JPS61128533A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61128533A JPS61128533A JP25100784A JP25100784A JPS61128533A JP S61128533 A JPS61128533 A JP S61128533A JP 25100784 A JP25100784 A JP 25100784A JP 25100784 A JP25100784 A JP 25100784A JP S61128533 A JPS61128533 A JP S61128533A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に選択酸
化法によって生ずる酸化膜の凸部をエツチング除去して
平坦化するようにしたものである。
化法によって生ずる酸化膜の凸部をエツチング除去して
平坦化するようにしたものである。
第２図は選択酸化法によって、シリコン基板１上に成長
せしめたエピタキシャル層２に分離酸化膜３を形成した
ときの断面図である。列えは、分離酸化膜３を１７００
０ＡＫ形成すれば分離酸化膜３の両端がせり上がり、図
中のａの高さは１１０００λ近くになる。このせり上が
った部分はバーズビークと呼ばれる。
せしめたエピタキシャル層２に分離酸化膜３を形成した
ときの断面図である。列えは、分離酸化膜３を１７００
０ＡＫ形成すれば分離酸化膜３の両端がせり上がり、図
中のａの高さは１１０００λ近くになる。このせり上が
った部分はバーズビークと呼ばれる。
このバーズビークは、後工程での膜形成で段差となり、
フルミ配線を行った場合、この段差部で断線するなどの
欠点があった。
フルミ配線を行った場合、この段差部で断線するなどの
欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、酸化膜形成の峨生ずる凸部をエ
ツチング除去して平坦化するようＫした半導体装置の製
造方法を提供するものである。
ためになされたもので、酸化膜形成の峨生ずる凸部をエ
ツチング除去して平坦化するようＫした半導体装置の製
造方法を提供するものである。
Ｃ問題点を解決するだめの手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法は、選択酸化法に
よって生じた酸化膜のバーズビーク部分にイオン注入し
、この部分をエツチングするようにしたものである。
よって生じた酸化膜のバーズビーク部分にイオン注入し
、この部分をエツチングするようにしたものである。
この発明においては、イオン注入したバーズビーク部分
は、イオン注入されない部分よりエツチング速度が早く
なり、バーズビーク部分のみが除去されることになる。
は、イオン注入されない部分よりエツチング速度が早く
なり、バーズビーク部分のみが除去されることになる。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の半導体装置の製造方
法の一実施例を説明するだめの断面図である。
法の一実施例を説明するだめの断面図である。
まず、第１図（ａ）のように、第２図と同様に分離酸化
膜３をシリコン窒化膜４が除去された部分のみに形成す
る。このとき、分離酸化膜３０両端がせり上がり凸部が
できる・例えば、１７０００Ａの分離酸化膜３を形成し
た場合、この凸部の高さｈは１１０００人である。
膜３をシリコン窒化膜４が除去された部分のみに形成す
る。このとき、分離酸化膜３０両端がせり上がり凸部が
できる・例えば、１７０００Ａの分離酸化膜３を形成し
た場合、この凸部の高さｈは１１０００人である。
次に、寿１図（ｂ）のように、レジスト５を平坦状に堕
布する。このときのレジスト５の厚さは１４０００人で
ある。
布する。このときのレジスト５の厚さは１４０００人で
ある。
次に％第１図（Ｃ）のように、Ｏｆプラズマによりレジ
スト５を６０００人除去した後、例えばポロンを１２０
ＫｅＶ、 ドーズ量５ Ｘ Ｉ Ｑ ｌ４ＣＩ＋！−”
で、イオン６を注入することにより、分−酸化膜３の凸
部に不純物が注入される。３ａはその不純物層を示す。
スト５を６０００人除去した後、例えばポロンを１２０
ＫｅＶ、 ドーズ量５ Ｘ Ｉ Ｑ ｌ４ＣＩ＋！−”
で、イオン６を注入することにより、分−酸化膜３の凸
部に不純物が注入される。３ａはその不純物層を示す。
前記不純物は５０００Ａの深さまで導入される。このと
き、凸部以外の分離酸化膜３．エピタキシャル層２は、
レジスト５で覆われているため、不純物が注入されるこ
とはない。また、不純物はリンでも同様の効果がある。
き、凸部以外の分離酸化膜３．エピタキシャル層２は、
レジスト５で覆われているため、不純物が注入されるこ
とはない。また、不純物はリンでも同様の効果がある。
次に、レジスト５を第１図（ｄ）のように除去し。
次いで、シリコン窒化膜４を除去する。
次に、第１図（ｅ）のように、全面に分離酸化膜３が露
出した状態で、ＨＦとＮＨ，Ｆの混合液にて分離酸化膜
３をエツチングする。このとき、分鴫酸化、膜３の凸部
の不純物層３ａは、エツチング速度が不純物の入ってな
い分離酸化膜３に比べ１０〜２０倍早い。したがって、
不純物層３ａは増殖エラ弔ングされ、分離酸化膜３の平
坦化がなされる。
出した状態で、ＨＦとＮＨ，Ｆの混合液にて分離酸化膜
３をエツチングする。このとき、分鴫酸化、膜３の凸部
の不純物層３ａは、エツチング速度が不純物の入ってな
い分離酸化膜３に比べ１０〜２０倍早い。したがって、
不純物層３ａは増殖エラ弔ングされ、分離酸化膜３の平
坦化がなされる。
なお、上記実施−Ｊでは、バイポーラＩＣの分離酸化膜
について示したが、モスＩＣのフィールド酸化膜など選
択酸化を行う工程では、上記実施例と同様の゛効果を奏
する。
について示したが、モスＩＣのフィールド酸化膜など選
択酸化を行う工程では、上記実施例と同様の゛効果を奏
する。
この発明は以上説明したとおり、選択酸化工程において
生ずるいわゆるバーズビーク部分にイオン注入を行った
後、全面をエツチングするようＫしたので、イオン注入
されたバーズビーク部分のエツチング速度はイオン注入
されない他の部分よりエツチング速度が早くなり、バー
ズビーク部分のみが除去され、平坦な分離酸化膜が形成
できる。
生ずるいわゆるバーズビーク部分にイオン注入を行った
後、全面をエツチングするようＫしたので、イオン注入
されたバーズビーク部分のエツチング速度はイオン注入
されない他の部分よりエツチング速度が早くなり、バー
ズビーク部分のみが除去され、平坦な分離酸化膜が形成
できる。
したがって、以後の工程において、段差のない膜がこの
上に形成できるので、アルミ配蝋の断線の起こりＫくい
半導体装置が得られる利点がある。
上に形成できるので、アルミ配蝋の断線の起こりＫくい
半導体装置が得られる利点がある。
第１図＜ａ）〜（ｅ）はこの発明の半導体装置の製造方
法の一実施例を説明するだめの要部の断面側面図、第２
図は従来の要部の断面側面図である。 図において、１はシリコン基板、２はエピタキシャル層
、３は分離酸化膜、３ａは不純物層、４はシリコン窒化
膜、５はレジスト、６は注入されるイオンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） ４、シリコン窒化層 ５．１／シスト 第１図 第２図
法の一実施例を説明するだめの要部の断面側面図、第２
図は従来の要部の断面側面図である。 図において、１はシリコン基板、２はエピタキシャル層
、３は分離酸化膜、３ａは不純物層、４はシリコン窒化
膜、５はレジスト、６は注入されるイオンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） ４、シリコン窒化層 ５．１／シスト 第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板上の所定個所に選択的に酸化膜を形成する半
導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜をマスク
として選択的に酸化膜を形成した後レジストを全面に平
坦状に塗布し、このレジストを一様な深さに除去した後
、不純物のイオン注入を行い前記酸化膜形成の際形成さ
れた凸部のみに不純物を導入し、残りのレジストおよび
シリコン窒化膜を除去した後前記酸化膜をエツチングし
、前記不純物が注入された部分を除去することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25100784A JPS61128533A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25100784A JPS61128533A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128533A true JPS61128533A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17216251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25100784A Pending JPS61128533A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128533A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273702A2 (en) * | 1986-12-29 | 1988-07-06 | General Electric Company | Radiation hardening techniques for metal-oxide silicon devices |
| CN102479680A (zh) * | 2010-11-29 | 2012-05-30 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| CN113506723A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-10-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP25100784A patent/JPS61128533A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273702A2 (en) * | 1986-12-29 | 1988-07-06 | General Electric Company | Radiation hardening techniques for metal-oxide silicon devices |
| EP0273702A3 (en) * | 1986-12-29 | 1990-05-09 | General Electric Company | Radiation hardening techniques for metal-oxide silicon devices |
| CN102479680A (zh) * | 2010-11-29 | 2012-05-30 | 中国科学院微电子研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| CN113506723A (zh) * | 2021-06-28 | 2021-10-15 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法 |
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