JPS61102628A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPS61102628A JPS61102628A JP59224770A JP22477084A JPS61102628A JP S61102628 A JPS61102628 A JP S61102628A JP 59224770 A JP59224770 A JP 59224770A JP 22477084 A JP22477084 A JP 22477084A JP S61102628 A JPS61102628 A JP S61102628A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
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- G02F2202/00—Materials and properties
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- G02F2202/104—Materials and properties semiconductor poly-Si
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、互いに対向する一対の電極間に封入されてい
る液晶から成る表示部と、上記一対の電極間に印加する
電圧を制御するための駆動用薄膜トランジスタとをそれ
ぞれ゛具備する液晶表示装置に関する。
る液晶から成る表示部と、上記一対の電極間に印加する
電圧を制御するための駆動用薄膜トランジスタとをそれ
ぞれ゛具備する液晶表示装置に関する。
従来の技術
従来、この種の液晶表示装置は、例えば第３Ａ図〜第３
■図に示すような方法により製造され′ζいる。すなわ
ら、まず第３Ａ図に示すようＧ、二石英基板１上に所定
形状の多結晶シリコン膜２を形成し、次いで熱酸化を行
うごとにより、第３Ｂ図に示すように、この多結晶シリ
コン膜２０表面にＳｉＯ□膜３を形成すると共にこの多
結晶シリコン膜２を所定膜厚にｖ３１１Ｑ化した後、全
面に多結晶シリコン膜４を形成する。
■図に示すような方法により製造され′ζいる。すなわ
ら、まず第３Ａ図に示すようＧ、二石英基板１上に所定
形状の多結晶シリコン膜２を形成し、次いで熱酸化を行
うごとにより、第３Ｂ図に示すように、この多結晶シリ
コン膜２０表面にＳｉＯ□膜３を形成すると共にこの多
結晶シリコン膜２を所定膜厚にｖ３１１Ｑ化した後、全
面に多結晶シリコン膜４を形成する。
次に上記多結晶シリコン膜４及び５ｉ０２膜３の所定部
分を順次エツチング除去して、第３ｃ図に示すように所
定形状めＳｉＯ□膜から成るゲート絶縁膜６及び所定形
状の多結晶シリコンＩＩりから成るゲート電極７をそれ
ぞれ形成する。
分を順次エツチング除去して、第３ｃ図に示すように所
定形状めＳｉＯ□膜から成るゲート絶縁膜６及び所定形
状の多結晶シリコンＩＩりから成るゲート電極７をそれ
ぞれ形成する。
次に第３Ｄ図に示すように、全面にＰＳＧＳａＯ２成し
、次いで１０００℃程度で熱処理を行うごとによりこの
ＰＳＧｌｌＢ中に含まれているリン（Ｐ）を多結晶シリ
コン膜２中Ｇｑ拡散させて、ｎ。
、次いで１０００℃程度で熱処理を行うごとによりこの
ＰＳＧｌｌＢ中に含まれているリン（Ｐ）を多結晶シリ
コン膜２中Ｇｑ拡散させて、ｎ。
型のソース領域１０及びドレイン領域１１を形成する。
次に第３Ｅ図に示すように、ＰＳＧＳａＯ２定部分をエ
ツチング除去して開口８ａ、８ｂを形成した後、これら
の開口３ａ、３ｂを通してＡ／から成る電極１２．１３
を形成する。
ツチング除去して開口８ａ、８ｂを形成した後、これら
の開口３ａ、３ｂを通してＡ／から成る電極１２．１３
を形成する。
次に第３Ｆ図に示すように、プラズマＣＶ Ｄ法により
全面に層間絶縁膜としての５ｉＪ４膜１４を形成した後
、この５ｉ３Ｎ４１模１４の所定部分をエツチング除去
して開口１４ａを形成する。
全面に層間絶縁膜としての５ｉＪ４膜１４を形成した後
、この５ｉ３Ｎ４１模１４の所定部分をエツチング除去
して開口１４ａを形成する。
次に第３Ｇ図に示すように、スパッタ法により３００°
Ｃ程度で全面にＩＴＯ膜を被着形成し、次いでこのＩＴ
Ｏ膜の所定部分をエツチング除去して所定形状のＩＴＯ
膜１６ （透明電極）を形成した後、第３Ｈ図に示すよ
うに全面にパンシベーション膜としてのＳｉ３Ｎ４膜１
７を形成する。この後、第３Ｉ図に示すように、ＩＴＯ
膜から成る対向電極１８がその一面に予め形成されてい
るガラス仮１９と上記５ｉＪ４膜１７との間に表示部を
構成する液晶２０を封入して液晶表示装置を完成させる
。
Ｃ程度で全面にＩＴＯ膜を被着形成し、次いでこのＩＴ
Ｏ膜の所定部分をエツチング除去して所定形状のＩＴＯ
膜１６ （透明電極）を形成した後、第３Ｈ図に示すよ
うに全面にパンシベーション膜としてのＳｉ３Ｎ４膜１
７を形成する。この後、第３Ｉ図に示すように、ＩＴＯ
膜から成る対向電極１８がその一面に予め形成されてい
るガラス仮１９と上記５ｉＪ４膜１７との間に表示部を
構成する液晶２０を封入して液晶表示装置を完成させる
。
なおこのようにして製造される液晶表示装置においては
、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７、ソース領域１０及び
ドレイン領域１１等から成る薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ
Ｔ）が駆動用トランジスタを構成していて、この駆動
用トランジスタのスイ７・チング動作により、透明電極
としてのｌＴＯ膜１６と対向電極１８との間に印加する
電圧、従って液晶２０に印加する電圧を制御するような
っている。
、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７、ソース領域１０及び
ドレイン領域１１等から成る薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ
Ｔ）が駆動用トランジスタを構成していて、この駆動
用トランジスタのスイ７・チング動作により、透明電極
としてのｌＴＯ膜１６と対向電極１８との間に印加する
電圧、従って液晶２０に印加する電圧を制御するような
っている。
上述の第３Ｉ図に示す従来の液晶表示装置は、次のよう
な欠点を有している。すなわち、液晶２０に電圧を印加
するための、駆動用トランジスタ側の透明電極をＩＴＯ
膜１６で構成しているので、液晶表示装置を製造するた
めには、上述のようにＴＦＴを形成するための工程と透
明電極を形成するための工程とが必要である。このため
、ｌＴｏ膜１６の被着工程及びそのパターンニングの工
程が必要となるのみならず、眉間絶縁膜としての５ｉＪ
４膜１４を形成するための工程及びこのＳｉ３Ｎ４膜１
４に開口１４ａを形成するための工程等が必要であると
いう欠点がある。またＴＰＴを形成後に、ＩＴＯ膜１６
を形成するためのスバ・ツタや、５ｔＪｓ膜１７を形成
するためのプラズマＣＶＤを行っているので、これらの
スパッタやプラズマＣＶＤ時にＴＰＴに損傷が生じ、そ
の結果、実効移動度 μｏｆｔが低下したり、しきい値
電圧Ｖｔｈが大きくなったりしてしまう。このため、駆
動用トランジスタの特性があまり良好でないという欠点
もある。
な欠点を有している。すなわち、液晶２０に電圧を印加
するための、駆動用トランジスタ側の透明電極をＩＴＯ
膜１６で構成しているので、液晶表示装置を製造するた
めには、上述のようにＴＦＴを形成するための工程と透
明電極を形成するための工程とが必要である。このため
、ｌＴｏ膜１６の被着工程及びそのパターンニングの工
程が必要となるのみならず、眉間絶縁膜としての５ｉＪ
４膜１４を形成するための工程及びこのＳｉ３Ｎ４膜１
４に開口１４ａを形成するための工程等が必要であると
いう欠点がある。またＴＰＴを形成後に、ＩＴＯ膜１６
を形成するためのスバ・ツタや、５ｔＪｓ膜１７を形成
するためのプラズマＣＶＤを行っているので、これらの
スパッタやプラズマＣＶＤ時にＴＰＴに損傷が生じ、そ
の結果、実効移動度 μｏｆｔが低下したり、しきい値
電圧Ｖｔｈが大きくなったりしてしまう。このため、駆
動用トランジスタの特性があまり良好でないという欠点
もある。
なお上述の液晶表示装置において用いられるＴＰＴに関
する先行文献としては、日本応用物理学会箱４５回学術
講演会予稿集、１４ｐ−Ａ−４〜１４ｐ−Ａ−６（１９
８４）が挙げられる。
する先行文献としては、日本応用物理学会箱４５回学術
講演会予稿集、１４ｐ−Ａ−４〜１４ｐ−Ａ−６（１９
８４）が挙げられる。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、上述の問題にかんがみ、従来の液晶表示装置
が有する上述のような欠点を是正した液晶表示装置を提
供することを目的とする。
が有する上述のような欠点を是正した液晶表示装置を提
供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する一対の電
極（例えばＩＴＯ膜１６から成る透明電極及び対向電極
１８）間に封入されている液晶（例えば液晶２０）から
成る表示部と、上記一対の電極間に印加する電圧を制御
するための駆動用薄膜トランジスタとをそれぞれ具備す
る液晶表示装置において、上記駆動用薄膜トランジスタ
のトレイン領域（例えばｎ゛型のドレイン領域ＩＩ）と
上記一対の電極の一方の電極とを多結晶シリコン膜（例
えばｎ゛型の多結晶シリコン膜２）で構成している。
極（例えばＩＴＯ膜１６から成る透明電極及び対向電極
１８）間に封入されている液晶（例えば液晶２０）から
成る表示部と、上記一対の電極間に印加する電圧を制御
するための駆動用薄膜トランジスタとをそれぞれ具備す
る液晶表示装置において、上記駆動用薄膜トランジスタ
のトレイン領域（例えばｎ゛型のドレイン領域ＩＩ）と
上記一対の電極の一方の電極とを多結晶シリコン膜（例
えばｎ゛型の多結晶シリコン膜２）で構成している。
実施例
以下本発明に係る液晶表示装置の一実施例につき図面を
参照しながら説明する。なお以下の第１Ａ図〜第１Ｇ図
及び第２図においては、第３Ａ図〜第３■図と同一部分
には同一の符号を（−ｔ Ｌ 、、必要に応じてその説
明を省略する。
参照しながら説明する。なお以下の第１Ａ図〜第１Ｇ図
及び第２図においては、第３Ａ図〜第３■図と同一部分
には同一の符号を（−ｔ Ｌ 、、必要に応じてその説
明を省略する。
まず第１Ａ図に示すように、石英基板１上に１画素（ま
たはｌ絵素）に対応する大きさを有しかつ膜厚が例えば
７００人の多結晶シリコン膜２を形成し、次いで熱酸化
を行うことにより、第１Ｂ図に示すように、この多結晶
シリコン膜２０表面に例えば膜厚１０００人のＳｉｎ、
膜３を形成すると共に、この多結晶シリコン膜２を例え
ばＮ厚２００人に薄膜化する。この後、第３Ｂ図〜第３
Ｄ図と同様に第１Ｂ図〜第１Ｄ図に示すように工程を進
めて、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７、ＰＳＧ膜８、ｎ
３型のソース領域１０及びドレイン領域１１を形成する
。
たはｌ絵素）に対応する大きさを有しかつ膜厚が例えば
７００人の多結晶シリコン膜２を形成し、次いで熱酸化
を行うことにより、第１Ｂ図に示すように、この多結晶
シリコン膜２０表面に例えば膜厚１０００人のＳｉｎ、
膜３を形成すると共に、この多結晶シリコン膜２を例え
ばＮ厚２００人に薄膜化する。この後、第３Ｂ図〜第３
Ｄ図と同様に第１Ｂ図〜第１Ｄ図に示すように工程を進
めて、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７、ＰＳＧ膜８、ｎ
３型のソース領域１０及びドレイン領域１１を形成する
。
次に第１Ｅ図に示すように、ＰＳＧ膜８に開口８ａを形
成した後、この間口８ａを通じて＾ｌから成る電極１２
を形成する。
成した後、この間口８ａを通じて＾ｌから成る電極１２
を形成する。
次に第１Ｆ図に示すように、パッシベーション膜として
のＳｉ３Ｎ４膜１７を形成した後、第３１図に示すと同
様に、ガラス板１９に形成された対向電極１８と上記５
ｉ３Ｎａ膜１７との間に液晶２０を封入して、第１Ｇ図
に示すように目的とする液晶表示装置を完成させる。こ
の状態における液晶表示装置の平面図を第２図に示す。
のＳｉ３Ｎ４膜１７を形成した後、第３１図に示すと同
様に、ガラス板１９に形成された対向電極１８と上記５
ｉ３Ｎａ膜１７との間に液晶２０を封入して、第１Ｇ図
に示すように目的とする液晶表示装置を完成させる。こ
の状態における液晶表示装置の平面図を第２図に示す。
なおこの第２図においては、Ｓｉ３Ｎ４膜１７、対向電
極１８、ガラス板１９、液晶２０等の図示を省略した。
極１８、ガラス板１９、液晶２０等の図示を省略した。
、 こ０第１６図４３示す液晶表示装置ゝ
おＩ、％Ｔ−４：！・□ ドレイン領域１
１を構成する膜厚２００人の多結晶シリコン膜２が透明
電極を兼用している。このように薄い多結晶シリコン膜
２は、短波長の光（青色）が多少吸収されることを除け
ば、その他の波長の光に対しては殆ど透明である。
おＩ、％Ｔ−４：！・□ ドレイン領域１
１を構成する膜厚２００人の多結晶シリコン膜２が透明
電極を兼用している。このように薄い多結晶シリコン膜
２は、短波長の光（青色）が多少吸収されることを除け
ば、その他の波長の光に対しては殆ど透明である。
このように、上述の実施例によれば、駆動用゛１゛ＦＴ
のドレイン領域１１と透明電極とをｎ°型の多結晶シリ
コン膜２で構成しているので、次のような種々の利点が
ある。すなわら、従来のように透明電極としてＩＴＯ膜
１６ （第３Ｇ図参照）を形成する必要がなく、従って
層間絶縁膜としてのＳｉ３Ｎ、膜１４（第３Ｆ図参照）
を形成する必要もない。このため、液晶表示装置の構成
が従来に比べて簡単である。またこれに伴って、ＴＴＯ
膜１６のパターンニングのためのフォトレジスト」工程
やＳｉ３Ｎ、膜１４の開Ｄ １４ ａを形成するための
フォトレジスト工程を省略することができる。従って、
従来に比べて液晶表示装置の製造工程を簡略化すること
ができる。さらに、上述のようにｌＴＯ膜１膜中６ｉＪ
ａ膜１４を形成する必要がない ）ので、これら
の膜形成のためのスパックやプラス ）マＣＶＤ
により生ずるＴＰＴの損傷の問題を解消することができ
、従ってＴＰＴの特性が極めて良好である。
のドレイン領域１１と透明電極とをｎ°型の多結晶シリ
コン膜２で構成しているので、次のような種々の利点が
ある。すなわら、従来のように透明電極としてＩＴＯ膜
１６ （第３Ｇ図参照）を形成する必要がなく、従って
層間絶縁膜としてのＳｉ３Ｎ、膜１４（第３Ｆ図参照）
を形成する必要もない。このため、液晶表示装置の構成
が従来に比べて簡単である。またこれに伴って、ＴＴＯ
膜１６のパターンニングのためのフォトレジスト」工程
やＳｉ３Ｎ、膜１４の開Ｄ １４ ａを形成するための
フォトレジスト工程を省略することができる。従って、
従来に比べて液晶表示装置の製造工程を簡略化すること
ができる。さらに、上述のようにｌＴＯ膜１膜中６ｉＪ
ａ膜１４を形成する必要がない ）ので、これら
の膜形成のためのスパックやプラス ）マＣＶＤ
により生ずるＴＰＴの損傷の問題を解消することができ
、従ってＴＰＴの特性が極めて良好である。
のみならず、従来のようにＩＴＯ膜１６を形成していな
いので、耐熱性を向上させることができると共に、一画
素の占める面積に対する、光を透過する部分の面積の割
合（開口率）を従来に比べて大きくすることが可能であ
る。
いので、耐熱性を向上させることができると共に、一画
素の占める面積に対する、光を透過する部分の面積の割
合（開口率）を従来に比べて大きくすることが可能であ
る。
以上本発明を実施例につき説明したが、本発明は上述の
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づく種々の変形が可能である。
実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想
に基づく種々の変形が可能である。
例えば、必要に応じて多結晶シリコン膜２のうちの表示
部に対応する部分に酸素（０）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ
）等をイオン注入することによりいわゆるＳ Ｉ ＰＯ
３膜（半絶縁性多結晶シリコン膜）としたり、この表示
部の多結晶シリコン膜２に多数の開口を形成することに
より光の透過率を向上させることも可能である。なお多
結晶シリコン膜２の膜厚は必要に応じて選択可能である
が、実効移動度μ、、の高いＴＰＴを得る−ためには、
膜厚を２０〜１０００人とするのが好ましい。また必要
に応じて表示部とＴＦＴ部とにおける多結晶シリコン膜
２の膜厚を互いに異なる値とすることも可能である。
部に対応する部分に酸素（０）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ
）等をイオン注入することによりいわゆるＳ Ｉ ＰＯ
３膜（半絶縁性多結晶シリコン膜）としたり、この表示
部の多結晶シリコン膜２に多数の開口を形成することに
より光の透過率を向上させることも可能である。なお多
結晶シリコン膜２の膜厚は必要に応じて選択可能である
が、実効移動度μ、、の高いＴＰＴを得る−ためには、
膜厚を２０〜１０００人とするのが好ましい。また必要
に応じて表示部とＴＦＴ部とにおける多結晶シリコン膜
２の膜厚を互いに異なる値とすることも可能である。
発明の効果
本発明に係る液晶表示装置によれば、駆動用薄膜トラン
ジスタのトレイン領域と一対の電極の一方の電極とを多
結晶シリコン膜で構成しているので、液晶表示装置を簡
単な構成とすることがζきると共に、製造工程を従来に
比べて簡略化することができる。
ジスタのトレイン領域と一対の電極の一方の電極とを多
結晶シリコン膜で構成しているので、液晶表示装置を簡
単な構成とすることがζきると共に、製造工程を従来に
比べて簡略化することができる。
第１Ａ図〜第１Ｇ図は本発明の一実施例による液晶表示
装置の製造方法の一例を工程順にツ１＜ず断面図、第２
図は第１Ｇ図に示す液晶表示装置の平面図、第３Ａ図〜
第３Ｉ図は従来の液晶表示装置の製造方法を工程順に示
す断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 １−一−−−−−−−−・−石英基板 ２−・−・−・−一−−−−−−・多結晶シリコン膜６
−・−−−一−〜−−−−ゲート絶縁膜７−・−−−一
・−一−−ゲート電極 １０−−−−−−・−−−−−一・ソース領域１１−・
−・−−−−一−・・・ドレイン領域１６−−一−−−
Ｉ Ｔ ＯｌｌＡ １８−・−・・・−・−・一対向電極 １９−−・−・−・・・−ガラス板 ２０−−−−−−−−−−−・一液晶 である。
装置の製造方法の一例を工程順にツ１＜ず断面図、第２
図は第１Ｇ図に示す液晶表示装置の平面図、第３Ａ図〜
第３Ｉ図は従来の液晶表示装置の製造方法を工程順に示
す断面図である。 なお図面に用いられた符号において、 １−一−−−−−−−−・−石英基板 ２−・−・−・−一−−−−−−・多結晶シリコン膜６
−・−−−一−〜−−−−ゲート絶縁膜７−・−−−一
・−一−−ゲート電極 １０−−−−−−・−−−−−一・ソース領域１１−・
−・−−−−一−・・・ドレイン領域１６−−一−−−
Ｉ Ｔ ＯｌｌＡ １８−・−・・・−・−・一対向電極 １９−−・−・−・・・−ガラス板 ２０−−−−−−−−−−−・一液晶 である。
Claims (1)
- 互いに対向する一対の電極間に封入されている液晶か
ら成る表示部と、上記一対の電極間に印加する電圧を制
御するための駆動用薄膜トランジスタとをそれぞれ具備
する液晶表示装置において、上記駆動用薄膜トランジス
タのドレイン領域と上記一対の電極の一方の電極とを多
結晶シリコン膜により構成したことを特徴とする液晶表
示装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224770A JPS61102628A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 液晶表示装置 |
| CA000492586A CA1269161A (en) | 1984-10-25 | 1985-10-09 | Liquid crystal display apparatus |
| GB08525532A GB2166276B (en) | 1984-10-25 | 1985-10-16 | Liquid crystal display apparatus |
| NL8502881A NL8502881A (nl) | 1984-10-25 | 1985-10-22 | Vloeibaarkristal-weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| CN85108619.5A CN1005170B (zh) | 1984-10-25 | 1985-10-24 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| DE19853538065 DE3538065A1 (de) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | Fluessigkristall-anzeigeeinrichtung und verfahren zu ihrer herstellung |
| FR8515861A FR2572569B1 (fr) | 1984-10-25 | 1985-10-25 | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59224770A JPS61102628A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102628A true JPS61102628A (ja) | 1986-05-21 |
| JPH0543095B2 JPH0543095B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=16818946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59224770A Granted JPS61102628A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102628A (ja) |
| CN (1) | CN1005170B (ja) |
| CA (1) | CA1269161A (ja) |
| DE (1) | DE3538065A1 (ja) |
| FR (1) | FR2572569B1 (ja) |
| GB (1) | GB2166276B (ja) |
| NL (1) | NL8502881A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03280014A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH09297315A (ja) * | 1996-12-24 | 1997-11-18 | Hitachi Ltd | 液晶ディスプレイ装置 |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0611705A (ja) * | 1992-01-31 | 1994-01-21 | Sony Corp | 能動素子基板 |
| GB2265486A (en) * | 1992-03-11 | 1993-09-29 | Marconi Gec Ltd | Display device fabrication |
| TW281786B (ja) * | 1993-05-26 | 1996-07-21 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| JP3450376B2 (ja) * | 1993-06-12 | 2003-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| EP1843194A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| TWI764143B (zh) | 2006-05-16 | 2022-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5910988A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-20 | ホシデン株式会社 | カラ−液晶表示器 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP59224770A patent/JPS61102628A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-09 CA CA000492586A patent/CA1269161A/en not_active Expired
- 1985-10-16 GB GB08525532A patent/GB2166276B/en not_active Expired
- 1985-10-22 NL NL8502881A patent/NL8502881A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-10-24 CN CN85108619.5A patent/CN1005170B/zh not_active Expired
- 1985-10-25 DE DE19853538065 patent/DE3538065A1/de not_active Withdrawn
- 1985-10-25 FR FR8515861A patent/FR2572569B1/fr not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03280014A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH09297315A (ja) * | 1996-12-24 | 1997-11-18 | Hitachi Ltd | 液晶ディスプレイ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL8502881A (nl) | 1986-05-16 |
| FR2572569B1 (fr) | 1991-04-12 |
| CA1269161A (en) | 1990-05-15 |
| CN1005170B (zh) | 1989-09-13 |
| GB2166276A (en) | 1986-04-30 |
| GB8525532D0 (en) | 1985-11-20 |
| CN85108619A (zh) | 1986-04-10 |
| GB2166276B (en) | 1988-11-09 |
| FR2572569A1 (fr) | 1986-05-02 |
| JPH0543095B2 (ja) | 1993-06-30 |
| DE3538065A1 (de) | 1986-07-10 |
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