JPS6112866B2 - - Google Patents
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- JPS6112866B2 JPS6112866B2 JP53129117A JP12911778A JPS6112866B2 JP S6112866 B2 JPS6112866 B2 JP S6112866B2 JP 53129117 A JP53129117 A JP 53129117A JP 12911778 A JP12911778 A JP 12911778A JP S6112866 B2 JPS6112866 B2 JP S6112866B2
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- dielectric
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- ceramics
- pbo
- ceramic
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- Expired
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は誘電体磁器材料、とくに酸化バリウム
（BaO）、酸化亜鉛（ZnO）酸化ニオブ
（Nb2O5），または酸化タンタル（Ta2O5）を主成
分として構成されるBa（Zn1/3Nb2/3）y
（Zn1/3Ta2/3）1-yO3（但し０≦ｙ≦１）組成に
対し、副成分として酸化鉛（PbO）を添加してな
る誘電体共振器用に適した誘電体磁器材料に関す
るものである。 従来の技術 従来から、マイクロ波回路のインピーダンスマ
ツチングや、誘電体共振器などにセラミツクの誘
電体が使用されている。近年、とくに半導体技術
の進歩とともにマイクロ波回路の集積化、小形
化、および発振周波数の安定化などが要望されて
いる。この要求にこたえるため、誘電損失が小さ
く、共振周波数の温度安定性がよく、さらに低価
格のセラミツク誘電体を使用して回路の小形化を
図ることが積極的に進められている。 これまで、この用途に用いられた誘電体材料と
しては、BaO−TiO2系セラミツクおよびこの系
の元素のTi元素を他の元素で置換したセラミツ
クスたとえばBa（Zn1/3Nb2/3）y
（Zn1/3Ta2/3）1-yO3，Ba（Zn1/3Nb2/3）O3お
よびBa（Zn1/3Ta2/3）O3などのセラミツク
ス、さらには静電容量の温度係数が負の値をもつ
TiO2と正のそれをもつ誘電体セラミツクスやガ
ラスとを組合せたものを使用する場合が多い。 発明が解決しようとする問題点 しかし、これらの材料たとえばBaO−TiO2系
セラミツクスでは誘電体損失が大きかつたり、静
電容量の温度係数のばらつきが大きかつたり、あ
るいは共振器としたときの共振周波数の温度係数
τfが大きすぎるという欠点があつた。特に、 Ba（Zn1/3Nb2/3）y（Zn1/3Ta2/3）1-yO3， Ba（Zn1/3Nb2/3）O3およびBa
（Zn1/3Ta2/3）O3セラミツクスでは共振周波数
の温度係数τfを小さくしようとすると、無負荷
Ｑが著しく低下するなど実用上困難な問題点があ
つた。 本発明は共振周波数の温度係数が許容範囲内の
安定した値を持ち、しかも無負荷Ｑの十分大きい
誘電体磁器材料を得ることを日的とする。 問題点を解決するための手題 主成分組成のBa（Zn1/3Nb2/3）y
（Zn1/3Ta2/3）1-yO3に副成分組成のPboを0.001
〜0.1モル分率添加する。 作 用 上記主成分に対してPbOを添加することによ
り、無負荷Ｑを低下させることなく共振周波数の
温度係数τfの減少による温度安定性の改善効果
を得ることができる。 実施例 出発原料には化学的に高純度のBaCO3，ZnO，
Nb2O5，Ta2O5およびPbOを所定の組成に応じて
必要量を秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
り製のボールミルで純水とともに湿式混合した。
この混合物をボールミルからとり出して乾燥した
のち、成形圧力400Kg／cm2で直径50mm厚さ約25mm
の円板を成形し、空気中において1200℃の温度で
２時間仮焼した。仮焼物は純水とともに上記のボ
ールミル中に入れて湿式粉砕した。 粉砕泥しようを脱水乾燥した後、粉末にバイン
ダーとして濃度３％のポリビニールアルコール溶
液を８重量％添加して均質としたのち32メツシユ
のふるいを通して得られた整粒原料を用いて成形
圧力800Kg／cm2で直径12mm，厚さ3.5mmの円板を金
型を用いて成形した。成形体は高純度のアルミナ
匣鉢中に入れ、組成に応じて1550℃から1300℃の
範囲内の温度で２時間、空気中で焼成して表１に
示す組成の誘電体磁器を得た。 次に、それぞれの磁器から直径（Ｄ）が５mm乃
至5.5mmで厚さ（ｔ）はｔ／Ｄの比が0.4となる寸
法の円板形のセラミツクス素子を切り出し、これ
を誘電体供振器として使用した。この誘電体供振
器の共振周波数（ほぼ11GHz）と素子の寸法から
材料の比誘電率（εr）を、また、帯域反射法に
よつて無負荷Ｑ（Ｑu）を測定した。 共振周波数の温度係数（τf）は、温度槽に各
試料を入れ、−30℃から＋70℃の温度変化におけ
るトラツプ周波数の変化を測定して求めた。その
結果を表１に示す。表１において、＊印した試料
番号のものは本発明範囲外の比較例であり、これ
以外の試料が本発明範囲内の実施例である。な
お、試料番号16〜20のうち、試料番号17〜19のよ
うにτfが27〜23ppm／℃の範囲のように
30ppm／℃以下のものであれば、誘電体基板や
共振器としての応用に対し実用的価値のある材料
である。また、試料番号２は試料番号１と比較し
てまた、試料番号７は試料番号６と比較して、そ
れぞれτfは同じであるが、Ｑuが大きくなつてお
り、この点でセラミツクスの誘電特性がすぐれて
いる。
（BaO）、酸化亜鉛（ZnO）酸化ニオブ
（Nb2O5），または酸化タンタル（Ta2O5）を主成
分として構成されるBa（Zn1/3Nb2/3）y
（Zn1/3Ta2/3）1-yO3（但し０≦ｙ≦１）組成に
対し、副成分として酸化鉛（PbO）を添加してな
る誘電体共振器用に適した誘電体磁器材料に関す
るものである。 従来の技術 従来から、マイクロ波回路のインピーダンスマ
ツチングや、誘電体共振器などにセラミツクの誘
電体が使用されている。近年、とくに半導体技術
の進歩とともにマイクロ波回路の集積化、小形
化、および発振周波数の安定化などが要望されて
いる。この要求にこたえるため、誘電損失が小さ
く、共振周波数の温度安定性がよく、さらに低価
格のセラミツク誘電体を使用して回路の小形化を
図ることが積極的に進められている。 これまで、この用途に用いられた誘電体材料と
しては、BaO−TiO2系セラミツクおよびこの系
の元素のTi元素を他の元素で置換したセラミツ
クスたとえばBa（Zn1/3Nb2/3）y
（Zn1/3Ta2/3）1-yO3，Ba（Zn1/3Nb2/3）O3お
よびBa（Zn1/3Ta2/3）O3などのセラミツク
ス、さらには静電容量の温度係数が負の値をもつ
TiO2と正のそれをもつ誘電体セラミツクスやガ
ラスとを組合せたものを使用する場合が多い。 発明が解決しようとする問題点 しかし、これらの材料たとえばBaO−TiO2系
セラミツクスでは誘電体損失が大きかつたり、静
電容量の温度係数のばらつきが大きかつたり、あ
るいは共振器としたときの共振周波数の温度係数
τfが大きすぎるという欠点があつた。特に、 Ba（Zn1/3Nb2/3）y（Zn1/3Ta2/3）1-yO3， Ba（Zn1/3Nb2/3）O3およびBa
（Zn1/3Ta2/3）O3セラミツクスでは共振周波数
の温度係数τfを小さくしようとすると、無負荷
Ｑが著しく低下するなど実用上困難な問題点があ
つた。 本発明は共振周波数の温度係数が許容範囲内の
安定した値を持ち、しかも無負荷Ｑの十分大きい
誘電体磁器材料を得ることを日的とする。 問題点を解決するための手題 主成分組成のBa（Zn1/3Nb2/3）y
（Zn1/3Ta2/3）1-yO3に副成分組成のPboを0.001
〜0.1モル分率添加する。 作 用 上記主成分に対してPbOを添加することによ
り、無負荷Ｑを低下させることなく共振周波数の
温度係数τfの減少による温度安定性の改善効果
を得ることができる。 実施例 出発原料には化学的に高純度のBaCO3，ZnO，
Nb2O5，Ta2O5およびPbOを所定の組成に応じて
必要量を秤量し、めのうボールを備えたゴム内張
り製のボールミルで純水とともに湿式混合した。
この混合物をボールミルからとり出して乾燥した
のち、成形圧力400Kg／cm2で直径50mm厚さ約25mm
の円板を成形し、空気中において1200℃の温度で
２時間仮焼した。仮焼物は純水とともに上記のボ
ールミル中に入れて湿式粉砕した。 粉砕泥しようを脱水乾燥した後、粉末にバイン
ダーとして濃度３％のポリビニールアルコール溶
液を８重量％添加して均質としたのち32メツシユ
のふるいを通して得られた整粒原料を用いて成形
圧力800Kg／cm2で直径12mm，厚さ3.5mmの円板を金
型を用いて成形した。成形体は高純度のアルミナ
匣鉢中に入れ、組成に応じて1550℃から1300℃の
範囲内の温度で２時間、空気中で焼成して表１に
示す組成の誘電体磁器を得た。 次に、それぞれの磁器から直径（Ｄ）が５mm乃
至5.5mmで厚さ（ｔ）はｔ／Ｄの比が0.4となる寸
法の円板形のセラミツクス素子を切り出し、これ
を誘電体供振器として使用した。この誘電体供振
器の共振周波数（ほぼ11GHz）と素子の寸法から
材料の比誘電率（εr）を、また、帯域反射法に
よつて無負荷Ｑ（Ｑu）を測定した。 共振周波数の温度係数（τf）は、温度槽に各
試料を入れ、−30℃から＋70℃の温度変化におけ
るトラツプ周波数の変化を測定して求めた。その
結果を表１に示す。表１において、＊印した試料
番号のものは本発明範囲外の比較例であり、これ
以外の試料が本発明範囲内の実施例である。な
お、試料番号16〜20のうち、試料番号17〜19のよ
うにτfが27〜23ppm／℃の範囲のように
30ppm／℃以下のものであれば、誘電体基板や
共振器としての応用に対し実用的価値のある材料
である。また、試料番号２は試料番号１と比較し
てまた、試料番号７は試料番号６と比較して、そ
れぞれτfは同じであるが、Ｑuが大きくなつてお
り、この点でセラミツクスの誘電特性がすぐれて
いる。
【表】
【表】
ここに、副成分であるPbOの量は0.001モル分
率未満では無負荷Ｑの改善に対して効果がなく、
また、0.1モル分率を超えると無負荷Ｑが低下す
るとともに共振周波数の温度安定性が悪くなるた
めに本発明から除かれる。 表１から明らかなように、本発明の範囲内の誘
電体共振器はマイクロ波領域において無負荷Ｑが
大きく、比誘電率が比較的大きく、さらに共振周
波数の温度安定性が改善された優れたものである
ことがわかる。 発明の効果 本発明の誘電体セラミツクスは、低周波領域に
おいても誘電損失が小さく、さらに静電容量の温
度変化が小さいので、セラミツクコンデンサ用と
しても適した材料であり、その工業的価値は大き
いものである。
率未満では無負荷Ｑの改善に対して効果がなく、
また、0.1モル分率を超えると無負荷Ｑが低下す
るとともに共振周波数の温度安定性が悪くなるた
めに本発明から除かれる。 表１から明らかなように、本発明の範囲内の誘
電体共振器はマイクロ波領域において無負荷Ｑが
大きく、比誘電率が比較的大きく、さらに共振周
波数の温度安定性が改善された優れたものである
ことがわかる。 発明の効果 本発明の誘電体セラミツクスは、低周波領域に
おいても誘電損失が小さく、さらに静電容量の温
度変化が小さいので、セラミツクコンデンサ用と
しても適した材料であり、その工業的価値は大き
いものである。
Claims (1)
- １ Ba（Zn1/3Nb2/3）y（Zn1/3Ta2/3）1-yO3で
表わさせる主成分組成（但し０≦ｙ≦１）に対し
幅成分としてPbOを0.001から0.1モル分率の間で
添加したことを特徴とする誘電体磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12911778A JPS5556063A (en) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Dielectric ceramic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12911778A JPS5556063A (en) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Dielectric ceramic material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5556063A JPS5556063A (en) | 1980-04-24 |
| JPS6112866B2 true JPS6112866B2 (ja) | 1986-04-10 |
Family
ID=15001482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12911778A Granted JPS5556063A (en) | 1978-10-19 | 1978-10-19 | Dielectric ceramic material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5556063A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4853199A (en) * | 1987-01-08 | 1989-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing crystalline complex perovskite compounds |
-
1978
- 1978-10-19 JP JP12911778A patent/JPS5556063A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5556063A (en) | 1980-04-24 |
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