JPS61107775A - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池

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JPS61107775A
JPS61107775A JP59229419A JP22941984A JPS61107775A JP S61107775 A JPS61107775 A JP S61107775A JP 59229419 A JP59229419 A JP 59229419A JP 22941984 A JP22941984 A JP 22941984A JP S61107775 A JPS61107775 A JP S61107775A
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JP
Japan
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silver
electrode
film
cds
solar cell
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Pending
Application number
JP59229419A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasumasa Komatsu
小松　康允
Hitoshi Matsumoto
仁 松本
Akihiko Nakano
明彦 中野
Hiroshi Uda
宇田　宏
Kiyoshi Kuribayashi
清 栗林
Seiji Ikegami
池上　清治
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、太陽電池素子の製造において、銀補助電極が
格子形式を有することによって銀材料費を下げて安価な
太陽電池を提供することを目的としたものである。
従来例の構成とその問題点 すでに知られているこの種の太陽電池は、全工程がスク
リーン印刷で行なうａまず透明ガラス基板に、ＣｄＳ焼
結膜が形成され、その上にＣｄＴｅ焼結膜が部分的に形
成されている。さらにその上にカーボン膜があり、その
上には、カーボン電極の電気抵抗による損失を少しでも
減らすことを目的にカーボン膜とほぼ同じ面積で正側銀
補助電極が設けられている。又負側電極としてＣｄＳ膜
上にム９　＋１：ｎが付けられている。以上のような構
造をすべて印刷方式で行うため、量産性にはすぐれてい
るが、材料費によるコスト高が問題となっていた。特に
本太陽電池の材料中で銀ペーストの価格は高く低価格太
陽電池開発に対して問題視されていた材料である。
かかる問題に対して従来の対策は、銀材料のコストを下
げるために低純度の銀材料を用いて太陽電池を作成した
が、その結果は抵抗損失が犬になり本来の銀電極の役割
を果さない。
発明の目的 本発明の目的は、本太陽電池材料の中で材料コストの高
い銀材料を削減して素子に悪影響を与えず特性値が均一
で再現性のよい低価格の太陽電池素子を提供するもので
ある。
発明の構成 本発明の製造方法は、透明なガラス基板上にＯｄＳ　、
ＣｄＴｅの焼結膜、その上にカーボン電極、さらにその
上に銀補助電極を積層して太陽電池素子を製造する際に
、銀電極層を格子状形式にしてなから具体的に説明する
。
第１図は、本発明の銀補助電極の格子状形式（網目模様
）の各電極幅と、従来の歯状式の平面図である。第２図
は、銀電極幅と特性値の関係。
及び銀材料削減量を示した図である。第３図は。
本太陽電池素子の断面構造図である。第４図は、本太陽
電池素子の平面構造図で従来方式の歯状形式の銀パター
ンである。第６図は本発明の一実施例における格子状形
式の銀パターンである。
第３図に於いて、１はガラス基板、２はＣｄＳ膜、−３
はＣｄＴｅ膜、４はＣ（カーボン）膜、５はム９＋Ｉｎ
電極、６は銀電極膜、７は従来の歯状式の銀パターンで
ある。８は格子状形式の銀パターンである。
呻に）１鮮の領→← 次に本発明の実施例と比較例とを対比しながら説明する
。
比較例１ ガラス基板上に、スクリーン印刷法でＣｄＳ粉末に塩化
カドミウムを添加したＣｄＳペーストを印刷してＣｄＳ
層を形成し、これを約６９０℃で焼成してＣｄＳ焼結膜
を作成した。次にその上に、ＣｄＴｅ粉に塩化カドミウ
ムを加えて、ペーストを作成し、これをＣｄＳ焼結膜上
にスクリーン印刷してＣｄＴｅ層を形成し、これを約６
２０℃で焼成してＣｄＴｅ焼結膜を作成した。次にＣｄ
Ｔｅ　　　　　　。
膜上にカーボン電極、ＣｔｉＳ膜上には、ム９＋Ｉｎ電
極を印刷した。さらにカーボン電極上には４．８朋幅の
銀ペーストをカーボンと同じ形状の歯状式で印刷をし、
これらを規定の条件で熱処理をした。
このようにして歯状式銀電極膜方式で得られた素子の銀
付着重量は、１０ｃｍ×１０ＣｒＩＫ角の基板上に作成
した素子で０．３６　ｇであった。
実施例１ 比較例１と異なる点は、銀印刷パターンの形状を変えた
点である。本実施例では銀電極パターンを格子状形式に
した。
格子状形式とは、銀材料の使用量をできるだけ少なくし
てコストを下げる意味で銀電極幅を細くして格子状（網
目模様）に銀電極を作成するものである。その１部分を
第１図に示す。
（１）は、カーボン電極膜上に銀電極を４．０朋幅の格
子状形式に作成したものである。
（２）は、カーボン電極膜上に銀電極を３．５ＭＭ幅の
格子状形式に作成したものである。
（３）は、カーボン電極膜上に銀電極を３．０朋幅の格
子状形式に作成したものである。
（４）は、カーボン電極膜上に銀電極を２．０ｆｆｆｆ
幅の格子状形式に作成したものである。
（６）は、カーボン電極膜上に銀電極を１．０朋幅の格
子状形式に作成したものである。
（６）は、カーボン電極膜上に銀電極を０．５羽幅の格
子状形式に作成したものである。
（′７）は、従来の歯状式でカーボン膜上の全面（４，
ａｔｍ幅）に銀電極を作成したものである。
実施例１の格子状形式の銀の電極幅は４朋である。この
ような方法で得られた素子の銀材料の付着重量は３．１
３　ｇであって約１３％銀材料が削減できた。特性値は
従来方式の歯状式と全く変らなかった。
実施例２ 実施例１と異なる点は、銀電極パターンは、格子状形式
で銀電極幅をさらに細くして３．５ｍｍとした。このよ
うな方法で得られた素子の銀材料の付着重量は平均２．
８８　ｇであって材料の削減量は２０％であった。特性
値は従来方式の歯状式と全く変らなかった。
実施例３ 実施例１．実施例２と異なる点は、銀電極幅をさらに細
くして３．０肩転　２．０肩肩、１．ｏ肩肩、０．５肩
肩の４種類を作成した。その結果銀電極幅３．０羽では
２５％、２．０朋では３８％、１．０朋では５０％、０
．５ｍｍでは４６％それぞれ銀材料を削減できた。
特性値については従来方式の歯状式と全く変らなかった
。
実施例４ 実施例１．２．３と異なる点は、銀電極幅をさらに細く
して０．２朋とした。その結果印刷性が落ち特性値バラ
ツキが出て特性値平均１３％低下した。
次に上述の実施例から特性値及び素子付着の銀重量の関
係を第２図に示す。
以上第２図から明らかなように本発明の格子状方式で電
極幅がＯ，ＥｓＭＭから３．６ＮＭの範囲で素子作成す
ると銀材料コストが最高８０％削減でき特性、　　　　
　値ηも９ｏ％以上保ったまま作成することができるも
のである。
発明の効果 以上詳述したように本発明による銀電極の印刷パターン
を格子状式にすることによって素子特性値ηは９０％以
上保ち銀の使用量を最高８０％削減でき安価な太陽電池
の作成に大きな効果が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の太陽電池の格子状形式と歯状式の比較
図、第２図は銀電極幅と特性値及び眼側減量の関係図、
第３図は１本太陽電池素子の断面図、第４図は、太陽電
池素子の平面図で従来方式の歯状式電極図、第６図は本
発明の格子形式電極図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・ＣｄＴｅ膜、４・・・・・・カーボン膜
、５・・・・・・ＡｇＩｎ電極、６・・・・・・銀電極
膜、７・・・・・・歯状式銀電極膜。 ８・・・・・・格子状式銀電極膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 ＣＩＩ　　　　＋２３　　　　＜３ノ　　　（４）　　
　（Ｊｌ　　　　＜５２　　　（７１第　２　図 第４図 第５凶

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）絶縁基板上に、ＣｄＳ、ＣｄＴｅの焼結膜、その
    上にカーボン電極、さらにその上に銀補助電極が形成さ
    れてなり、前記銀補助電極が格子形式を有することを特
    徴とする太陽電池。
  2. （２）銀補助電極がスクリーン印刷膜であることを特徴
    とする特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。
  3. （３）格子状の補助電極幅が０．５ｍｍから３．５ｍｍ
    の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
    たは第２項のいずれかに記載の太陽電池。
JP59229419A 1984-10-31 1984-10-31 太陽電池 Pending JPS61107775A (ja)

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