JPS61128576A - 窯業製基盤を有した太陽電池及び該太陽電池の製造方法 - Google Patents
窯業製基盤を有した太陽電池及び該太陽電池の製造方法Info
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- JPS61128576A JPS61128576A JP59249870A JP24987084A JPS61128576A JP S61128576 A JPS61128576 A JP S61128576A JP 59249870 A JP59249870 A JP 59249870A JP 24987084 A JP24987084 A JP 24987084A JP S61128576 A JPS61128576 A JP S61128576A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、太陽電池層が窯業製基盤の施釉面に形成され
、且つ該太陽電池層が無機質塗料等からなる透明保護膜
によって包囲されている全（新規な太陽電池及び該太陽
電池を製造する方法に関するものである。
、且つ該太陽電池層が無機質塗料等からなる透明保護膜
によって包囲されている全（新規な太陽電池及び該太陽
電池を製造する方法に関するものである。
「従来技術とその問題点」
第２図は、ガラス板２を製造上の基盤としてなる従来の
太陽電池ｌを示す側断面図である。尚、同図においてガ
ラス板２の裏面に形成される各層の厚さは、夫々珈オー
ダーの極めて薄肉なものであるが、説明の都合上、厚肉
にして描いた。
太陽電池ｌを示す側断面図である。尚、同図においてガ
ラス板２の裏面に形成される各層の厚さは、夫々珈オー
ダーの極めて薄肉なものであるが、説明の都合上、厚肉
にして描いた。
第２図に示すように、従来の太陽電池ｌは、ｐｎ接合に
よって光電効果を得る態様になされたものであって、そ
の層構造は、珪化ニッケル又は珪化コバルト等が前記ガ
ラス板２内に格子状に埋設されてなる補助電極層３．Ｃ
ｄｓからなる主ｉｔ極層４゜ＣｄＴｅからなる光電変換
層５ 、ＣｕｚＴｅＪｉｔ ６及び電極層７によって構
成されている。また、前記光電変換ｒｆ７Ｊ５の内部に
は、前記ＣｕｚＴｅｌｉｉ６を形成する際に生じる化学
変化によってｐｎ接合界面８が形成されている。
よって光電効果を得る態様になされたものであって、そ
の層構造は、珪化ニッケル又は珪化コバルト等が前記ガ
ラス板２内に格子状に埋設されてなる補助電極層３．Ｃ
ｄｓからなる主ｉｔ極層４゜ＣｄＴｅからなる光電変換
層５ 、ＣｕｚＴｅＪｉｔ ６及び電極層７によって構
成されている。また、前記光電変換ｒｆ７Ｊ５の内部に
は、前記ＣｕｚＴｅｌｉｉ６を形成する際に生じる化学
変化によってｐｎ接合界面８が形成されている。
前記した如〈従来の太陽電池１は、ガラス板２の裏面側
において主電極層４や電極層７が外気に゛露出したまま
のものである。従って例えばモルタル等の接着材９を用
いて、前記太陽電池ｌを押体等の壁面（図示省略）に貼
着施工した場合は、前記接着材９を介して浸入する水分
によって、前記主電極層４や電極層７が腐蝕する等の事
故が発生していた。このように、従来の太陽電池１は、
躯体外壁等の多湿場所で使用することができないもので
あり、実質的には、汎用性の掻めて乏しいものであった
。また、前記太陽電池１は、ガラス板２が受光面となり
得るものであるため、素材ガラスに、光の透過率２分散
率、屈折率等の優れた特性を有するものを選択しなけれ
ばならないばかりでな（、該ガラス板２に補助電極３用
の格子状溝を穿設形成する場合や、太陽電池層を層成す
る場合には、それらの加熱によって前記素材ガラスの特
性が破壊されないように細心の注意を払わなければなら
なかった。しかも、前記の如き優れた特性を有する素材
ガラスは、材料費が高価であり、製造コスト的にも高騰
化していた。
において主電極層４や電極層７が外気に゛露出したまま
のものである。従って例えばモルタル等の接着材９を用
いて、前記太陽電池ｌを押体等の壁面（図示省略）に貼
着施工した場合は、前記接着材９を介して浸入する水分
によって、前記主電極層４や電極層７が腐蝕する等の事
故が発生していた。このように、従来の太陽電池１は、
躯体外壁等の多湿場所で使用することができないもので
あり、実質的には、汎用性の掻めて乏しいものであった
。また、前記太陽電池１は、ガラス板２が受光面となり
得るものであるため、素材ガラスに、光の透過率２分散
率、屈折率等の優れた特性を有するものを選択しなけれ
ばならないばかりでな（、該ガラス板２に補助電極３用
の格子状溝を穿設形成する場合や、太陽電池層を層成す
る場合には、それらの加熱によって前記素材ガラスの特
性が破壊されないように細心の注意を払わなければなら
なかった。しかも、前記の如き優れた特性を有する素材
ガラスは、材料費が高価であり、製造コスト的にも高騰
化していた。
「発明の目的」
本発明は、上記の如き事情に鑑みてなされたものであっ
て、太陽電池層に水分が浸入することがなく、しかも容
易且つ安価に製造できる新規な窯業製基盤を有した太陽
電池（以下、本発明太陽電池という）及び該太陽電池の
製造方法（以下、本発明方法という）を提供することを
目的とする。
て、太陽電池層に水分が浸入することがなく、しかも容
易且つ安価に製造できる新規な窯業製基盤を有した太陽
電池（以下、本発明太陽電池という）及び該太陽電池の
製造方法（以下、本発明方法という）を提供することを
目的とする。
「発明の構成」
（問題点を解決するための手段とその作用）本発明太陽
電池の要旨は、遮水用の施釉面を有し躯体外面等に施工
される窯業製基盤と、該基盤の施釉面に設けられた太陽
電池層と、無機質塗料等からなり該太陽電池層の露出面
を被覆する如く前記基盤に形成された透明保護膜とから
なることである。
電池の要旨は、遮水用の施釉面を有し躯体外面等に施工
される窯業製基盤と、該基盤の施釉面に設けられた太陽
電池層と、無機質塗料等からなり該太陽電池層の露出面
を被覆する如く前記基盤に形成された透明保護膜とから
なることである。
また、本発明方法の要旨は、窯業製基盤の施釉面に電極
層、半導体層等を重合状に形成して適宜の太陽電池層を
層成させ、次ぎに前記太陽電池層を包囲する如く前記基
盤に無機質塗料等からなる透明保護膜を形成さ、せるこ
とである。
層、半導体層等を重合状に形成して適宜の太陽電池層を
層成させ、次ぎに前記太陽電池層を包囲する如く前記基
盤に無機質塗料等からなる透明保護膜を形成さ、せるこ
とである。
本発明太陽電池及び本発明方法は、上記の如き構成によ
って次ぎの如き作用を有する。すなわち、太陽電池層は
、窯業製基盤の表面に形成された遮水用の施釉面を介し
て形成されるものであると共に、該太陽電池は透明保護
膜によってその露出面を保護されているものであるため
、電極層に水分が浸入することはない、しかも、その受
光面は、従来のガラス板と異なり、薄肉の透明保護膜で
あるため、太陽光の透過率９分散率、屈折率等の点で優
れており、太陽光の吸収能率が極めてよいものとなる。
って次ぎの如き作用を有する。すなわち、太陽電池層は
、窯業製基盤の表面に形成された遮水用の施釉面を介し
て形成されるものであると共に、該太陽電池は透明保護
膜によってその露出面を保護されているものであるため
、電極層に水分が浸入することはない、しかも、その受
光面は、従来のガラス板と異なり、薄肉の透明保護膜で
あるため、太陽光の透過率９分散率、屈折率等の点で優
れており、太陽光の吸収能率が極めてよいものとなる。
更に、前記従来のガラス板に穿設していたような補助電
極用の格子状溝は、全く必要ない。
極用の格子状溝は、全く必要ない。
（実施例）
以下本発明太陽電池及び本発明方法を、その実施例を示
す図面に基づいて説明すると次の通りである。
す図面に基づいて説明すると次の通りである。
第１図は、本発明太陽電池を示す側断面図である。同図
に示すように、本発明太陽電池は、太陽電池層１２が窯
業製基盤１０の施釉面１１に層成され、該太陽電池層１
２が透明保護膜１７によって包囲されている。尚、本実
施例に示す窯業製基盤１０は、タイルである場合を示す
。
に示すように、本発明太陽電池は、太陽電池層１２が窯
業製基盤１０の施釉面１１に層成され、該太陽電池層１
２が透明保護膜１７によって包囲されている。尚、本実
施例に示す窯業製基盤１０は、タイルである場合を示す
。
太陽電池層１２は、従来のもの（第２図参照）と略々同
様なものであって、ｐｎ接合によって光電効果を得る如
き態様になっている。
様なものであって、ｐｎ接合によって光電効果を得る如
き態様になっている。
次ぎに、前記実施例における本発明太陽電池について、
本発明方法を説明する。
本発明方法を説明する。
まず、従来一般の製造方法によって製造された一辺が１
００ｆｉ、厚さが５■■の施釉タイル（１０）を約５５
０度に加熱し、この施釉タイル（１０）の施釉面１１に
Ｓ ｎ Ｃ１２が５％含有されたＩｎＣ１’ｘ溶液をｄ
当たり０．２ｃｃ （タイル全体として２ｃｃ）スプＬ
ノーする。このことによって前記タイル（１０）の施釉
面１１には、ｌ１ｚＯ３による膜厚約１山の電極層１３
が析出形成される０次ぎに、３００メツシユの篩目を通
過するＣｄＴｅの粉体を８２．６４ｆｆｉ量％（１０ｇ
）と、プロピレングリコールの溶液１６．５３重量％（
２ｃｃ）と、−ＣｄＣｊ’ｚを０．８３重量％（０，１
ｇ）用窓し、これらを混練してペースト状にし、前記電
極！１３上に約６０１Ｊａの厚さにスクリーン印刷する
。しかる後、このタイルを窒素雰囲気中に入れて６８０
℃の温度で３０分間焼成し、前記電極Ｎ１３上にＣｄＴ
ｅによる半導体層１４を形成させる。尚、前記焼成時に
おいて、タイルを窒素雰囲気中に入れるのは、前記Ｃｄ
Ｔｅの酸化を防止するためである０次ぎに、３００メツ
シユの篩目を通過するＣｄｓの粉体を８０重景％（１０
ｇ）と、プロピレングリコールの溶液１６重量％（２ｃ
ｃ）と、ＣｄＣ１’ｚを４重量％（０，５ｇ）用意し、
これらを混練してペースト状にし、前記の如くしてタイ
ル上に形成された半導体層１４上に約４０珈の厚さにス
クリーン印刷する。そして、再びこのタイルを窒素雰囲
気中に入れて６３０℃の温度で２０分間焼成し、前記Ｃ
ｄＴｅによる半導体層１４の上面にＣｄｓによる半導体
層１５を形成させる。更に、該半導体層１５上に銀ペー
ストを格子状にプリントして電極層１６を形成させると
共に、前記電極層１３．半導体層１４、半導体層１５．
電極層１６から構成される太陽電池Ｎ１２に、無機質塗
料からなる透明保護１１１１７を約４０μ寵厚さにスク
リーン印刷し、窒素雰囲気中において５００〜６００℃
の温度で焼成する。
００ｆｉ、厚さが５■■の施釉タイル（１０）を約５５
０度に加熱し、この施釉タイル（１０）の施釉面１１に
Ｓ ｎ Ｃ１２が５％含有されたＩｎＣ１’ｘ溶液をｄ
当たり０．２ｃｃ （タイル全体として２ｃｃ）スプＬ
ノーする。このことによって前記タイル（１０）の施釉
面１１には、ｌ１ｚＯ３による膜厚約１山の電極層１３
が析出形成される０次ぎに、３００メツシユの篩目を通
過するＣｄＴｅの粉体を８２．６４ｆｆｉ量％（１０ｇ
）と、プロピレングリコールの溶液１６．５３重量％（
２ｃｃ）と、−ＣｄＣｊ’ｚを０．８３重量％（０，１
ｇ）用窓し、これらを混練してペースト状にし、前記電
極！１３上に約６０１Ｊａの厚さにスクリーン印刷する
。しかる後、このタイルを窒素雰囲気中に入れて６８０
℃の温度で３０分間焼成し、前記電極Ｎ１３上にＣｄＴ
ｅによる半導体層１４を形成させる。尚、前記焼成時に
おいて、タイルを窒素雰囲気中に入れるのは、前記Ｃｄ
Ｔｅの酸化を防止するためである０次ぎに、３００メツ
シユの篩目を通過するＣｄｓの粉体を８０重景％（１０
ｇ）と、プロピレングリコールの溶液１６重量％（２ｃ
ｃ）と、ＣｄＣ１’ｚを４重量％（０，５ｇ）用意し、
これらを混練してペースト状にし、前記の如くしてタイ
ル上に形成された半導体層１４上に約４０珈の厚さにス
クリーン印刷する。そして、再びこのタイルを窒素雰囲
気中に入れて６３０℃の温度で２０分間焼成し、前記Ｃ
ｄＴｅによる半導体層１４の上面にＣｄｓによる半導体
層１５を形成させる。更に、該半導体層１５上に銀ペー
ストを格子状にプリントして電極層１６を形成させると
共に、前記電極層１３．半導体層１４、半導体層１５．
電極層１６から構成される太陽電池Ｎ１２に、無機質塗
料からなる透明保護１１１１７を約４０μ寵厚さにスク
リーン印刷し、窒素雰囲気中において５００〜６００℃
の温度で焼成する。
このようにして製造された本実施例における本発明太陽
電池の光電効果は、１００ｍＷ ／−の太陽光に対して
短絡電流が６゜ＯｍＡ／ｃ＋Ｊ、開路電圧が０．６０Ｖ
であつた。
電池の光電効果は、１００ｍＷ ／−の太陽光に対して
短絡電流が６゜ＯｍＡ／ｃ＋Ｊ、開路電圧が０．６０Ｖ
であつた。
（別態様の検討）
窯業製基盤１０は、前記実施例の如きタイルである場合
に限らず、例えば施釉されたセメント製屋根瓦やブロッ
ク等であってもよい、また、電極層１３及び１６は、５
ｎＯｘ＋＾ｊ？、Ａｇ、Ａｕ等が考えられると共に、太
陽電池層１２自体についても、ｐｎ接合以外のあらゆる
態様の太陽電池層が考えられる。そこで、図示は省略す
るが、次ぎにアモルファスシリコンによる太陽電池層を
備えた本発明太陽電池の製造方法を説明する。
に限らず、例えば施釉されたセメント製屋根瓦やブロッ
ク等であってもよい、また、電極層１３及び１６は、５
ｎＯｘ＋＾ｊ？、Ａｇ、Ａｕ等が考えられると共に、太
陽電池層１２自体についても、ｐｎ接合以外のあらゆる
態様の太陽電池層が考えられる。そこで、図示は省略す
るが、次ぎにアモルファスシリコンによる太陽電池層を
備えた本発明太陽電池の製造方法を説明する。
まず、従来一般の製造方法によって製造された一辺が１
００ｆｉ、厚さが５ｆｌの施釉タイルを約５５０度に加
熱し、該施釉タイルの施釉面に５ｎＣ２ｚが５％含有さ
れたＩｎＣ１’ｉ溶液を一当たり０．２ｃｃ （タイル
全体として２ｃｃ）スプレーする。このことによって前
記タイルの施釉面には、１ａｉｅｓによる膜厚約１ｏｏ
ｏｏ人の電極層が析出形成される。次ぎに該電極層上に
おいてＲＦグロー放電を複数回行い、アモルファスシリ
コンからなるｎ−１−ｐ層を順次層成させる。ｎ層を形
成するときのグロー放電用ガスとしては、ｔｏｏ：ｔの
体積比でホスフィン（ＰＨ３）を含有するモノシラン、
（ＳｉＨ＊）の混合ガスを用いた。形成されたｎ層の膜
厚は約２００人であった。
００ｆｉ、厚さが５ｆｌの施釉タイルを約５５０度に加
熱し、該施釉タイルの施釉面に５ｎＣ２ｚが５％含有さ
れたＩｎＣ１’ｉ溶液を一当たり０．２ｃｃ （タイル
全体として２ｃｃ）スプレーする。このことによって前
記タイルの施釉面には、１ａｉｅｓによる膜厚約１ｏｏ
ｏｏ人の電極層が析出形成される。次ぎに該電極層上に
おいてＲＦグロー放電を複数回行い、アモルファスシリ
コンからなるｎ−１−ｐ層を順次層成させる。ｎ層を形
成するときのグロー放電用ガスとしては、ｔｏｏ：ｔの
体積比でホスフィン（ＰＨ３）を含有するモノシラン、
（ＳｉＨ＊）の混合ガスを用いた。形成されたｎ層の膜
厚は約２００人であった。
１層を形成するときのグロー放電用ガスとしては、モノ
シラン（ＳｉＨ＊）の単独ガスを用いた。形成された１
層の膜厚は約５０００人であった。また、残るｐ層を形
成するときのグロー放電ガス用としては、ｔｏｏ：ｔの
体積比でジボラン（Ｂｔ Ｈｓ ）を含有するモノシラ
ン（ＳｉＨｓ）の混合ガスを用いた。形成されたｐ層の
膜厚は約２００人であった０次ぎに真空蒸着法によって
前記ｐＩ’Ｗ上の全面にＩｎｚＯａによる電極層を析出
させる。更に、該電極層上に無機質塗料をプリントした
後、このタイルを窒素雰囲気中に入れて２００℃の温度
で焼成し、前記電極層。
シラン（ＳｉＨ＊）の単独ガスを用いた。形成された１
層の膜厚は約５０００人であった。また、残るｐ層を形
成するときのグロー放電ガス用としては、ｔｏｏ：ｔの
体積比でジボラン（Ｂｔ Ｈｓ ）を含有するモノシラ
ン（ＳｉＨｓ）の混合ガスを用いた。形成されたｐ層の
膜厚は約２００人であった０次ぎに真空蒸着法によって
前記ｐＩ’Ｗ上の全面にＩｎｚＯａによる電極層を析出
させる。更に、該電極層上に無機質塗料をプリントした
後、このタイルを窒素雰囲気中に入れて２００℃の温度
で焼成し、前記電極層。
アモルファスシリコン、電極層を包む保護膜を形成させ
る。
る。
このようにして製造された本実施例における本発明太陽
電池の光電効果は、ｌｏＯｍＷ／−の太陽光に対して短
絡電流が５．０ｍＡ／ａｉ、開路電圧が０．６０ｖ１フ
イルフアクターが０．５０であった。また、本実施例に
おける本発明太陽電池は、その電極層としてＩｎｚ０３
によるものを示したが、他に５ｎＯｚｌｌ＋Ａｕ１１等
に変更可能であると共に、その形成方法もスパッタリン
グ法等が考えられる。殊に基盤寄りの電極層については
ＡｇＰＡ等も可能である。又、受光面寄りの電極層の形
成方法もイオンブレーティング法等が考えられる。更に
、保護膜については５ｉＮｉ１等が考えられる。このよ
うに、本発明太陽電池の構成及び形状並びに本発明方法
の構成は、その要旨を逸脱しない範囲で実施の態様に応
じて適宜変更可能なものである。
電池の光電効果は、ｌｏＯｍＷ／−の太陽光に対して短
絡電流が５．０ｍＡ／ａｉ、開路電圧が０．６０ｖ１フ
イルフアクターが０．５０であった。また、本実施例に
おける本発明太陽電池は、その電極層としてＩｎｚ０３
によるものを示したが、他に５ｎＯｚｌｌ＋Ａｕ１１等
に変更可能であると共に、その形成方法もスパッタリン
グ法等が考えられる。殊に基盤寄りの電極層については
ＡｇＰＡ等も可能である。又、受光面寄りの電極層の形
成方法もイオンブレーティング法等が考えられる。更に
、保護膜については５ｉＮｉ１等が考えられる。このよ
うに、本発明太陽電池の構成及び形状並びに本発明方法
の構成は、その要旨を逸脱しない範囲で実施の態様に応
じて適宜変更可能なものである。
「発明の効果」
以上の説明で明らかなように、本発明に係る窯業製−基
盤を有した太陽電池及び該太陽電池の製造方法によれば
、太陽電池層が、窯業製基型の施釉面上に層成されてい
るため、たとえ毛管現象等によって基盤内に水分が浸入
したとしても、前記施釉面によって浸入が遮断され、電
極層等が腐蝕することはない、また、前記太陽電池層は
、透明保護膜によってその露出面全面が被覆されている
ものであるから、外気に対しても完全に遮水されている
。そのうえ、前記透明保護膜は、太陽電池層上に無機質
塗料等を塗布し、これを焼成するだけで得られるもので
あるため、従来の太陽電池ｌ （第２図参照）のガラス
板２に穿設していた如き格子状溝を形成させる必要はな
い。更に、該透明保護膜は、前記した如く太陽電池層を
外気から遮断する目的で形成されるものであるから、極
めて薄肉なものでよく、従来のガラス板に比べて遥かに
優れた太陽光の吸収能率が得られる。更に、太陽電池層
を窯業製基盤に設けたことによって、該基盤の裏面に、
壁面との投錨効果を増強する裏足を形成させることがで
き、帽体等の立壁面にも強固に貼着できる等、幾多の優
れた利点を有している。
盤を有した太陽電池及び該太陽電池の製造方法によれば
、太陽電池層が、窯業製基型の施釉面上に層成されてい
るため、たとえ毛管現象等によって基盤内に水分が浸入
したとしても、前記施釉面によって浸入が遮断され、電
極層等が腐蝕することはない、また、前記太陽電池層は
、透明保護膜によってその露出面全面が被覆されている
ものであるから、外気に対しても完全に遮水されている
。そのうえ、前記透明保護膜は、太陽電池層上に無機質
塗料等を塗布し、これを焼成するだけで得られるもので
あるため、従来の太陽電池ｌ （第２図参照）のガラス
板２に穿設していた如き格子状溝を形成させる必要はな
い。更に、該透明保護膜は、前記した如く太陽電池層を
外気から遮断する目的で形成されるものであるから、極
めて薄肉なものでよく、従来のガラス板に比べて遥かに
優れた太陽光の吸収能率が得られる。更に、太陽電池層
を窯業製基盤に設けたことによって、該基盤の裏面に、
壁面との投錨効果を増強する裏足を形成させることがで
き、帽体等の立壁面にも強固に貼着できる等、幾多の優
れた利点を有している。
第１図は本発明太陽電池を示す側断面図、第２図は従来
の太陽電池を示す側断面図である。 １・・・太陽電池（従来） １０・・・基盤１１・
・・施釉面 １２・・・太陽電池層１３、
１６・・・電極層 １４．１５・・・半導体層
１７・・・透明保護膜 特許出願人 伊奈製陶株式会社 代 理 人 弁理士 内田敏彦 第１図 第２図
の太陽電池を示す側断面図である。 １・・・太陽電池（従来） １０・・・基盤１１・
・・施釉面 １２・・・太陽電池層１３、
１６・・・電極層 １４．１５・・・半導体層
１７・・・透明保護膜 特許出願人 伊奈製陶株式会社 代 理 人 弁理士 内田敏彦 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、遮水用の施釉面を有し躯体外面等に施工される窯業
製基盤と、該基盤の施釉面に設けられた太陽電池層と、
無機質塗料等からなり該太陽電池層の露出面を被覆する
如く前記基盤に形成された透明保護膜とからなることを
特徴とする窯業製基盤を有した太陽電池。 ２、窯業製基盤の施釉面に電極層、半導体層等を重合状
に形成して適宜の太陽電池層を層成させ、次ぎに前記太
陽電池層を包囲する如く前記基盤に無機質塗料等からな
る透明保護膜を形成させることを特徴とする窯業製基盤
を有した太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249870A JPS61128576A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 窯業製基盤を有した太陽電池及び該太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59249870A JPS61128576A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 窯業製基盤を有した太陽電池及び該太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128576A true JPS61128576A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17199413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59249870A Pending JPS61128576A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 窯業製基盤を有した太陽電池及び該太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128576A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997036334A1 (de) * | 1996-03-22 | 1997-10-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Klima- und korrosionsstabiler schichtaufbau |
| WO1998038683A1 (de) * | 1997-02-24 | 1998-09-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Klima- und korrosionsstabiler schichtaufbau |
| WO2005045942A1 (ja) * | 2003-11-06 | 2005-05-19 | Firac International Co., Ltd. | ソーラータイルおよびその施工方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138287A (en) * | 1977-05-10 | 1978-12-02 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery |
| JPS5752176A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5942216B2 (ja) * | 1981-09-14 | 1984-10-13 | 松下電工株式会社 | 凍結防止弁 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59249870A patent/JPS61128576A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53138287A (en) * | 1977-05-10 | 1978-12-02 | Agency Of Ind Science & Technol | Solar battery |
| JPS5752176A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5942216B2 (ja) * | 1981-09-14 | 1984-10-13 | 松下電工株式会社 | 凍結防止弁 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997036334A1 (de) * | 1996-03-22 | 1997-10-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Klima- und korrosionsstabiler schichtaufbau |
| WO1998038683A1 (de) * | 1997-02-24 | 1998-09-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Klima- und korrosionsstabiler schichtaufbau |
| WO2005045942A1 (ja) * | 2003-11-06 | 2005-05-19 | Firac International Co., Ltd. | ソーラータイルおよびその施工方法 |
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