JPS61107775A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPS61107775A JPS61107775A JP59229419A JP22941984A JPS61107775A JP S61107775 A JPS61107775 A JP S61107775A JP 59229419 A JP59229419 A JP 59229419A JP 22941984 A JP22941984 A JP 22941984A JP S61107775 A JPS61107775 A JP S61107775A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、太陽電池素子の製造において、銀補助電極が
格子形式を有することによって銀材料費を下げて安価な
太陽電池を提供することを目的としたものである。
格子形式を有することによって銀材料費を下げて安価な
太陽電池を提供することを目的としたものである。
従来例の構成とその問題点
すでに知られているこの種の太陽電池は、全工程がスク
リーン印刷で行なうaまず透明ガラス基板に、CdS焼
結膜が形成され、その上にCdTe焼結膜が部分的に形
成されている。さらにその上にカーボン膜があり、その
上には、カーボン電極の電気抵抗による損失を少しでも
減らすことを目的にカーボン膜とほぼ同じ面積で正側銀
補助電極が設けられている。又負側電極としてCdS膜
上にム9 +1:nが付けられている。以上のような構
造をすべて印刷方式で行うため、量産性にはすぐれてい
るが、材料費によるコスト高が問題となっていた。特に
本太陽電池の材料中で銀ペーストの価格は高く低価格太
陽電池開発に対して問題視されていた材料である。
リーン印刷で行なうaまず透明ガラス基板に、CdS焼
結膜が形成され、その上にCdTe焼結膜が部分的に形
成されている。さらにその上にカーボン膜があり、その
上には、カーボン電極の電気抵抗による損失を少しでも
減らすことを目的にカーボン膜とほぼ同じ面積で正側銀
補助電極が設けられている。又負側電極としてCdS膜
上にム9 +1:nが付けられている。以上のような構
造をすべて印刷方式で行うため、量産性にはすぐれてい
るが、材料費によるコスト高が問題となっていた。特に
本太陽電池の材料中で銀ペーストの価格は高く低価格太
陽電池開発に対して問題視されていた材料である。
かかる問題に対して従来の対策は、銀材料のコストを下
げるために低純度の銀材料を用いて太陽電池を作成した
が、その結果は抵抗損失が犬になり本来の銀電極の役割
を果さない。
げるために低純度の銀材料を用いて太陽電池を作成した
が、その結果は抵抗損失が犬になり本来の銀電極の役割
を果さない。
発明の目的
本発明の目的は、本太陽電池材料の中で材料コストの高
い銀材料を削減して素子に悪影響を与えず特性値が均一
で再現性のよい低価格の太陽電池素子を提供するもので
ある。
い銀材料を削減して素子に悪影響を与えず特性値が均一
で再現性のよい低価格の太陽電池素子を提供するもので
ある。
発明の構成
本発明の製造方法は、透明なガラス基板上にOdS 、
CdTeの焼結膜、その上にカーボン電極、さらにその
上に銀補助電極を積層して太陽電池素子を製造する際に
、銀電極層を格子状形式にしてなから具体的に説明する
。
CdTeの焼結膜、その上にカーボン電極、さらにその
上に銀補助電極を積層して太陽電池素子を製造する際に
、銀電極層を格子状形式にしてなから具体的に説明する
。
第1図は、本発明の銀補助電極の格子状形式(網目模様
)の各電極幅と、従来の歯状式の平面図である。第2図
は、銀電極幅と特性値の関係。
)の各電極幅と、従来の歯状式の平面図である。第2図
は、銀電極幅と特性値の関係。
及び銀材料削減量を示した図である。第3図は。
本太陽電池素子の断面構造図である。第4図は、本太陽
電池素子の平面構造図で従来方式の歯状形式の銀パター
ンである。第6図は本発明の一実施例における格子状形
式の銀パターンである。
電池素子の平面構造図で従来方式の歯状形式の銀パター
ンである。第6図は本発明の一実施例における格子状形
式の銀パターンである。
第3図に於いて、1はガラス基板、2はCdS膜、−3
はCdTe膜、4はC(カーボン)膜、5はム9+In
電極、6は銀電極膜、7は従来の歯状式の銀パターンで
ある。8は格子状形式の銀パターンである。
はCdTe膜、4はC(カーボン)膜、5はム9+In
電極、6は銀電極膜、7は従来の歯状式の銀パターンで
ある。8は格子状形式の銀パターンである。
呻に)1鮮の領→←
次に本発明の実施例と比較例とを対比しながら説明する
。
。
比較例1
ガラス基板上に、スクリーン印刷法でCdS粉末に塩化
カドミウムを添加したCdSペーストを印刷してCdS
層を形成し、これを約690℃で焼成してCdS焼結膜
を作成した。次にその上に、CdTe粉に塩化カドミウ
ムを加えて、ペーストを作成し、これをCdS焼結膜上
にスクリーン印刷してCdTe層を形成し、これを約6
20℃で焼成してCdTe焼結膜を作成した。次にCd
Te 。
カドミウムを添加したCdSペーストを印刷してCdS
層を形成し、これを約690℃で焼成してCdS焼結膜
を作成した。次にその上に、CdTe粉に塩化カドミウ
ムを加えて、ペーストを作成し、これをCdS焼結膜上
にスクリーン印刷してCdTe層を形成し、これを約6
20℃で焼成してCdTe焼結膜を作成した。次にCd
Te 。
膜上にカーボン電極、CtiS膜上には、ム9+In電
極を印刷した。さらにカーボン電極上には4.8朋幅の
銀ペーストをカーボンと同じ形状の歯状式で印刷をし、
これらを規定の条件で熱処理をした。
極を印刷した。さらにカーボン電極上には4.8朋幅の
銀ペーストをカーボンと同じ形状の歯状式で印刷をし、
これらを規定の条件で熱処理をした。
このようにして歯状式銀電極膜方式で得られた素子の銀
付着重量は、10cm×10CrIK角の基板上に作成
した素子で0.36 gであった。
付着重量は、10cm×10CrIK角の基板上に作成
した素子で0.36 gであった。
実施例1
比較例1と異なる点は、銀印刷パターンの形状を変えた
点である。本実施例では銀電極パターンを格子状形式に
した。
点である。本実施例では銀電極パターンを格子状形式に
した。
格子状形式とは、銀材料の使用量をできるだけ少なくし
てコストを下げる意味で銀電極幅を細くして格子状(網
目模様)に銀電極を作成するものである。その1部分を
第1図に示す。
てコストを下げる意味で銀電極幅を細くして格子状(網
目模様)に銀電極を作成するものである。その1部分を
第1図に示す。
(1)は、カーボン電極膜上に銀電極を4.0朋幅の格
子状形式に作成したものである。
子状形式に作成したものである。
(2)は、カーボン電極膜上に銀電極を3.5MM幅の
格子状形式に作成したものである。
格子状形式に作成したものである。
(3)は、カーボン電極膜上に銀電極を3.0朋幅の格
子状形式に作成したものである。
子状形式に作成したものである。
(4)は、カーボン電極膜上に銀電極を2.0ffff
幅の格子状形式に作成したものである。
幅の格子状形式に作成したものである。
(6)は、カーボン電極膜上に銀電極を1.0朋幅の格
子状形式に作成したものである。
子状形式に作成したものである。
(6)は、カーボン電極膜上に銀電極を0.5羽幅の格
子状形式に作成したものである。
子状形式に作成したものである。
(′7)は、従来の歯状式でカーボン膜上の全面(4,
atm幅)に銀電極を作成したものである。
atm幅)に銀電極を作成したものである。
実施例1の格子状形式の銀の電極幅は4朋である。この
ような方法で得られた素子の銀材料の付着重量は3.1
3 gであって約13%銀材料が削減できた。特性値は
従来方式の歯状式と全く変らなかった。
ような方法で得られた素子の銀材料の付着重量は3.1
3 gであって約13%銀材料が削減できた。特性値は
従来方式の歯状式と全く変らなかった。
実施例2
実施例1と異なる点は、銀電極パターンは、格子状形式
で銀電極幅をさらに細くして3.5mmとした。このよ
うな方法で得られた素子の銀材料の付着重量は平均2.
88 gであって材料の削減量は20%であった。特性
値は従来方式の歯状式と全く変らなかった。
で銀電極幅をさらに細くして3.5mmとした。このよ
うな方法で得られた素子の銀材料の付着重量は平均2.
88 gであって材料の削減量は20%であった。特性
値は従来方式の歯状式と全く変らなかった。
実施例3
実施例1.実施例2と異なる点は、銀電極幅をさらに細
くして3.0肩転 2.0肩肩、1.o肩肩、0.5肩
肩の4種類を作成した。その結果銀電極幅3.0羽では
25%、2.0朋では38%、1.0朋では50%、0
.5mmでは46%それぞれ銀材料を削減できた。
くして3.0肩転 2.0肩肩、1.o肩肩、0.5肩
肩の4種類を作成した。その結果銀電極幅3.0羽では
25%、2.0朋では38%、1.0朋では50%、0
.5mmでは46%それぞれ銀材料を削減できた。
特性値については従来方式の歯状式と全く変らなかった
。
。
実施例4
実施例1.2.3と異なる点は、銀電極幅をさらに細く
して0.2朋とした。その結果印刷性が落ち特性値バラ
ツキが出て特性値平均13%低下した。
して0.2朋とした。その結果印刷性が落ち特性値バラ
ツキが出て特性値平均13%低下した。
次に上述の実施例から特性値及び素子付着の銀重量の関
係を第2図に示す。
係を第2図に示す。
以上第2図から明らかなように本発明の格子状方式で電
極幅がO,EsMMから3.6NMの範囲で素子作成す
ると銀材料コストが最高80%削減でき特性、
値ηも9o%以上保ったまま作成することができるも
のである。
極幅がO,EsMMから3.6NMの範囲で素子作成す
ると銀材料コストが最高80%削減でき特性、
値ηも9o%以上保ったまま作成することができるも
のである。
発明の効果
以上詳述したように本発明による銀電極の印刷パターン
を格子状式にすることによって素子特性値ηは90%以
上保ち銀の使用量を最高80%削減でき安価な太陽電池
の作成に大きな効果が得られるものである。
を格子状式にすることによって素子特性値ηは90%以
上保ち銀の使用量を最高80%削減でき安価な太陽電池
の作成に大きな効果が得られるものである。
第1図は本発明の太陽電池の格子状形式と歯状式の比較
図、第2図は銀電極幅と特性値及び眼側減量の関係図、
第3図は1本太陽電池素子の断面図、第4図は、太陽電
池素子の平面図で従来方式の歯状式電極図、第6図は本
発明の格子形式電極図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・CdS膜、
3・・・・・・CdTe膜、4・・・・・・カーボン膜
、5・・・・・・AgIn電極、6・・・・・・銀電極
膜、7・・・・・・歯状式銀電極膜。 8・・・・・・格子状式銀電極膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 CII +23 <3ノ (4)
(Jl <52 (71第 2 図 第4図 第5凶
図、第2図は銀電極幅と特性値及び眼側減量の関係図、
第3図は1本太陽電池素子の断面図、第4図は、太陽電
池素子の平面図で従来方式の歯状式電極図、第6図は本
発明の格子形式電極図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・CdS膜、
3・・・・・・CdTe膜、4・・・・・・カーボン膜
、5・・・・・・AgIn電極、6・・・・・・銀電極
膜、7・・・・・・歯状式銀電極膜。 8・・・・・・格子状式銀電極膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 CII +23 <3ノ (4)
(Jl <52 (71第 2 図 第4図 第5凶
Claims (3)
- (1)絶縁基板上に、CdS、CdTeの焼結膜、その
上にカーボン電極、さらにその上に銀補助電極が形成さ
れてなり、前記銀補助電極が格子形式を有することを特
徴とする太陽電池。 - (2)銀補助電極がスクリーン印刷膜であることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の太陽電池。 - (3)格子状の補助電極幅が0.5mmから3.5mm
の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第1項ま
たは第2項のいずれかに記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59229419A JPS61107775A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59229419A JPS61107775A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 太陽電池 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61107775A true JPS61107775A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16891929
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59229419A Pending JPS61107775A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61107775A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109956A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
WO2008139787A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
US8440907B2 (en) | 2006-04-14 | 2013-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell string and solar cell module |
WO2013105446A1 (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5631755A (en) * | 1979-08-24 | 1981-03-31 | Katsuyasu Kido | Diagnosing device in acupuncture and moxibustion treatment |
JPS59115567A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59229419A patent/JPS61107775A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5631755A (en) * | 1979-08-24 | 1981-03-31 | Katsuyasu Kido | Diagnosing device in acupuncture and moxibustion treatment |
JPS59115567A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 光起電力素子の製造方法 |
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