JPS61114844A - 導電性積層体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は、導電性積層体に関し、更に詳述すれば、例え
ば液晶表示装置等の表示装置に使用して好適な導電性積
層体に関する。

口、従来技術 透明導電膜又は透明導電性積層体は、例えば液晶ディス
プレイ用の電極、エレクトロルミネッセンス表示装置の
電極、光導電性感光体用の電極をはじめ、ブラウン管、
各種測定器の窓部分の静電遮蔽層、帯電防止層、発熱体
等の電気、電子分野に広く利用されている。これらのう
ち、選択的光透過性を有する透明導電膜は、その赤外光
反射能によって太陽エネルギー利用のためのコレクタ用
窓材として、又は建物の窓材として応用されている。ま
た、情報処理の発展に伴なって、ブラウン管に代わる表
示装置として、エレクトロルミネッセンス、液晶、プラ
ズマ、強誘電体を用いた各種の固体ディスプレイが開発
されており、これらのディスプレイには透明電極が必ず
用いられる。更に、電気信号と光信号との相互作用又は
相互変換による新しい電気光学素子や記録材料が今後の
情報処理技術にとって有用視されてきているが、これに
も透明性及び導電性を兼備した膜が必要とされる。一方
、こうした透明導電層は自動車、飛行機等における凝結
防止用の窓ガラスとして、或いは高分子やガラス等の帯
電防止膜、太陽エネルギーの放散防止用の透明断熱窓と
しても利用可能である。特に、近年、液晶ディスプレイ
、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレイ、
エレクトロクロミックディスプレイ、螢光表示装置等に
於いては、高画素表示の要求が高まっており、これに伴
って透明導電層からなる電極によって画素部を形成する
と同時に、金属層からなる低抵抗電極によって信号印加
ラインを形成し、画素の表示速度の向上と画像の改良と
を図ることが提案されている。

ところで、液晶ディスプレイ等の表示装置にあって、導
電性積層体の透明導電層のバターニングは一般にフォト
エツチングによっており、導電性積層体上に残存するフ
ォトレジストを除去するためにアルカリ溶液に浸漬する
工程及びバターニング後に導電性積層体表面を酸で洗滌
する工程がある。これらの工程に於いて、透明導電層に
亀裂や局部的な剥離が起ることがあり、後述するように
導電性積層体にとって重大な欠陥となる。

上記の現象の原因は明確には把握されていないが、基体
と透明導電層との熱膨張係数の差異に基（透明導電層内
に発生する内部応力が作用しているもののように考えら
れる。

即ち、基体上に透明導電層を蒸着によって被着させるに
際して蒸着層の酸化度を高めて透明性と導電性を向上さ
せるために、基体を例えば３００℃以下の温度に加熱す
る。また、基体の熱膨張係数は広く用いられているポリ
エーテルサルホン（ＰＥＳ）では　５．５　Ｘ　ｌ０Ｃ
ＩＩ　／　ｃｒａ　／　’Ｃ、ポリエチレンテレフタレ
ートＣＰＥＴ）ではｌ　、５　Ｘ　ＩＱｃｍ　／　ｃｍ
　／℃であるのに対して、透明導電層材料として広く用
いられている例えば酸化インジウム（Ｉｎ、Ｏｘ。

Ｘ≦３）やインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）のそれは１
０ｃａ＋　／　ｃｍ　／　’Ｃのオーダーであって、基
体と透明導電層との熱膨張係数の差異が大きい。そのた
め、室温で透明導電層内には基体の収縮によって内部応
力が発生し、この内部応力によって酸又はアルカリ液中
で腐蝕が進行して亀裂や局部的剥離を起こすものと考え
られる。

一方、透明基板上に酸化インジウム膜を形成し、次いで
酸化錫膜を形成した二層構成の透明導電膜が提示されて
いる（特開昭５２−２２７８９号公報）が、この透明導
電膜は、例えば液晶表示装置素子用の透明電極板として
使用する場合、パネルのシールをガラスシール材を用い
て強固に行うに際して５００℃或いはそれ以上の温度と
するのであるが、この熱処理後の透明性と導電性を良好
に保つことを目的としている。

この透明導電膜では酸化錫層にピンホールや亀裂がある
と前記の酸やアルカリに対して抵抗力が低下する：酸化
インジウム層と酸化錫層との溶解性の相違のためにサイ
ドエツチングが大きく、バターニングが困難である一基
体側に酸化インジウム層を設けると耐酸性、耐アルカリ
性共に満足できず、その結果、透明導電膜に亀裂や剥離
が生じ易い；等の問題がある。

ハ、発明の目的 本発明は、上記のような従来の導電性積層体が有する問
題点を解消し、酸やアルカリに対して充。

分な抵抗力を示す導電性積層体を提供することを目的と
している。

二、発明の構成 叩ち、本発明は、基体上に透明導電層が形成された導電
性積層体に於いて、前記基体と前記透明導電層との間に
、実質的に非晶質からなる中間層が設けられていること
を特徴とする導電性積層体に係る。

本発明に於いて、基体の材料としては、無機質のものに
ついては、石英ガラス、ソーダガラス、カリガラス等の
ガラスが使用できる。高分子有機質のものについては、
例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ
エチレンナフタレート、ポリヘキ号メチレンジアミド、
ポリエ−テルイミド、ポリメタキシレンジアミンテレフ
タルアミド、ビスフェノールＡ及びそのハロゲン化物と
酸ジクロライドを主成分とする芳香族ポリエステルまた
は芳香族ポリエステルカーボネート、メタフヱニレンジ
アミンとイソフタル酸及びテレフタル酸との共重合体等
のポリアミド、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポ
リイミド、ポリアミド、イミドポリベンズイミダゾール
、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエー
テルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルイミド、トリ
アセチルセルロースが使用できる。また、偏向性フィル
タ機能を有していても良いし、゛製造時に延伸を要する
場合は１軸性及び２軸性のいずれも使用可能である。

基体の中間層や透明導電層を形成する面とは反対側の面
に複数個の高分子樹脂を積層又は混合しても良い。例え
ば透水防止のためのバリヤ層として、塩化ビニリデン樹
脂サランコートを積層擦ることも可能であり、其他の機
能を有する層、例えば反射防止、擦傷防止効果、ガスバ
リヤ性樹脂を積層することも可能である。

例えば旭化成社製サランラテックス（登録商標）Ｌ５２
０　、Ｌ５１１からなるポリ塩化ビニリデン材料を高分
子フィルム基体にワイヤーバーコーティングしたとき、
透水防止効果は極めて大きくなる。

そのコーティング条件としては、例えば基体を厚さ１０
０μｍのＰＥＴ又はＰＥＳフィルム、サランラテックス
原液（固形分４８％）を水で１．０〜３倍に希釈、ワイ
ヤーバーウェット膜厚３〜６０μｍ、搬送速度１００〜
２００　ｔａ　／ｓｉｎ　、乾燥９０〜１４０℃の熱風
、コーティング層乾燥膜厚１〜３０μｍとじて良い。

基体の厚さは、ガラス製のものでは０．２〜２０ｗｍ、
高分子有機質製のものでは１００μｍ程度が好適である
。

透明導電層の材料としては、Ａｕｓ　Ｐｄ５Ｃｒ、Ｎｉ
のような金属薄膜、Ｓ　ｎ　ｏｘ、Ｉ　ｎＬＯ，、Ｚ　
ｎ　ＯｌＴ　ｉ　Ｏｘ、Ｃｄ　Ｏ、Ｃｄ　Ｏ−Ｓ　ｎ　
Ｃｈ及び前記ＩＴＯ等が好適である。また、その厚さは
２００〜１００００人が、特に２００〜１０００人が好
適である。　但し、ＩＴＯの場合は！１１０原子％未満
とするのが良く、また、上記成分に加えて、Ｃｄｓ　Ｚ
ｎｓ　Ａ１等を含有させたものも使用できる。

基体と透明導電層との間に設ける中間層は、非晶質から
なるものとし、ＩＴＯ１酸化錫、酸化珪素（ｓｔｏｚ）
、酸化アルミニウム（Ａ　１ｘｏｊ）等の金属又は半金
属の酸化物を成分とするものが特に好適である。その厚
さは７０Å以上、特に７０〜３００人が良い。その成膜
は反応蒸着又は反応スパッタによることができる。

第１図は本発明に基く導電性積層体の断面を示し、基体
２上に中間Ｎ３、透明導電層４が順次被着されている。

中間層３と透明導電Ｎ４との間には、例えば光干渉効果
によって光透過率を向上させるためのＡ　１ｓＯａ層其
他の無機物質からなる層、或いは高分子物質からなる層
等の其他の中間層（これらの層は結晶質であって良い、
）を設けても良い。

ホ、実施例 以下、透明導電層材料に酸化インジウム又はＩＴＯを使
用した例について説明する。

先ず、本発明が完成するに至る経過について説明する。

以下の試験ではいずれも基体には厚さ１００μｍのＰＥ
Ｓ又は−軸延伸若しくは二輪延伸ＰＥＴを使用し、中間
層、透明導電層の成膜は反応蒸着（蒸発源１−ｎ、Ｉ　
ｎ−３ｎ、、Ｉ　ｎｚＱＢ、ＩＴＯ）又は反応スパッタ
法（ターゲラ）Ｉｎ、Ｉｎ−３ｎ、Ｉ　ｎ、ＯＪ、　Ｉ
　Ｔ　Ｏ）によった。

子ｊｌＩ口＝ 中間層を設けない従来の導電性積層体について、透明導
電層の錫含有量とシート抵抗との関係を求めた。但し、
成膜温度（蒸着時の基体温度）は１０〜３００℃、膜厚
は６００人である。

試験結果は第２図に示す通りである。

錫含有７原子％迄はシフト抵抗Ｒは１００Ω／口と略々
一定値を示し、これが７原子％を越えると次第にシート
抵抗が上昇し、工０原子％で１７０Ω／口に達する。錫
含有量が１０原子％を越えるとシート抵抗が急激に上昇
するようになり、シート抵抗を一定に制御することが困
難になると共に低抵抗値を保持することができなくなる
。従って、透明導電層の錫含有量は１０原子％以下にす
べきであり、特に７原子％以下であるのが望ましい。

１便跋験１ （ｉ）中間層を設けない従来の導電性積層体について、
成膜時の基体温度（成膜温度）と酸に浸漬前後のシート
抵抗の変化との関係より耐酸性を調べた。成膜温度は１
０〜３００℃の範囲である。但し、透明導電層は酸化イ
ンジウム又は錫含有量ＩＯ原子％迄のＩＴＯ、膜厚５０
０人、酸は０．０５Ｎの塩酸、液温は２０℃、浸漬時間
は３０分間である。

Ｖ浸漬前のシート抵抗をＲａ、酸浸漬後のシート抵抗を
Ｒとし、Ｒ／　Ｒｅ≦２（Ｒ／Ｒ，は１に近い程望まし
く　、２．０以下であることが望まれる。）となるため
の成膜温度は、透明導電層の錫含有量によって変化して
おり、下記第１表に示す通りであった・ 第　　１　　表 表中、ａｔ、％は原子％を表わす（以下同じ）。

同表から、Ｒ／Ｒ・を２．０以下にするためには、透明
導電層の錫含有量が高くなる程成膜温度を高くする必要
があることが解る。

なお、第１表に示した条件では、Ｒ／　Ｒｏは２．０以
下であったが、酸浸漬後に透明導電層に亀裂が発生して
いて、耐酸性は満足できるものではなかった。また、第
１表に示した必要成＋１！温度以上で作った透明導電層
はＸ線回折試験により、結晶質であることが判明した。

従って、耐酸性に於いて少なくともＲ／Ｒ≦２．０とす
るには、透明導電層を結晶質にすることが有効である。

（ｉｉ）透明導電層の錫含有量を３以下％とし、成膜温
度と耐アルカリ性との関係を調べたところ、下記第２表
に示す結果が得られた。なお、耐アルカリ性は、５重量
％のＫＯ）［水溶液（２０℃）に１０分間浸漬したとき
の浸漬前（ＲＪと浸漬後（Ｒ）のシート抵抗変化Ｒ／　
Ｒａ及び表面状態変化で調べた。

同表中、○、Δ、×は下記の状態を示す（以降の試験に
お於いても同様である。）。

ＯＡＲ／Ｒｏ≦２．０、亀裂、剥離共に認めず△：　Ｒ
／　Ｒｏ≦２．０、亀裂発生、剥離を認めず×：　Ｒ／
　Ｒ６＞２．０　、亀裂、剥離共に発生第２表 なお、第１表に示した必要成膜温度（錫３原子％；１４
０°Ｃ以上）よりも更に高い成膜温度に於いて、耐酸性
の点では亀裂発生があるが、Ｒ／　Ｒ，≦２．０である
。然し、耐アルカリ性の点で性は高温になる程アルカリ
／ｌ−漬による表面の亀裂が甚しくなり、更に、剥離を
起こすこともあり、やがてＲ／Ｒ，が２．０を越えるよ
うになる。

成膜温度が高（なると酸又はアルカリ浸漬時に透明導電
層に亀裂が発生するようになるのは、基体と透明導電層
との熱膨張係数の差に基く透明導電層中に発生する内容
応力が大きくなり、これが酸又はアルカリ浸漬時の亀裂
発注を誘発することによるもののように考えられる。

以上のように、基体上に直接透明導電層を形成した導電
性積層体では、耐酸性、耐アルカリ性の双方共に満足し
得るものは得られていない。なお、第２表に於いて成膜
温度１４０℃以上の透明導電層はＸ線回折試験に於いて
結晶性を有しており、他方、８０℃以下に於いては、成
膜温度が下がる程非晶質性を有する度合が高い。

上記の結果から、耐酸性に於いてＲ／　Ｒ，を低くする
ためには透明導電層の成膜温度は錫含有量に応じた成る
温度以上（結晶性）とすることを要するが、成膜温度を
上げると、耐酸性及び耐アルカリ性に於いて亀裂発生の
傾向が強まる。透明導電層に発生する亀裂は、微細なも
のであればＲ／　Ｒ。

の増大は僅かであるが、透明導電層を細かいパターンに
パターニングした際には（特に細かい配線を設けた場合
には）、微細な亀裂であってもこれが断線の原因となっ
て、この導電性積層体を使用した液晶ディスプレイ共催
の表示装置に作動しない個所が生ずるようになる。この
ような場合、微細な亀裂でも導電性積層体にとって重大
な欠陥である。

上記の事情から、成膜温度を上げても亀裂発生を防止で
きれば甚だ好都合である。

ヱ１成菓主 第１図に示した構造の導電性積層体１について、中間層
３の材料を非晶質酸化錫とし、その厚さと酸浸漬前後の
シート抵抗の変化Ｒ／　Ｒｅとの関係を求めた。成膜温
度は２００℃以下、例えば１００℃である。透明導電層
４は錫Ｏ〜８原子％を含有する酸化インジウム又はＩＴ
Ｏ１成膜温度は第１表に示した必要成膜温度以上とし、
特に１００〜２００℃（錫Ｏ原子％でｉｏｏ℃、錫６原
子％で２０θ℃）、厚さは４００　人である。　Ｒａは
４００〜６００　Ω／口、酸浸漬前の光透過率は８２〜
７５％である。　ｌｊｉ！厚の測定は３００Å以上では
タリステップにより行い、それ以下の厚さは蒸発速度、
成膜時間から計算によって求めた（以降の試験も同様で
ある。）。

試験結果は第３図に示す通りである。

中間層の厚さが８０人よりも小さくなると、Ｒ／Ｒａが
急激に上昇する。これは、酸浸漬によって透明導電層に
多量の亀裂が発生（中には剥離を起こすものもある。）
による結果である。

中間層の厚さ８０人ではＲ／　Ｒ，は１．４で、この厚
さが増すに従ってＲ／　Ｒｅは小さくなり、５００　Å
以上ではＲ／　Ｒｅが１になっている。中間層の厚さ８
０Å以上では透明導電層中に亀裂を認めなかった。

中間層の材料をｌＯ原子％の錫を含むＩＴＯとした場合
も上記と略々同様の結果となった。また、中間層はＸ線
回折試験に於いて非晶質であり、他方、透明導電層は結
晶質になっている。

以上の結果から、中間層の厚さは８０Å以上で非晶質と
するのが良く、更に、透明導電層は結晶質とするのが良
いことが理解できる。

次に、本発明の実施例を比較例と較べながら具体的に説
明する。

基体と透明導電層との間に、錫含有量を変えて中間層を
設けた導電性積層体について、前記と同様の耐酸、耐ア
ルカリ試験を行った。

第４図に示す蒸着装置を使用して、一方の面に予め厚さ
１〜３０μｍ、例えば２０μｍの塩化ビニリデン樹脂か
らなる透水防止層を被着させた厚さ１００μｍのＰＥＳ
シート基体のこの透水防止層とは反対側の面上に、中間
層及び透明導電層を順次堆積させ、透明導電性積層体と
した。

蒸着装置は各室３０．３１ｂ、３１ａ、３２に仕切られ
ていて、両側の室３２．３０にはシート基体２の巻取ロ
ール３６、供給ロール３３が配され、両ロール間で基体
２が順次送られながら次のような処理が行われる。

先ず、室３０内で５　（１ｍの搬送ローラ２６によって
シート基体２が蛇行して搬送され、シート基体２の間に
配されたハロゲンヒータランプ２７によって予備加熱し
てシート基体２の吸着水分を除去し、放電装置２５で放
電処理して清浄化される。

室３０内での操作条件は次の通りである。

放電処理二使用ガスはＯｘガス、Ａｒガス又はＡ「＋０
□混合ガス、ＤＣ又はＡＣ放電（０〜１０００Ｗ　（Ｏ
Ｗは放電処理を施さず。））次いでシート基体２は室３
１ｂ内に搬送され、恒温ローラ２９（−１０℃〜２５０
℃に制御可能）に密着して所定温度に保持されながら蒸
発源４２ｂから発生する蒸気によって蒸着、中間層を形
成する。中間層の厚さは水晶振動式膜厚モニタ２８によ
って検知、制御される。

室３１ｂ内での操作条件は次の通りである。

蒸発源４２ｂ：Ｓｎ、ＳｎとＩｎとの二元蒸着、Ｓｎ’
Ｃｈ又はＳｎ７原子％以上を 含有するＩＴＯ 加熱方法：電子銃加熱（Ｓ　ｎ　Ｃｈ又はＩＴＯ）抵抗
加熱（Ｓｎ又はＳｎ、Ｉｎの二 元蒸着） ガス放電装置３７：高周波放電（詳細は後述する。） 蒸発速度＝１００〜１０００人／ｍｉｎ高周波電カニ　
２００〜８００Ｗ　（１３，５６Ｍ　Ｈｚ　）基体保持
温度ニア０〜１００℃ 次いで、シート基体２は室３１ｂと同様の構造を有する
室３１ａ内に搬送され、中間層上に透明導電層が形成さ
れる。

室３１ａ内での操作条件は次の通りである。

蒸発源４２ａ　：　Ｉｎ又は５ｎｌＯ原子％以下のＩＴ
Ｃ加熱方法：電子銃加熱又は抵抗加熱 放電装置３７：前記と同じ 高周波型カニ前記と同じ 基体保持温度：蒸発源にＳｎを含有しない場合は９０℃
以上、例えば１３０℃、蒸 発源にＳｎ５原子％を含む場合 は１８０℃以上、例えば１９０℃ 共催は室３１ｂ内に於けると同様である。

最後に、シート基体２は室３２内に搬送され、シート抵
抗モニタ２４によって２本の搬送ローラ２６間でシート
抵抗を測定され、巻取ロール３６に巻取られる。

室３１ｂ、３１ａ内に配された高周波放電装置３７の詳
細を述べると、次の通りである。

第５図に示すように、放電用電極はガス（酸素）導入管
４３．の周面を内包する如くに配された複数のリング４
５ａ、４５ｂからなっている。放電装置３７全体には水
冷管を巻付けてこれを冷却するようにしであるが、この
水冷管は図示省略しである。一方のリング状電極４５ａ
はリード線６７によって高周波導入端子４日に接続され
、他方のリング状電極４５ｂはリード線５８により金属
製の防着部材４４に接続されて金属製の取付は板３９を
介して接地されている。上記電極４５ａ、４５ｂは例え
ば内径２〜１０ｃＩｌφ、幅０．５〜１０　ｃ＋ａの銅
製、ステンレス製又は白金製の帯リングからなり、Ｃカ
ンプリング型（容量結合型）の放電を導入管４３内で生
せしめる。前記帯リングは、水冷管を巻付け、冷却する
事により、高電力の高周波の導入が長時間可能となる。

上記の如（ガス放電装置３７を使用する反応蒸着方法は
、従来の方法に比較して次の（１）〜（６）の如き特徴
を有している。

（１１、放電装置に高周波電圧を印加して反応用ガスを
活性化又はイオン化しているので、反応用ガスの反応性
を高めて蒸着物質との反応を促進できると共に、放電部
では放電電極４５を放電領域５７に接しない位置に設け
ることができる。

従って、放電時に電極４５がボンバードされることはな
く、電極材料がガス中に混入して蒸着膜を汚染すること
がない。これに反し、放電装置に直流電圧を加えて放電
させることも考えられるが、この場合には電極が放電領
域に接して配する必要があるから不適当である。

（２）、放電用電極４５を導入管４３の外周に配したこ
とにより、蒸着空間内のガス圧を高くすることなしにガ
ス圧を高く保持した導入管４３のガスを効率良くイオン
化又は活性化できる。従って、ガスの導入量及び導入率
を大きくすることもできる。また蒸着空間のガス圧を低
下させ得て蒸発物質の電場加速が不要となり、蒸発材料
を金属、酸化物のいずれも使用可能であって、その選択
範囲が広くなり、而も被蒸着基板の材質を広範囲に選べ
ると共に、良質な蒸着膜の成膜が可能となる。而も、基
板温度の選択範囲が広がり、その加熱、冷却も簡略に行
える。

（３）、ガス放電域が導入管４３内に限られ、電極４５
とは隔絶されているから、放電時に生じるガスイオンに
よって電極４５がボンバードされることを防止できる。

つまり、電極材料の加熱やボンバードによるその蒸発を
防止し、蒸着空間の汚染を防ぐことができる。

（４）、導入管４３及び電極４５を内包する如（防着部
材４４．４６を設けたので、導入管４３、電極４５、高
周波導入端子４８への蒸発物質の付着を防止できると共
に、取付は板３９、電極４５、導入管４３を介しての高
周波の漏れも効果的に防止して放電を安定に行わせるこ
とができる。

（５）、ガス放電装置３７は、ペルジャー内に設置台を
介して簡単な構造で取付可能であるから、取付又は取外
し作業が容易となる。而も、大面仄 積基体に対して簾膜するときは、その設置位置及び個数
を調整して最適化することにより、均一な成膜が可能と
なる。例えば、放電装置を適切な位置にセットしたり、
或いは均一成膜のために複数個セットできる。

（６）、ガス放出口の指向方向が容易に変更可能な為に
、蒸発速度の変化に対しても放電が乱れない様に設定可
能となる。特にガス放出口が蒸発源と基体の間を指向し
ないようにガス放電装置を設置すると、放電が安定に持
続し、蒸着膜の膜質を均一化できる。

（７）、取付台、放電電極４５、防着部材４４を水冷す
ることにより、放電中の加熱が防止され、高電力の高周
波が導入でき、反応蒸着を促進できる。

かくして、第６図に示すように、基体２の一方の面上に
中間層３、透明導電層４が順次形成し、他方の面に透水
防止層５が形成した透明導電性積層体を得た。

前述した室３１ｂ、３１ａ内での操作条件毎に、得られ
た透明導電性積層体のシート抵抗、光透過率、前記試験
５．６に於けると同様の耐酸性、耐アルカリ性の評価を
行った。

その結果の例を挙げると、下記第３表に示す通りである
。同表中、Ｔｓは基体保持温度である。

（以下余白、次頁に続く） 第３表 これら導性積層耐の内、耐酸性、耐アルカリ性共に優れ
た導電性積層体は、Ｎ１．３．５．８．９．１２．１３
．１５であって、中間層の錫含有量が７原子％以上のも
のであり、これらの中間層を形成した状態で、いずれも
Ｘ線回折試験の結果、中間層は非晶質であることが確認
された。その他の導電性積層体の中間層は結晶質又は結
晶質を含んでいた。

なお、上記１ｌＩＩ１１．５．９．１３と同一組成の中
間層を第３表に記罵の成膜温度よりも高い温度で成膜し
た場合は、中間層に結晶質が含まれるようになり、その
上に透明導電層を形成した導電性積層体は酸又はアルカ
リ浸漬によって透明導電層に亀裂や剥離の発生が観察さ
れた。また、上記隘１．５．９．１３の成膜温度で中間
層の錫含有量を上記よりも低くした場合も同様であった
。

以上の結果から、中間層の錫含有量が高い程、また、中
間層の成膜温度が低い程、中間層が非晶質になり易く、
導電性積層体の耐酸性、耐アルカリ性が改善されること
が解る。

これは次のような理由によるものと考えられる。

（１）成膜温度が低い程、蒸着層は蒸着時に基体に熱を
奪われて急冷され、非晶質になり易い。

＋２）ＩＴＯ蒸着層の錫含有量が高くなる程、非晶質に
なり易い。

（３）従って、ＩＴＯ蒸着層の錫含有量が高くなる程、
非晶質となり得る成膜温度の上限が高（なる。

中間層を酸化珪素（ＳｉＯｚ）又は酸化アルミニウム（
Ａ　ｊ２２０ｘ）とし、成膜温度を前者は１５０℃以下
、後者では１７０℃以下として、反応蒸着又は反応スパ
ッタによって非晶質中間層を形成し、その上に透明導電
層を形成した導電性積層体でも、前記の実施例と同様に
優れた耐酸性、耐アルカリ性を示した。

本発明に基く導電性積層体の透明導電層及び中間層を所
定のパターンにパターンエツチングして液晶ディスプレ
イとした例を、第７図に示す。

透明基板２上にパターニングされた中間層３及び透明導
電層４を順序積層してなる透明導電性積層体１が、透明
導電層４を互に対向して位置し、配向膜７を介して液晶
６を挟んでサンドインチ状を呈し、液晶ディスプレイ９
が構成されている。

透明基板２の両側には、透水防止層５、偏向膜８が順次
被着している。

なお、本発明に基く導電性積層体は、液晶ディスプレイ
のみならず、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、
エレクトロクロミックディスプレイ、螢光ディスプレイ
等、種々の表示装置にも使用して好適である。

へ、発明の詳細 な説明したように、本発明に基く導電性積層体は、基体
と透明導電層との間に、実質的に非晶質からなる中間層
が設けられた構造としであるので、酸やアルカリに対す
る抵抗力が大きく、例えば液晶ディスプレイに使用する
際、パターニングの後処理に於いてレジスト除去のため
にアルカリ洗浄をしたり、透明導電層表面洗浄のために
酸を用いても、表面に亀裂や剥離を起すようなことがな
く、充分に信頼して使用することができる。

【図面の簡単な説明】

図面はいずれも本発明の実施例を示すものであって・ 第１図は導電性積層体の断面図、 第２図は透明導電層の錫含有量とシート抵抗との関係を
示すグラフ、 第３図は非晶質酸化錫中間層の膜厚と酸浸漬によるシー
ト抵抗の変化との関係を示すグラフ、第４図は成膜に使
用した蒸着装置の概略断面図、第５は蒸着装置中のガス
放電装置の斜視図、第６図は他の導電性積層体の断面図
、 第７図は液晶ディスプレイの断面図 である。 なお、図面に示された符号に於いて、 １・・・・・・・・・導電性積層体 ２・・・・・・・・・基体 ３・・・・・・・・・中間層 ４・・・・・・・・・透明導電層 ５・・・・・−・・・透水防止層 ６・・・・・・・・・液晶 ７・・・・・・・・・配向膜 ８・・・・・・・・・偏向膜 ９・・・・・・・・・液晶ディスプレイ２９・・・・・
・・・・恒温ローラ ３７・・・・・・・・・ガス放電装置 ４２ａ、４２ｂ・・・・・・・・・蒸発源である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　基体上に透明導電層が形成された導電性積層体に於
   いて、前記基体と前記透明導電層との間に、実質的に非
   晶質からなる中間層が設けられていることを特徴とする
   導電性積層体。