JPS61101122A - 回線切替器 - Google Patents
回線切替器Info
- Publication number
- JPS61101122A JPS61101122A JP22225884A JP22225884A JPS61101122A JP S61101122 A JPS61101122 A JP S61101122A JP 22225884 A JP22225884 A JP 22225884A JP 22225884 A JP22225884 A JP 22225884A JP S61101122 A JPS61101122 A JP S61101122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- gaas
- strip line
- drain
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高周波帯で用いられる回線切替器に関する。
従来９機械的な回線切替器よりも高速な回線切替器とし
てＰＩＮダイオード？用いた回線切替器が知られている
。ここで、第２図及び第５図を参照してＰＩＮダイオー
ドを用いた回線切替器について説明する。
てＰＩＮダイオード？用いた回線切替器が知られている
。ここで、第２図及び第５図を参照してＰＩＮダイオー
ドを用いた回線切替器について説明する。
第２図に示す回線切替器は、２個のＰＩＮダイオード１
１及び１２のカンードｉＲＦ入出力端子１に接続し、且
つ、各ＰＩＮダイオード１１及び１２のアノードｉＲＦ
入出力端子２及び３に接続した構成を備えている。更に
、 ＰＩＮダイオード１１のアノードにはインダクタ２
２とコンデンサ３．［が直列に接続され、コンデンサ３
４は接地されている。
１及び１２のカンードｉＲＦ入出力端子１に接続し、且
つ、各ＰＩＮダイオード１１及び１２のアノードｉＲＦ
入出力端子２及び３に接続した構成を備えている。更に
、 ＰＩＮダイオード１１のアノードにはインダクタ２
２とコンデンサ３．［が直列に接続され、コンデンサ３
４は接地されている。
インダクタ２２とコンデンサ３４との間からは切替信号
入力端子４が引き出されている。他方、 ＰＩＮダイオ
ード１２のアノードにも、インダクタ２３とコンデンサ
３５が直列に接続され、インダクタ２２とコンデンサ３
４との間からは切替信号入力端子５が引き出されている
。
入力端子４が引き出されている。他方、 ＰＩＮダイオ
ード１２のアノードにも、インダクタ２３とコンデンサ
３５が直列に接続され、インダクタ２２とコンデンサ３
４との間からは切替信号入力端子５が引き出されている
。
次に、第６図に示す回線切替器では、ＲＦ入出力端子１
に一対のストリップ線路４２及び４３の一端がコンデン
サ３０及び３１を介して連結され。
に一対のストリップ線路４２及び４３の一端がコンデン
サ３０及び３１を介して連結され。
ストリップ線路４２及び４３の他端は、コンデンサ３２
及び３３ヲ介して、それぞれＲＦ入出力端子２及び３に
接続されている。コンデンサ３２とストリップ線路４２
との共通接続点にはＰＩＮダイオード１１の一端が接続
されており、他端が接地されている。また１図示のよう
に、コンデンサ３２とストリップ線路４２との共通接続
点にはインダクタ２２とコンデンサ３４が直列に接続さ
れ、インダクタ２２とコンデンサ３４との接続点には切
替信号入力端子４が接続されると共に、コンデンサ３４
の他端は接地されている。同様に、ＲＦ入出力端子３側
にも、 ＰＩＮダイオード１２．インダクタｎ、及びコ
ンデンサ３３が設けられており、インダクタ２３とコン
デンサ３３との接続点には切替信号入力端子５が接続さ
れている。
及び３３ヲ介して、それぞれＲＦ入出力端子２及び３に
接続されている。コンデンサ３２とストリップ線路４２
との共通接続点にはＰＩＮダイオード１１の一端が接続
されており、他端が接地されている。また１図示のよう
に、コンデンサ３２とストリップ線路４２との共通接続
点にはインダクタ２２とコンデンサ３４が直列に接続さ
れ、インダクタ２２とコンデンサ３４との接続点には切
替信号入力端子４が接続されると共に、コンデンサ３４
の他端は接地されている。同様に、ＲＦ入出力端子３側
にも、 ＰＩＮダイオード１２．インダクタｎ、及びコ
ンデンサ３３が設けられており、インダクタ２３とコン
デンサ３３との接続点には切替信号入力端子５が接続さ
れている。
第２図及び第６図に示した回線切替器とも周知のように
切替信号入力端子４あるいは５に信号を加えて、ＲＦ入
出力端子１，２．及び３からのＲＦ倍信号入出力を切り
換えることができる。
切替信号入力端子４あるいは５に信号を加えて、ＲＦ入
出力端子１，２．及び３からのＲＦ倍信号入出力を切り
換えることができる。
ところで、第２図及び第６図に示したようにＰＩＮダイ
オードを用いた回線切替器では、ダイオード内の電流制
御により回線の切替えを行うのでターイオードがオン（
ＯＮ）からオフ（ＯＦＦ）に移行する時間が長く１回線
の切替スピードが制限されていた。即ちダイオードがＯ
ＮからＯＦＦの状態に切り替わるときにダイオード空乏
領域に注入されたキャリアを引き抜くだめの時間が長い
ので、ダイオードがＯＦＦとなる時間が長くな９．従っ
て回線の切替時間が長くなってしまうという問題点があ
る。
オードを用いた回線切替器では、ダイオード内の電流制
御により回線の切替えを行うのでターイオードがオン（
ＯＮ）からオフ（ＯＦＦ）に移行する時間が長く１回線
の切替スピードが制限されていた。即ちダイオードがＯ
ＮからＯＦＦの状態に切り替わるときにダイオード空乏
領域に注入されたキャリアを引き抜くだめの時間が長い
ので、ダイオードがＯＦＦとなる時間が長くな９．従っ
て回線の切替時間が長くなってしまうという問題点があ
る。
本発明は上述した欠点を解消し１回線の切替時間をＰＩ
Ｎダイオードを用いた従来の回線切替器よりも短くする
ことのできる回線切替器を提供することを目的としてい
る。
Ｎダイオードを用いた従来の回線切替器よりも短くする
ことのできる回線切替器を提供することを目的としてい
る。
本発明では、キャリア変調特性を有し、キャリア速度が
速い電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いることによ
り、上述したＰＩＮダイオードを使用した場合の欠点を
除去している。
速い電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を用いることによ
り、上述したＰＩＮダイオードを使用した場合の欠点を
除去している。
本発明によれば、２個のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ＦＥ
Ｔの各ソース端子を接地するとともに、この２個のＧａ
Ａｓ ＦＥＴのドレイン電極をストリップ線路を介して
接続し、このスｌ−ＩＪツブ線路の中点から第１の信号
端子〆取り出すと共に、さらに上記の２個のＧａＡｓ
ＦＥＴの各ドレイン端子からはそれぞれ第２．第５の信
号部子が取り出されて、上記の２個のＧａＡｓ ＦＥＴ
の各ゲート端子にはこのＦＥＴ ’ｉ制御する制御信号
が印加されるようにしたこと？特徴とする回線切替器が
得られる。
Ｔの各ソース端子を接地するとともに、この２個のＧａ
Ａｓ ＦＥＴのドレイン電極をストリップ線路を介して
接続し、このスｌ−ＩＪツブ線路の中点から第１の信号
端子〆取り出すと共に、さらに上記の２個のＧａＡｓ
ＦＥＴの各ドレイン端子からはそれぞれ第２．第５の信
号部子が取り出されて、上記の２個のＧａＡｓ ＦＥＴ
の各ゲート端子にはこのＦＥＴ ’ｉ制御する制御信号
が印加されるようにしたこと？特徴とする回線切替器が
得られる。
以下本発明について図面の実施例によって説明する。
第１図金参照して１本発明による回線切替器の構成につ
いて説明すると、使用周波数でほぼ１／２ｖ長となるス
トリップ線Ｉ＠ヲ備え、このストリップ線路は互いに連
結された実質的に等しい長さのストリップ線路部４２と
ストリップ線路部４３とを有している。両ストリップ線
路部４２及び４３の連結部、即ち、ストリップ線路の中
点からは第１のＲＦ入出力端子１が取り出されている。
いて説明すると、使用周波数でほぼ１／２ｖ長となるス
トリップ線Ｉ＠ヲ備え、このストリップ線路は互いに連
結された実質的に等しい長さのストリップ線路部４２と
ストリップ線路部４３とを有している。両ストリップ線
路部４２及び４３の連結部、即ち、ストリップ線路の中
点からは第１のＲＦ入出力端子１が取り出されている。
一方、ストリップ線路部４２の他端にはＧａＡｓＦＥＴ
５２のドレイン端子が接続されており、さらにＧａＡｓ
ＦＥＴ５２のドレイン端子からは第２のＲＦ入出力端
子２が取り出されている。同様に、ストリップ線路部４
３にはＧａＡｓ ＦＥＴ ５３のドレイン端子が接続さ
れており、 ＧａＡｓ ＦＥＴ ５３のドレイン端子か
らは第６のＲＦ入出力端子３が取り出されている。Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴ ５２及び５３のゲート端子には図示のよ
うにそれぞれ回線切替信号入力端子４及び５が接続され
、且つＧａＡｓ ＦＥＴ ５２及び５３のソース端子は
それぞれ接地されている。
５２のドレイン端子が接続されており、さらにＧａＡｓ
ＦＥＴ５２のドレイン端子からは第２のＲＦ入出力端
子２が取り出されている。同様に、ストリップ線路部４
３にはＧａＡｓ ＦＥＴ ５３のドレイン端子が接続さ
れており、 ＧａＡｓ ＦＥＴ ５３のドレイン端子か
らは第６のＲＦ入出力端子３が取り出されている。Ｇａ
Ａｓ ＦＥＴ ５２及び５３のゲート端子には図示のよ
うにそれぞれ回線切替信号入力端子４及び５が接続され
、且つＧａＡｓ ＦＥＴ ５２及び５３のソース端子は
それぞれ接地されている。
一般にＧａＡｓ ＦＥＴはＯＮ時の抵抗が５オームにお
いてはドレイン端子とソース端子との間の容量が０．２
ｐＦ程度であることが判明した。しだがって、各ＦＥＴ
ｉ第６図に示したようにストリップ線路部４２と４３
とを短絡するように配置した場合、超高周波帯まで低損
失で動作する回線切替器を実現することができる。。さ
らに、 ＧａＡｓ ＦＥＴのドレイン端子とソース端子
間には外部バイアスが必要とされないから、ＲＦバイパ
ス回路が必要すく１回線切替器の回路構成を簡単にする
ことができる。従って、上記の・説明からも明らかな通
り、 ＧａＡｓ ＦＥＴ ｋ半導体チップとして。
いてはドレイン端子とソース端子との間の容量が０．２
ｐＦ程度であることが判明した。しだがって、各ＦＥＴ
ｉ第６図に示したようにストリップ線路部４２と４３
とを短絡するように配置した場合、超高周波帯まで低損
失で動作する回線切替器を実現することができる。。さ
らに、 ＧａＡｓ ＦＥＴのドレイン端子とソース端子
間には外部バイアスが必要とされないから、ＲＦバイパ
ス回路が必要すく１回線切替器の回路構成を簡単にする
ことができる。従って、上記の・説明からも明らかな通
り、 ＧａＡｓ ＦＥＴ ｋ半導体チップとして。
回線切替器の回路構成を膜回路基板上に形成したハイブ
リッドマイクロ集積回路とすることができる。
リッドマイクロ集積回路とすることができる。
以上説明したように本発明ではキャリア変調特性を有し
、キャリア速度の早いＧａＡｓ ＦＥＴ ｆ用いて回線
切替器を構成したことによって、従来のＰＩＮダイオー
ドを用いた回線切替器に比べて回線の切替速度を速くす
ることができるという利点がある。
、キャリア速度の早いＧａＡｓ ＦＥＴ ｆ用いて回線
切替器を構成したことによって、従来のＰＩＮダイオー
ドを用いた回線切替器に比べて回線の切替速度を速くす
ることができるという利点がある。
第１図は本発明による回線切替器の回路構成を示すだめ
の図、第２図及び第５図は従来の回線切替器の回路構成
を示すための図である。 １．２．３・・・ＲＦ入出力端子、４，５・・・回線切
替信号入力端子、 ］１ 、１２・・−ＰＩＮダイオー
ド、２１，２２゜２３・・・インダクタ、 ３０，３Ｌ
３２，３３，３４．３５・・・コンアンサ、４２．４３
・・・ストリップ線路部、５２．５３・・・ガリウムヒ
素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ ＦＥＴ ）。 −λ ニ１
の図、第２図及び第５図は従来の回線切替器の回路構成
を示すための図である。 １．２．３・・・ＲＦ入出力端子、４，５・・・回線切
替信号入力端子、 ］１ 、１２・・−ＰＩＮダイオー
ド、２１，２２゜２３・・・インダクタ、 ３０，３Ｌ
３２，３３，３４．３５・・・コンアンサ、４２．４３
・・・ストリップ線路部、５２．５３・・・ガリウムヒ
素電界効果トランジスタ（ＧａＡｓ ＦＥＴ ）。 −λ ニ１
Claims (1)
- １、２個のガリウムヒ素ＦＥＴの各ソース端子を接地す
るとともに、該２個のガリウムヒ素ＦＥＴのドレイン電
極をストリップ線路を介して接続し、該ストリップ線路
の中点から第１の信号端子が取り出されて、さらに前記
２個のガリウムヒ素ＦＥＴの前記各ドレイン端子からは
それぞれ第２、第３の信号端子が取り出されて、前記２
個のガリウムヒ素ＦＥＴの各ゲート端子には該ＦＥＴを
制御する制御信号が印加されるようにしたことを特徴と
する回線切替器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22225884A JPS61101122A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 回線切替器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22225884A JPS61101122A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 回線切替器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101122A true JPS61101122A (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=16779569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22225884A Pending JPS61101122A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 回線切替器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61101122A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274343A (en) * | 1991-08-06 | 1993-12-28 | Raytheon Company | Plural switch circuits having RF propagation networks and RF terminations |
| US5475875A (en) * | 1993-06-17 | 1995-12-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Antenna switching circuit employing FETs for reduced power consumption |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP22225884A patent/JPS61101122A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274343A (en) * | 1991-08-06 | 1993-12-28 | Raytheon Company | Plural switch circuits having RF propagation networks and RF terminations |
| US5475875A (en) * | 1993-06-17 | 1995-12-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Antenna switching circuit employing FETs for reduced power consumption |
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