JPS6110533A - 液晶性エステル化合物およびその組成物 - Google Patents
液晶性エステル化合物およびその組成物Info
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- JPS6110533A JPS6110533A JP59130833A JP13083384A JPS6110533A JP S6110533 A JPS6110533 A JP S6110533A JP 59130833 A JP59130833 A JP 59130833A JP 13083384 A JP13083384 A JP 13083384A JP S6110533 A JPS6110533 A JP S6110533A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規な液晶性化合物に関する。
液晶性化合物は、従来よシ様々な、！！子光学的氷示装
置に液晶祠料として用いられておυ、それぞれの表示方
式により、最適な液晶物質の性質はそれぞれ異なるが、
共通条件として、いずれの液晶物質も水分、熱、空気１
元、を場等に対して。
置に液晶祠料として用いられておυ、それぞれの表示方
式により、最適な液晶物質の性質はそれぞれ異なるが、
共通条件として、いずれの液晶物質も水分、熱、空気１
元、を場等に対して。
物理的、化学的、電気的に安定であることが要求される
１、加えて、液晶の温度範囲が広いこと、駆動電圧の低
いこと、応答速度の速いこと１時分割特性の良好なこと
、視野角の広いことなども要求される。しかし、単一化
合物でこれらの諸条件を満足するものは、今のところ々
＜、灰用的には各々の点に優れた性質をもつ数種類の液
晶化合物または、非液晶化合物を混合して液晶組成物と
しである程度の使用に耐えうる材料を得て込るのが現状
である。
１、加えて、液晶の温度範囲が広いこと、駆動電圧の低
いこと、応答速度の速いこと１時分割特性の良好なこと
、視野角の広いことなども要求される。しかし、単一化
合物でこれらの諸条件を満足するものは、今のところ々
＜、灰用的には各々の点に優れた性質をもつ数種類の液
晶化合物または、非液晶化合物を混合して液晶組成物と
しである程度の使用に耐えうる材料を得て込るのが現状
である。
本発明の目的は、この様な賽用的性能にすぐれた液晶組
成物の素材として、有利な化合物を提供することにある
。
成物の素材として、有利な化合物を提供することにある
。
即ち１本発明は、
一般式Ｒ１−Ｚ−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２−ｃ／−Ｒ２ｉｌ
１式中、Ｒ□ は炭素数１〜１０のアルキル基又はアル
コキシ基を、Ｒ８は水素原子又は炭素数１−１０のアル
キル基又はアルコキシ基を示し、２は’ ＋ ４−７−
１− 二Ｌ／ ７基、１．４−７クロヘキンレ／ｉ、４
１４’−ビフエニレ７基、４．４’−ビシロヘキンレン
基、または４−（４−［ｍフェニル）−７クロヘキシル
基を示す、。
１式中、Ｒ□ は炭素数１〜１０のアルキル基又はアル
コキシ基を、Ｒ８は水素原子又は炭素数１−１０のアル
キル基又はアルコキシ基を示し、２は’ ＋ ４−７−
１− 二Ｌ／ ７基、１．４−７クロヘキンレ／ｉ、４
１４’−ビフエニレ７基、４．４’−ビシロヘキンレン
基、または４−（４−［ｍフェニル）−７クロヘキシル
基を示す、。
で表わされるエステル化合物である。。
本発明の化合物（１）は、純粋な状態では無色であり、
化学的に安定であシ、広い液晶温度範囲をもち、さらに
他の液晶物質例えば、ビフェニル系。
化学的に安定であシ、広い液晶温度範囲をもち、さらに
他の液晶物質例えば、ビフェニル系。
フェニルシクロヘキサン系、 安息香酸フェニルエステ
ル系、シクロへギサ７ヵルポン酸フェニルエステル系、
シック塩基系、アゾキ／１．フェニルピリミジノ系、フ
ェニルメタジオ牟サン系等との相溶性にすぐれており１
本発明の化合物は、これらの他の液晶化合物との混合に
よって液晶温度範囲が広く、応答特性のすぐれた液晶組
成物を構成する有用な成分であることが見い出されてい
る。
ル系、シクロへギサ７ヵルポン酸フェニルエステル系、
シック塩基系、アゾキ／１．フェニルピリミジノ系、フ
ェニルメタジオ牟サン系等との相溶性にすぐれており１
本発明の化合物は、これらの他の液晶化合物との混合に
よって液晶温度範囲が広く、応答特性のすぐれた液晶組
成物を構成する有用な成分であることが見い出されてい
る。
本発明の化合物＋ｆｌＦｉ、次の方法で製造される１゜
５ＯＣ１！２ Ｒ１−ｚ−ＣＯＯＨ＄ Ｒ□−Ｚ−ＣＯＣＩ （
２１−（Ｉ）−Ｂｒ”′ Ｒ２→Ｒ２−ｏ−ＭＦＢｒ ”ａ Ｒ２−Ｃ３−−ＣＨ
，Ｃ）１２０Ｈ＋３１ ＋２＋ ＋ （３＋ ５ 、 Ｒ，−ｚ−ＣＯＯＣＨ２
ＣＨ２−Ｑ）−Ｒ２（＋１〔式中Ｒ１＋ Ｒ２＋および
２は前記の意味を有する〕ここでカルボン酸化合物（Ｒ
１−Ｚ−ＣＯＯＨ） Ｕ、公知の方法で容易に入手する
ことができ、またこのカルボ／酸を既知の方法で１例え
ば塩化チオニルやハロゲン化す／吟のハロゲン化剤を用
い、必要であれば、ピリジノ等の有機系塩基の存在下に
反応させて相応する酸塩化物（２）とする、。
５ＯＣ１！２ Ｒ１−ｚ−ＣＯＯＨ＄ Ｒ□−Ｚ−ＣＯＣＩ （
２１−（Ｉ）−Ｂｒ”′ Ｒ２→Ｒ２−ｏ−ＭＦＢｒ ”ａ Ｒ２−Ｃ３−−ＣＨ
，Ｃ）１２０Ｈ＋３１ ＋２＋ ＋ （３＋ ５ 、 Ｒ，−ｚ−ＣＯＯＣＨ２
ＣＨ２−Ｑ）−Ｒ２（＋１〔式中Ｒ１＋ Ｒ２＋および
２は前記の意味を有する〕ここでカルボン酸化合物（Ｒ
１−Ｚ−ＣＯＯＨ） Ｕ、公知の方法で容易に入手する
ことができ、またこのカルボ／酸を既知の方法で１例え
ば塩化チオニルやハロゲン化す／吟のハロゲン化剤を用
い、必要であれば、ピリジノ等の有機系塩基の存在下に
反応させて相応する酸塩化物（２）とする、。
−力、２−（４−１）換フエニル）−エタノール（３）
は、それ自体公知化合物ではないが、既知の方法（例え
ば５ｐｅｅｒ ａｎｄ Ｈｉｌｌ 、 Ｊ、０ｒｊｉ、
Ｃｈｅｍ、２ 、 ｌ ３９（１９３７））を準用する
ことによシ製造することができる。即ち、４−［ｉ１換
フェニルプロミドをエーテル系溶媒中、金属マグネシウ
ムと反応させて、グリニヤー化合物とし、これにエテレ
ノオキ７ドを反応させると、化合物（３）が得られる。
は、それ自体公知化合物ではないが、既知の方法（例え
ば５ｐｅｅｒ ａｎｄ Ｈｉｌｌ 、 Ｊ、０ｒｊｉ、
Ｃｈｅｍ、２ 、 ｌ ３９（１９３７））を準用する
ことによシ製造することができる。即ち、４−［ｉ１換
フェニルプロミドをエーテル系溶媒中、金属マグネシウ
ムと反応させて、グリニヤー化合物とし、これにエテレ
ノオキ７ドを反応させると、化合物（３）が得られる。
（診考例参照）
このようにして得られた。酸塩化物（２）と、２−置換
エタノール（３）を、これも公知の方法で１例えば、ピ
リジノ尋の塩基性有機溶媒中でエステル化反応させた後
１反応混合物を水洗し、乾燥し、再結晶して、目的の化
合物（１）を得る。
エタノール（３）を、これも公知の方法で１例えば、ピ
リジノ尋の塩基性有機溶媒中でエステル化反応させた後
１反応混合物を水洗し、乾燥し、再結晶して、目的の化
合物（１）を得る。
以下、参考例および実施例によシ木発明の化合物につき
さらに眸細に説明する１゜ 参ｉ例 ２−（４−ｎ−ヘキソキンフェニル）エタノー
ルの合成 金属ナトリウム１）．５ Ｐ Ｃ（１，５モル）を乾燥
エタノール１４０ ｗｒｌに適当な還流速度を保つよう
に少謔ずつ添加シフ、添加終了後、未溶解の金嬌ナトリ
ウムを加熱して完全に溶解させた。、 ｏｎ熱を止めて
、この浴液に、４−ブロムフェノール８６．５１（０，
５モル）を添加し７て溶解させ１次いで臭化ｎ−ヘキシ
ル８３ ！ｌ （０，５モル）ヲ加えた後、６時間加熱
還流し友。この反応混合物から、析出物を濾過し７て除
き、さらにエタノールを留去し７て、残留物に氷水１５
０ ｙｔを加えて、ニーデル５００ ｍｇで抽出し７た
１、この抽出液を、１Ｍ−水酸化ナトリウム水溶液及び
水で抗浄し７てから無水硫酸マグネシウム−ヒで乾燥さ
せた後エーテルを留去し、友３．この残箱物を減圧蒸留
して、４−ｎ−ヘキソキンプロムベノゼノ１０９．５
Ｆを得た５、（沸点１０６〜１０８°Ｇ／２階）１ｙ）
、。
さらに眸細に説明する１゜ 参ｉ例 ２−（４−ｎ−ヘキソキンフェニル）エタノー
ルの合成 金属ナトリウム１）．５ Ｐ Ｃ（１，５モル）を乾燥
エタノール１４０ ｗｒｌに適当な還流速度を保つよう
に少謔ずつ添加シフ、添加終了後、未溶解の金嬌ナトリ
ウムを加熱して完全に溶解させた。、 ｏｎ熱を止めて
、この浴液に、４−ブロムフェノール８６．５１（０，
５モル）を添加し７て溶解させ１次いで臭化ｎ−ヘキシ
ル８３ ！ｌ （０，５モル）ヲ加えた後、６時間加熱
還流し友。この反応混合物から、析出物を濾過し７て除
き、さらにエタノールを留去し７て、残留物に氷水１５
０ ｙｔを加えて、ニーデル５００ ｍｇで抽出し７た
１、この抽出液を、１Ｍ−水酸化ナトリウム水溶液及び
水で抗浄し７てから無水硫酸マグネシウム−ヒで乾燥さ
せた後エーテルを留去し、友３．この残箱物を減圧蒸留
して、４−ｎ−ヘキソキンプロムベノゼノ１０９．５
Ｆを得た５、（沸点１０６〜１０８°Ｇ／２階）１ｙ）
、。
金属マグネシウム５．４ Ｐ Ｃ０，２２モル）に微量
のヨウ素結晶片を加え、これに４−ｎ−ヘキソキシプロ
ムペ／ゼｙ５６．８５’ （０，２２モル）を乾燥エー
テル１４０ＫｔＶＣ浴解した溶液を、適当な還流速度を
保つように、適時加熱しながら１．５時間で滴下し、滴
下終了後さらに１．５時１（１加熱Ｍ流した。。
のヨウ素結晶片を加え、これに４−ｎ−ヘキソキシプロ
ムペ／ゼｙ５６．８５’ （０，２２モル）を乾燥エー
テル１４０ＫｔＶＣ浴解した溶液を、適当な還流速度を
保つように、適時加熱しながら１．５時間で滴下し、滴
下終了後さらに１．５時１（１加熱Ｍ流した。。
この反応混合物に、氷−食塩浴で十分に冷却しながら、
エチレンオキ７ド１９．４７（０，４４モル）を乾煙ベ
ノゼノ１００献に溶解した浴液を１賄［ｉｊで滴下シフ
、滴下終了後４時間加熱還流した。この混合物に冷却し
ながら水３０ｍ１、次゛ハで２０％硫酸Ｌｏｏｍ／’を
加えて分解した後、エーテル５００〃ｌで抽出した。こ
の抽出液を２％炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で洗浄
してから、無水硫酸ナトーリウム上で乾燥させた後エー
テルを留去し′ｆＣ，。この残留物を、注意深く減圧蒸
留して２−（４−ｎ−ヘキソキシフェニル）−エタノー
ル１８．７ Ｆ（収率３３％）を得た。（沸点１２７−
１３０℃７０．２１ＨＰ） 上記の代表例と四様にして、下記の各化合物を得た１゜ ２−（４−エトギシフェニル）−エタノール 沸点１）
３−１）５℃／３襲Ｈ１２−（４−ｎ−ブトキ／７：Ｃ
＝）ｖ）−ｘタノールが８点１３５−１３７’Ｃ／１ａ
ＨＰ２−（４−ｎ−ヘグトキ７）ｘ＝ル）−エタノ−ノ
ール点１３９−１４２℃１０．２１）ａ□Ｈ９賽Ｎｕ例
１ ： ） ラノスー４−ｎ−へプナルンクロヘキサノ
カルボン酪２−（４−ｎ−へブ トキンフェニル）−エチルニスデルの 合成 トラメス−４−ｎ−ヘプテルン夕口へキツ７カルボ７［
１，ｌｌり（５ミリモルラに塩化テメニル３．３ｙを加
えて、２１ＰＦｌ’Ｍ＋加熱還流した。過剣］の塩化チ
オニルの留去し、残留物として酸塩化物を得た１）この
酸塩化物に、２−（４−ｎ−へブトキシフェニル）−エ
タノール１．２３９ （５，２ミリモル）を、乾燥ピリ
ジ／２ＩＩＩｌと乾煉ベノゼン１Ｏｙｘｉに溶解しｆｃ
溶液を７１ｆｌえて、４時間加熱還流した。この反応混
合物に、ペノゼノ５Ｑｍ／を加えて、ＩＭ−塩酸、１Ｍ
−水酸化ナトリウム水溶液及び水で順次洗浄し７てから
、無水儲酸ナトリウム上で乾燥させた後、ペン七／を留
去した。この残留物をエタノールから再結晶を２回繰返
して、目的物であるトランス−４−ｎ−へプナルンク口
ヘキサ７カルポｙｆｌ１２− （４−ｎ−へブトキシフ
ェニル）−エチルエステルの無色針状結晶０．９７ Ｐ
＋収率４４％）を得几１゜ ｒｎ、ｐ、 ４９℃、 ｅ、ｐ、３７°にの化合物の
元緊分析値は１次に示す如く、理論値とよく一致しで”
ハ几３、 ＣＨ 実測値 ７８．３％ １０ 、９％理論
値（Ｃ２９Ｈ４８０３として）７８．３ ％
Ｈｌ、９ ％又、赤外吸収スペクトルを第１図に示
（７たが。
エチレンオキ７ド１９．４７（０，４４モル）を乾煙ベ
ノゼノ１００献に溶解した浴液を１賄［ｉｊで滴下シフ
、滴下終了後４時間加熱還流した。この混合物に冷却し
ながら水３０ｍ１、次゛ハで２０％硫酸Ｌｏｏｍ／’を
加えて分解した後、エーテル５００〃ｌで抽出した。こ
の抽出液を２％炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で洗浄
してから、無水硫酸ナトーリウム上で乾燥させた後エー
テルを留去し′ｆＣ，。この残留物を、注意深く減圧蒸
留して２−（４−ｎ−ヘキソキシフェニル）−エタノー
ル１８．７ Ｆ（収率３３％）を得た。（沸点１２７−
１３０℃７０．２１ＨＰ） 上記の代表例と四様にして、下記の各化合物を得た１゜ ２−（４−エトギシフェニル）−エタノール 沸点１）
３−１）５℃／３襲Ｈ１２−（４−ｎ−ブトキ／７：Ｃ
＝）ｖ）−ｘタノールが８点１３５−１３７’Ｃ／１ａ
ＨＰ２−（４−ｎ−ヘグトキ７）ｘ＝ル）−エタノ−ノ
ール点１３９−１４２℃１０．２１）ａ□Ｈ９賽Ｎｕ例
１ ： ） ラノスー４−ｎ−へプナルンクロヘキサノ
カルボン酪２−（４−ｎ−へブ トキンフェニル）−エチルニスデルの 合成 トラメス−４−ｎ−ヘプテルン夕口へキツ７カルボ７［
１，ｌｌり（５ミリモルラに塩化テメニル３．３ｙを加
えて、２１ＰＦｌ’Ｍ＋加熱還流した。過剣］の塩化チ
オニルの留去し、残留物として酸塩化物を得た１）この
酸塩化物に、２−（４−ｎ−へブトキシフェニル）−エ
タノール１．２３９ （５，２ミリモル）を、乾燥ピリ
ジ／２ＩＩＩｌと乾煉ベノゼン１Ｏｙｘｉに溶解しｆｃ
溶液を７１ｆｌえて、４時間加熱還流した。この反応混
合物に、ペノゼノ５Ｑｍ／を加えて、ＩＭ−塩酸、１Ｍ
−水酸化ナトリウム水溶液及び水で順次洗浄し７てから
、無水儲酸ナトリウム上で乾燥させた後、ペン七／を留
去した。この残留物をエタノールから再結晶を２回繰返
して、目的物であるトランス−４−ｎ−へプナルンク口
ヘキサ７カルポｙｆｌ１２− （４−ｎ−へブトキシフ
ェニル）−エチルエステルの無色針状結晶０．９７ Ｐ
＋収率４４％）を得几１゜ ｒｎ、ｐ、 ４９℃、 ｅ、ｐ、３７°にの化合物の
元緊分析値は１次に示す如く、理論値とよく一致しで”
ハ几３、 ＣＨ 実測値 ７８．３％ １０ 、９％理論
値（Ｃ２９Ｈ４８０３として）７８．３ ％
Ｈｌ、９ ％又、赤外吸収スペクトルを第１図に示
（７たが。
その分析結果は本化合物の構造と矛盾し７ていなかった
。
。
実施例２〜１３
実ｔＩθ１＋１）１におけるトランス−４−ｎ−ヘプテ
ルシクロヘキサンカルポノ酸の代シに他のアルキル基を
有する４す置換シクロヘキサ／カルボッ酸を。
ルシクロヘキサンカルポノ酸の代シに他のアルキル基を
有する４す置換シクロヘキサ／カルボッ酸を。
又２−（４−ｎ−へブトキンフェニル）−エタノールの
代ｃＫ他の２−（４−アルコキシフェニル）−エタノー
ルを使用する以外は全く同様にして。
代ｃＫ他の２−（４−アルコキシフェニル）−エタノー
ルを使用する以外は全く同様にして。
第１表（実施例２〜１３）に示すような式（１）の化合
物を得た。その物性値を実施例１の結果と共に第１表に
示す。
物を得た。その物性値を実施例１の結果と共に第１表に
示す。
（）ｈ トランス−１，４−７クロヘキシレン基’に示
り、。
り、。
し〕はモノトロピックを示す。
実施例１４．４−（）ランス−４−ｎ−プロビルゾクロ
ヘキンル）−安息香ｆｆ１ｆ−２−（４−エトキンフェ
ニル）−エテル エステルの合成 ４−（）ランス−４−ｎ−フ’ロピルシクロヘキゾル）
−安息香酸（１，６２Ｐ Ｃ２，５ミリモル）に塩化チ
オニル３．３ｙと、ピリジン１滴を加えて２時間加熱還
流した。過剰の塩化チオニルを留去し、残留物として、
酸塩化物ｆｔ得几１．この醒塩化物に。
ヘキンル）−安息香ｆｆ１ｆ−２−（４−エトキンフェ
ニル）−エテル エステルの合成 ４−（）ランス−４−ｎ−フ’ロピルシクロヘキゾル）
−安息香酸（１，６２Ｐ Ｃ２，５ミリモル）に塩化チ
オニル３．３ｙと、ピリジン１滴を加えて２時間加熱還
流した。過剰の塩化チオニルを留去し、残留物として、
酸塩化物ｆｔ得几１．この醒塩化物に。
２−（４−エトキクフェニル）−エタノール０．４６９
（２，８ミリモル）を乾燥ピリジン６ｄｌｃｌ解しｆ
ｃ浴溶液加えて、６時間加熱還流し′ｆｃ。この反応混
合物にエーテル５０−を加えて、ＩＭ−塩酸。
（２，８ミリモル）を乾燥ピリジン６ｄｌｃｌ解しｆ
ｃ浴溶液加えて、６時間加熱還流し′ｆｃ。この反応混
合物にエーテル５０−を加えて、ＩＭ−塩酸。
ＬＭ−水酸化ナトリウム水溶液及び水で順次洗浄してか
ら無水＆酸ナトリウム上で乾燥させた後。
ら無水＆酸ナトリウム上で乾燥させた後。
エーテルを留去した。この残留物をエタノールから再結
晶ｔ＝２回繰返して、目的物である。４−（トラ／スー
４−ｎ−プロピルシクロへ中シル）−安Ｊｉｌ［＠２−
（４−エトキン７エール）−エテルエステルの無色針
状結晶０．６４２（収率６５％）を得た。
晶ｔ＝２回繰返して、目的物である。４−（トラ／スー
４−ｎ−プロピルシクロへ中シル）−安Ｊｉｌ［＠２−
（４−エトキン７エール）−エテルエステルの無色針
状結晶０．６４２（収率６５％）を得た。
ｍ、ｐ、 ７９℃ 、 ｃ、ｐ、１）４℃この
化合物の元素分析値は次に示す如く、理論随とよく一致
していた。
化合物の元素分析値は次に示す如く、理論随とよく一致
していた。
ＣＨ
寅１ｉ１）１）圓 ７９．３％
８．６％理論便（Ｃ２６Ｈ３４０３とし、て） ７
９．２％ ８．７％又、赤外吸収スペクトルの分析
結果は１本化合物の構造と矛盾していなかった。
８．６％理論便（Ｃ２６Ｈ３４０３とし、て） ７
９．２％ ８．７％又、赤外吸収スペクトルの分析
結果は１本化合物の構造と矛盾していなかった。
実施例１５〜２７
実Ｋｔｔｆ！＋１４における４−（トラ７スー４−ｎ−
プロピルシクロヘキンル）−安息香酸の代りに他のアル
キル基を有する４−置換安息香酸を、又。
プロピルシクロヘキンル）−安息香酸の代りに他のアル
キル基を有する４−置換安息香酸を、又。
２−（４−エトキンフェニル）−エタノールノ代ＤＫ他
ｏ２−ｘ−アルコキシフェニル）−エタノールを使用す
る以外は全く同様にして、第２表（実施例１５〜２７）
に示すような式（１）の化合物を缶た。その物性値を実
施例１４の結果と共に第２表に示す。
ｏ２−ｘ−アルコキシフェニル）−エタノールを使用す
る以外は全く同様にして、第２表（実施例１５〜２７）
に示すような式（１）の化合物を缶た。その物性値を実
施例１４の結果と共に第２表に示す。
第２ 表’ Ｒ□−Ｚ−ＣＯＯＣＨ２ＣＨ２−Ｃ）−Ｒ
２（１）→３ｈ トランス−１，４−シクロヘキンレ７
基を示す。
２（１）→３ｈ トランス−１，４−シクロヘキンレ７
基を示す。
実施例２８ （使用例）
４−（）、ｙメス−４−プロピルシクロヘキシル）−ヘ
ノジニトリル２４％ （重量、以下同じ） ４−（トランス−４−べ／チル７クロへ中ツル）−ヘノ
ジニトリル３６％ ４−（）シノスー４−へプチルシクロヘキゾノリーぺ／
ジニトリル２５％ ４−ソアノー４’−（トラ／スー４−ペンチルンクロへ
中ツル）−ビフェニル１５％ からなる混合物は、 ｃ、ｐ、 ７１．５℃を有し、
これをセル厚８ＢｍのＴＮセルに封入した際（３０℃）
のしきイ＊、 Ｆｆは１．７１ Ｖ、飽和電圧は２．４
０ Ｖｆ＃ツ７１− 、、この液晶組成物８５優に１本
発明の実施例１４の化合物１５％を加えた液晶組成物は
ｃ、ｐ、７６℃と高くなり、先と同様にＴＮセルに封入
し７た際のし、 ＃ イ電圧は１．７７ Ｖ、飽和電圧
は、２．３４ＶＴあった。急峻性（飽和電圧／しきい電
圧）を本発明の化合物の添加前後で比較すると、１．４
０から１．３２に向上した。
ノジニトリル２４％ （重量、以下同じ） ４−（トランス−４−べ／チル７クロへ中ツル）−ヘノ
ジニトリル３６％ ４−（）シノスー４−へプチルシクロヘキゾノリーぺ／
ジニトリル２５％ ４−ソアノー４’−（トラ／スー４−ペンチルンクロへ
中ツル）−ビフェニル１５％ からなる混合物は、 ｃ、ｐ、 ７１．５℃を有し、
これをセル厚８ＢｍのＴＮセルに封入した際（３０℃）
のしきイ＊、 Ｆｆは１．７１ Ｖ、飽和電圧は２．４
０ Ｖｆ＃ツ７１− 、、この液晶組成物８５優に１本
発明の実施例１４の化合物１５％を加えた液晶組成物は
ｃ、ｐ、７６℃と高くなり、先と同様にＴＮセルに封入
し７た際のし、 ＃ イ電圧は１．７７ Ｖ、飽和電圧
は、２．３４ＶＴあった。急峻性（飽和電圧／しきい電
圧）を本発明の化合物の添加前後で比較すると、１．４
０から１．３２に向上した。
第１図は１本発明におけるトランス−４−ｎ−へブチル
シクロヘキサンカルボ７＠２−（４−ｎ−へフト孝７フ
エニル）−エテルエステルノ赤外吸収スペクトルを示し
ている〇
シクロヘキサンカルボ７＠２−（４−ｎ−へフト孝７フ
エニル）−エテルエステルノ赤外吸収スペクトルを示し
ている〇
Claims (4)
- （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコ
キシ基を、Ｒ＿２は、水素原子又は、炭素数１〜１０の
アルキル基又はアルコキ シ基を示し、Ｚは、１，４−フェニレン基、１，４−シ
クロヘキシレン基、４，４′−ビフェニレン基、４，４
′−ビシクロヘキシレン基又は４−（４−置換フェニル
）−シク ロヘキシル基を示す で表わされるエステル化合物。 - （２）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１０のアルキル基を、Ｒ＿２
は炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、Ｚは１，４−
フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、４，４′
−ビフェニレン基、４，４′−ビシクロヘキシレン基又
は、４−（４−置換フェニル）−シクロヘ キシル基を示す で表わされる特許請求の範囲第１項記載のエステル化合
物。 - （３）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１０のアルキル基又はアルコ
キシ基を、Ｒ＿２は水素原子又は炭素数１〜１０のアル
キル基又はアルコキ シ基を示し、Ｚは、１，４−フェニレン基、１，４−シ
クロヘキシレン基、４，４′−ビフェニレン基、４，４
′−ビシクロヘキシレン基、又は４−（４−置換フェニ
ル）−シ クロヘキシル基を示す で表わされるエステル化合物を少なくとも１種含有する
ことを特徴とする液晶組成物。 - （４）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１０のアルキル基をＲ＿２は
炭素数１〜１０のアルコキシ基を示し、Ｚは１，４−フ
ェニレン基、１，４ −シクロヘキシレン基、４，４′−ビフェニレン基、４
，４′−ビシクロヘキシレン基又は４−（４−置換フェ
ニル）−シクロヘキ シル基を示す で表わされる特許請求の範囲第３項記載の液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130833A JPS6110533A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 液晶性エステル化合物およびその組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130833A JPS6110533A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 液晶性エステル化合物およびその組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110533A true JPS6110533A (ja) | 1986-01-18 |
Family
ID=15043761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130833A Pending JPS6110533A (ja) | 1984-06-27 | 1984-06-27 | 液晶性エステル化合物およびその組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110533A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002308831A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 重合性液晶化合物、該化合物を含有する重合性液晶組成物及びその重合体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168948U (ja) * | 1974-11-26 | 1976-05-31 | ||
| JPS5546703U (ja) * | 1978-09-20 | 1980-03-27 |
-
1984
- 1984-06-27 JP JP59130833A patent/JPS6110533A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5168948U (ja) * | 1974-11-26 | 1976-05-31 | ||
| JPS5546703U (ja) * | 1978-09-20 | 1980-03-27 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002308831A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 重合性液晶化合物、該化合物を含有する重合性液晶組成物及びその重合体 |
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