JPS6097720A - 高周波スイツチ回路 - Google Patents
高周波スイツチ回路Info
- Publication number
- JPS6097720A JPS6097720A JP20642383A JP20642383A JPS6097720A JP S6097720 A JPS6097720 A JP S6097720A JP 20642383 A JP20642383 A JP 20642383A JP 20642383 A JP20642383 A JP 20642383A JP S6097720 A JPS6097720 A JP S6097720A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- diodes
- switch circuit
- diode
- frequency switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電界効果形トランジスタを用いた高周波スイッ
チ回路の改良に関する。
チ回路の改良に関する。
半導体を用いた高周波スイッチとしては、ｓｉ半導体を
用いたＰ■Ｎダイオードを用いた回路が良く知られてい
る、 しかしながら、ＰＩＮダイオードでは製法上ブレーナ化
しにくいため、集積化したスイッチ回路とはなりにくい
。この解決方法の一つとして、電界効果形トランジスタ
を用いたスイッチ回路が使用される。特にＧａＡｓ半導
体は素材の固有抵抗を高くとれるのでＯＩ” Ｆ特性の
よいスイッチ回路が期待出来る。
用いたＰ■Ｎダイオードを用いた回路が良く知られてい
る、 しかしながら、ＰＩＮダイオードでは製法上ブレーナ化
しにくいため、集積化したスイッチ回路とはなりにくい
。この解決方法の一つとして、電界効果形トランジスタ
を用いたスイッチ回路が使用される。特にＧａＡｓ半導
体は素材の固有抵抗を高くとれるのでＯＩ” Ｆ特性の
よいスイッチ回路が期待出来る。
ところがＯＮ抵抗を下げるために、大きなトランジスタ
を用いると、ゲート−ソース及びゲート−ドレイン間の
電極間容量が大きくなるために。
を用いると、ゲート−ソース及びゲート−ドレイン間の
電極間容量が大きくなるために。
高周波数では高いＯＦＦ抵抗がこの電極間容量でストラ
ップされてしまい、良好なＯＦＦ特性が取りにくくなる
。
ップされてしまい、良好なＯＦＦ特性が取りにくくなる
。
本発明の目的は以上の考察にもとづき、電界効果形トラ
ンジスタがＯＦＦのときに高いアイソレーション特性が
得られる高周波スイッチ回路を提供するものである。
ンジスタがＯＦＦのときに高いアイソレーション特性が
得られる高周波スイッチ回路を提供するものである。
第１図は本発明の実施例を示す回路図であり。
電界効果トランジスタｌはドレイン端子１１． ソ−入
端子１２およびゲート端子１３を備え、ゲート端子１３
にはダイオード２および３および高周波バイパス用コン
デンサ４がｇ１図のように接続されている。端子４１か
らの制御信号によりダイオード２および３を１＠方向に
バイアスすると、電界効果トランジスタ１がＯＦＦとな
る。
端子１２およびゲート端子１３を備え、ゲート端子１３
にはダイオード２および３および高周波バイパス用コン
デンサ４がｇ１図のように接続されている。端子４１か
らの制御信号によりダイオード２および３を１＠方向に
バイアスすると、電界効果トランジスタ１がＯＦＦとな
る。
第２図にトランジスタ１がＯＦＦ’状態の場合の第１図
の等何回路を示している。図において、ダイオード２お
よび３のＯＮ抵抗２１および３１は小さいから、高周波
信号がトランジスタ１の電極問答−１ｉ１６および１７
でバイパスすることを防止でき、トランジスタｌのＯＦ
Ｆ抵抗１５の効果が鮮明になる。
の等何回路を示している。図において、ダイオード２お
よび３のＯＮ抵抗２１および３１は小さいから、高周波
信号がトランジスタ１の電極問答−１ｉ１６および１７
でバイパスすることを防止でき、トランジスタｌのＯＦ
Ｆ抵抗１５の効果が鮮明になる。
一方、タイオード２．３のバイアスがない場合はＯＮ抵
抗１５は小さくなり、一方ダイオードの等価抵抗２１．
３１は太き（なるためにソース−ドレイン間の通過損失
はトランジスタＯＮの場合に比べれば極めて小さくなり
、全体として０Ｎ−（Ｊ Ｆ Ｆ比のすぐれた高周波ス
イッチ回路が実現できる。なお、２２および３２はタイ
オード２および３の容量である。
抗１５は小さくなり、一方ダイオードの等価抵抗２１．
３１は太き（なるためにソース−ドレイン間の通過損失
はトランジスタＯＮの場合に比べれば極めて小さくなり
、全体として０Ｎ−（Ｊ Ｆ Ｆ比のすぐれた高周波ス
イッチ回路が実現できる。なお、２２および３２はタイ
オード２および３の容量である。
なお、ここでダイオード２及び３はトランジスタｌのゲ
ートバイアス条件によって、２本又は３本直列に接続さ
れる場合も起るが、ここで述べた本質には影響がない。
ートバイアス条件によって、２本又は３本直列に接続さ
れる場合も起るが、ここで述べた本質には影響がない。
さらに、ここで用いるダイオードのＯＮ１０ Ｆ Ｆ特
性及び寄性容量に対する要求は、あくまでその動作が補
助的な性格のものであるから、トランジスタに要求され
るものほど厳しくなくなり製造上の制約がゆるくなり、
図の回路を例えばモノリシックＩＣ化しようとした場合
等に作り易い構造となり得る。
性及び寄性容量に対する要求は、あくまでその動作が補
助的な性格のものであるから、トランジスタに要求され
るものほど厳しくなくなり製造上の制約がゆるくなり、
図の回路を例えばモノリシックＩＣ化しようとした場合
等に作り易い構造となり得る。
第１図は本発明の実施例を示す回路図、第２図は第１図
の等価回路図である。 図において、ｌ・・・・・・電界効果形トランジスタ。 ２．３・・・・・・ダイオード、４・・・・・・高周波
バイパス用コンデンサである。 ７−：、 代理人 弁理士 内 原 晋１１．４．。 辛１ｍ１ １ 乎２回
の等価回路図である。 図において、ｌ・・・・・・電界効果形トランジスタ。 ２．３・・・・・・ダイオード、４・・・・・・高周波
バイパス用コンデンサである。 ７−：、 代理人 弁理士 内 原 晋１１．４．。 辛１ｍ１ １ 乎２回
Claims (1)
- 電界効果型トランジスタのドレインおよびソース端子を
高周波信号の人、出力端子とし、ゲート端子を前記入、
出力端子間に流れる高周波信号制御用端子として使用す
る高周波スイッチ回路において、一端が高周波的に接地
され、他端が前記ゲート端子に接続されたダイオードを
順方向にバイアスすることにより前記トランジスタをオ
フにすることを特徴とする高周波スイッチ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20642383A JPS6097720A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 高周波スイツチ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20642383A JPS6097720A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 高周波スイツチ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097720A true JPS6097720A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16523126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20642383A Pending JPS6097720A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 高周波スイツチ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097720A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03104268A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-05-01 | Ma Com Inc | トランジスタ制御素子 |
| WO2004059842A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | M/A-Com, Inc. | Series/shunt switch and method of operation |
| CN100405739C (zh) * | 2002-12-17 | 2008-07-23 | M/A-Com公司 | 串联/分路开关及操作方法 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP20642383A patent/JPS6097720A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03104268A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-05-01 | Ma Com Inc | トランジスタ制御素子 |
| WO2004059842A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | M/A-Com, Inc. | Series/shunt switch and method of operation |
| JP2006511179A (ja) * | 2002-12-17 | 2006-03-30 | メイコム インコーポレイテッド | スイッチおよびスイッチ制御方法 |
| CN100405739C (zh) * | 2002-12-17 | 2008-07-23 | M/A-Com公司 | 串联/分路开关及操作方法 |
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