめて生じ易くなり、短絡不良により不良
率がきわめて高かった。そのため、ろう付けする部分の
面積を半導体レーザの底面積よりも狭くし、ろう材が半
導体レーザの底面から外側に食み出ないようにする試み
が為された。しかしながら、このように半導体レーザの
ろう材を介してヒートシンクと接着される面積が半導体
レーザの底面積よりも狭くなるようにすると必然的に放
熱面積が狭くなり、従って放熱性が悪くなる。依って、
この試みは好ましくない。
半導体レーザのレーザビーム出射端面及びそれと反対側
の端面は保護されるが、半導体レーザの側面は保護され
ない。そのため、半導体レーザをろう材等によりボンデ
ィングした場合にその側面に露出した活性層の上側と下
側との間がそのろう材により短絡される惧れがあった。
というのは、一般に、放熱性を良くするため活性層と近
い側の主面にて半導体レーザをヒートシンクにペレット
ボンディングすることが行われるので、活性層のヒート
シンク表面からの高さが非常に低くなり、その結果、ろ
う材が活性層に付着してしまい接合ダイオードが短絡さ
れる事故がきわめて生じ易くなり、短絡不良により不良
率がきわめて高かった。そのため、ろう付けする部分の
面積を半導体レーザの底面積よりも狭くし、ろう材が半
導体レーザの底面から外側に食み出ないようにする試み
が為された。しかしながら、このように半導体レーザの
ろう材を介してヒートシンクと接着される面積が半導体
レーザの底面積よりも狭くなるようにすると必然的に放
熱面積が狭くなり、従って放熱性が悪くなる。依って、
この試みは好ましくない。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、半導体レーザの両側面をも保護することにより接
合ダイオードが短絡されるのを防止することを目的とす
る。
あり、半導体レーザの両側面をも保護することにより接
合ダイオードが短絡されるのを防止することを目的とす
る。
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、レーザダイオード
が群成せしめられたウェハ状の半導体基板の活性層に近
い側の表面に対して電極膜をマスクとして選択的エッチ
ング処理を施すことによりレーザビーム出射方向と平行
に延びる各スクライブ領域に活性層よりも深い溝を形成
して前記活性層を露出する工程と、レーザビーム出射方
向と直角に延びる各スクライブ領域にて半導体基板をス
クライブして複数のバー状の半導体基板を得る工程と、
バー状の半導体基板の全面に成長させた保護膜に対して
異方性エッチング処理を施すことにより、バー状の半導
体基板の端面と前記溝の前記露出した活性層を含む内側
面にのみ保護膜を形成する工程と、各バー状半導体基板
を上記溝にてスクライブすることによりペレット状の半
導体レーザを得る工程とからなることを特徴とするもの
である。
が群成せしめられたウェハ状の半導体基板の活性層に近
い側の表面に対して電極膜をマスクとして選択的エッチ
ング処理を施すことによりレーザビーム出射方向と平行
に延びる各スクライブ領域に活性層よりも深い溝を形成
して前記活性層を露出する工程と、レーザビーム出射方
向と直角に延びる各スクライブ領域にて半導体基板をス
クライブして複数のバー状の半導体基板を得る工程と、
バー状の半導体基板の全面に成長させた保護膜に対して
異方性エッチング処理を施すことにより、バー状の半導
体基板の端面と前記溝の前記露出した活性層を含む内側
面にのみ保護膜を形成する工程と、各バー状半導体基板
を上記溝にてスクライブすることによりペレット状の半
導体レーザを得る工程とからなることを特徴とするもの
である。
作用 本発明半導体レーザの製造方法によれば、溝の内側面に
形成した保護膜により半導体レーザの活性層の側面への
露出部を保護することができる。従って、活性層の側面
に露出した部分にて接合ダイオードが短絡されることを
防止することができる。
形成した保護膜により半導体レーザの活性層の側面への
露出部を保護することができる。従って、活性層の側面
に露出した部分にて接合ダイオードが短絡されることを
防止することができる。
実施例 以下に、本発明半導体レーザの製造方法を添附図面に示
した実施例に従って詳細に説明する。
した実施例に従って詳細に説明する。
第１図乃至第５図は本発明半導体レーザの製造方法の実
施の一例を工程順に示す斜視図である。
施の一例を工程順に示す斜視図である。
（１）ＧａＡｓからなるＮ＋形のウェハ状の半導体基板
１の表面に、ＧａＡｌＡｓからなるＮ型のスタッド層２
を形成し、該スタッド層２の表面にＧａＡｌＡｓからな
る活性層３を形成し、該活性層３の表面にＧａＡｌＡｓ
からなるＰ型のスタッド層４を形成し、該スタッド層４
の表面にＰ＋型半導体層５を形成する。
１の表面に、ＧａＡｌＡｓからなるＮ型のスタッド層２
を形成し、該スタッド層２の表面にＧａＡｌＡｓからな
る活性層３を形成し、該活性層３の表面にＧａＡｌＡｓ
からなるＰ型のスタッド層４を形成し、該スタッド層４
の表面にＰ＋型半導体層５を形成する。
Ｐ＋型半導体層５に選択的にプロトンをイオン打込みす
ることによりそのＰ＋型半導体層５を部分的に電気的絶
縁性を帯びるようにする。６は半導体層５の絶縁性を帯
びるようにされた絶縁領域、７は半導体層５の絶縁性を
帯びるようにされていないストライプ領域で、各ストラ
イプ領域７は帯状に形成されており、一方向［本実施例
では図面における左斜め下方向（換言すれば右斜め上方
向）］に延びている。そして、上記活性層３のストライ
プ領域７と対応する部分がレーザ光の発生源となる。そ
の後、上記半導体層５の表面にＰ型の帯状の電極膜８を
形成する。該電極膜８は上記ストライプ領域７と同じ方
向に延びており、半導体基板表面から見たストライプ領
域７の位置は電極膜８の幅方向における中央部と一致せ
しめられている。そして、各電極膜８、８間には一定の
間隔が設けられている。第１図は電極膜８形成後の状態
を示す。
ることによりそのＰ＋型半導体層５を部分的に電気的絶
縁性を帯びるようにする。６は半導体層５の絶縁性を帯
びるようにされた絶縁領域、７は半導体層５の絶縁性を
帯びるようにされていないストライプ領域で、各ストラ
イプ領域７は帯状に形成されており、一方向［本実施例
では図面における左斜め下方向（換言すれば右斜め上方
向）］に延びている。そして、上記活性層３のストライ
プ領域７と対応する部分がレーザ光の発生源となる。そ
の後、上記半導体層５の表面にＰ型の帯状の電極膜８を
形成する。該電極膜８は上記ストライプ領域７と同じ方
向に延びており、半導体基板表面から見たストライプ領
域７の位置は電極膜８の幅方向における中央部と一致せ
しめられている。そして、各電極膜８、８間には一定の
間隔が設けられている。第１図は電極膜８形成後の状態
を示す。
（２）次に、第２図に示すように上記電極膜８をマスク
として半導体表面をエッチングすることにより溝９を形
成する。エッチングは公知のエッチング液（例えばＮＨ
４ＯＨ＝Ｈ２Ｏ２系、Ｈ２ＳＯ４＝Ｈ２Ｏ２系、Ｈ３Ｐ
Ｏ４＝Ｈ２Ｏ２系）を用いてのウェットエッチングによ
り行っても良いし、Ｃｌ２あるいはＣｌ２化合物等のガ
スを用いたドライエッチングにより行っても良い。
として半導体表面をエッチングすることにより溝９を形
成する。エッチングは公知のエッチング液（例えばＮＨ
４ＯＨ＝Ｈ２Ｏ２系、Ｈ２ＳＯ４＝Ｈ２Ｏ２系、Ｈ３Ｐ
Ｏ４＝Ｈ２Ｏ２系）を用いてのウェットエッチングによ
り行っても良いし、Ｃｌ２あるいはＣｌ２化合物等のガ
スを用いたドライエッチングにより行っても良い。
溝９の深さは活性層３よりも深くすることが必要である
が、一般的に２〜３μ程度の深さがあれば十分である。
１０は溝９の内側面、１１はレーザビーム出射方向と直
角方向のスクライブすべきラインを示す。
が、一般的に２〜３μ程度の深さがあれば十分である。
１０は溝９の内側面、１１はレーザビーム出射方向と直
角方向のスクライブすべきラインを示す。
（３）次に、上記各スクライブすべきライン１１、１
１、・・・にてウェハ状の半導体基板１をスクライブ
（劈開）してバー状の半導体基板１ａ、１ａ、・・・を
得る。第３図はそのスクライブ後の状態を示す。１２は
劈開面（スクライブ面）で、半導体レーザの端面とな
る。
１、・・・にてウェハ状の半導体基板１をスクライブ
（劈開）してバー状の半導体基板１ａ、１ａ、・・・を
得る。第３図はそのスクライブ後の状態を示す。１２は
劈開面（スクライブ面）で、半導体レーザの端面とな
る。
（４）各バー状半導体基板１ａ、１ａ、・・・に対して
それの溝９の両側面１０及び両端面（劈開面）１２に電
気的絶縁性を有する保護膜１３をコーティングする処理
を施す。保護膜１３のコーティングは次のようにして行
う。半導体表面にプラズマＳｉＮ（シリコンナイトライ
ド）膜を成長させ、そのＳｉＮ膜に対して異方性エッチ
ング処理を施すことにより、半導体基板１ａ、１ａの側
面１０及び端面１２にのみそのＳｉＮ膜が残存するよう
にする。尚、この例えばＳｉＮからなる保護膜１３の膜
厚ｔは次式が成立するように設定することが好ましい。
但し、ｎは保護膜１３の屈折率、λはレーザの発振波長
である。
それの溝９の両側面１０及び両端面（劈開面）１２に電
気的絶縁性を有する保護膜１３をコーティングする処理
を施す。保護膜１３のコーティングは次のようにして行
う。半導体表面にプラズマＳｉＮ（シリコンナイトライ
ド）膜を成長させ、そのＳｉＮ膜に対して異方性エッチ
ング処理を施すことにより、半導体基板１ａ、１ａの側
面１０及び端面１２にのみそのＳｉＮ膜が残存するよう
にする。尚、この例えばＳｉＮからなる保護膜１３の膜
厚ｔは次式が成立するように設定することが好ましい。
但し、ｎは保護膜１３の屈折率、λはレーザの発振波長
である。
この保護膜１３は側面や端面、即ち半導体表面に対して
垂直な面に膜を形成することができればどのような方法
であっても良い。第４図は絶縁性保護膜１３形成後の状
態を示す。
垂直な面に膜を形成することができればどのような方法
であっても良い。第４図は絶縁性保護膜１３形成後の状
態を示す。
（５）その後、上記溝９にてスクライブすることによ
り、ペレタライズして個々の半導体レーザを得る。第５
図は１個の半導体レーザを示す。尚、図では保護膜１３
は便宜上恰かも不透明かのように示したが、レーザ光に
対して透明であることはいうまでもない。又、絶縁性保
護膜１３の材料としてはナイトライドに限らず、ＳｉＯ
２、多結晶シリコン等種々のものを用いることができ
る。
り、ペレタライズして個々の半導体レーザを得る。第５
図は１個の半導体レーザを示す。尚、図では保護膜１３
は便宜上恰かも不透明かのように示したが、レーザ光に
対して透明であることはいうまでもない。又、絶縁性保
護膜１３の材料としてはナイトライドに限らず、ＳｉＯ
２、多結晶シリコン等種々のものを用いることができ
る。
このような半導体レーザの製造方法によれば、半導体レ
ーザのレーザビーム出射端面１２だけでなく、両側面の
少なくとも活性層が露出する部分も絶縁膜１３で保護す
ることができる。従って、半導体レーザのＰＮ接合が側
面にてボンディング用ろう材等により短絡されることを
回避することができる。
ーザのレーザビーム出射端面１２だけでなく、両側面の
少なくとも活性層が露出する部分も絶縁膜１３で保護す
ることができる。従って、半導体レーザのＰＮ接合が側
面にてボンディング用ろう材等により短絡されることを
回避することができる。
発明の効果 以上に述べたように、本発明半導体レーザの製造方法に
よれば、溝の内側面に形成した保護膜により半導体レー
ザの活性層の側面への露出部を保護することができる。
従って、活性層の側面に露出した部分にて接合ダイオー
ドが短絡されることを防止することができる。
よれば、溝の内側面に形成した保護膜により半導体レー
ザの活性層の側面への露出部を保護することができる。
従って、活性層の側面に露出した部分にて接合ダイオー
ドが短絡されることを防止することができる。
第１図乃至第５図は本発明半導体レーザの製造方法を工
程順に示す斜視図である。 符号の説明 １……半導体基板、 １ａ……バー状半導体基板、 ３……活性層、８……電極膜 ９……溝、１２……バー状半導体基板の端面、 １３……保護膜
程順に示す斜視図である。 符号の説明 １……半導体基板、 １ａ……バー状半導体基板、 ３……活性層、８……電極膜 ９……溝、１２……バー状半導体基板の端面、 １３……保護膜
Claims (1)
- 【請求項１】レーザダイオードが群成せしめられたウェ
ハ状の半導体基板（１）の活性層（３）に近い側の表面
に対して電極膜（８）をマスクとして選択的エッチング
処理を施すことにより、レーザビーム出射方向と平行に
延びる各スクライブ領域に活性層（３）よりも深い溝
（９）を形成して前記活性層（３）を露出する工程と、 レーザビーム出射方向と直角に延びる各スクライブ領域
にて半導体基板（１）をスクライブして複数のバー状の
半導体基板（１ａ）を得る工程と、 バー状の半導体基板（１ａ）の全面に成長させた保護膜
（１３）に対して異方性エッチング処理を施すことによ
り、バー状半導体基板（１ａ）の端面（１２）と前記溝
（９）の前記露出した活性層（３）を含む内側面にのみ
保護膜（１３）を形成する工程と、 各バー状半導体基板（１ａ）を上記溝（８）にてスクラ
イブすることによりペレット状の半導体レーザを得る工
程と、 からなることを特徴とする半導体レーザの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25474284A JPH0666512B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25474284A JPH0666512B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131583A JPS61131583A (ja) | 1986-06-19 |
| JPH0666512B2 true JPH0666512B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=17269233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25474284A Expired - Lifetime JPH0666512B2 (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666512B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69006353T2 (de) * | 1990-05-25 | 1994-06-23 | Ibm | Verfahren und Vorrichtung zum Spalten von Halbleiterplatten und Bekleiden der gespalteten Facetten. |
| US5413956A (en) * | 1992-03-04 | 1995-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a semiconductor laser device |
| JP5692348B2 (ja) * | 2013-12-18 | 2015-04-01 | セイコーエプソン株式会社 | 固体光源装置、プロジェクタ、モニタ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5270781A (en) * | 1975-11-12 | 1977-06-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor laser crystal piece |
| JPS5575281A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25474284A patent/JPH0666512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61131583A (ja) | 1986-06-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |