JPS6112837A - 金属チタンの製造法 - Google Patents

金属チタンの製造法

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JPS6112837A
JPS6112837A JP13357684A JP13357684A JPS6112837A JP S6112837 A JPS6112837 A JP S6112837A JP 13357684 A JP13357684 A JP 13357684A JP 13357684 A JP13357684 A JP 13357684A JP S6112837 A JPS6112837 A JP S6112837A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、スポンジチタンの製造法、特に四塩化チタン
をマグネシウムで還元して、スポンジ状の金属チタンを
製造するに当り、生成金属チタン中への鉄の混入を抑止
することによって、純度の高いスポンジチタンを得る方
法に関する。
工業的に金属チタンを製造する方法として、四塩化チタ
ンをマグネシウムで還元する方法が広く用いられている
が、この方法においては通常、鉄またはステンレス製密
閉反応容器中に予−め所要のマグネシウムを全量充填し
、ヘリウムまたはアルゴンのような不活性ガスの正圧雰
囲気中で750℃。
以上に加熱して、溶融状態に保ったマグネシウムの表面
に四塩化チタンを導入して反応が開始される。これは発
熱反応であり、温度上昇が反応を律速する。反応によっ
て生成した金属チタンは、溶融マグネシウム中を沈降し
て反応容器下方の底板上に堆積し、また副生する塩化マ
グネシウムも。
比重がマグネシウムよりも大きいので底部に溜り。
塩化マグネシウムは定期的または連続的に排出される。
このようにして得られたチタニウム塊は従来。
全般的に比較的高い鉄の含有率(製品平均0.05〜0
1%)を示し、莱却さする底部及び外周部はさらに高い
値(例えば数チのオーダー)を示す。またこの棄却部分
も従来は、ブリネル硬度100以下のA級品について1
5〜20チに達し、製品の純度及び歩留りに」dいて満
足できる操業は行なわれていなかった。
本発明者の調査の結果、鉄のスポンジチタン製品への混
入は次の工程によることが判明した。即ち反応を行なう
ための密閉容器には、生成する金属チタンと副生ずる塩
化マグネシウムとによる容量増加を受入れるため、従来
容器上部に空間が設けられているが、これは通常約75
0℃1以上に加熱されている。か瓦る高温においては容
器壁材の鉄と四塩化チタンとの反応によって。
2T i CIa +Fc−+ 2TC1,−4−F 
ec It + またはTi(、:la+Fe −+’
l’iCL +Fet、;Igの反応が進行し+ Fe
 CI mはさらにMgで還元されてFeCIt +M
g −+ Fe +MgCl。
となり、こうして生成した鉄がスポンジチタンに混入す
るのである。これらの反応は約700℃、において既に
顕著に進行するのが認められる。この反応は工程初期に
進行し9反応操作が進行するに従って容器内壁面が金属
チタン又はチタン化合物によって覆われるので、生成チ
タンへの鉄の混入は次第に減少する。
本発明者は還元反応の初期の段階に、少くとも浴面上方
の器壁が本質的に金属’l’i、Mg又はチタン化合物
の薄層によって捷われるに充分な間、析出し生長しつ又
あるチタン塊ができるだけ700 ’(:’、以上の鋼
製器壁と直接接しないように操作することにより、金属
チタン製品の歩留り及び純度を大幅に改善できろことを
知見した。そしてこの発明はか匁る知見を笑現する手段
を提供するものである。
即ち四塩化チタンを溶融マグネシウム浴面に供給するに
際し、この浴面上方の空間を不活性ガスを主成分とする
気相によって0.5に一以上の圧力に保つ。これによっ
て四塩化チタンは、供給管から噴出され浴面上方で気化
しても広く拡散することなく、主として浴面中央付近で
マグネシウムと接触し、金属チタンを析出する。このよ
うな四塩化チタンの蒸気の拡散抑制にはArも利用でき
るが。
特KHeが、密度か小さく反応容器上方に集まる傾向を
持つ省で特に効果が大きく、有利である。ガスの圧力は
高い万が拡散の抑制には有利だが、−万操作圧力が高す
ぎると、装置の強度確保という点で不利となり、結局1
.5に一以下とするのが好ましい。また四塩化チタン供
給管は、噴出速度を増して拡散を少なくするために、先
端径を小さくするのがよい。なお本発明の実施に際し、
浴面よりも上方の気相と接する器壁を冷却ジャケット等
の利用により外方から冷却して、特に600℃、以下に
保てば、器壁内面に達する少量の’1.’ i CI 
4の鉄との反応による低次塩化チタンの生成、及びこれ
に続く鉄のスポンジチタンへの混入が阻止されるので。
より効果的である。
本発明の実施には9本発明者の開発せるいくつかの還元
装置が利用可能である。でれは単筒構成でも、或は共軸
的に配置した内外二重筒を有する構成でもよい。
上記の本発明方法を用いて操作を行なう場合。
生成したチタン塊は鉄の含有率が、内方で平均0.1係
程度、比較的高い20s+m以内の外周部においても0
2%以下とすることができ、A級品の歩留りは90襲以
上を容易に達成でき、特に良好な場合には95襲となり
、これは前掲の従来技術による80〜85チに比べて大
巾な改良を示すものである。
上記の説明では専ら、液状Ti1l、の溶融Mgへの導
入の場合について述べたが1本発明力法はこのほか、塩
化物蒸気の溶融Mgによる還元に基く1例えば金属ジル
コニウムの製造工程へも適用可能である。
次に本発明を、添附の図面によって詳細に説明する。
第1図は本発明の実施に適用しうる還元装置の概略を示
す縦断面図でおる。図において、耐火物で円筒状に構成
され、且つ外周を鉄板で覆われた密閉可能な構造、をも
つ炉1の内面にはピータ−2が配置され、これによって
、炉内に収納された円筒状の鋼製反応容器乃至ルツボ6
が加熱される。ルツボ外壁面上部には冷却ジャケット4
が、蓋5の底辺近くまで設けられている。ジャケット4
の下辺の位置は、還元反応開始時における溶融マグネシ
ウム浴面の高さ、即ちMg仕込量によって決定する。ジ
ャケットを効率的に機能させるために、炉1のヒーター
2はこめ近くの部分が他から独立して制御可能である。
ルツボの蓋5の中央部には、適当な密閉拐を介して昇降
可能としたTiC1a供給管6が支持されている。蓋5
にはさらに、不活性ガスの導入、内部ガスの放出等のた
めに、ガス管7並びに圧力指示計8が取付けられている
。融液排出のために管9がルツボの外壁に沿って底面ま
で延びている。ルツボ6と炉1との間の空間は密閉され
、導入される不活性ガスによって圧力の制御が可能であ
る。
次に本発明方法の実施例を示す。
実施例 本質的に第1図に示す構成の装置を用いた。ただしルツ
ボ外周のジャケットは機能させなかった。
内径i、7m、軸長4.軸長4向5 ウムを約8.5トン装入した。炉内空間をArガスで満
たす一方,ルツボ内をHe雰囲気とし,炉で加熱してマ
グネシウムを溶融した。マグネシウム浴面の位置は底面
から2.5m,でTiCl4供給管の下端は浴面かも1
.FILに固定した。炉内空間の圧力をt O kg/
crlルツボ内の溶融マグネシウム上方の空間なHeガ
スによりo.a 〜1. 2 ’q/cnlの圧力に保
ちながら+ T1Cx。
の導入を開始し,この圧力範囲を保ちながら3ookg
4eの割合でTicl.を供給した。反応開始時から浴
面が800TL上昇した時点でMgC1,を排出して浴
面を60礪低下させた。以後,浴面σ)変動幅が60c
m以内となるようにへ4gCl□抜ぎを行ないながら,
 ’jric1.を延べ約21トン装入した。得られた
反応生成物は真空分離に供され,結局5.2トンのチタ
ン塊を得た。
この底部及び側面の外層20πm以内におけ゛る鉄の含
有率は平均約0.15%,いわゆるAg製品の歩留りは
約91係であった。これは従来方法製品の相尚窩1所に
おける鉄含有率1〜数%,A級跋品歩留りノ80〜85
%に比べて入巾な向上を示していることが明らかである
【図面の簡単な説明】
第11Aは本発明によるスポンジチタン製造装置の一例
を示す縦断面図である。図において。 −  1・・・・・・E熱炉;  2−由ヒーター; 
6・・・・・・ルツボ;4・・・・・・ジャケット: 
5・・・・・蓋;  6・・・・・・Ti11.供給管
ニア・・・・・ガス管;8・・・・・・圧力指示計; 
9・・・・・・融液排出管。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、本質的に円形の水平断面を持つ鋼製容器器壁にて限
    定される溶融マグネシウム浴面に、該浴面のほゞ中央に
    向かって延びた管手段を経由して四塩化チタンを供給し
    、両者間の反応により析出する金属チタンを回収する方
    法において、該容器内の浴面よりも上方の空間に不活性
    ガスを導入し該空間をほゞ0.5kg/cm^2(ゲー
    ジ圧)以上の圧力に加圧した後四塩化チタンの供給を開
    始し、さらにかゝる圧力範囲で四塩化チタンの供給を行
    ない、以て反応を主に器壁から隔たった浴面部分で進行
    せしめ、析出する金属チタンの器壁材元素による汚染を
    抑制するようにしたことを特徴とする金属チタンの製造
    法。 2、上記浴面よりも上方の空間が、不活性ガスの導入に
    より1.5kg/cm^2以下の圧力に加圧される、特
    許請求の範囲第1項記載の金属チタンの製造法。 3、上記不活性ガスがHe又はArを主成分とするガス
    である、特許請求の範囲第1項記載の金属チタンの製造
    法。 4、上記容器の浴面以上の器壁内面を、外方からの冷却
    により600℃以下に保って四塩化チタンを導入する、
    特許請求の範囲第1項記載の金属チタンの製造法。
JP13357684A 1984-06-28 1984-06-28 金属チタンの製造法 Granted JPS6112837A (ja)

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JPS6112837A true JPS6112837A (ja) 1986-01-21
JPH059498B2 JPH059498B2 (ja) 1993-02-05

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6409797B2 (en) * 1994-08-01 2002-06-25 International Titanium Powder Llc Method of making metals and other elements from the halide vapor of the metal
JP2005232500A (ja) * 2004-02-17 2005-09-02 Toho Titanium Co Ltd スポンジチタンの製造方法及び装置
US9630251B2 (en) 2005-07-21 2017-04-25 Cristal Metals Inc. Titanium alloy
JP2019119917A (ja) * 2018-01-10 2019-07-22 東邦チタニウム株式会社 スポンジチタンの製造方法

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JP2019119917A (ja) * 2018-01-10 2019-07-22 東邦チタニウム株式会社 スポンジチタンの製造方法

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