JPS61118343A - カルボン酸及びカルボン酸誘導体の製造方法 - Google Patents

カルボン酸及びカルボン酸誘導体の製造方法

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JPS61118343A
JPS61118343A JP59239079A JP23907984A JPS61118343A JP S61118343 A JPS61118343 A JP S61118343A JP 59239079 A JP59239079 A JP 59239079A JP 23907984 A JP23907984 A JP 23907984A JP S61118343 A JPS61118343 A JP S61118343A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の第11用分野 本発明はカルボン酸及びカルボン酸誘導体の製造方法に
関し、さらに詳しくいえば、オレフィン、アルコール又
はアルデヒド類のカルボニル化反応において、銅又は銀
のカルボニル錯体を担持して成る固型化触媒を用いるこ
とにより、それらから極めて工業的有利にカルボン酸や
カルボン酸誘導体を製造する方法に関するものである。
従来の技術 炭素数4以上のオレフィン又はアルコールから得られる
第二級カルボン酸類や第三級カルボン酸類の中には、工
業用中間体として極めて重要なものが多く、例えばイン
ブチレンから誘導される第三級カルポジ酸のピバリン酸
は、オレフィン類の重合開始剤である有機過酸化物や農
薬等の原料として多量に用いられてお9、また該第三級
カルボン酸類はそのα−位に少なくとも2個のアルキル
基を有するために、このもの′t−1つの構成要素とし
た重合体は耐熱性、耐アルカリ性、耐候性に優れるなど
、有用な工業材料である。
一方、アルデヒドから得られるオキシカルボン酸類の中
にも有用なものが多く、例えばホルムアルデヒドから誘
導されるグリコール酸やグリコール酸エステルは、それ
自体が化学洗浄剤、高沸点溶剤などとして用いられるほ
か、水素還元すればエチレングリコールが得られるなど
、工業用中間体として重要なものである。
これらのカルボン酸類の製造方法としては、従来コツホ
法(米国特許第2876241号明細書ン及び改良コツ
ホ法(米国特許第3910963号明細書、特公昭49
−3511号公報、特公昭48−20530号公報、特
開昭57−46934号公報)が知られている。しかし
ながら、これらの方法においては、多量の硫酸又は三フ
ッ化ホウ素錯体を使用するので、(1)反応生成物と触
媒との分離がはん雑である、(2)多量の廃酸が生じる
、(3)機器が腐食しやすいなどの欠点があり、工業的
に行う方法としては不適当である。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、このような従来方法の欠点を解決し、
オレフィン、アルコール又はアルデヒド炉から、カルボ
ニル化反応により極めて工業的有利にカルボン酸やカル
ボン酸誘導体を製造する方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、カルボニル化反応
の触媒として、銅又は銀のカルボニル錯体を酸性固体酸
に担持して成る固型化触媒を用いることにより、前記目
的を達成しうろことを見出し、この知見に基づいて本発
明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、オレフィン、アルコール又はアル
デヒド類のカルボニル化反応により、一般式 (式中のR1は水酸基又はアルコキシ基、R2及びRs
はそれぞれ水素原子又はアルキル基、”4は水酸基又は
アルキル基である) で表わされるカルボン酸又はカルボン酸誘導体を製造す
るに当り、触媒として銅又は銀のカルボニル錯体を酸性
固体酸に担持して成る固型化触媒を用いることを特徴と
するカルボン酸及びカルボン酸誘導体の製造方法を提供
するものである。
本発明の特徴はカルボニル化反応の触媒として銅又は銀
のカルボニル錯体を酸性固定酸に担持して成る固型化触
媒を用いる点にある。この固型化触媒に用いられる銅又
は銀のカルボニル錯体は、例えば1価の銅イオンを生じ
る化合物又は銀化合物に、濃度80重量%以上の濃硫酸
、80重量%以上の三フッ化ホウ素溶液、80重量%以
上のフソ化水素などの強酸中で一酸化炭素を吸収させ、
反応式 %式%() ただし、n = 3又は4 Ag” −1−200: Ag(Co)、”で示される
ようにして、銅ポリカルボニルイオン又は銀カルボニル
イオンを生成させることによって調製される。1価の銅
イオンを生じる化合物としては、飼えば酸化第一銅、あ
るいは硫酸第二銅、酸化第二銅、酢酸銅など2価の銅化
合物と銅粉との等モル混合物などが用いられ、また、銀
化合物としては、例えば酸化銀、硫酸銀、過塩素酸銀、
ホウフッ化銀などが使用される。
一方、酸性固体酸としては、例えば強酸性陽イオン交換
樹脂、粘土鉱物、ゼオライト、無機酸化物、複合酸化物
などが用いられる。強酸性陽イオン交換樹脂としては、
例えばパーフルオロスルホン酸樹脂〔商品名ナフィオン
、デュポン社製など)や、官能基がスルホン酸である夕
゛イヤイオン5K−IB (三菱化成工業社製、商標名
)アンバーライト エR−120B%  1F+−12
2、工R−124(ローム・アンド榔ハース社製、商標
名)、ダウエックスHOR−w2、HGR−W、50W
−X12 (ダウケミカル社製、商標名)パームチット
H70(パームチット社製、商標名)などが挙げられる
。また、粘土鉱物及びゼオライトとしては、例えばモル
デナイト、カバツアイト、エリオナイト、ゼオライトA
XX、Y。
ZSM系ゼオライト、フェリエライト、シリカライト、
モンモリロナイト、カオリナイト、ベントナイト、セビ
オライトなど天然品及び合成品のいずれをも使用しうる
。次に、無機酸化物としては、例えば酸化ケイ素、酸化
ジルコニウム、酸化チタンなどの酸化物、あるいはリン
モリブデン酸、リンタングステン酸、グイタングステン
酸、ケイモリブデン酸などのへテロポリ酸が、複合酸化
物としては、例えばシリカ−ジルコニア、チタニア−ジ
ルコニア、シリカ−チタニアなどが挙げられる。
さらにこれら以外に、モレキュラーシープ、インライト
、セライトなどの多孔質物質も担体として使用すること
ができる。
本発明に用いる固型化触媒は、これらの酸性固体酸に前
記のようにして調製した銅又は銀のカルボニル錯体全担
持させることによって得られる。
この際、酸性固体酸としてイオン交換樹脂を用いる場合
、銅又は銀のカルボニル錯体を含む強酸溶液中に、該イ
オン交換樹脂を1〜3日間浸漬して、銅又は銀のカルボ
ニルイオンをイオン交換により固定させ、また他の固体
酸を用いる場合、該カルボニル錯体を含む強酸溶液中に
該固体酸を加え、1〜24時間程度浸漬して該カルボニ
ル錯体を担持させたのち、カルボニル錯体担持酸性固体
酸を強酸溶液からろ別する。
このようにして調製された固型化触媒を用い、櫂形式又
は塔形式の反応容器中において、カルボニル化反応全回
分方式又は連続方式で行う。
このカルボニル化反応については、櫂形式の反応容器を
用いて行う場合、−酸化炭素雰囲気の該反応容器に前記
固型化触媒と、原料のオレフィン、アルコール又はアル
デヒドとを入れ、かきまぜながら反応を行う。この際反
応を円滑に進行させるために溶媒を使用してもよい。こ
の溶媒としては、例えばヘキサン、リグロインなどの炭
化水素溶媒が好適である。原料のカルボニル化が終了後
、反応を完結させるために所要量のアルコール又は水を
添加する。水を添加した場合は原料に対応するカルボン
酸が、アルコールを添加した場合はエステルが生成する
。このようにして得られた生成物は、ろ過又はデカンテ
ーションにより分離し、固型化触媒は繰9返し使用され
る。
一方、塔形式反応容器を用いて行う場合、反応塔を一酸
化炭素置換したのち、前記固型化触媒を充てん七、原料
を連続的に供給する。この際−酸化炭素と原料との接触
を良くするために、−酸化炭素は強制的に系内を循環さ
せる。次いで生成したカルボニル化反応中間体にアルコ
ール又は水を連続的に接触させて、原料に対応するカル
ボン酸又はエステルの反応生成物を連続的に得る。この
ように固型化触媒を充てんした塔形式の反応容器は連続
カルボニル化反応に適している。
反応原料としては、炭素数3以上のモノオレフィン、ジ
エン化合物、−価アルコール、二価アルコールを用いる
と、これらから得られる反応生成物は第二級カルボン酸
、第三級カルボン酸、グイカルボン酸、それらのエステ
ル又はラクトンなどであり、またホルムアルデヒドやア
セトアルデヒドなどのアルデヒドを用いると、反応生成
物はグリコール酸、乳酸又はそれらのエステルなどが得
られる。
カルボニル化反応の条件については、反応温度は0〜4
0℃の範囲が好ましく、特に重合しゃすいジエン化合物
に対してはO〜10℃程度の低温が有利である。一方、
−酸化炭素圧は通常0.1〜20気圧の範囲で反応が行
われる。この圧力が大きくなると反応速度が向上するが
、20気圧を超えると、それ以上高くしても反応速度は
ほとんど変わらない。また、−酸化炭素はプロピレン、
窒素、二酸化炭素などのガスで希釈しても、−酸化炭素
分圧が0.1気圧以上のものであれば用いることができ
る。
発明の効果 本発明のカルボン酸及びカルボン酸誘導体の製造方法に
おいては、カルボニル化反応の触媒として、銅又は銀の
カルボニル錯体を酸性固体酸に担持させて成る固型化触
媒を用いているため、従来の硫酸や三フッ化ホウ素錯体
を用いる方法に比べて、機器の腐食が少なく、触媒と反
応生成物との分離が極めて容易でアシ、更に触媒の連続
使用が容易であシ、その上多量の廃酸が生じることがな
いなど、極めて工業的に有利な方法である。
実施例 次に実施例によp本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 一酸化炭素ガスビニーレソトt−接続した三ツロフラス
コに酸化銀1.51と三フッ化ホウ素・水錯ルボニルイ
オンを含む溶液を調製する。この触媒溶液にナフィオン
(Nafion ) 117の小片6?を3日間浸漬し
てイオン交換を行わしめ、ナフィオン担持銀カルボニル
触媒を調製する。過剰の触媒溶液を流し出したのち、原
料の1−ヘキセン1.24rnt(10ミリモル)と溶
媒のヘキサン20d’i加えてかきまぜる。3日間に2
35−の−酸化炭素が反応により消費され、1−ヘキセ
ンは100%カルボニル化されたことを示す。次いで水
2mを加え、さらにヘキサン20d’i加えて生成物を
抽出する。
ガスクロマトグラフィー及び1/1ONNaOH滴定に
より、第三級C7カルボン酸(2,2−ジメチルペンタ
ン酸及び2メチル−2−エチルブタン酸の3:1混合物
)90チが抽出されたことを確認した。ナフィオン担持
銀カルボニル触媒は、再び触媒として使用される。
実施例2 実施列1のようにして調製したナフィオン担持銀カルボ
ニル固轟媒を使用し、COガスピューレツrt−持続し
た竺ツロフラスコ内にバラホルムアルデヒド1 F (
33,3ミリモル)、ヘキサン5−を加え、室温、co
1気圧下でかきまぜる。3日後に511 mlの一酸化
炭素が反応し、パラホルムアルデヒドの69チがカルボ
ニル化されている事を示す。
メタノール2−を加え、ヘキサンにて生成物を抽出する
。ガスクロマトグラフィー、NMRによジグリコール酸
メチルが生成している事を確認した。
実施例3 三ツロフラスコに酸化第一銅1t1硫酸1〇−を入れ、
ガスビューレットから一酸化炭素を導入してかきまぜな
から421−の−酸化炭素を吸収させて、銅カルボニル
イオン溶液を調製する。ナフィオン6?をこの触媒溶液
に1日間浸漬し、ナフィオンへの銅カルボニルイオンの
イオン交換ヲ行わせ、ナフィオン担持−調力ルボニル融
媒を調製する。過剰の触媒溶液を流し出したのち、2−
オクタツール1.513d(10ミリモル)、ヘキサン
5−を加え室温でかきまぜる。3日後に、220dの・
−酸化炭素が吸収され、96チの2−オクタツールが反
応したことを示す。次いで水1−を加え、さらにヘキサ
ン20−を加えて生成物を抽出する。
ガスクロマトグラフィー及び1/ION NaOH滴定
によシ第三Rcoカルボン酸(2,2−ジメチルへブタ
ン、2−メチル−2−エチルヘキサン酸、2−メチル−
2−プロピルペンタン酸の4:2:1混合物)が88%
抽出されたことを確認した。
実施列4 実施列3のようにして調製された銅カルボニルイオンの
溶液にダウエックスHOR−W22 r i 2日間浸
漬して、ダウエックスへの銅カルボニルイオンの交換に
より銅カルボニル固型化触媒を調製し、過剰の溶液から
ろ別する。次にCOガスピューレツHそなえた三ツロフ
ラスコに、上記固型化触媒と1−オクテン1.57d 
(10ミリモル八ヘキサン5−とを入れかきまぜる。1
日後に一酸化炭素210−が消費され、1−オクテン9
4チが一酸化炭素と反応していることを示している。次
いでメタノール2−を加え、生成物をメチルエステルの
形で抽出する。ガスクロマトグラフィー及() N M
 Rの分析により、第三級C,カルボン酸メチルが生成
していることが確認された。
実施列S COガスビューレットを接続した三ツロフラスコに酸化
第一銅21、濃硫酸20−を入れ、マグネテイツクスタ
ーラーでかきまぜて一酸化炭素843di吸収させ、銅
カルボニル触媒溶液を調製する。添付図面に示されるよ
うな反応容器を一酸化炭素置換したのち、600℃で焼
成した酸化ジルコニウム10−をこの反応塔1に充てん
する。次にあらかじめ調製した銅カルボニル触媒溶液を
\\\\\孤八X\\へ\N\塔頂から流し、銅カルボ
ニル触媒を酸化ジルコニウムに担持させ、過剰(10ミ
リモル)を滴下する。次いで水1−を滴下し、さらにヘ
キサン20d’ii−溶出溶液として塔頂から加え生成
物を抽出する。生成物はトラップ4に捕集される。ガス
クロマトグラフィー及び1/10 N NaOH滴定よ
り1−オクテンの25チに相当する第三級C,カルボン
酸が、確認された。
実施例6 実施列5のようにして調製された銅カルボニル触媒溶液
に、乾燥したイソライト6tf−晩浸漬したのち、イソ
ライト担持鋼カルボニル化媒をろ別し、実施列5の反応
塔に充てんする。次に上部からヘキセン1.24d (
10ミリモル)f、滴下し、ポンプにτcod循環させ
1−ヘキセンと反応させる。カルボニル化反応終了後、
アルコール1rntを滴下し一\キサン30−にて生成
物を溶出させる。
分析の結果、ヘキセンの30チに相当する第三級C7カ
ルボン酸メチルが生成していることが確認された。
【図面の簡単な説明】
図は実施例5及び6で用いた反応装置の概略図であシ、
図中符号1は固型化触媒光てん塔、2はマイクロフィー
ダー、3は一酸化炭素置換ポンプ、4は反応生成物トラ
ップ、5は一酸化炭素ビューレソトである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 オレフィン、アルコール又はアルデヒド類のカルボ
    ニル化反応により、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中のR_1は水酸基又はアルコキシ基、R_2及び
    R_3はそれぞれ水素原子又はアルキル基、R_4は水
    酸基又はアルキル基である) で表わされるカルボン酸又はカルボン酸誘導体を製造す
    るに当り、触媒として銅又は銀のカルボニル錯体を酸性
    固体酸に担持して成る固型化触媒を用いることを特徴と
    するカルボン酸及びカルボン酸誘導体の製造方法。 2 銅又は銀のカルボニル錯体が、強酸中で銅化合物又
    は銀化合物に一酸化炭素を吸収させて調製したものであ
    る特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 酸性固体酸が強酸性陽イオン交換樹脂、粘土鉱物、
    ゼオライト、無機酸化物及び複合酸化物の中から選ばれ
    たものである特許請求の範囲第1項記載の方法。 4 カルボン酸又はカルボン酸誘導体が一酸化炭素、オ
    レフィン及び水又はアルコールから誘導された第二級若
    しくは第三級カルボン酸又はそのエステルである特許請
    求の範囲第1項記載の方法。 5 カルボン酸又はカルボン酸誘導体が一酸化炭素、ア
    ルコール及び水から誘導された第二級若しくは第三級カ
    ルボン酸又はそのエステルである特許請求の範囲第1項
    記載の方法。 6 カルボン酸又はカルボン酸誘導体が一酸化炭素、ア
    ルデヒド及び水又はアルコールから誘導されたオキシカ
    ルボン酸又はそのエステルである特許請求の範囲第1項
    記載の方法。 7 カルボニル化反応を0〜40℃の温度で行う特許請
    求の範囲第1項記載の方法。 8 カルボニル化反応を一酸化炭素圧力0.1〜20気
    圧で行う特許請求の範囲第1項記載の方法。 9 カルボニル化反応を槽形式又は塔形式の反応容器を
    用いて、回分式又は連続式で行う特許請求の範囲第1項
    記載の方法。
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Cited By (5)

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