NL8502881A - Vloeibaarkristal-weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. - Google Patents
Vloeibaarkristal-weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8502881A NL8502881A NL8502881A NL8502881A NL8502881A NL 8502881 A NL8502881 A NL 8502881A NL 8502881 A NL8502881 A NL 8502881A NL 8502881 A NL8502881 A NL 8502881A NL 8502881 A NL8502881 A NL 8502881A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- liquid crystal
- film
- silicon film
- forming
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 72
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/13—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body combined with thin-film or thick-film passive components
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/104—Materials and properties semiconductor poly-Si
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
• · i
Vloeibaarkristal-weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan_
De uitvinding betreft een weergeefinrichting die bestaat uit een tussen een paar van tegenover elkaar opgestelde electroden afgedicht vloeibaarkristalmateriaal en een dunne filmdrijftransistor voor het besturen van een tussen de 5 tegenover elkaar opgestelde electroden aangebracht spanning.
Een vloeibaarkristal-weergeefinrichting volgens de stand van de techniek wordt vervaardigd volgens de in fig.lA tot II getoonde werkwijze. Zoals geïllustreerd is in fig.lA wordt bij een dergelijke constructie een polykristallijne 10 siliciumfilm 2 die een vooraf bepaalde vorm heeft, op een quartzsubstraat 1 door bijvoorbeeld door een LPCVD-werkwijze gevormd. Zoals is geïllustreerd in fig.lb, wordt vervolgens het bovenoppervlak termisch geoxideerd teneinde een silicium-oxide Si02 op het oppervlak van de polykristallijnesilicium-15 film 2 te vormen en teneinde de polykristallijne siliciumfilm 2 dunner dan een vooraf bepaalde dikte te maken. Daaropvolgend wordt de polykristallijne siliciumfilm 4 over het gehele oppervlak gevormd, zoals geïllustreerd.
Vervolgens worden vooraf bepaalde delen van de 20 polykristallijne siliciumfilm 4 en de Si02“film 3 door etsen achtereenvolgens verwijderd teneinde een isolerende poortfilm 6 omvattende een Si02“filro van een vooraf bepaalde vorm en een poortelectrode 7 omvattende een polykristallijne siliciumfilm van vooraf bepaalde vorm, te vormen, zoals is geïl-25 lustreerd in fig.lC.
Zoals geïllustreerd is in fig.lD, wordt een PSG-film 8 over het gehele oppervlak van de structuur gevormd, die dan een warmtebehandeling bij een temperatuur van ongeveer 1000°C ondergaat teneinde fosfor-(P)-atomen die in de 30 PSG-film 8 zijn bevat tot in de polykristallijne siliciumfilm 2 te doen diffunderen, waardoor N+-type bron- en afvoergebieden 10 en 11 worden gevormd, waarin P-atomen tot een hoge concentratie worden gedoteerd.
Zoals is geïllustreerd is in figuur IE, wordt ver-35 volgens een vooraf bepaald deel van de PSG-film door etsen selectief verwijderd teneinde openingen 8a en 8b te vormen.
- · ;: 3 ; *- ’ . 1. J V i
ï _v I
-2-
Vervolgens worden aluminium electroden 12 en 13 door de openingen 8a en 8b gevormd.
Zoals in fig.lF is geïllustreerd, wordt een S13N4-film 14 die een isolerende binnenlaag vormt, over het gehele 5 oppervlak van de resulterende structuur gevormd onder gebruikmaking van een plasma-CBD-werkwijze en wordt deze vervolgens geëtst voor het vormen van een opening 14a.
Zoals in fig.lG geïllustreerd is, wordt een ITO-film over het gehele oppervlak van de structuur bij een tem-10 peratuur van 300eC door sputteren aangebracht en wordt deze vervolgens door etsen selectief verwijderd voor het vormen van een ITO-film die de transparante electrode 16, die een vooraf bepaalde vorm heeft,is. Daaropvolgend wordt, zoals geïllustreerd in fig.lH, een Si3N4-film 17 die dient als een 15 passivatielaag, over het gehele oppervlak van de structuur gevormd. Zoals geïllustreerd is in fig.11, wordt vervolgens een vloeibaarkristalmateriaal 20 dat de vloeibarekristaleen-heid vormt, tussen de Si3N4-film 17 en een contra-electrode 18 die op één oppervlak van een glasplaat 19 van te voren is 20 gevormd, afgedicht, waardoor de vloeibaarkristal-weergeefinrichting wordt gecompleteerd.
In een volgens de bovenbeschreven werkwijze vervaardigde vloeibaarkristal-weergeefinrichting volgens de stand van de techniek, dient een dunne filmtransistor (TFT) 25 die gevormd wordt door de isolerende poortfilm 6, de poort-electrode 7 en de bron- en afvoergebieden 10 en 11, als een drijftransistor. Gedurende de schakelwerking van de drijf-transistor worden spanningen tussen de ITO-film 16 die de transparante electrode is, en de daar tegenover opgestelde 30 electrode 18 aangebracht, teneinde de doorlaatbaarheid van het vloeibaarkristalmateriaal 20 op een algemeen bekende wijze te besturen.
De in fig.11 geïllustreerde vloeibaarkristal-weer-geefinrichting volgens de stand van de techniek heeft de nu 35 volgende nadelen. Daar de transparante electrode aan de zijde van de dri jftransistor voor het aanbrengen van de spanning aan het vloeibaarkristalmateriaal 20 de ITO-film 16 omvat, ê ” Λ 9 q β 4 u V iy i ύ o ! i f < -3- zijn de stappen voor het vormen van de TFT en de stap van het vormen van de transparante electrode vereist teneinde de bovenbeschreven vloeibaarkristalinrichting te vervaardigen. Vanwege deze reden zijn niet alleen de stap van het aanbren-5 gen van de ITO-film 16 en de stap van het vormen van het patroon daarin vereist, maar zijn de stap voor het vormen van een Si3N4“film 14 als de isolerende binnenlaag en de stap voor het vormen van de opening 14a daarin eveneens vereist.
Na het vormen van de TFT kan, daar het sputterproces voor het 10 vormen van de ITO-film 16 en het de Si3N4-film 17 bewerkstelligende plasma-CVD proces worden uitgevoerd, de TFT beschadigd worden gedurende deze processen, hetgeen resulteert in een vermindering in de effectieve mobiliteit μ eff of een toename in de drempelspanning Vth* Zodoende zal de drijftran-15 sistor slechtere karakteristieken hebben.
De in de bovengenoemde vloeibaarkristal-weergeefin-richting gebruikte TFT is beschreven in "Japanese Society Applied Physics" 45ste Symposium artikel (1984), pagina 407 en 408, nummero 14p-A4 tot 14p-A6. De artikelen beschrijven 20 een polykristallijne silicium TFT, waarbij transistorkarakteristieken worden verbeterd door het vormen van een zeer dunne polykristallijne siliciumfilm, alsmede een deeltjesgrootte-groeieffect en een geleidingskarakteristiek van een polykristallijne siliciumfilm die gevormd wordt teneinde door ter-25 mische oxidatie uiterst dun te zijn en een verbetering in transistorkarakteristieken door ontlaten met waterstof bij een temperatuur van 400eC na het vormen van een Si3N4~film op een zeer dunne polykristallijne silicium TFT door middel van de plasma-CVD werkwijze.
30 Het is een doel van de onderhavige uitvinding een verbeterde vloeibaarkristal-weergeefinrichting te verschaffen, die niet de nadelen van de bovengenoemde uit de stand van de techniek heeft.
Volgens de onderhavige uitvinding wordt een vloei-35 baarkristal-weergeefinrichting verschaft, omvattende een weergeefinrichting die bestaat uit een tussen een paar van tegenover elkaar opgestelde electroden afgedicht vloeibaar- 2 33 1 i i -4- kristalmateriaal en een dunne filmdrijftransistor voor het besturen van een tussen de tegenover elkaar opgestelde elec-troden aangebrachte spanning.
Bij de ordening volgens de onderhavige uitvinding 5 is de vloeibaarkristal-weergeefinrichting een simpeler structuur dan de inrichting volgens de stand van de techniek en is de het vervaardigingsproces simpeler dan die volgens de stand van de techniek. φ
Andere doeleinden, kenmerken en voordelen van de 10 uitvinding zullen gemakkelijke duidelijk worden uit de nu volgende beschrijving van bepaalde voorkeursuitvoeringen daarvan die in samenhang met de bijbehorende tekening zijn genomen, hoewel variaties en modificaties kunnen worden uitgevoerd zonder de gedachte en strekking van de nieuwe concep-15 ten van de beschrijving te verlaten, en waarin voorstellen: fig.lA-11 doorsnede-aanzichten die de vervaardi-gingswerkwijze van een conventionele vloeibaarkristalweergeef inrichting volgens de stand van de techniek illustreren? fig.2A tot 2G zijn doorsnede-aanzichten die achter-20 eenvolgens de vervaardigingswerkwijze van het maken van een vloeibaarkristal-weergeefinrichting volgens een uitvoering-vorm van de onderhavige uitvinding illustreren? en fig.3 is een bovenaanzicht van de vloeibaarkristal-weergeefinrichting die in fig.2G is geïllustreerd.
25 Een vloeibaarkristal-weergeefinrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding zal worden beschreven met verwijzing naar de fig.2A tot 2G en fig.3. Dezelfde verwijzingsnummers die in fig.2A t/m 2G en 3 zijn gebruikt, geven dezelfde onderdelen in fig.lA tot II weer.
30 Zoals in fig.2A is geïllustreerd, wordt een poly- kristallijne siliciumfilm 2 die een afmeting heeft die overeenstemt met één pixel en een dikte heeft van 700&, gevormd op een quartzsubstraat 1 door bijvoorbeeld een LPCVD-werkwijze. Zoals in fig.3 wordt geïllustreerd, heeft de 35 polykris-35 tallijne siliciumfilm 2 een in hoofdzaak rechthoekige vorm en wordt een rechthoekig inkeepdeel 2b gevormd in een hoek van de film 2 en strekt dit zich loodrecht daarop naar een zijde \ A Λ
' 8 & I
-5- * · * daarvan uit. Een dunne filmtransistor TFT wordt in een ondiep rechthoekig deel 2a nabij het ingekeepte deel 2b op een hierna te beschrijven wijze gevormd.
Zoals in fig.2B getoond wordt, wordt de structuur 5 termisch geoxideerd teneinde een Si02“filra 3 te vormen en teneinde de polykristallijne siliciumfilm 2 dunner te maken, zodat deze een dikte van 200& heeft. Vervolgens wordt een laag polykristallijnsilicium 4 over de geïllustreerde structuur gevormd.
10 Vervolgens wordt op een manier gelijk aan die geïl lustreerd in de fig.lB en 1D, een isolerende poortfilm 6 en een poortelectrode 7 gevormd, zoals geïllustreerd in fig.2C. Vervolgens wordt zoals in fig.2D, een PSG-film 8 over het oppervlak gevormd en worden n+-type bron- en afvoergebieden 10 15 en 11 gevormd, zoals wordt geïllustreerd in fig.2A t/m 2D. Opgemerkt wordt - zie fig.2C -, dat de poortelectrode 7 en de isolerende poortfilm 6 gevormd worden voor het kruisen voor het in de hoek van de polykristallijne siliciumfilm 2 gevormde rechthoekige deel 2a.
20 Zoals in fig.2E geïllustreerd is, wordt een opening 8a in de PSG-film 8 gevormd en wordt een aluminiumelectrode 12 door de opening 8a gevormd en sluit deze aan op de bron 10.
Zoals in fig.2F is geïllustreerd, wordt een passi-25 vatiefilm omvattende een film van Si3N4-film 17, over het oppervlak van de in fig.2E geïllustreerde structuur gevormd.
Zoals in fig.2G getoond is, wordt het vloeibaarkristalmate-riaal 20 tussen de Si3N4-film 17 en een daar tegenover opgestelde electrode 18 die op een glasplaat 19 op de in fig.11 30 geïllustreerde wijze is gevormd, afgedicht, zodat een vloei-baarkristal-weergeefinrichting die in fig.2G is geïllustreerd gecompleteerd wordt.
Fig.3 is een bovenaanzicht van de vloeibaarkristal-weergeefinrichting: Fig.2G is een langs de lijn A-A van fig.3 35 genomen doorsnede-aanzicht. Opgemerkt wordt, dat in fig.3 de Si3N4-film 17, de glasplaat 19 en het vloeibaarkristalmate-riaal 20 niet getoond zijn.
; ' .r w w 4 -6- i 4
In de in fig.2G geïllustreerde vloeibaarkristal-weergeefinrichting, dient de n+-type polykristallijne sili- Ö ciumfilm 2 met een 200A dikte, die het afvoergebied 11 vormt, eveneens als de transparante electrode. De zeer dunne poly-5 kristallijne siliciumfilm 2 is in hoofdzaak transparant ten opzichte van het licht van vrijwel alle golflengtes behalve de korte golflengtes (blauw), die geabsorbeerd zal worden.
Volgens de uitvinding worden, daar het afvoergebied 11 en de transparante electrode omvattende de gemeenschappe-10 lijke n+-type polykristallijne siliciumfilm 2, de volgende voordelen verkregen. Bij de uitvinding behoeft de ITO-film 16 die in fig.lG uit de stand van de techniek is geïllustreerd, niet als de transparante electrode gevormd te worden. Daardoor is het eveneens niet’vereist, de in fig.lF geïllustreer-15 de Si3N4-film te vormen als de isolerende binnenlaag bij de onderhavige uitvinding. Vanwege deze reden heeft de vloei-baarkristal-weergeefinrichting van een uitvoeringsvorm van de uitvinding een simpeler structuur dan die volgens de stand van de techniek. Dientengevolge worden de stappen van het 20 vormen van fotogevoelig materiaal voor het vormen van de ITO-film 16 en voor het vormen van de opening 15a van de Si3N4-film 14 weggelaten. Daardoor worden de vervaardigings-stappen in vergelijking met de gangbare werkwijze vereenvoudigd. Eveneens zal, daar de ITO-film 16 en de 813^4-film 14 25 niet gevormd behoeven te worden, schade aan de dunne film-transistor TFT vanwege sputteren of plasma-CVD vermeden worden, hetgeen resulteert in een TFT met excellente karakteristieken.
Additioneel aan bovengenoemde voordelen zal, daar 30 de ITO-film niet gevormd wordt bij de onderhavige uitvinding, de warmteweerstand worden verbeterd ten opzichte van inrichtingen volgens de stand van de techniek en kan de verhouding van het gebied van het lichtdoorlatende deel ten opzichte van dat van één pixel (openingsverhouding) vermeerderd worden in 35 vergelijking met de inrichting volgens de stand van de techniek.
De uitvoeringsvorm volgens de onderhavige uitvinding is beschreven, maar de uitvinding is niet beperkt tot Π ? 8 3 1
\y isa W I
« ' -7- een dergelijke uitvoeringsvorm en verscheidene veranderingen en modificaties kunnen binnen de gedachte en strekking van de uitvinding gemaakt worden. Bijvoorbeeld kunnen zuurstof-(0), stikstof-(N) en koolstof(C)-ionen in een deel van de poly-5 kristallijne siliciumfilm 2 die de transparante electrode vormt, geïmplanteerd worden of kunnen een aantal openingen in de polykristallijne siliciumfilm 2 gevormd worden voor het verbeteren van de vereiste lichtopbrengst. Eveneens wordt opgemerkt, dat de dikte van de polykristallijnefilm 2 naar ver-10 eiste vrijlijk gekozen kan worden. Teneinde de dunne film-transistor TFT met een hoge effectieve mobiliteit μ eff te verkrijgen, wordt de dikte echter daardoor bij voorkeur binnen het gebied van 20-1000A gekozen. De dikte van de polykristalli jne siliciumfilm 2 kan in het transparante electro-? 15 dedeel en in het TFT deel gevarieerd worden, indien vereist.
Eveneens kan een isolerend transparant substraat zoals een glassubstraat gebruikt worden in plaats van het quartzsubstraat 1. Indien een glassubstraat wordt gebruikt, wordt, daar glas in het algemeen een laag smeltpunt heeft, de 20 dikte van de polykristallijne siliciumfilm 2 niet verminderd door termische oxidatie en wordt de polykristallijne siliciumfilm 2 met een gewenste dikte, direkt bij voorkeur door LPCVD gevormd, waarbij een film bij lage temperaturen gevormd kan worden. Op dezelfde wijze worden bij voorkeur de bron- en 25 afvoergebieden 10 en 11 door ion-implantatie in plaats van onder gebruikmaking van de PSG-film 8 werkwijze gevormd.
Hoewel de uitvinding is beschreven met betrekking tot voorkeursuitvoeringsvormen, moet deze niet daartoe beperkt worden, daar verandering en modificaties gemaakt kunnen 30 worden, die binnen de volledig gewenste strekking van de uitvinding liggen, zoals gedefinieerd door de bijgevoegde conclusies .
jr* : '*♦ ·*ν ^ ;i r
• * * J
. ,, j _j r* J
Claims (12)
1. Vloeibaarkristal-weergeefinrichting omvattende , een weergeefinrichting die bestaat uit een tussen een paar van tegenover elkaar opgestelde electroden afgedicht vloei-baarkristalmateriaal en een dunne filmdrijftransistor voor 5 het besturen van een tussen de tegenover elkaar opgestelde electroden aangebrachte spanning, waarbij een afvoergebied van de dunne filmdrijftransistor en één van de tegenover elkaar opgestelde electroden die op het afvoergebied is aangesloten, door dezelfde polykristallijne siliciumfilm worden gevormd.
2. Inrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk dat de polykristalli jne siliciumfilm op een isolerend trans-. parant substraat is gevormd.
3. Inrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk dat het isolerende transparante substraat een quartzsubstraat 15 is.
4. Inrichting volgens conclusie 2, met het kenmerk dat het isolerende transparante substraat een glassubstraat is.
5. Inrichting volgens één van de voorgaande conclu-20 sies, met het kenmerk dat een tot in het afvoergebied van de dunne filmdrijftransistor gedoteerde onzuiverheid dezelfde gelijkbaarheidssoort heeft als die van een tot in één van de tegenover elkaar opgestelde electroden gedoteerde onzuiverheid.
6. Inrichting volgens één van de conclusies 1-4, met het kenmerk dat de polykristallijne siliciumfilm een n-type polykristallijne siliciumfilm is, waarbij een n-type onzuiverheid tot hoge concentratie daarin is gedoteerd.
7. Inrichting volgens één van de conclusies 1-4, 30 met het kenmerk dat een deel van de één van de twee tegenover elkaar opgestelde electroden vormende polykristalllijne sili-ciumfilm tenminste één van de zuurstof, stikstof en koolstof omvattende groep bevat.
8. inrichting volgens één van de conclusies 1-4, 35 met het kenmerk dat een veelvoud van openingen in het deel van de polykristallijne siliciumfilm, dat een van de twee tegenover elkaar opgestelde electroden vormt, zijn gevormd. ΐ- ii 0 2 8 8 1 t * -9-
9. Inrichting volgens één van de conclusies 1-4, met het kenmerk dat de dikte van de polykristallijne sili- O ciumfilm in het gebied tussen 20 tot 1000 A valt.
10. Vloeibaarkristal-weergeefinrichting gekenmerkt 5 door eerste en tweede vlakke tegenover elkaar opgestelde electroden, waarbij het vloeibaarkristalmateriaal tussen eerste en tweede electroden is afgedicht, een dunne filmdrijf-transistor voor het aanbrengen van een spannning aan de eerste en tweede electroden die een bron en een afvoer hebben, 10 en doordat de afvoer of bron intergraal door een enkele laag van een polykristallijne siliciumfilm die eveneens de eerste electrode vormt, gevormd is.
11. Vloeibaarkristal-weergeefinrichting volgens conclusie 11, met het kenmerk dat-de polykristallijne film 15 aan een doorzichtig isolerend substraat is bevestigd.
12. Werkwijze voor het vormen van een vloeibaar-kristal-weergeefinrichting volgens één van de voorgaande conclusies, gekenmerkt door de volgende stappen: het vormen van een laag polykristallijne siliciumfilm op een 20 vlak isolerend, doorzichtig substraat, het vormen van een siliciumdioxidefilm op de polykristallijne siliciumfilm, het vormen van een poortelectrode van een dunne filmtransistor op het vlakke isolerende substraat, het vormen van een bronelec-trode voor de dunne filmtransistor op het vlakkeisolerende 25 substraat, het vormen van een geleidende laag van polykristalli jn silicium op het vlakke isolerende substraat, die een afvoerelectrode voor de dunne filmtransistor en een eerste vlakke electrode vormt, het vormen van een tweede vlakke electrode op een transparante plaat en het afdichten van de 30 transparante plaat en het vlakke isolerende substraat samen met vloeibaarkristalmateriaal daartussen. - -' λ ·* *i ... , ·..* I
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22477084 | 1984-10-25 | ||
| JP59224770A JPS61102628A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8502881A true NL8502881A (nl) | 1986-05-16 |
Family
ID=16818946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8502881A NL8502881A (nl) | 1984-10-25 | 1985-10-22 | Vloeibaarkristal-weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102628A (nl) |
| CN (1) | CN1005170B (nl) |
| CA (1) | CA1269161A (nl) |
| DE (1) | DE3538065A1 (nl) |
| FR (1) | FR2572569B1 (nl) |
| GB (1) | GB2166276B (nl) |
| NL (1) | NL8502881A (nl) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2661320B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1997-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH0611705A (ja) * | 1992-01-31 | 1994-01-21 | Sony Corp | 能動素子基板 |
| GB2265486A (en) * | 1992-03-11 | 1993-09-29 | Marconi Gec Ltd | Display device fabrication |
| TW281786B (nl) * | 1993-05-26 | 1996-07-21 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| JP3450376B2 (ja) * | 1993-06-12 | 2003-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2791435B2 (ja) * | 1996-12-24 | 1998-08-27 | 株式会社日立製作所 | 液晶ディスプレイ装置 |
| EP1843194A1 (en) | 2006-04-06 | 2007-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, semiconductor device, and electronic appliance |
| TWI585498B (zh) | 2006-05-16 | 2017-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置和半導體裝置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893269A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JPS5910988A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-20 | ホシデン株式会社 | カラ−液晶表示器 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP59224770A patent/JPS61102628A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-09 CA CA000492586A patent/CA1269161A/en not_active Expired
- 1985-10-16 GB GB08525532A patent/GB2166276B/en not_active Expired
- 1985-10-22 NL NL8502881A patent/NL8502881A/nl not_active Application Discontinuation
- 1985-10-24 CN CN85108619.5A patent/CN1005170B/zh not_active Expired
- 1985-10-25 FR FR8515861A patent/FR2572569B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1985-10-25 DE DE19853538065 patent/DE3538065A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3538065A1 (de) | 1986-07-10 |
| GB2166276B (en) | 1988-11-09 |
| GB2166276A (en) | 1986-04-30 |
| JPS61102628A (ja) | 1986-05-21 |
| FR2572569A1 (fr) | 1986-05-02 |
| CA1269161A (en) | 1990-05-15 |
| GB8525532D0 (en) | 1985-11-20 |
| FR2572569B1 (fr) | 1991-04-12 |
| CN1005170B (zh) | 1989-09-13 |
| JPH0543095B2 (nl) | 1993-06-30 |
| CN85108619A (zh) | 1986-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2572003B2 (ja) | 三次元マルチチャンネル構造を有する薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3556679B2 (ja) | 電気光学装置 | |
| US5097297A (en) | Thin film transistor | |
| US5710606A (en) | LCD TFT having two layer region adjacent base region in which the layers have opposite conductivities and have two density gradients | |
| JPH0519830B2 (nl) | ||
| US6265730B1 (en) | Thin-film transistor and method of producing the same | |
| KR930020197A (ko) | 전자 장치 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자장치 | |
| US6028333A (en) | Electric device, matrix device, electro-optical display device, and semiconductor memory having thin-film transistors | |
| US6713825B2 (en) | Poly-crystalline thin film transistor and fabrication method thereof | |
| GB2127216A (en) | Improved structure of thin film transistors and manufacture method thereof | |
| KR970011766B1 (ko) | Mos 트랜지스터 | |
| NL8502881A (nl) | Vloeibaarkristal-weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. | |
| JPH02210871A (ja) | 半導体装置 | |
| US5767529A (en) | Thin-film transistor having a plurality of island-like regions | |
| US4998152A (en) | Thin film transistor | |
| JPH01302768A (ja) | 逆スタガー型シリコン薄膜トランジスタ | |
| KR0179066B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| EP0334052B1 (en) | Thin film transistor | |
| KR950009804B1 (ko) | 3차원 채널구조를 갖는 고속 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| JP2761496B2 (ja) | 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法 | |
| JPH0784285A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS6159474A (ja) | アクティブマトリクスディスプレイ | |
| JP2589877B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| KR960019779A (ko) | 액정표시장치용 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH0828514B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BV | The patent application has lapsed |