JPH0722357A - 半導体ウェーハ一括切断及び切断切子面被覆方法 - Google Patents

半導体ウェーハ一括切断及び切断切子面被覆方法

Info

Publication number
JPH0722357A
JPH0722357A JP3094892A JP9489291A JPH0722357A JP H0722357 A JPH0722357 A JP H0722357A JP 3094892 A JP3094892 A JP 3094892A JP 9489291 A JP9489291 A JP 9489291A JP H0722357 A JPH0722357 A JP H0722357A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cut
transfer
band
cutting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3094892A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2518978B2 (ja
Inventor
Ronald F Broom
ロナルド・エフ・ブルーム
Marcel Gasser
マルセル・ガーゼル
Christoph S Harder
クリストフ・ステファン・ハルデル
Ernst E Latta
エルンスト・イーベルハルド・ラッタ
Albertus Oosenbrug
アルバータス・オーセンブルグ
Heinz Richard
ハインツ・リチャード
Peter Vettiger
ピーター・フェティゲル
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPH0722357A publication Critical patent/JPH0722357A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2518978B2 publication Critical patent/JP2518978B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
    • B28D5/0029—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools rotating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202—Cleaving
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
    • Y10T225/10—Methods
    • Y10T225/12—With preliminary weakening

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】レーザー・ダイオードを大規模に即ち一括して
製作する方式に適合する半導体ウェーハ切断方法及び装
置を提供する。 【構成】切断すべき面を規定する刻み線（１５）が刻ま
れたウェーハ（１１）を、一対の曲げやすい移送バンド
（１２、１３）の間に置き、それを半径の大きい湾曲面
（２１）の周りに導くことにより、曲げモーメントを加
える、半導体ウェーハ又はその切片を切断する方法及び
装置。十分な大きさのモーメントにより、該ウェーハが
進むにつれて該ウェーハから、前端及び後端の切子面を
有する個々の棒材（２２）が切断される。切断され、該
湾曲面に押し続けられているうちに、各々の棒材は自動
的に引離され、それによって隣接する棒材の切子面の相
互損傷が阻止される。その後の処理、例えば不活性化層
を沈着させるための蒸発場所への該棒材の移送のため
に、該棒材を引離しておく設備が作られている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハ、又はそ
の切片を切断し且つ該切断された切子面を被覆する方法
に関する。該方法は、装置の長寿命及び高電力を達成す
るために真空環境でミラー切子面を切断しその場で不活
性化（パシベーション）できるから、特に半導体レーザ
ー・ダイオードの製作に適する。本発明は前述の方法の
実行に適した装置にも関連する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザー・ダイオードは、そのサ
イズが小さく且つその技術が関連回路及び他の電子光学
素子の技術と適合するので、広範囲にわたる種々の情報
処理システムに使用されるに至った。それらは現にデー
タ通信、光記憶装置及び光ビーム印刷のような領域で使
用されている。現今、大抵のレーザーはIII/V 複合材料
から成る。所要のレーザー・ビーム波長により、AlGaAs
系及びInP 系の装置が広く使用されている。
【０００３】今日では、切断によってレーザー空胴の境
界を作るミラーを得る場合にレーザー構造が最も広く使
用される。通常、多数のエピタキシャル成長レーザー構
造を持つウェーハはレーザー棒材に切断され、その両側
の該切断された切子面は該棒材での装置の空胴の長さを
決定する。
【０００４】通常、該切断プロセスを開始すると、該ウ
ェーハの表面をダイヤモンドで軽く切る、即ち線を刻
み、切断される結晶面を決める。該刻まれた線は微小割
れとして働き、そこから曲げモーメントが加わると、制
御された破断が行なわれ該切断を完了する。くさび、ナ
イフ又は他の半径の小さな工具を用いて所要のトルク即
ち剪断力が加えられる。
【０００５】これまでに、レーザー切断について多数の
プロセス及び装置が提案され追求されている。下記の参
考文献に記述されるこれらのアプローチの幾つかは切断
技術の発展を示し技術水準を表わす。
【０００６】ドイツ特許出願公開第１４２７７７２号明
細書は線が刻まれた半導体を個々の棒材に割るプロセス
を記述している。箔の間に保持されたウェーハは表面の
柔かな支持材に乗せられる。堅くて半径の小さなローラ
ーを押し付けて該ウェーハ上を移動させ、所要のトルク
を加えることにより切断が行なわれる。
【０００７】米国特許第３３９６４５２号明細書は、そ
の序文及び図３で、そのときの通常の切断工具について
記述している。それは、箔の間に挟まれた該ウェーハを
切断して作る棒材の寸法に適した湾曲を持つ凸状の基底
部材を含む。相補する凹状の部材が該凸状の面にある該
ウェーハに押し付けられ、非均一な曲げモーメントが加
えられる。該米国特許で開示された発明は線が刻まれた
半導体ウェーハが成長して相対する一対の半径の小さな
異なる弾性のローラーの間で押される場合の方法及び装
置に関する。該線が刻まれたウェーハ面に接触している
柔かい方の弾性のローラーにより、該ウェーハは該刻ま
れた線で破断される。
【０００８】論文 "Process for Batch Cleaving GaA
s and Similar Materials", IBMTechnical Disclosu
re Bulletin, Vol. 23, No. 10, March 1981, pp. 47
49-4750は制御された、損傷のない切断プロセスの主な
必要条件の概要を記述している。該論文は使用されるプ
ロセス又は装置の詳細については明確には言及していな
い。
【０００９】欧州特許出願第８８.８１０６９４.５号
（１９８８年１０月１０日出願）は半導体ウェーハを切
断する方法及び装置について記述している。ウェーハは
２つの曲げやすい箔の間に挟まれる。これらの箔の１つ
は該ウェーハに付着する粘着面を持つ割に柔かな下部の
箔であり、他の１つはより丈夫なおおいの箔である。そ
して、該箔は固定されて引伸ばされるが、該ウェーハは
該ウェーハに付着する該下部の箔の当該部分の範囲内
で、少なくとも部分的に、該引伸しを阻止する。該箔の
下を半径の小さいローラーを通すことにより、該ウェー
ハは持ち上げられて切断される。得られた棒材は現に完
全に引伸ばされた下部の箔に付着したままであるので、
隣接する切断されたミラー面が傷つけ合うのを避けるの
に十分な距離まで互いに引離される。
【００１０】これらの参考文献に記述された方法及び装
置並びに使用者には既知の他の全ての方法及び装置はな
お高品質一括切断プロセスの主な必要条件の全てを満た
さない。これらの必要条件は ・所望の結晶面に沿った穏やかで応力の加わらない破断
をすること、 ・切断中にそれに加えられた外部の力により装置構造が
損傷しないこと、 ・ウェーハ及び切断された棒材の処理を最小限にするこ
と、 ・切断後に棒材を引離して隣接する切子面の機械的損傷
を避けること、 ・未汚染切子面取得後直ちに均一の不活性化被覆を行な
うこと、及び ・前記プロセスが真空システム内で実施できることであ
る。
【００１１】その結果、切断された装置の寿命及び出力
電力特性に関する主要な問題は未解決のままである。
【００１２】しかしながら、これらの問題に関して、最
近かなりの前進が見られた。真空中で切断しその直後の
汚染されていないミラー切子面をその場で不活性化層で
被覆することは、特に安定したAlGaAsレーザー・ダイオ
ードの製作を可能にすることが分かっている。
【００１３】前記プロセスは欧州特許出願第８９.８１
０６６８.７号（１９８９年９月７日出願）明細書に開
示されている。しかし、単一の棒材又は装置の処理に適
した、該明細書に記載された実施例は真空中でのレーザ
ー装置の製造にそのまま適用することはできない。一括
処理に伴う新たな問題、例えば切子面の損傷を避けるた
めに切断直後に該棒材を引離すという厳しい要求は解決
されていない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な目的は
レーザー・ダイオードを大規模に即ち一括して製作する
方式に適合する半導体ウェーハ切断方法及び装置を提供
することである。
【００１５】本発明のもう１つの目的は少しでも切子面
の汚染を避けるために高真空環境でのレーザー・ウェー
ハの切断及びそれに続いてその場で該切断された切子面
の不活性化を可能にする方法及び装置を提供することで
ある。
【００１６】本発明の更にもう１つの目的は半導体ウェ
ーハを切断し、各々が切断切子面を持つ個々のレーザー
棒材を作り、その後直ちに、相互の損傷を避けるため
に、隣接する異なる棒材を互いに引離し、そして該切子
面を選択的に被覆することができる方法及び装置を提供
することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を満た
し既知のレーザー・ミラー切断及び不活性化被覆技術の
欠点を直すことを意図する。本発明の方法はこれまでに
生じた問題を解決するために、先ず、処理すべきウェー
ハ（又はウェーハの切片）の面に、個々の棒材を作る破
断面を規定する線を刻み、次いで、該ウェーハを一対の
曲げやすいバンドの間に挟み、湾曲した大きな半径の面
の周りを移動させて曲げモーメントを加える。十分に大
きいモーメントにより、移動するにつれて該ウェーハか
ら前縁及び後縁の切子面を持つ個々の棒材が切断され
る。切断時、各棒材は湾曲面に押し付けられている間に
自動的に切離されるので、隣接する棒材の切子面の損傷
は避けられる。その後の処理、例えば、その場の不活性
化の蒸発場所への棒材移送についても、棒材を引離して
おく用意がなされている。
【００１８】１つの実施例では、伸縮可能な材料から作
られた移送バンドの使用により、棒材は引離されたまま
である。切断された棒材を中間に保持する該バンドは該
湾曲面を離れると直ちに縦方向に引伸ばされる。もう１
つの実施例では、該移送バンドは切断後に分離して棒材
を次々に解き放す。棒材は固く把握され個々にマガジン
に送られ、棒材は該不活性化の場所で更に処理されるま
で引離したまま該マガジンに保持される。
【００１９】極度の電力放射能力及び高い寿命を必要と
するレーザー装置の場合、真空システムにおいて切断及
びその後の不活性化被覆はその場で実行されるので、不
活性化層を加える前の切子面の汚染を防ぐ。
【００２０】本発明が提供する主な利点は、真空システ
ムにおいて半導体を一括処理できることである。ウェー
ハ切断及びその後の切子面の不活性化は真空のままその
場で行なうことができる。適切な不活性化被覆、例えば
Siの薄い層を用いて、切子面とのいかなる相互作用も阻
止できるので、レーザー動作中のミラーの劣化は大幅に
減少し、長寿命・高電力レーザーを取得することができ
る。
【００２１】
【実施例】超高真空（ＵＨＶ）で半導体レーザーのミラ
ーを切断し被覆することにより、出力電力、破局的な光
学的損傷のしきい及び動作寿命は大気中で切断されたミ
ラーと比較して大幅に増加する。前記レーザーの製造が
競争できるためには、レーザー棒を切断し分離し移送し
且つ被覆し大量の処理及び高い歩どまりの完全なレーザ
ーを得る効率的な手法を考案することが必要である。本
発明はこれらの要求を満たすものである。
【００２２】本発明の実施例を詳細に説明する前に、基
本的な考えにについて図１乃至図４により簡単に説明す
る。
【００２３】最初に、切断すべきウェーハにダイヤモン
ドで線を刻み、破断すべき結晶面、従って切断後のレー
ザー棒の空胴の長さに対応する長さを事前に決定する。
【００２４】図１は、本発明のプロセスにより、刻まれ
た線１５で規定された面で切断されるウェーハ１１を、
２つの曲げやすい移送バンド、下部のバンド１２と上部
のバンド１３に間に固定できる方法を示す。該バンド
は、この図面に図示しない手段により、処理中のウェー
ハ１１を最初に挿入された位置にしっかりと保持するよ
うに互いに押合う。刻まれた線１５は上部のバンド１３
に面し、且つ移送バンドの縦方向と垂直の方向に向く。
図示の実施例では、上部のバンド１３は２本の細いスト
ライプ１３Ａ及び１３Ｂから成る。これらのストライプ
は、ウェーハ１１の、切断プロセス中に該ストライプか
ら加えられた圧力を感知する脆い装置、即ち金属被覆構
造を含まない区画に配列される。前記不安定な構造は２
つのストライプ間の "窓" に配置されるので応力がかか
らず、損傷は回避される。１つの細いストライプ、１３
Ａ又は１３Ｂの使用は破断中のウェーハ材料にかかる応
力を防ぐので更によい結果が得られる。これは "穏やか
な" 切断を生じ、従って高品質の切子面が得られる。
【００２５】図２は実際の切断プロセスに適用される原
理を示す。曲げやすい移送バンド１２及び１３の間に挟
まれたウェーハ１１は、半径の大きい湾曲面を持つ本体
２１を含む切断場所に運ばれる。該半径は５〜２５mmの
範囲内にある。本体２１は軸の周りを回転できるローラ
ー形式であることが望ましい。間にウェーハ１１がある
バンド１２及び１３は該湾曲面を回って引っ張られ、ウ
ェーハ１１は上部のバンド１３で抑えられる。従って、
曲げる力がウェーハ１１に加わり、該刻まれた線１５に
より決められた位置でレーザー棒２２が次々に破断され
る。切断されると、切断された切子面の上部は曲げ半径
によって与えられた距離に引離される。これは自動的
に、非常に脆く不安定な切子面相互間の機械的接触を自
動的に阻止するので、装置の性能劣化をもたらす切子面
の損傷が回避される。
【００２６】次に、切断された棒材は不活性化被覆を沈
着させるために蒸発場所への移送を必要とする。移送中
は棒材を引離しておくことが不可欠である。図３及び図
４は移送中に棒材を引離しておく２つの可能な方法を示
す。
【００２７】図３の実施例では、伸縮性のあるバンド１
２及び１３が移送に用いられる。切断されると、湾曲
面、例えばローラー２１の周りでバンドを引っ張る力Ｆ
が該バンドを引伸ばすので、図示のように個々のレーザ
ー棒は引離されたままである。もし棒材が２つの移送バ
ンド１２及び１３に挟まれている間に被覆することにな
っていれば、不活性化層を蒸発させる切子面の部分の露
出に十分な窓を用意するように上部のバンド１３を設計
せねばならない。図１に示すような１つ又は２つの細い
ストライプから成るバンド１３はこの目的に適合する。
【００２８】図４はもう１つの棒材引離し構造の実施例
の概略を示す。図４で、レーザー棒は切断後に移送バン
ド１２及び１３から外され、蒸発場所に棒材をまとめて
移送するために保持器即ちマガジンに入れられる。図示
のように、移送バンドは最初は互いに押合い、切断が終
るまでウェーハを保持する。切断されると、上部のバン
ド１３は下部のバンド１２から離れて移動するので、切
断され引離されたレーザー棒２２は逐次解き放される。
個々の棒材を互いに引離したまま保持し、マガジン（図
４に図示せず）まで移送するために、例えばフック４２
を持つ移送ベルト４１に固定される。
【００２９】ＵＨＶ室で切子面を切断しその場で被覆す
るためには、切断装置及び移送バンドに用いる材料及び
素子は、ＵＨＶに適合させる必要があるので慎重に選択
しなければならない。
【００３０】図５は図１乃至図４に関連して概略説明し
た本発明の概念に従って設計された切断装置の側面図で
ある。この切断装置はＵＨＶシステムで使用できる。
【００３１】図５の機構はウェーハ切断及び棒材引離し
動作の実行に適合し、切断された棒材を蒸発場所に移送
しその場で不活性化層を被覆することができる。例え
ば、ウェーハ挿入及び移送バンド駆動が全自動ではな
く、該装置はその動作が半分は手動であっても、大量処
理が可能であり且つ操作は最小限で済む。
【００３２】図５の装置では、下部移送バンド５１はロ
ーラー５２及び５３の周りを反時計方向に移動する。ロ
ーラー５２は結合手段を介してＵＨＶ室の外部から駆動
される。バンド５１を押すロール５４及び（又は）ばね
上げされたローラー５３を用いることにより、バンド５
１に一定の張力が維持される。
【００３３】上部移送バンド５５はローラー５６及び５
７を回る。図示のように、バンド５５は、ローラー５２
を回るバンド５１に抑えられる。２つのバンド、バンド
５１とバンド５５の間の摩擦はバンド５５を時計方向に
回す。上部移送バンド５５の張力はロール５８及び（又
は）ばね上げされたローラー５６又は５７を用いて維持
される。
【００３４】切断すべきウェーハ１１は下部移送バンド
５１と上部移送バンド５５の間に位置６３で挿入され
る。正確な位置付けは汚染しない穏やかなウェーハ破断
動作に不可欠である。そして下部移送バンド５１と上部
移送バンド５５の間に挟まれたウェーハ１１はローラー
５２に向かって移動し、ローラー５２の周りを移動する
ように強制され且つ曲げられるので、該移送バンドが移
動するにつれて、ウェーハ１１を棒材に切断するために
必要な曲げモーメントが生じる。図２に関連して前に説
明したように、個々の棒材は切断されると少なくとも隣
接する棒材の切子面が互いに他を損傷できない程度に引
離される。
【００３５】前述の実施例では、移送バンド５１及び５
５は切断が起きた後に離れる。よって個々の棒材はうま
く解き放される。それらの棒材は図４に関連して説明し
たようにしっかりと保持する必要がある。図５の実施例
では、成形された金属突起、即ちフック６４を持つ移送
ベルト５９をこの目的のために用いる。棒材が解き放さ
れたとき所定の位置に必ずフックがあるように、ベルト
５９は移送バンド５１及び５５よりも速い速度で移動す
る。ベルト５９はローラー６１、６２及び６０の周りを
反時計方向に駆動される。ローラー６０はローラー５２
と同じ軸に配置されるが、直径は異なるので独立して回
転する。
【００３６】棒材を切断して引離し、しっかりと保持し
てから、その切子面を被覆するために、それらの棒材を
集めて配列し、移送することは割合に簡単である。１つ
の可能性の概略を図５に関連して説明する。図示のよう
に、凹み６６を持つアームを有するＵ型の保持器６５は
図示された位置でベルト５９にかかる。フック６４の１
つに保持された棒材が下方に移動するにつれて、先細の
凹み６６の１つに該棒材の端が導かれる。そして保持器
６５は左に移動するので、空いている凹みは次の棒材を
受取ることができる。保持器６５は、例えば、ウェーハ
１１から破断された全ての棒材が入るマガジンのように
作動する。全ての凹みが棒材で満たされると、該棒材は
（図示されていない手段によって）その位置に固定され
る。その結果、切子面を保護被覆するために、マガジン
即ち保持器６５を用いて棒材を真空システムの蒸発場所
に一括移送することができる。
【００３７】図５に示すような切断装置を設計し操作す
る際に考慮すべき必須の要求及び条件の幾つかを図６及
び図７を参照して概説する。
【００３８】III/V 複合半導体、例えばGaAsの自然の切
断面は通常は{110} と呼ばれるものである。レーザーの
場合、切断で生じたミラー面は、放射する切子面領域の
付近に他のステップ即ち欠陥がなく、"完璧"であること
が重要である。このような面を作ることは、切断面を規
定するために用いた刻み線はウェーハの端で適切に刻む
だけではなく、所要の切断方向に垂直な均一の引っ張り
応力を加えることも必要である。そのためには、加えら
れる曲げる力に関してウェーハを、移送バンドの間の正
しい位置に正確に配置してしっかりと固定し、ウェーハ
が少しも拘束されずに所望の面で破断できることが必要
である。後で説明するように、曲げる力は理想的な値と
あまり異なってはならない。
【００３９】図６の簡単な片持ばりの幾何学的な配列に
ついての基本的な考察によれば、曲げモーメントＭ ＝
ＦRｘＬによって生じた、支点ＡでのひずみＳは次の
等式のとうりである。
【数１】
【００４０】ここで、ｗ及びｔは破断すべき試供品の幅
及び厚さであり、Ｅは材料のヤング係数である。
【００４１】臨界的なひずみＳCで切断が起きると、該
試供品が破断する曲げモーメントは次の等式から得られ
る。
【数２】
【００４２】図５に示したシステムのようにローラーで
レーザー・ウェーハを切断するために、引っ張る力Ｆを
曲げやすいバンドに加えると、図７に示すように、該バ
ンドを介して曲げモーメントが加わる。そしてウェーハ
に垂直に加わる切断力ＦRは次の等式から得られる。
【数３】 なぜなら、小さい角度Θに対して次の近似式が成り立つ
からである。
【数４】
【００４３】最後の切断位置から距離Ｌだけ進んだと
き、即ち次の刻み線が位置Ａに達したとき、上部移送バ
ンドに加える、所要の切断モーメントＭCを得るために
必要な力ＦCは等式（２）及び（３）から導かれた次の
等式から得られる。
【数５】
【００４４】所与の厚さ及び幅のウェーハについては次
の等式が成り立つ。
【数６】
【００４５】所与の材料を所与の断面で切断するために
必要な臨界的なモーメントＭC は、次の刻み線が位置Ａ
に達したとき、即ち取得すべきレーザー棒材の長さがＬ
と等しくなったとき加える必要がある。ずれが大きけれ
ば、切断プロセスに悪影響を及ぼし、その結果、ミラー
の品質が低下したり、刻み線で規定された面の切断が妨
げられることもある。
【００４６】もし該加えた力ＦがＦCよりも小さけれ
ば、ウェーハがＬよりも長い距離を進んだ後にだけＭC
＝ ＦR ｘ Ｌ が成り立つ。その結果、ウェーハは
刻み線で規定された所望の面では破断せず、制御されず
に、状況によっては、刻み線のあいだか又は次の刻み線
で破断し、棒材の長さが２Ｌになることがある。
【００４７】ＦがＦCよりも大きい、即ち刻み線が位置
Ａに達する前にＭCになった場合にも問題が起こる。こ
の場合も、どのように切断されるかを断定することはで
きない。ウェーハは位置Ａの周りで切断され、その結
果、不満足な切子面及び短すぎる棒材を生じることもあ
り、又はやや制御できない条件の下に刻み線で破断する
ことがある。引っ張る力Ｆが適切に補正されない限り、
次の棒材について問題は更に悪化する。
【００４８】Ｆ(C) は移送バンド間の摩擦及び線が刻ま
れたウェーハの破断に必要なトルクのような、十分な精
度で決めることができない要素に左右されるから、その
正確な計算は実際には不可能である。しかしながら、移
送バンドに加える張力の調整は、切断装置をあまり不安
定ではない動作に速やかに移行させる。異なる厚さ又は
幅のウェーハを使用し又は取得すべき棒材の長さを変更
するときは、事前に新たに調整を必要とする。
【００４９】考慮すべき更に重要な特性はウェーハを切
断するローラーの半径Ｒである。
【００５０】所要の力ＦCが切断ローラーの半径Ｒに比
例することは等式（５）から明白である。なぜなら、所
与の力Ｆに対して、ウェーハに垂直な力ＦRの実効値
は、半径Ｒが大きくなるにつれて小さくなるからであ
る。移送バンドの間の過度の摩擦を要する非常に大きな
力を用いる必要を回避するために、ローラーは大き過ぎ
てはならない。
【００５１】他方、かなり小さな半径のローラーを用い
る場合には、きびしい動作上の問題が起きる。問題点の
１つは、移送バンドの間に挿入されたウェーハは、該ウ
ェーハと該移送バンドの間の摩擦によってだけ所定の位
置に保持され、抵抗に逆らって移動する。切断前に、接
線にそってローラー上をウェーハが移動するとき、相当
な抵抗が蓄積される。更に、極端な場合には、ウェーハ
が下部のバンドから持上げられるので、摩擦は減少す
る。その結果、前進力は抵抗に打ち勝つのに不十分であ
る。
【００５２】切断システムの適切な動作のためには、レ
ーザー棒の長さとローラーの半径の間の関係Ｌ：Ｒは１
０と５０の間にあるべきことが実際に観察されている。
これは、棒材の長さＬが 0.5 mm の場合、半径Ｒは次の
関係を満たすべきである。
【数７】
【００５３】換言すれば、鋭いくさび即ち"ナイフ"と種
々の切断手法で従来使用されている更に半径の小さなロ
ーラー(Ｒ ＝ 1 又は 2 mm)は本発明には適合しない。
【００５４】本明細書に記述された本発明の方法及び装
置は半導体レーザーの一括製作に用いるために設計され
ている。１回の真空室運転で処理できる棒材及びレーザ
ー・チップの数を説明するために、ウェーハは長さが 2
0 mm、幅が25 mm であり、幅のうち 5 mm は、前述のよ
うに、棒材の端をしっかりと固定するのに用いられると
仮定する。長さが 0.5 mm のレーザーの場合、前記ウェ
ーハから４０個の棒材が得られる。チップ又はレーザー
の幅が 0.25 mmの場合、合計して 40 x 80 ＝3200のレ
ーザーが得られる。
【００５５】特に真空室で実行するときの該プロセスの
効率を改善するために、該システムは（１）切断すべき
ウェーハの数を保持し挿入するための入力マガジン配
列、及び（２）ウェーハをロードし被覆棒材を引出すロ
ード・ロックを付加して完成することができる。従っ
て、例えば１０個のウェーハを該システムにロードする
とき、真空システムの処理量は１回の運転当り 32000個
のレーザーに増加する。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、レーザー・ダイオード
を大規模に即ち一括して製作する方式に適合する半導体
ウェーハ切断方法及び装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に従って、線が刻まれたウェー
ハを下部移送バンドと上部移送バンドの間に保持する方
法を示す図である。
【図２】ウェーハから棒材を作るために、下部移送バン
ドと上部移送バンドの間に挟まれたウェーハを曲げて切
断し、切断された棒材を引離しておくために押さえ続け
る切断ローラーの側面概要図である。
【図３】伸縮性のある移送バンドを用いて、切断された
棒材を互いに引離しておく方法を示す切断ローラーの側
面概要図である。
【図４】切断された棒材を、移送バンドの間から解き放
すことにより、互いに引離しておく方法を示す切断ロー
ラーの側面概要図である。
【図５】本発明に従って設計された一括切断装置の概要
図である。
【図６】本発明の一括切断装置の設計条件を説明するの
に用いる図である。
【図７】本発明の一括切断装置の設計条件を説明するの
に用いる図である。
【符号の説明】
１１ ウェーハ １２ 下部移送バンド １３ 上部移送バンド １３Ａ ストライプ １３Ｂ ストライプ １５ 刻まれた線 ２１ 本体／ローラー ２２ レーザー棒 ４１ 移送ベルト ４２ フック ５１ 下部移送バンド ５２ ローラー ５３ ローラー ５４ ロール ５５ 上部移送バンド ５６ ローラー ５７ ローラー ５８ ロール ５９ 移送ベルト ６４ フック ６５ 保持器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｚ (72)発明者 マルセル・ガーゼル スイス国、チューリッヒ シー・エッチ− 8041、ツシクェンヴック 83番地 (72)発明者 クリストフ・ステファン・ハルデル スイス国、チューリッヒ シー・エッチ− 8038、レンゲルストラッセ 66番地 (72)発明者 エルンスト・イーベルハルド・ラッタ スイス国、アドリスヴィル シー・エッチ −8134、ロイティストラッセ 82番地 (72)発明者 アルバータス・オーセンブルグ スイス国、ラングノー シー・エッチ− 8135、ヴァイスヴァルドヴェク 20番地 (72)発明者 ハインツ・リチャード スイス国、キルシベルグ シー・エッチ− 8802、シュッツェンマットストラッセ 29 番地 (72)発明者 ピーター・フェティゲル スイス国、ラングノー シー・エッチ− 8135、ラングムースストラッセ 33番地

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体ウェーハを一括処理し切断された切
    子面を被覆する方法であって、 該ウェーハの切断すべき面を規定するために、該ウェー
    ハの面の１つに少なくとも１つの線（１５）を刻むステ
    ップ、 曲げやすい下部及び上部移送バンドの間に該ウェーハを
    置き、該ウェーハを該上部バンドに面する該刻まれた線
    の方向に向け且つ該移送バンドの縦方向に対して垂直に
    するステップ、 移送バンドをその間に保持された該ウェーハと一緒に、
    半径の大きい湾曲面を持つ本体の周りを移動させ、それ
    によって ・各刻まれた線で該ウェーハを切断するのに適合する曲
    げる力を加え、両端に切断された切子面を持つ個々の棒
    材を形成し、且つ ・相互の切子面損傷を防ぐように隣接する棒材を引離す
    ステップ、及び隣接する棒材が引離されている間に、該
    棒材を該切子面を被覆する蒸発場所に移送するるステッ
    プを含む半導体ウェーハ一括処理及び切断切子面被覆方
    法。
  2. 【請求項２】湾曲面を持つ前記本体はその軸の周りを回
    転できるローラーである請求項１の方法。
  3. 【請求項３】該湾曲面の半径は 5 及び 25 mm の間にあ
    る請求項１又は請求項２の方法。
  4. 【請求項４】該蒸発場所で加える被覆は不活性化層であ
    る請求項１の方法。
  5. 【請求項５】前記被覆される不活性化層はシリコンから
    成る請求項４の方法。
  6. 【請求項６】前記切断及び被覆プロセスは"その場"、即
    ち同じ環境で実行される請求項４の方法。
  7. 【請求項７】前記環境は超高真空である請求項６の方
    法。
  8. 【請求項８】該下部移送バンドの幅は少なくとも該ウェ
    ーハと同じ幅であるが、該上部移送バンドは１つ又は２
    つのバンドから成り、その各々は該ウェーハよりもかな
    り狭く、これらの狭いバンドは、切断動作中に加えられ
    る外部の圧力で該ウェーハが傷つけられない領域と接し
    ている請求項１の方法。
  9. 【請求項９】該曲げやすい移送バンドは伸縮可能な材料
    から作られる請求項１の方法。
  10. 【請求項10】該下部及び上部移送バンドは、挿入された
    ウェーハが切断されるまで該ウェーハを保持しその後は
    切断された棒材を自動的に解き放すように、ローラーの
    周りで個々に導かれる請求項２の方法。
  11. 【請求項11】前記移送バンドの１つは該関連したローラ
    ーの１つの駆動によって進むが、移送バンドの他の１つ
    は該２つの移送バンドの間の摩擦によって進む請求項１
    ０の方法。
  12. 【請求項12】該解き放された切断棒材を捕捉又は保持
    し、該棒材をマガジンに移送し、該マガジンで該棒材を
    互いに引離したまま保持する手段が提供され使用される
    請求項１０の方法。
  13. 【請求項13】半導体ウェーハを、該ウェーハ面の１つに
    刻まれた平行する線によって規定された結晶面で切断す
    る装置であって、 下部及び上部の曲げやすい移送バンドの間に切断すべき
    該ウェーハをしっかりと保持するために該バンドの長さ
    の一部で互いにしっかりと押合い、該刻まれた線は該移
    送バンドの縦方向に垂直であり、大きな半径の湾曲面を
    有する本体の周りの駆動手段によって進む前記下部及び
    上部の曲げやすい移送バンドを含み、 ・該ウェーハは該湾曲面の周りを進むとき、該上部移送
    バンドに強制されて該湾曲面の周りで曲げられ、加えら
    れた曲げモーメントは各々の刻まれた線で該ウェーハを
    切断するように調整され、それによって両端に切子面が
    切断されている棒材を形成し、且つ ・該棒材は、該湾曲面に押しつけられている間に、該切
    断された隣接する棒材の切子面が引離され、互いに損傷
    し合うのを防ぐように配列される半導体ウェーハ切断装
    置。
  14. 【請求項14】湾曲面を持つ前記本体はローラーである請
    求項１３の装置。
  15. 【請求項15】前記湾曲面の半径は 5 及び 25 mm の間に
    ある請求項１３又は請求項１４の装置。
  16. 【請求項16】該下部移送バンドの幅は少なくとも該ウェ
    ーハと同じ幅であるが、該上部移送バンドは１つ又は２
    つのバンドから成り、その各々は該ウェーハよりもかな
    り狭い請求項１３の装置。
  17. 【請求項17】該曲げやすい移送バンドは伸縮可能な材料
    から作られる請求項１３の装置。
  18. 【請求項18】該下部及び上部移送バンドは、挿入された
    ウェーハが切断されるまで該ウェーハを保持しその後は
    切断された棒材を自動的に解き放すように、ローラーの
    周りに導かれる請求項１３の装置。
  19. 【請求項19】前記移送バンドの１つは該関連したローラ
    ーの１つを駆動する手段によって進むが、他の移送バン
    ドは該２つの移送バンドの間の摩擦によって進む請求項
    １８の装置。
  20. 【請求項20】前記解き放された切断棒材を捕捉又は保持
    し、該棒材をマガジンに移送し、該マガジンで該棒材を
    互いに引離したまま保持する手段が提供される請求項１
    ８の装置。
JP3094892A 1990-05-25 1991-04-02 半導体ウエハの分割移送方法及び装置 Expired - Fee Related JP2518978B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP90810383A EP0457998B1 (en) 1990-05-25 1990-05-25 Method and apparatus for batch cleaving semiconductor wafers and for coating the cleaved facets
CH90810383.1 1990-05-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0722357A true JPH0722357A (ja) 1995-01-24
JP2518978B2 JP2518978B2 (ja) 1996-07-31

Family

ID=8205927

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3094892A Expired - Fee Related JP2518978B2 (ja) 1990-05-25 1991-04-02 半導体ウエハの分割移送方法及び装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5171717A (ja)
EP (1) EP0457998B1 (ja)
JP (1) JP2518978B2 (ja)
CA (1) CA2043173C (ja)
DE (1) DE69006353T2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016067615A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 戸田工業株式会社 セラミック複合シートの分割装置及びセラミック複合シートの製造方法
JP2017517145A (ja) * 2014-05-27 2017-06-22 サンパワー コーポレイション こけら葺き状太陽電池モジュール
JP2019071444A (ja) * 2014-05-27 2019-05-09 サンパワー コーポレイション こけら葺き状太陽電池モジュール
US10861999B2 (en) 2015-04-21 2020-12-08 Sunpower Corporation Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects
US11038072B2 (en) 2014-05-27 2021-06-15 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US11482639B2 (en) 2014-05-27 2022-10-25 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US11804565B2 (en) 2015-08-18 2023-10-31 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel
US11942561B2 (en) 2014-05-27 2024-03-26 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528397A (en) * 1991-12-03 1996-06-18 Kopin Corporation Single crystal silicon transistors for display panels
US5362681A (en) * 1992-07-22 1994-11-08 Anaglog Devices, Inc. Method for separating circuit dies from a wafer
US5482899A (en) * 1994-03-21 1996-01-09 Texas Instruments Incorporated Leveling block for semiconductor demounter
US5454002A (en) * 1994-04-28 1995-09-26 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma High temperature semiconductor diode laser
JP3041582B2 (ja) * 1995-03-22 2000-05-15 セイコーインスツルメンツ株式会社 リニアイメージセンサｉｃ
US5719077A (en) * 1995-10-30 1998-02-17 Lucent Technologies Inc. Fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars
US5665637A (en) * 1995-11-17 1997-09-09 Lucent Technologies Inc. Passivated faceted article comprising a semiconductor laser
JP2914430B2 (ja) * 1996-01-05 1999-06-28 日本電気株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
US5911830A (en) * 1996-05-09 1999-06-15 Lucent Technologies Inc. Method and fixture for laser bar facet coating
US5773318A (en) * 1996-10-30 1998-06-30 Lucent Technologies Inc. In-situ technique for cleaving crystals
SG71094A1 (en) * 1997-03-26 2000-03-21 Canon Kk Thin film formation using laser beam heating to separate layers
EP0898345A3 (en) 1997-08-13 2004-01-02 Mitsubishi Chemical Corporation Compound semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US6017804A (en) * 1998-01-09 2000-01-25 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for cleaving semiconductor material
US6048747A (en) * 1998-05-01 2000-04-11 Lucent Technologies, Inc. Laser bar cleaving apparatus
US6098862A (en) * 1998-05-18 2000-08-08 Lucent Technologies Inc. Incrementally continuous laser cleaving process
US7156274B2 (en) * 1999-08-17 2007-01-02 Pufahl Joseph A Media separating apparatus and method
EP0977276A1 (en) * 1998-07-08 2000-02-02 Hewlett-Packard Company Semiconductor device cleave initiation
US5989932A (en) * 1998-07-28 1999-11-23 Lucent Technologies, Inc. Method and apparatus for retaining and releasing laser bars during a facet coating operation
US6590920B1 (en) 1998-10-08 2003-07-08 Adc Telecommunications, Inc. Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet
US6074934A (en) * 1998-11-20 2000-06-13 Lucent Technologies Inc. Apparatus for cleaving laser bars
JP3814432B2 (ja) 1998-12-04 2006-08-30 三菱化学株式会社 化合物半導体発光素子
US6102267A (en) * 1998-12-10 2000-08-15 Lucent Technologies, Inc. Method and apparatus for non-contact pulsating jet cleaving of a semiconductor material
US6274458B1 (en) 1999-07-07 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Method of gas cleaving a semiconductor product
US6702170B1 (en) * 1999-08-17 2004-03-09 Joseph A. Pufahl Media separating apparatus and method
WO2002095378A1 (en) * 2000-05-22 2002-11-28 Moore Thomas M Method for sample separation and lift-out
US6451120B1 (en) * 2000-09-21 2002-09-17 Adc Telecommunications, Inc. Apparatus and method for batch processing semiconductor substrates in making semiconductor lasers
WO2002071031A1 (en) 2001-03-01 2002-09-12 Moore Thomas M Total release method for sample extraction from a charged particle instrument
DE10221952B4 (de) * 2002-05-13 2007-07-12 Forschungsverbund Berlin E.V. Verfahren zur Passivierung der Spiegelflächen von optischen Halbleiterbauelementen
RU2205485C1 (ru) * 2002-09-04 2003-05-27 Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" Способ изготовления полупроводникового лазерного диода
TWI374553B (en) * 2004-12-22 2012-10-11 Panasonic Corp Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element
TWI395281B (zh) * 2009-07-23 2013-05-01 Epistar Corp 晶粒分類裝置
DE102009054912A1 (de) 2009-08-28 2011-03-10 M2K-Laser Gmbh Hochleistungs-Diodenlaser und Verfahren zum Herstellen eines Hochleistungs-Diodenlasers
US8198112B2 (en) 2010-04-14 2012-06-12 Corning Incorporated Laser diodes comprising QWI output window and waveguide areas and methods of manufacture
KR101933113B1 (ko) * 2012-09-18 2018-12-27 엘지디스플레이 주식회사 연성부품용 굴곡시험장치 및 이를 이용한 굴곡시험방법
USD933584S1 (en) 2012-11-08 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD1009775S1 (en) 2014-10-15 2024-01-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel
US9780253B2 (en) * 2014-05-27 2017-10-03 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
CN108091705B (zh) * 2014-05-27 2019-07-02 太阳能公司 叠盖式太阳能电池模块
USD896747S1 (en) 2014-10-15 2020-09-22 Sunpower Corporation Solar panel
USD933585S1 (en) 2014-10-15 2021-10-19 Sunpower Corporation Solar panel
USD913210S1 (en) 2014-10-15 2021-03-16 Sunpower Corporation Solar panel
USD999723S1 (en) 2014-10-15 2023-09-26 Sunpower Corporation Solar panel

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4854866A (ja) * 1971-11-09 1973-08-01
JPS50142163A (ja) * 1974-05-07 1975-11-15
JPS6047491A (ja) * 1983-08-25 1985-03-14 Sharp Corp 半導体レ−ザ−ウエハの劈開方法
JPS61131583A (ja) * 1984-11-30 1986-06-19 Sony Corp 半導体レ−ザの製造方法
JPS62153837A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 Hitachi Ltd 光路切換器
JPS62185009U (ja) * 1986-05-16 1987-11-25
JPH0189108U (ja) * 1987-12-07 1989-06-13
EP0416190A1 (en) * 1989-09-07 1991-03-13 International Business Machines Corporation Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2180837A (en) * 1938-03-16 1939-11-21 Acme Visible Records Inc Strip separating device
DE1427717A1 (de) * 1964-05-15 1968-12-12 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Verfahren und Vorrichtung zum Trennen duenner und ebener Werkstuecke aus sproedem Material
US3743148A (en) * 1971-03-08 1973-07-03 H Carlson Wafer breaker
DE2115306A1 (de) * 1971-03-30 1972-10-12 Licenüa Patent Verwaltungs GmbH, 6000 Frankfurt Verfahren zum Zerteilen eines Halb leiterkorpers
US4195758A (en) * 1978-04-03 1980-04-01 Gte Automatic Electric Laboratories, Incorporated Apparatus for separating snapstrates into individual hybrid substrates
JPS56158497A (en) * 1980-05-13 1981-12-07 Nec Corp Cleaving method for semiconductor laser
JPS5779645A (en) * 1980-11-04 1982-05-18 Mitsubishi Electric Corp Division of semiconductor wafer
US4656638A (en) * 1983-02-14 1987-04-07 Xerox Corporation Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
US5000817A (en) * 1984-10-24 1991-03-19 Aine Harry E Batch method of making miniature structures assembled in wafer form
JPS61276230A (ja) * 1985-05-30 1986-12-06 Nec Kansai Ltd 半導体ペレツトの製造方法
JPH0666388B2 (ja) * 1986-04-09 1994-08-24 ロ−ム株式会社 プレーナ型デバイスの製造方法
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4904610A (en) * 1988-01-27 1990-02-27 General Instrument Corporation Wafer level process for fabricating passivated semiconductor devices
EP0363548B1 (en) * 1988-10-10 1994-03-23 International Business Machines Corporation Method of breaking a plate-like workpiece such as a semi-conductor wafer, and device for breaking said workpiece sandwiched between two foils

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4854866A (ja) * 1971-11-09 1973-08-01
JPS50142163A (ja) * 1974-05-07 1975-11-15
JPS6047491A (ja) * 1983-08-25 1985-03-14 Sharp Corp 半導体レ−ザ−ウエハの劈開方法
JPS61131583A (ja) * 1984-11-30 1986-06-19 Sony Corp 半導体レ−ザの製造方法
JPS62153837A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 Hitachi Ltd 光路切換器
JPS62185009U (ja) * 1986-05-16 1987-11-25
JPH0189108U (ja) * 1987-12-07 1989-06-13
EP0416190A1 (en) * 1989-09-07 1991-03-13 International Business Machines Corporation Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017517145A (ja) * 2014-05-27 2017-06-22 サンパワー コーポレイション こけら葺き状太陽電池モジュール
JP2019071444A (ja) * 2014-05-27 2019-05-09 サンパワー コーポレイション こけら葺き状太陽電池モジュール
JP2019096886A (ja) * 2014-05-27 2019-06-20 サンパワー コーポレイション こけら葺き状太陽電池モジュール
JP2019208059A (ja) * 2014-05-27 2019-12-05 サンパワー コーポレイション こけら葺き状太陽電池モジュール
US11038072B2 (en) 2014-05-27 2021-06-15 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US11482639B2 (en) 2014-05-27 2022-10-25 Sunpower Corporation Shingled solar cell module
US11942561B2 (en) 2014-05-27 2024-03-26 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
US11949026B2 (en) 2014-05-27 2024-04-02 Maxeon Solar Pte. Ltd. Shingled solar cell module
WO2016067615A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 戸田工業株式会社 セラミック複合シートの分割装置及びセラミック複合シートの製造方法
US10861999B2 (en) 2015-04-21 2020-12-08 Sunpower Corporation Shingled solar cell module comprising hidden tap interconnects
US11804565B2 (en) 2015-08-18 2023-10-31 Maxeon Solar Pte. Ltd. Solar panel

Also Published As

Publication number Publication date
EP0457998B1 (en) 1994-01-26
CA2043173C (en) 1993-09-21
JP2518978B2 (ja) 1996-07-31
US5171717A (en) 1992-12-15
EP0457998A1 (en) 1991-11-27
DE69006353D1 (de) 1994-03-10
DE69006353T2 (de) 1994-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0722357A (ja) 半導体ウェーハ一括切断及び切断切子面被覆方法
US8220685B1 (en) System for breaking a semiconductor wafer or other workpiece along a scribe line
US7187162B2 (en) Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
TW457640B (en) A method and apparatus for separating a plate of material, in particular of semiconductor material, into two wafers
US8261730B2 (en) In-situ wafer processing system and method
JPH1179770A (ja) スクライブ装置及び劈開方法
US5154333A (en) Jaw cleaving device
CN1938136A (zh) 用于切割超薄硅片的方法和装置
KR101166595B1 (ko) 부서지기 쉬운 물질들을 분리하기 위한 방법 및 장치
US4995539A (en) Method and apparatus for cleaving wafers
TWI427046B (zh) Broken material of the brittle material substrate
JPH05192816A (ja) シームレス帯ループ及びワイヤループの製造方法及び装置、そして帯鋸及びワイヤ鋸内で切断工具として用いるその用途
US4730763A (en) Means and method for scoring and severing an optical fiber
CN101267920B (zh) 劈割脆性材料的方法
US6247625B1 (en) Anvil pad configuration for laser cleaving
JPH09272122A (ja) マルチワイヤソーによる切断方法
JPS58138050A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002151443A (ja) 半導体素子の劈開装置
US6274458B1 (en) Method of gas cleaving a semiconductor product
WO2021149519A1 (ja) ガラスフィルムの製造方法
JPH01190412A (ja) 板状脆性材の割断法及び装置
JPH11104868A (ja) 脆性材料の割断方法および割断装置
JPH078130Y2 (ja) ＧａＡｓウェハの貼付装置
JP2004160605A (ja) 溝形状測定方法
JP2001096485A (ja) 位置決め装置及び加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees