JPH05167090A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPH05167090A JPH05167090A JP3331835A JP33183591A JPH05167090A JP H05167090 A JPH05167090 A JP H05167090A JP 3331835 A JP3331835 A JP 3331835A JP 33183591 A JP33183591 A JP 33183591A JP H05167090 A JPH05167090 A JP H05167090A
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- Japan
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- silicon
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- solar cell
- glass
- silicon particles
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高価な半導体製造設備を使用せず、簡単な製
造プロセスで作製できる太陽電池を提供する。 【構成】 ガラス基板２を用い、ガラス層３をシリコン
粒１をガラス基板２上に固定するための透明接着剤とし
て使用し、ｐｎ接合の形成と取り出し電極の形成をｐ型
およびｎ型ドーパントを含んだ導電性ペーストの焼成に
よって行うことを特徴としている。 【効果】 製造設備に半導体製造設備を使用せずに太陽
電池の製造ができるため、設備コストを安くできる。ま
た、安価な材料が使用でき、かつ工程が簡単なため、低
コストで大量生産の可能な太陽電池を提供できる。
造プロセスで作製できる太陽電池を提供する。 【構成】 ガラス基板２を用い、ガラス層３をシリコン
粒１をガラス基板２上に固定するための透明接着剤とし
て使用し、ｐｎ接合の形成と取り出し電極の形成をｐ型
およびｎ型ドーパントを含んだ導電性ペーストの焼成に
よって行うことを特徴としている。 【効果】 製造設備に半導体製造設備を使用せずに太陽
電池の製造ができるため、設備コストを安くできる。ま
た、安価な材料が使用でき、かつ工程が簡単なため、低
コストで大量生産の可能な太陽電池を提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粉末シリコンを用いた
太陽電池の製造方法に関するものである。
太陽電池の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、例えば米国特許U.S.Patent 4,2
70,263 Jun.2,1981 "GLASS SUPPORT LIGHT ENERGY CONV
ERTER"に示された従来のシリコン粒を用いた太陽電池を
示す断面図である。この図において、３１，３２は光電
変換を行う球状のシリコン粒であり、それぞれのシリコ
ン粒、すなわちｐ型シリコン粒３１ｂの表面にｎ型層３
１ａを形成し、また、ｎ型シリコン粒３２ｂの表面にｐ
型層３２ａを形成して、ｎｐ接合３１ｃ，ｐｎ接合３２
ｃを形成している。３３は前記シリコン粒３１，３２を
固定するガラス層、３４は前記シリコン粒３１，３２の
光入射側に接して設けられた透明電極、この透明電極３
４の設けられているシリコン粒３１，３２それぞれの裏
面において、ガラス層３３から露出した部分は、形成さ
れているｎｐあるいはｐｎ接合の接合深さ以下にエッチ
ングされており、それぞれのエッチングされた接合部分
にはこれを保護するガラス層３５が形成されている。３
６は前記シリコン粒３１，３２の裏面のエッチング表面
に接してそれぞれを電気的に直列接続するために設けら
れた金属電極である。
70,263 Jun.2,1981 "GLASS SUPPORT LIGHT ENERGY CONV
ERTER"に示された従来のシリコン粒を用いた太陽電池を
示す断面図である。この図において、３１，３２は光電
変換を行う球状のシリコン粒であり、それぞれのシリコ
ン粒、すなわちｐ型シリコン粒３１ｂの表面にｎ型層３
１ａを形成し、また、ｎ型シリコン粒３２ｂの表面にｐ
型層３２ａを形成して、ｎｐ接合３１ｃ，ｐｎ接合３２
ｃを形成している。３３は前記シリコン粒３１，３２を
固定するガラス層、３４は前記シリコン粒３１，３２の
光入射側に接して設けられた透明電極、この透明電極３
４の設けられているシリコン粒３１，３２それぞれの裏
面において、ガラス層３３から露出した部分は、形成さ
れているｎｐあるいはｐｎ接合の接合深さ以下にエッチ
ングされており、それぞれのエッチングされた接合部分
にはこれを保護するガラス層３５が形成されている。３
６は前記シリコン粒３１，３２の裏面のエッチング表面
に接してそれぞれを電気的に直列接続するために設けら
れた金属電極である。
【０００３】次に、従来例の製造方法について説明す
る。以下に示すステップ(1)〜 (7)のようなプロセスフ
ローで作製される。 (1) キャスト 一般的なセラミックシートの製造方法であるテープキャ
ストプロセスを用いて、シリコン粒とガラス粉末および
有機バインダを混合したスラリをベース材であるプラス
ティックシート上に塗布し、薄く引き延ばす。このよう
にしてできたプラスティックシート上には、間をガラス
粉末で充填されたシリコン粒がシート状に１層ずつ並
ぶ。これを乾燥，固化させた後、プラスティックシート
から剥す。 (2) 焼結 固化したシリコン粒とガラス層からなるシートを適当な
大きさにカットしてベルト式の炉で焼結する。 (3) バック・エッチ シートをワックスでガラス板に張り付ける。この後、Ｈ
Ｆでガラス層の表面をエッチングし、シリコン粒表面の
一部を露出させる。シリコンエッチング液で露出したシ
リコン粒表面の拡散層をエッチングする。 (4) ガラス充填 露出したｐｎ接合部分をガラスで覆い、絶縁する。 (5) コンタクト、メタライズ ＨＦでライトエッチしてシリコン粒のベース部分を露出
させ、メタル（Ｔｉ）を蒸着して裏面電極とする。 (6) フロント・エッチ 裏面電極をマスクして、表側のガラス層をＨＦでエッチ
ングする。 (7) 白金スパッタ 表側に白金を薄く蒸着する。この後、ＨＦでライトエッ
チしてシリコン粒の上以外の白金を除去してセルが完成
する。
る。以下に示すステップ(1)〜 (7)のようなプロセスフ
ローで作製される。 (1) キャスト 一般的なセラミックシートの製造方法であるテープキャ
ストプロセスを用いて、シリコン粒とガラス粉末および
有機バインダを混合したスラリをベース材であるプラス
ティックシート上に塗布し、薄く引き延ばす。このよう
にしてできたプラスティックシート上には、間をガラス
粉末で充填されたシリコン粒がシート状に１層ずつ並
ぶ。これを乾燥，固化させた後、プラスティックシート
から剥す。 (2) 焼結 固化したシリコン粒とガラス層からなるシートを適当な
大きさにカットしてベルト式の炉で焼結する。 (3) バック・エッチ シートをワックスでガラス板に張り付ける。この後、Ｈ
Ｆでガラス層の表面をエッチングし、シリコン粒表面の
一部を露出させる。シリコンエッチング液で露出したシ
リコン粒表面の拡散層をエッチングする。 (4) ガラス充填 露出したｐｎ接合部分をガラスで覆い、絶縁する。 (5) コンタクト、メタライズ ＨＦでライトエッチしてシリコン粒のベース部分を露出
させ、メタル（Ｔｉ）を蒸着して裏面電極とする。 (6) フロント・エッチ 裏面電極をマスクして、表側のガラス層をＨＦでエッチ
ングする。 (7) 白金スパッタ 表側に白金を薄く蒸着する。この後、ＨＦでライトエッ
チしてシリコン粒の上以外の白金を除去してセルが完成
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のシリコン粒を用
いた太陽電池は以上のような構成と作製プロセスフロー
で製造されるので、シリコン粒表面の拡散層形成に半導
体製造設備である拡散炉および蒸着（スパッタ）装置等
が必要であるため、設備コストが大きく、エッチングを
繰り返すため、工程数が多い等の問題点があった。
いた太陽電池は以上のような構成と作製プロセスフロー
で製造されるので、シリコン粒表面の拡散層形成に半導
体製造設備である拡散炉および蒸着（スパッタ）装置等
が必要であるため、設備コストが大きく、エッチングを
繰り返すため、工程数が多い等の問題点があった。
【０００５】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたものであり、高価な半導体製造設備を使用せ
ず、簡単な製造プロセスで作製できる太陽電池の製造方
法を提供することを目的としている。
なされたものであり、高価な半導体製造設備を使用せ
ず、簡単な製造プロセスで作製できる太陽電池の製造方
法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る太陽電池の
製造方法は、シリコン粒をガラス基板上に固定するため
の透明接着剤としてガラス層を使用し、ｐｎ接合の形成
と取り出し電極の形成はｐ型およびｎ型ドーパントを含
んだ導電性ペーストの焼成によって行うものである。
製造方法は、シリコン粒をガラス基板上に固定するため
の透明接着剤としてガラス層を使用し、ｐｎ接合の形成
と取り出し電極の形成はｐ型およびｎ型ドーパントを含
んだ導電性ペーストの焼成によって行うものである。
【０００７】
【作用】本発明においては、太陽電池を構成するガラス
層がシリコン粒をガラス基板上に固定するための透明接
着剤として機能するため、多数のシリコン粒を結合、自
己保持させるよりも原料であるガラス粉末の使用量が大
幅に少ない。また、ｐ型およびｎ型ドーパントを含んだ
導電性ペーストを使用するため、その焼成によって拡散
によるｐｎ接合の形成と取り出し電極の形成を同時に行
うことができ、かつ太陽光の入射面であるガラス基板側
には電極が存在しないため、電極形成による受光面積の
低下が発生しない。また、電極が全て裏面に形成される
ため、隣接する太陽電池との接続を容易に行うことがで
きる。
層がシリコン粒をガラス基板上に固定するための透明接
着剤として機能するため、多数のシリコン粒を結合、自
己保持させるよりも原料であるガラス粉末の使用量が大
幅に少ない。また、ｐ型およびｎ型ドーパントを含んだ
導電性ペーストを使用するため、その焼成によって拡散
によるｐｎ接合の形成と取り出し電極の形成を同時に行
うことができ、かつ太陽光の入射面であるガラス基板側
には電極が存在しないため、電極形成による受光面積の
低下が発生しない。また、電極が全て裏面に形成される
ため、隣接する太陽電池との接続を容易に行うことがで
きる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１について説明
する。図１において、１はシリコン粒、２はガラス基
板、３は前記シリコン粒１をガラス基板２に接着し、溶
融して固定させるガラス層、４はｐ型ドーパントを含ん
だ導電性（Ａｇ）ペーストからなる電極、４ａはｐ型拡
散層、５はｎ型ドーパントを含んだ導電性（Ａｇ）ペー
ストからなる電極、５ａはｎ型拡散層である。
する。図１において、１はシリコン粒、２はガラス基
板、３は前記シリコン粒１をガラス基板２に接着し、溶
融して固定させるガラス層、４はｐ型ドーパントを含ん
だ導電性（Ａｇ）ペーストからなる電極、４ａはｐ型拡
散層、５はｎ型ドーパントを含んだ導電性（Ａｇ）ペー
ストからなる電極、５ａはｎ型拡散層である。
【０００９】次に、本発明の構造および製造プロセスに
ついて説明する。以下に示すステップ (1)〜 (6)のよう
なプロセスフローで作製される。 (1) ガラス層形成 ガラス基板２上に有機バインダと粉末ガラスおよび溶剤
のいわゆるペースト状の混合物を塗布し、ガラス層３を
形成する。 (2) シリコン粒の固定 ガラス層３上にシリコン粒１を散布し圧着させる。ガラ
ス層３と接着されるシリコン粒１は１層のみで２層以降
のシリコン粒１はガラス層３と接触しないため、ガラス
基板２上に残らない。 (3) 焼結 コンベア炉でガラス層３を溶融させ、ガラス基板２上に
シリコン粒１を前記ガラス層３で焼結させる。 (4) エッチング ＨＦによりシリコン粒１表面の酸化膜を除去する。 (5) ペースト印刷、乾燥 ｐ型ドーパントを含んだ導電性（Ａｇ）ペーストからな
る電極４を所定の間隔と幅でライン状に印刷し、乾燥さ
せる。この後、ｎ型ドーパントを含んだ導電性（Ａｇ）
ペーストからなる電極５を導電性（Ａｇ）ペーストから
なる電極４の間隔内にライン状に印刷し、乾燥させる。 (6) 焼成、拡散 コンベア炉で焼成することで、Ａｇペーストからなる電
極が形成され、同時にｐ型，ｎ型ドーパントがそれぞれ
シリコン粒１表面に拡散され、ｐおよびｎ型拡散層４
ａ，５ａが形成されて、セルが完成する。
ついて説明する。以下に示すステップ (1)〜 (6)のよう
なプロセスフローで作製される。 (1) ガラス層形成 ガラス基板２上に有機バインダと粉末ガラスおよび溶剤
のいわゆるペースト状の混合物を塗布し、ガラス層３を
形成する。 (2) シリコン粒の固定 ガラス層３上にシリコン粒１を散布し圧着させる。ガラ
ス層３と接着されるシリコン粒１は１層のみで２層以降
のシリコン粒１はガラス層３と接触しないため、ガラス
基板２上に残らない。 (3) 焼結 コンベア炉でガラス層３を溶融させ、ガラス基板２上に
シリコン粒１を前記ガラス層３で焼結させる。 (4) エッチング ＨＦによりシリコン粒１表面の酸化膜を除去する。 (5) ペースト印刷、乾燥 ｐ型ドーパントを含んだ導電性（Ａｇ）ペーストからな
る電極４を所定の間隔と幅でライン状に印刷し、乾燥さ
せる。この後、ｎ型ドーパントを含んだ導電性（Ａｇ）
ペーストからなる電極５を導電性（Ａｇ）ペーストから
なる電極４の間隔内にライン状に印刷し、乾燥させる。 (6) 焼成、拡散 コンベア炉で焼成することで、Ａｇペーストからなる電
極が形成され、同時にｐ型，ｎ型ドーパントがそれぞれ
シリコン粒１表面に拡散され、ｐおよびｎ型拡散層４
ａ，５ａが形成されて、セルが完成する。
【００１０】なお、上記において、例えばペースト幅お
よび間隔を１００μｍとすれば、Ｓｉ特性が３００μｍ
以上４００〜５００μｍまでとなる。各ドーパントの濃
度は１０17〜１０21ｃｍ-3の範囲、粒径の範囲は１５０
μｍ〜数μｍ、ドーパントはｐ型ペーストでＢ2 Ｏ3 ，
ｎ型でＰ2 Ｏ5 があげられる。
よび間隔を１００μｍとすれば、Ｓｉ特性が３００μｍ
以上４００〜５００μｍまでとなる。各ドーパントの濃
度は１０17〜１０21ｃｍ-3の範囲、粒径の範囲は１５０
μｍ〜数μｍ、ドーパントはｐ型ペーストでＢ2 Ｏ3 ，
ｎ型でＰ2 Ｏ5 があげられる。
【００１１】ｐ型，ｎ型ドーパントを含んだ導電性（Ａ
ｇ）ペーストからなる電極４，５を印刷形成する際、使
用したシリコン粒１の粒径の１／３未満のパターン幅お
よび間隔で交互にライン状に印刷することにより、図２
に示すようにガラス基板２上に並んだ全てのシリコン粒
１表面にｐ型拡散層４ａおよびｎ型拡散層５ａが形成さ
れる。例えば、シリコン粒１がランダムにガラス基板２
上に設置された場合でも、一対のｐ型，ｎ型拡散層４
ａ，５ａが形成されるので、シリコン粒１の設置方法に
制限を与えない。また、ライン間隔およびパターン幅が
シリコン粒１の粒径の１／３以上である場合、シリコン
粒１の中でｐ型拡散層４ａあるいはｎ型拡散層５ａのど
ちらか片方のみしか形成されないシリコン粒が発生する
ため、単位面積あたりの発電に寄与するシリコン粒数が
減少し効率が低下する。
ｇ）ペーストからなる電極４，５を印刷形成する際、使
用したシリコン粒１の粒径の１／３未満のパターン幅お
よび間隔で交互にライン状に印刷することにより、図２
に示すようにガラス基板２上に並んだ全てのシリコン粒
１表面にｐ型拡散層４ａおよびｎ型拡散層５ａが形成さ
れる。例えば、シリコン粒１がランダムにガラス基板２
上に設置された場合でも、一対のｐ型，ｎ型拡散層４
ａ，５ａが形成されるので、シリコン粒１の設置方法に
制限を与えない。また、ライン間隔およびパターン幅が
シリコン粒１の粒径の１／３以上である場合、シリコン
粒１の中でｐ型拡散層４ａあるいはｎ型拡散層５ａのど
ちらか片方のみしか形成されないシリコン粒が発生する
ため、単位面積あたりの発電に寄与するシリコン粒数が
減少し効率が低下する。
【００１２】上記実施例では基本的な構造，製造プロセ
スを示したが、シリコン粒１の表面をあらかじめ酸化し
たものを使用することで、プロセス中の不純物汚染が防
止でき、ガラス層３との付着力が向上する。また、ガラ
ス粉末の純度が低純度のものを使用できるため、材料コ
ストが低減できる。
スを示したが、シリコン粒１の表面をあらかじめ酸化し
たものを使用することで、プロセス中の不純物汚染が防
止でき、ガラス層３との付着力が向上する。また、ガラ
ス粉末の純度が低純度のものを使用できるため、材料コ
ストが低減できる。
【００１３】また、使用するシリコン粒１の形状が扁平
状（フリット）であれば、印刷形成する導電性（Ａｇ）
ペーストからなる電極４，５のパターン幅を広げること
ができ、印刷スペックが緩くできる。さらに、ガラス基
板２にソーラースルー強化ガラスを用いることで、効率
の向上がはかれる。このソーラースルー強化ガラスは、
白板ガラスを熱処理することで、特に機械的な衝撃に強
くしたもので、さらに太陽光のスペクトル全域（λ＝４
００ｎｍ〜１２００ｎｍ）でほぼ透明である特徴を有す
る。
状（フリット）であれば、印刷形成する導電性（Ａｇ）
ペーストからなる電極４，５のパターン幅を広げること
ができ、印刷スペックが緩くできる。さらに、ガラス基
板２にソーラースルー強化ガラスを用いることで、効率
の向上がはかれる。このソーラースルー強化ガラスは、
白板ガラスを熱処理することで、特に機械的な衝撃に強
くしたもので、さらに太陽光のスペクトル全域（λ＝４
００ｎｍ〜１２００ｎｍ）でほぼ透明である特徴を有す
る。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、シリコ
ン粒をガラス基板上に固定するための透明接着剤として
ガラス層を使用し、ｐｎ接合の形成と取り出し電極の形
成はｐ型およびｎ型ドーパントを含んだ導電性ペースト
の焼成によって行うので、製造設備に半導体製造設備を
使用せずに太陽電池の製造ができるため、設備コストを
安くできる。また、安価な材料が使用でき、かつ工程が
簡単なため、低コストで大量生産の可能な太陽電池を提
供できる。
ン粒をガラス基板上に固定するための透明接着剤として
ガラス層を使用し、ｐｎ接合の形成と取り出し電極の形
成はｐ型およびｎ型ドーパントを含んだ導電性ペースト
の焼成によって行うので、製造設備に半導体製造設備を
使用せずに太陽電池の製造ができるため、設備コストを
安くできる。また、安価な材料が使用でき、かつ工程が
簡単なため、低コストで大量生産の可能な太陽電池を提
供できる。
【図１】本発明の一実施例を示す構造断面図である。
【図２】本発明の導電ペースト印刷パターンの概要図で
ある。
ある。
【図３】従来の構造断面図である。
１ シリコン粒 ２ ガラス基板 ３ ガラス層 ４ ｐ型ドーパントを含んだＡｇペーストからなる電
極 ４ａ ｐ型拡散層 ５ ｎ型ドーパントを含んだＡｇペーストからなる電
極 ５ａ ｎ型拡散層
極 ４ａ ｐ型拡散層 ５ ｎ型ドーパントを含んだＡｇペーストからなる電
極 ５ａ ｎ型拡散層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】なお、上記において、例えばペースト幅お
よび間隔を１００μｍとすれば、Ｓｉ粒径が３００μｍ
以上４００〜５００μｍまでとなる。各ドーパントの濃
度は１０17〜１０21ｃｍ-3の範囲、粒径の範囲は１５０
μｍ〜数ｍｍ、ドーパントはｐ型ペーストでＢ2 Ｏ3 ，
ｎ型でＰ2 Ｏ5 があげられる。
よび間隔を１００μｍとすれば、Ｓｉ粒径が３００μｍ
以上４００〜５００μｍまでとなる。各ドーパントの濃
度は１０17〜１０21ｃｍ-3の範囲、粒径の範囲は１５０
μｍ〜数ｍｍ、ドーパントはｐ型ペーストでＢ2 Ｏ3 ，
ｎ型でＰ2 Ｏ5 があげられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】ｐ型，ｎ型ドーパントを含んだ導電性（Ａ
ｇ）ペーストからなる電極４，５を印刷形成する際、使
用したシリコン粒１の粒径の１／３未満のパターン幅お
よび間隔で交互にライン状に印刷することにより、図１
に示すようにガラス基板２上に並んだ全てのシリコン粒
１表面にｐ型拡散層４ａおよびｎ型拡散層５ａが形成さ
れる。例えば、シリコン粒１がランダムにガラス基板２
上に設置された場合でも、一対のｐ型，ｎ型拡散層４
ａ，５ａが形成されるので、シリコン粒１の設置方法に
制限を与えない。また、ライン間隔およびパターン幅が
シリコン粒１の粒径の１／３以上である場合、シリコン
粒１の中でｐ型拡散層４ａあるいはｎ型拡散層５ａのど
ちらか片方のみしか形成されないシリコン粒が発生する
ため、単位面積あたりの発電に寄与するシリコン粒数が
減少し変換効率が低下する。
ｇ）ペーストからなる電極４，５を印刷形成する際、使
用したシリコン粒１の粒径の１／３未満のパターン幅お
よび間隔で交互にライン状に印刷することにより、図１
に示すようにガラス基板２上に並んだ全てのシリコン粒
１表面にｐ型拡散層４ａおよびｎ型拡散層５ａが形成さ
れる。例えば、シリコン粒１がランダムにガラス基板２
上に設置された場合でも、一対のｐ型，ｎ型拡散層４
ａ，５ａが形成されるので、シリコン粒１の設置方法に
制限を与えない。また、ライン間隔およびパターン幅が
シリコン粒１の粒径の１／３以上である場合、シリコン
粒１の中でｐ型拡散層４ａあるいはｎ型拡散層５ａのど
ちらか片方のみしか形成されないシリコン粒が発生する
ため、単位面積あたりの発電に寄与するシリコン粒数が
減少し変換効率が低下する。
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン粒をガラス基板上に溶融ガラス
で固定し、露出したシリコン粒表面にｐ型およびｎ型ド
ーパントを含んだ導電性ペーストをライン状に交互に印
刷塗布し、その後、焼成して各ドーパントをそれぞれの
シリコン粒中に拡散させてｐｎ接合を形成する工程を含
むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 ｐ型およびｎ型ドーパントを含んだ導電
性ペーストは、使用したシリコン粒の粒径の１／３未満
の間隔およびパターン幅でライン状に印刷して形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方
法。 - 【請求項３】 シリコン粒の表面に酸化膜をあらかじめ
形成しておくことを特徴とする請求項１に記載の太陽電
池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331835A JPH05167090A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331835A JPH05167090A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05167090A true JPH05167090A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18248182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3331835A Pending JPH05167090A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05167090A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093433A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP2013519243A (ja) * | 2010-02-08 | 2013-05-23 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | Ｍｗｔシリコン太陽電池の製造方法 |
| JP2013140967A (ja) * | 2011-12-29 | 2013-07-18 | Qinghua Univ | 太陽電池 |
| KR20200008393A (ko) * | 2018-07-16 | 2020-01-28 | 한국에너지기술연구원 | P형 및 n형 공존 웨이퍼 제조방법, 이에 의해 제조된 p형 및 n형 공존 웨이퍼, p형 및 n형 공존 웨이퍼를 이용한 태양전지 제조방법 및 이에 의해 제조된 태양전지 |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP3331835A patent/JPH05167090A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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